铝电解电容无负压加压设备负箔

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供应SMD贴片铝电解电容全新报价片式电解电容广东东莞工厂(图)
更新时间:日
企业基本资料
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公司名称:
联 系 人:杨永林 经理
电话:86 1&&
联系地址:广东
宝安区沙井镇上南工业区宏麻路1号
关键词: RVT贴片电解电容,荣誉铝电解电容,片式SMD铝电解
产品详细介绍
详细描述Micon KF SeriesKF 系列 105℃ 低阻抗品
特点◆ 适用于通信设备、开关电源、工业测量仪器等电路中。◆ 105℃负荷寿命达2000小时。◆ 安全防爆阀设计。KF Series Low ImpedanceFearures◆ Used in communication equipments、switching power supply、Industrial measuring instruments ,etc.◆ Load life 2000 hours at 105℃.◆ Safety vent construction design .技术要求 Specifications项目ltem 特性Performance Characteristics使用温度范围Operating Temperature Range -40to+105℃ -25to+105℃额定电压范围Rated Voltage Range 6.3to100VDC 160to400VDC电容量范围Capacitance Range 0.47to10000μF 0.47to220μF电容量允差Capacitance Tolerance ±20%(100Hz or120 Hz,+20℃)漏电流Leakage Current(+20℃,最大max) I≤0.01CV或2(μA)额定工作电压充电2分钟后读数,取大者
After2 minutes,whichever is greater measured with rated working voltage applied I≤0.03CV(μA))额定工作电压充电2分钟后读数,取大者
After2 minutes,whichever is greater measured with rated working voltage applied损耗角正切值Dissipation Factor(tgδ) 工作电压WorkingVoltabe(VDC) 6.3 10 16 25 35 50 63 100 160∽250 350∽400D.F(%)最大 22 20 16 14 12 10 9 8 12 15容量>1000μF时 ,每增加1000μF D.F值增加2%( 100Hz or 120Hz,+20℃)For capacitance1000μF,Add 2%per another 1000μF (100Hz or 120Hz,+20℃)低温特性Low TemperatureCharacteristics(120Hz) 阻抗比,最大Impedance ratio ,max工作电压Working Voltage(VDC) 6.3 10 16 25 35 50 63∽160 200 250 350∽400Z - 25℃ / Z+20 ℃ 4 3 3 3 3 3 2 2 3 5Z - 40℃ / Z+20 ℃ 8 6 4 6 5 4 3 6 6 6容量>1000μF时 ,每增加1000μF ,Z - 25℃ / Z+20 ℃值增加0.5%, Z - 40℃ / Z+20 ℃值增加1% Fpr capacitance>1000μF , and 0.5% per another 1000μF for Z-25℃/Z+20℃, add 1% per another 1000μF for Z-40℃/Z+20℃负荷寿命Load Life 试验条件
持续时间: 负荷寿命
2000h Test conditions
Duration time: LoadLife
2000h 环境温度:+105℃ Ambient timperature: +105℃ 施加电压:额定工作电压(VDC) Applied voltage: Rated Working Voltage(DVC) 试验后要求:室温下恢复16小时,+20℃测试 After test requirements: Resumde 16 hours at normal temperature 电容量变化:≤±25%规定值 Capacitance change:≤±25% of the initial measured value 损耗角正切值:≤200%初始值 Dissipation Factor:≤200% of the initial specified value 漏电流:≤规定值 Leakage Current:≤The initial specified value储存寿命Shelt Life 试验条件 Test conditions 持续时间:1000小时 Duration time: 1000hours 环境温度:+105℃ Ambient temperature:+105℃ 施加电压:无 Applied voltage: None 试验后要求:室温下恢复16小时,+20℃测试 After test requirements: Resumed 16 hours at normal timperature 电容量变化:≤±20%规定值 Capacitance change:≤±20% of the initial measured value 损耗角正切值:≤200%初始值 Dissipation Factor:≤200% of the initial specified value 漏电流:≤200%规定值 Leakage Current:≤200% of the initial specified value
