FLASH内存芯片STM8S003F/图片/功能介绍/规格书_深圳华永泰供应商
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&ST (意法半导体)
全芯原装 芯赖品质
价值线---16兆赫STM8S &&&&& ---8位、8 kb的Flash,128字节&&&&& ---数据EEPROM&&&&& ---10-bit ADC,3定时器,UART,SPI,I²C
特性:核心•16兆赫先进STM8核心•扩展指令集架构和号管道•程序内存记忆:8 kb的F&数据保留100次后20年55°C•RAM:1 kb•数据内存:128字节的真实数据&耐力100 000写/擦除周期
&#到5.5V工作电压•灵活的时钟控制,&4主时钟来源:――低功率晶体谐振器振荡器内部&-外部时钟输入,user-trimmable 16兆赫RC &-内部低功率128 kHz RC•时钟时钟监控安全系统•电源管理:&-低功率模式(等active-halt,停止)―&―关闸外围单独的时钟•永久活跃,接通电源的低消费和断电复位
•与32个中断嵌套中断控制器&#个外部中断向量&计时器•先进控制计时器:16位、4日本游戏公司渠道,&3互补输出,空载插入和灵活的同步•16位通用计时器,&与3日本游戏公司渠道(IC、OC或PWM)•8位和8位预定&标器基本定时器•汽车唤醒定时器•窗口监管机构和独&立的监督机构计时器.
•通信接口UART与时钟同步输出操作,智能卡,红外线,&林主模式•SPI接口8 Mbit / s•I2C接口400 Kbit / s&模拟到数字转换器(ADC)•10-bit±1 LSB ADC 5多路复用&通道扫描模式和模拟看门狗I / o&#-pin包包括21 I/ o&高水槽输出•高度健壮的I / O设计,对当前免疫注射开发支持•嵌入式单线接口模块(游泳)快速芯片上的编程和非侵入性调试.
功能表格：
1 & LQFP32 pinout and pin description 2 TSSOP20/UFQFPN20 pinout and pin description 3 TSSOP20 pinout and pin description 4 STM8S003F3&UFQFPN20 pinout 5 STM8S003F3 TSSOP20/UFQFPN20 pin description
姓名：吴小姐QQ：座机：2/邮箱：21ic官方微信-->
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STM8S003F3调试跳坑记录
&&未结帖(70)
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本帖最后由 aozima 于
13:50 编辑
1. CLK-&PCKENR1 使能 CLK_PCKENR1_UART1 无效
想降低功耗，单独打开 CLK_PCKENR1_UART1，但UART无输出。
核对资料发现：
解决方法： 不要使用 stm8s.h中的 CLK_PCKENR1_UART1
自己使能 bit3
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2. PD4 TIM2_CH1没有反应
同样的 PD3 TIM2_CH2则完全正常。
经各种跳坑调试后发现，为了使用 PC7 [TIM1_CH2] 和 PC6 [TIM1_CH1]
所以在option bytes里面启动了 AFR0
数据手册对 AFR0 描述如下：
AFR0 Alternate function remapping option 0(2)
0: AFR0 remapping option inactive: Default alternate functions(1)?
1: Port C5 alternate function = TIM2_CH1; port C6 alternate function =
TIM1_CH1; port C7 alternate function = TIM1_CH2.
也就是说 TIM2_CH1也被映射走了，换成 PC5 TIM2_CH1 就完全正常了。
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本帖最后由 aozima 于
13:48 编辑
3. 数据手册中有写 AFR0和AFR1不能同时使用，但他们的IO并不冲突呀？而且我目前就这样用了，而且调试正常。
但刚才翻资料看到这句就懵了。
AFR1 Alternate function remapping option 1 (2)
0: AFR1 remapping option inactive: default alternate function(1)?
1: Port A3 alternate function = SPI_NSS; port D2 alternate function =TIM2_CH3.
AFR0 Alternate function remapping option 0(2)
0: AFR0 remapping option inactive: Default alternate functions(1)?
1: Port C5 alternate function = TIM2_CH1; port C6 alternate function =TIM1_CH1; port C7 alternate function = TIM1_CH2.