容量及电压表:
0.47uf:(50V 63V)
1uf:(50V 63V 100V)
2.2uf:(50V 63V 100V)
3.3uf:(35V 50V 63V 100V)
4.7uf:(25V 35V 50V 63V 100V)
10uf:(16V 25V 35V 50V 63V 100V)
22uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V 100V)
33uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V 100V)
47uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V 100V)
100uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V)
150uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V)
220uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V)
330uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V)
70uf:(6.3V 10V 16V 25V)
680uf:(6.3V 10V 16V)
1000uf:(6.3V 10V 16V)
1500uf:(6.3V)
尺寸及封装
4*5.4mm 一盘2000个
5*5.4mm 一盘1000个
6.3*5.4mm 一盘1000个
6.3*7.7mm 一盘1000个
8*6.5mm 一盘1000个
8*10.2mm 一盘 500个
10*10.2mm 一盘 500个 所谓“看不到的”参数,就是我们需要根据电容的型号来查询的参数。例如我们常说的ESR值,如今已成为区别电容性能的重要参数,而我们在电容上是看不到这个参数的,我们得去相关的网站通过电容的型号来查询。类似的参数还有不少,其中包括如下一些:
2.能够耐受的涟波电流值;
3.温度特性;
4.损耗角的正切(TAN),相当于无功功率和有功功率的比值,这个值跟电容的品质以及发热量有关系,这个值越小电容性能越好。
5.漏电流值:无论绝缘体多大,总是会有细微的电流漏过电容,这个值则代表具体漏过的多少。
此外,ESL特性也是电容的性能指标之一。但是随着电容技术的发展,现在的高档电解电容,其ESL特性一般都很好,到10MHz、20MHz以上的时候往往才能体现出区别,因此也就失去了比较的意义。 铝电解电容ESR的意义
ESR缘何重要?
首先来说ESR。ESR是高频电解电容里面最重要的性能参数,很多电子元器件都强调“LOW
ESR”这一性能特征,也就是ESR值很小的意思。那么,我们如何正确理解LOW
ESR的实际意义呢?由于现在电子技术的发展,供应给硬件的电压正呈现越来越低的趋势,例如INTEL、AMD的最新款CPU,电压均小于2V,相比以前动辄3、4V的电压要低得多。但是,另一方面这些芯片由于晶体管和频率爆增,需求的功耗却是有增无减,因此按P=UI的公式来计算,这些设备对电流的要求就越来越高了。
例如两颗功耗同样是70W的CPU,前者电压是3.3V,后者电压是1.8V。那么,前者的电流就是I=P/U=70W/3.3V大约在21.2A左右。而后者的电流就是I=P/U=70W/1.8V=38.9A,达到了前者的近一倍。在通过电容的电流越来越高的情况下,假如电容的ESR值不能保持在一个较小的范围,那么就会产生比以往更高的涟波电压(理想的输出直流电压应该是一条水平线,而涟波电压则是水平线上的波峰和波谷)。
此外,即使是相同的涟波电压,对低电压电路的影响也要比在高电压情况下更大。例如对于3.3V的CPU而言,0.2V涟波电压所占比例较小,还不足以形成致命的影响,但是对于1.8V的CPU而言,同样是0.2V的涟波电压,其所占的比例就足以造成数字电路的判断失误。
那么ESR值与涟波电压的关系何在呢?我们可以用以下公式表示: 全称:贴片铝电解电容器,简称:片式铝电解。
主要规格尺寸,按公制标准分为:Φ4×5.5mm、Φ5×5.5m、Φ6.3×5.5mm、Φ6.3×7.7mm、Φ8×6.5mm、Φ8×10.2mm
、Φ10×10.2mm
额定电压:4V~100V;常规使用的容量范围:0.1uF~1500uF,随
着相关技术及材料的发展,最大额定电压至100V和最大容量至1500uF产品也已在广泛采用。
铝电解电容器的构成:是由正箔、负箔和电解纸卷成芯子,用引线引出
正负极,含浸电解液后通过导针引出,再用铝壳和胶密封起来。片式铝电解电容器体积虽然较小,但因为通过电化学腐蚀后,电极箔的表面积被扩大了,且它的介质氧化膜非常薄,所以,片式铝电解电容器可以具有相对较大的电容量。
正确选用一颗片式铝电解电容器产品,要注意的参数包括:电容量、额定电压、温度、寿命以及特性(比如高频低阻抗)的要求,具体请参考本手册。
目前,我们主要提供以下系列片式铝电解电容器产品:
85℃-2000小时标准品)
RVT系列(105℃-1000小时标准品)
RVW系列(105℃-2000小时标准品)
RVE系列(105℃-1000小时高频低阻抗品)
RVH系列(125℃-1000小时宽温度品)
(105℃-2000小时双极性品|莞荣誉子有限公司是一家集研l、生a、N售及服橐惑w的、高科技容器生a企I,m致力於榭籼峁I的容器a品解Q方案,a品V泛渺LED@示幕系y集成、汽子,安防I域.消M子,通信O.工I控制,等行I.