1. Refer to the pinout description.
2. Do not use more than one remapping option in the same port. It is forbidden to enable both AFR1 and
这个暂时还没得到答案！为保险起见，决定不使能AFR1，还是修改电路，把 PD2 [TIM2_CH3] 还是换成PA3 TIM2_CH3。
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本帖最后由 aozima 于
22:36 编辑
4. 不要在主程序和中断程序中同时做8bit以上的乘除法运算，会出错
STM8的乘除法指令是8位的，做16位或以上乘法运算时，编译器实际上调用了一个函数（通用作法）；
而这个函数竟然用到了几个编译器自定义的全局变量（猜测）；
在进入中断时，这几个全局变量是不会被自动保存的，从而造成这个乘法运算函数不可重入；
当主程序和中断同时使用8位以上乘除法时，自然就出错。
从芯片或编译器上面想办法基本上不太可行，那么从软件上规避吧。
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这在使用中的确是要注意的，容易搞不清
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4. 不要在主程序和中断程序中同时做8bit以上的乘除法运算，会出错
STM8的乘除法指令是8位的，做16位或以上 ...
我在中断中做过除法，也没出现你的问题呀？
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本帖最后由 aozima 于
09:19 编辑
我在中断中做过除法，也没出现你的问题呀？
建议改进你的测试用例，必须是多处且同时。
算一次时间也不长，必须专门写测试程序，让主程序一直算，中断频繁触发，然后程序自己校验结果。
这样才能很快复现出来。
或编译器升级后，这个函数改进了也有可能。
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楼主需要STM8烧录器吗、我有现货
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等级类勋章STM8S学习笔记-STM8的EEPROM操作 - 北北的日志 - 电子工程世界-论坛
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STM8S学习笔记-STM8的EEPROM操作
已有 3783 次阅读 17:55
|个人分类:|
EEPROM可用于MCU断电时的重要数据的保存。以下为STM8S003F3的EEPROM程序代码，验证可行。#define EEPROM_HEAD_ADDR & &0x004000//当写EEPROM时，将此字节的数据写入到EEPROM的首地址，表示操作过EEPROM。//上电读EEPROM时，若检测到EEPROM的首地址的字节为此字节则读出内部数据。#define FLAG_VALIDDATA & & &0x55//------------------------------------------------------------------------------------------------------------// 名称: Read_EEPROM 。// 功能: 读EEPROM，若内有有效数据则读出 。// 调用：无 。// 返回: 无 。// 说明: 无。// 形参: 无 。// 形参取值范围: 无 。//------------------------------------------------------------------------------------------------------------void Read_EEPROM(void){
&//EEPROM解除保护。 FLASH_Unlock(FLASH_MEMTYPE_DATA); & //若EEPROM的首地址即第一个字节是标志字节，可知之前向EEPROM中写入过数据，应读出。&& & & &if(FLASH_ReadByte(EEPROM_HEAD_ADDR) == FLAG_VALIDDATA)& & & &{
&//将10组共60个字节的数据从EEPROM中读出 。 for(i=0; i&10; i++) { for(j=0; j&6; j++) { Timer_Setting[i][j] = FLASH_ReadByte(EEPROM_HEAD_ADDR+1+i*6+j); }
//EEPROM加上保护。 FLASH_Lock(FLASH_MEMTYPE_DATA);}//------------------------------------------------------------------------------------------------------------// 名称: Write_EEPROM 。// 功能: 将数据写入到EEPROM中 。// 调用：无 。// 返回: 无 。// 说明: 无。// 形参: 无 。// 形参取值范围: 无 。//------------------------------------------------------------------------------------------------------------void Write_EEPROM(void){
&//EEPROM解除保护。 FLASH_Unlock(FLASH_MEMTYPE_DATA);&
//STM8S003F3一共有128字节的EEPROM空间。 //写入前，全部擦除。 for(i=0; i&128; i++) {
FLASH_EraseByte(EEPROM_HEAD_ADDR + i); }
//在EEPROM的首地址写入标志字节，表示EEPROM被使用过，内有有效数据。 FLASH_ProgramByte(EEPROM_HEAD_ADDR, FLAG_VALIDDATA); & //将10组共60个字节的数据写入EEPROM中。& & & & for(i=0; i&10; i++)& & & &{ for(j=0; j&6; j++) {
&FLASH_ProgramByte((EEPROM_HEAD_ADDR+1+i*6+j), Timer_Setting[i][j]);& & & & & & & & & & & & & & & & } & & & &} & & & &//EEPROM加上保护。& & & &FLASH_Lock(FLASH_MEMTYPE_DATA);}
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EE福利 唾手可得
Powered by　　本文介绍stm8s103f3这款单片机的eeprom的用法。
& & & EEPROM是单片机应用系统中经常会用到的存储器，它主要用来保存一些掉电后需要保持不变的数据。在以前的单片机系统中，通常都是在单片机外面再扩充一个EEPROM芯片，这种方法除了增加成本外，也降低了可靠性。现在，很多单片机的公司都推出了集成有小容量EEPROM的单片机，这样就方便了使用，降低了成本，提高了可靠性。
&&&&&&& 1.介绍STM8S103F3的首地址及容量。
&&&&&&& STM8单片机芯片内部也集成有EEPROM，容量从640字节到2K字节。最为特色的是，在STM8单片机中，对EEPROM的访问就象常规的RAM一样，非常方便。EEPROM的地址空间与内存是统一编址的，地址从004000H开始，大小根据不同的芯片型号而定。
&&&&&&& stm8s103f3的EEPROM存储结构如下：
&&&&&&& 由上图可知，EEPROM的大小为0x0000+1=0x280=640bytes。
&&&&&&& 2.介绍EEPROM的解保护寄存器。
&&&&&&& 向该寄存器先写入0XAE,然后写入0X56就可以解除解保护。想该寄存器读操作时，会返回0；
&&&&&&& 3.FLASH状态寄存器
&&& 需要注意的是bit3,bit3为EEPROM区域解锁标记，0表示保护使能，1表示保护失效。向FLASH_DUKR中写入解锁数据后通过查看FLASH_IAPSR寄存器的bit3来确定EEPROM区域已经解锁。
&&&&&&& bit2表示编程结束标志。对EEPROM区域进行写操作后需要判断该位来确定已经写操作成功。
&&&&&&& 下面设计两个程序程序，第一个程序给EEPROM中的004000H位置写入一个值01H，少写入Flash中。第二个程序先读出004000H位置的值，然后给该值加1，再写入到004000H位置，也即是说每次上电时，004000H位置的值会加1。同时为了观察现象，在第二个程序中设置了一个LED灯，通过灯的亮灭次数来表示当前004000H位置的值。
第一个程序：
#include "iostm8s103f3.h"
3 void main()
unsigned char *p;
unsigned int
p = (unsigned char *)0x4000; // 指针p指向芯片内部的EEPROM第一个单元
// 对数据EEPROM进行解锁
FLASH_DUKR = 0xae; // 写入第一个密钥
FLASH_DUKR = 0x56; // 写入第二个密钥
} while((FLASH_IAPSR & 0x08) == 0); // 若解锁未成功，则重新再来
*p=1; // 写入第一个字节
while((FLASH_IAPSR & 0x04) == 0); // 等待写操作成功
29 }第二个程序：
#include "iostm8s103f3.h"
unsigned char
void delay (unsigned int times)
unsigned int i,j;
for(j=0;j&j++)
for(i=0;i&65535;i++);
void main()
unsigned char *p;
unsigned int
p = (unsigned char *)0x4000; // 指针p指向芯片内部的EEPROM第一个单元
// 对数据EEPROM进行解锁
PD_DDR = 0x10;
PD_CR1 = 0x10;
PD_CR2 = 0x00;
FLASH_DUKR = 0xae; // 写入第一个密钥
FLASH_DUKR = 0x56; // 写入第二个密钥
} while((FLASH_IAPSR & 0x08) == 0); // 若解锁未成功，则重新再来
*p = *p+1; // 写入第一个字节
while((FLASH_IAPSR & 0x04) == 0); // 等待写操作成功
ch=*p; // 将写入的内容读到变量ch中
for(i=0;i&i++){
PD_ODR = 0x00;
PD_ODR=0X10;
第二个程序下载完成之后，对开发版进行断电和上电操作，上电后PD4所对应的LED灯就会闪烁，闪烁次数代表*p位置的值的大小。
阅读(...) 评论()}