荣誉子W㈧峨容器相PI域,目前所I的I罩饕袖X解容.薄膜容.陶瓷容.超容器的加工u造_lc生a等。公司自成立以恚谌wT工的共同努力下,a品及服找阎鸩戒N售到了雀骷市K逐……
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铝电解电容|铝电解电容|新晨阳
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产品型号:
品牌:新晨阳
价格:面议
产品数量:不限
产品关键字:
经营性质:私营企业
所在区域:&
地址:广东深圳市深圳市光明新区公明街道长春路中鹏程
两个电解电容反相串联作用和用途&电路有集电极开路OC门,MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门,它的输出就叫做开漏输出。
&OC门在截止时有漏电流输出,那就是漏电流,为什么有漏电流呢?那是因为当三机管截止的时候,它的基极电流约等于0,但是并不是真正的为0,经过三极管的集电极的电流也就不是真正的0,而是约0。&在一些电路设计中看到两个电解电容反相串联,两元件容量要相等,耐压相同,在交流电路中可以减小漏电流,用一个无极性电容就行,可以得到大容量的无极性电容。大容量无极性电容较贵。电解电容容量大且便宜,但有极性,两个反向串联。&则是无极性的。那只能应用在很低的电压场合(最多1-2V),电压稍高,在电容处于反方向使用的那半波,漏电较大,积累的效应会使电解电容器发热,最终引起电容器破裂。&新晨阳电子连续十六年专注电子元器件,质量卓越、交期快、免费送样包邮、贴心的服务、选择新晨阳电子,铝电解电容,将成为您成功一大步。铝电解电容器的结构特点铝电解电容器的芯子是由阳极铝箔、电解纸、阴极铝箔、电解纸等4层重迭卷绕而成;芯子含浸电解液后,用铝壳和胶盖密闭起来构成一个电解电容器。同其它类型的电容器相比,cd60铝电解电容器,铝电解电容器在结构上表现出如下明显的特点。1.铝电解电容器的工作介质为通过阳极氧化的方式在铝箔表面生成一层极薄的三氧化二铝(Al2O3),此氧化物介质层和电容器的阳极结合成一个完整的体系,两者相互依存,不能彼此独立;我们通常所说的电容器,其电极和电介质是彼此独立的。2.铝电解电容器的阳极是表面生成Al2O3介质层的铝箔,阴极并非我们习惯上认为的负箔,而是电容器的电解液。3.负箔在电解电容器中起电气引出的作用,因为作为电解电容器阴极的电解液无法直接和外电路连接,必须通过另一金属电极和电路的其它部分构成电气通路。4.铝电解电容器的阳极铝箔、阴极铝箔通常均为腐蚀铝箔,实际的表面积远远大于其表观表面积,这也是铝质电解电容器通常具有大的电容量的一个原因。由于采用具有众多微细蚀孔的铝箔,通常需用液态电解质才能更有效地利用其实际电极面积。5.由于铝电解电容器的介质氧化膜是采用阳极氧化的方式得到的,且其厚度正比于阳极氧化所施加的电压,所以,800v 铝电解电容,从原理上来说,铝质电解电容器的介质层厚度可以人为地控制。& & & 深圳市新晨阳电子有限公司成立于2005年,注册资金500万人民币;专注于广东风华高新科技股份有限公司全系列产品销售。主要产品:贴片电容,贴片铝电解电容,贴片电感,贴片功率电感,工字型电感,色环电感,贴片磁珠,贴片电阻,热敏电阻,压敏电阻,贴片二三极管,可调电容,可调电阻等电子元器件。& & & &&公司凭着风华高科具有完整与成熟的产品链,具备为通讯类,消费类,计算机类,车电子等电子整机整合配套供货的大规模生产能力,在客户所需时间里为客户提供一流的产品,铝电解电容,的技术支持及完善的服务。我们始终遵循“诚信合作、共创双赢”的原则,并坚持“以人为本,创新、诚信、共赢”的经营理念。因为专注,所以专业!多年以来公司陆续与国内外的一些知名的大企业已携手合作,欢迎各界人士联系合作,共谋发展,共创辉煌。 铝电解电容|铝电解电容|新晨阳由深圳市新晨阳电子有限公司提供。深圳市新晨阳电子有限公司()为客户提供“贴片电容,贴片铝电解电容,贴片电感,贴片电阻”等业务,公司拥有“风华高科”等品牌。专注于电容器等行业,在广东 深圳 有较高知名度。欢迎来电垂询,联系人:冯思鸣。
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||联系我们铝电解电容的概念与应用
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电容器的机理与电气功能&
   顾名思意,可以作这样的形象理解:所谓电容器(capacitor)就是能够储存电荷的“容器”。只不过这种“容器”是一种特殊的物质——电荷(charge),而且其所存储的正负电荷等量地分布于两块不直接导通的导体板上。至此,我们就可以描述电容器的基本结构:两块导体板(通常为金属板)中间隔以电介质(dielectric)。即构成电容器的基本模型。&
   了解了电容器的基本构造后,可能会产生这样的问题:电容从何而来?电容的物理意义为何?电容器的主要参数有哪些?电容器在电子线路中起哪些作用?下面我们将对上述问题一一作出解答。&
   众所周知,空间中的一个带电体具有两个电参数:电荷电量Q和电位势U。而这两者的比值(Q/U)表现出一种有趣的规律:这个比值仅与带电体本身的尺寸、形状及其所处的空间环境有关,而与带电体所带电荷的多少无关。也就是说,带电体所带电荷与其电位势的比值表征了带电体及其周围环境所构成的系统的一种固有属性,我们把此比值称为电容量,以C(=Q/U)来表示。电容量也可以理解为带电体(电位势一定的情况下)容纳电荷的能力。&
   我们通过两个例子来了解电容量C的计算方法:&
   (1)真空中孤立带电球(R=r0)的电容量如何计算?设孤立电荷的电量Q=q,其相对于无穷远处的电位势U=q/(4πε0r0),则其电容量C=Q/U=4πε0r0。从计算结果可以看出,电容量只与带电体的本体尺寸,形状和所处的空间环境有关,而与所带电量无关。&
   (2)平行板电容器的电容量计算方法。所谓平行板电容器是指两块相对平行的金属板中间隔以相对介电常数为εr、厚度为d的电介质所构成的电子元件。设平行板电容器储存的电荷Q=q,则正负极板的电荷分别为+q、-q,两极板间的电位差为u。平行板电容器可以看作是两个孤立带电体电容器串联构成。设正极板相对于无穷远处的电位U+=u+,则负极板的电位U-=u+-u。正负极板具有的电容量分别为+q/u+,-q/(u+-u)。两者串联的合成容量1/C=1/(+q/u+)+1/-q/(u+-u)=u/q,&
即C=q/u。由物理学的推导可以得出,u=4πdq/(εrε0S),所以C=εrε0S/4πdq。同样,电容量仅与其结构尺寸有关,而不依赖其带电量的多少。&
   电容量(Capacitance)、工作电压(operatingVoltage)、损耗因子(LossFactor)、绝缘电阻(Insulat?ingResistance)等是标定电容器特性的基本电气参数。电容器的电容量、损耗因子通常以120Hz下数字电桥测定的数值为准;绝缘电阻则是电容器隔离直流作用的数值化表征,希望电容器的绝缘电阻越高越好。表征电容器特性的参数还有:击穿电压(BreakdownVoltage)、容许流通的最大纹波电流(Max.RippleCurrent)、使用温度范围(OperationTemperatureRange)、容量温度系数(TemperatureCoefficient)、频率特性(FrequencyCharacteristics)等。&
   电容器在电子线路中的作用一般概括为:通交流、阻直流。电容器通常起滤波、旁路、耦合、去耦、转相等电气作用,是电子线路必不可少的组成部分。在LSIC、VLSIC已经大行其道的今天,电容器作为一种分立式无源元件仍然大量使用于各种功能的电路中,其在电路中所起的重要作用可见一斑。作贮能元件也是电容器的一个重要应用领域,同电池等储能元件相比,电容器可以瞬时充放电,并且充放电电流基本上不受限制,可以为熔焊机、闪光灯等设备提供大功率的瞬时脉冲电流。电容器还常常被用以改善电路的品质因子,如节能灯用电容器。&
电容器的相关计算&
电容器的容量&
   电容器的静电容量的计算公式可表达为:用字母可表示为:&
其中K=8.85×10-8μF/cm。&
   若干电容器并联,其合成容量等于各个电容器容量之和,即C=C1+C2+……+Cn。电容器并联可以增强其流通纹波电流的能力,扩展其在滤波、旁路电路中的使用。若干电容器串联,其合成容量的倒数等于各个电容器容量的倒数和,即:1/C=1/C1+1/C2+……+1/Cn。电容器并联使用,相应于增大了电介质的厚度,故可以提高其耐压能力,使用在工作电压较高的工作场合。&
电容器存储的电能  电容器充电至端电压V时,此时再移动dQ=CdV的电荷所作的功为VdQ=CVdV,那么在电容器的整个充电过程中,电容器储存的电能E即可表示为:;在整个充电过程中,电源消耗的电能为QV,所以为电容器充电,电源的能量利用率仅为50%。&
充放电时电容器端子的电压与电流变化趋势&
   电容器通过定值电阻R充电时,电容器端子的电压、电流变化趋势为:&
   电容器通过定值电阻R放电时中,电容器端子的电压、电流变化趋势为:&
1?3电容器的分类&
   依据所使用的材料、结构、特性等的不同,电容器的分类也不同。在此,我们主要依据电容器特性原理的不同,将其分为两大类:化学电容器(chemicalcapacitor)和非化学电容器。&
化学电容器&
   化学电容器是指采用电解质作为电容器阴极的一类电容器。广义上讲,电解质包括电解液(electrolyte)、二氧化锰(MnO2)、有机半导体TCNQ、导体聚合物(PPy、PEDT)、凝胶电解质PEO等。化学电容器又包含两大类别:电解电容器(electrolyticcapacitor)和超电容器(supercapacitor)。&
   电解电容器是指在铝、钽、铌、钛等阀金属(ValveMetal)的表面采用阳极氧化法(AnodicOxidation)生成一薄层氧化物作为电介质,以电解质作为阴极而构成的电容器。电解电容器的阳极通常采用腐蚀箔或者粉体烧结块结构,其主要特点是单位面积的容量很高,在小型大容量化方面有着其它类电容器无可比拟的优势。目前工业化生产的电解电容器主要是铝电解电容器(Aluminiumelectrolyticcapacitor)和钽电解电容器(Tantalumelectrolyticcapacitor)。铝电解电容器以箔式阳极、电解液阴极为主,外观以圆柱形居多;钽电解电容器采用烧结块阳极,阴极采用半导体材料二氧化锰,外形多为片式(chiptype),适应于SMT技术需求的SMD。&
   超电容器一般采用活性炭(ActiveCarbon)、二氧化钌(RuO2)、导体聚合物(polymerConductor)等作为阳极,液态电解质作为阴极。超电容器可以获得法拉级的静电容量,有利于化学电容器的超小型化,但是,其缺点是单体(cell)的耐电压有限,采用水系电解液(AqueousElectrolyte),耐电压在1V以下,即便是采用非水系电解液,其耐电压一般也不超过3V。确切地说,超电容器是介于电容器和电池(Battery)之间的储能器件,既具有电容器可以快速充放电的特点,又具有电池的储能机理——氧化还原反应。超电容器也可以分为两类:(1)以活性炭为阳极,以电气双层的机制储存电荷,通常被称作电气双层电容器(ElectricalDoubleLayerCapacitor,EDLC);(2)以二氧化钌或者导体聚合物为阳极,以氧化还原反应的机制存储电荷,通常被称作电化学电容器(ElectrochemicalCapacitor,EC)。&
非化学电容器
   非化学电容器的种类较多,大都以其所选用的电介质命名,如陶瓷电容器、纸介电容器、塑料薄膜电容器、金属化纸介/塑料薄膜电容器、空气电容器、云母电容器、半导体电容器等。&
   陶瓷电容器采用钛酸钡、钛酸锶等高介电常数的陶瓷材料作为电介质,在电介质的表面印刷电极浆料,经低温烧结制成。陶瓷电容器的外形以片式居多,也有管形、圆片形等形状。陶瓷电容器的损耗因子很小,谐振频率高,其特性接近理想电容器,缺点是单位体积的容量较小。&
   以往的纸介电容器、塑料薄膜电容器多用板状或条状的铝箔作为电极,现在,大多采用真空蒸镀的方式在电容器纸、有机薄膜等的表面涂覆金属薄层作为电极。由于金属化形式的出现,该类电容器在小型化和片式化方面有了长足的发展,对电解电容器构成一定的挑战和威胁。&
   云母电容器采用云母作为电介质,其特点是电容器的可靠性高、容量的温度变化率很小,常被用来制作标准电容器。&
   半导体电容器大概分为两类:一类是由两块相接触的N型和P型半导体构成。众所周知,当N型半导体接正、P型半导体接负馈电时,电流不易流过PN结,电荷即在PN结的两侧聚集,起电容器的功效。并且PN结的耗尽层会因外加电压的大小变化而改变其厚度,也即正负电荷层的间距会发生变化,故而表现出容量随外加电压的变化而变化的特性:外加电压增大,容量减小。另一类被称为半导体陶瓷电容器。由掺杂金属La的N型半导体陶瓷—钛酸钡的两个侧面涂布银电极,并焊接上端子而构成。银电极和半导体陶瓷的界面呈现整流特性:从银电极到半导体陶瓷,电流容易流通,反之则电流几乎不能流通。因而,当给两端子上外加电压时,电荷会在某一界面的两侧聚集,表现出电容器的特点。&
2铝电解电容器
2-1铝电解电容器的结构特点&
   铝电解电容器的芯子是由阳极铝箔、电解纸、阴极铝箔、电解纸等4层重迭卷绕而成;芯子含浸电解液后,用铝壳和胶盖密闭起来构成一个电解电容器。同其它类型的电容器相比,铝电解电容器在结构上表现出如下明显的特点:&
   (1)铝电解电容器的工作介质为通过阳极氧化的方式在铝箔表面生成一层极薄的三氧化二铝(Al2O3),此氧化物介质层和电容器的阳极结合成一个完整的体系,两者相互依存,不能彼此独立;我们通常所说的电容器,其电极和电介质是彼此独立的。&
   (2)铝电解电容器的阳极是表面生成Al2O3介质层的铝箔,阴极并非我们习惯上认为的负箔,而是电容器的电解液。&
   (3)负箔在电解电容器中起电气引出的作用,因为作为电解电容器阴极的电解液无法直接和外电路连接,必须通过另一金属电极和电路的其它部分构成电气通路。&
   (4)铝电解电容器的阳极铝箔、阴极铝箔通常均为腐蚀铝箔,实际的表面积远远大于其表观表面积,这也是铝质电解电容器通常具有大的电容量的一个原因。由于采用具有众多微细蚀孔的铝箔,通常需用液态电解质才能更有效地利用其实际电极面积。&
   (5)由于铝电解电容器的介质氧化膜是采用阳极氧化的方式得到的,且其厚度正比于阳极氧化所施加的电压,所以,从原理上来说,铝质电解电容器的介质层厚度可以人为地精确控制。&
2?2铝电解电容器的性能特点&
   同其它类别的电容器相比,铝电解电容器的优越性表现在以下几个方面:&
   (1)单位体积所具有的电容量特别大。工作电压越低,这方面的特点愈加突出,因此,特别适应电容器的小型化和大容量化。例如,CD26型低压大容量铝电解电容器的比容量约为300μF/cm3,而其它在小型化方面也颇具特色的金属化纸介电容器的低压片式陶瓷电容器的比容量一般不会超过2μF/cm3。&
   (2)铝电解电容器在工作过程中具有“自愈”特性。所谓“自愈”特性是指介质氧化膜的疵点或缺陷在电容器工作过程中随时可以得到修复,恢复其应具有的绝缘能力,避免招致电介质的雪崩式击穿。&
   (3)铝电解电容器的介质氧化膜能够承受非常高的电场强度。在铝电解电容器的工作过程中,介质氧化膜承受的电场强度约为600kV/mm,这一数值是纸介电容器的30多倍。&
   (4)可以获得很高的额定静电容量。低压铝电解电容器能够非常方便地获得数千乃至数万微法的静电容量。一般来说,电源滤波、交流旁路等用途所需的电容器只能选用电解电容器。&
   当然,铝电解电容器也有以下显著缺点:&
   (1)绝缘性能较差。可以这样说,铝电解电容器是所有类别的电容器中绝缘性能最差的。对铝电解电容器而言,通常采用漏电流来表征其绝缘性能,高压大容量铝质电解电容器的漏电流可达1mA以下。&
   (2)损耗因子较大,低压铝电解电容器的DF通常在10%以上。&
   (3)铝电解电容器的温度特性及频率特性均较差。&
   (4)铝电解电容器具有极性。使用在电子线路中时,铝电解电容器的阳极要接电路中的电位高的点,阴极接电位低的点,才可能正常发挥电气功能。如果接反了,电容器的漏电流急剧增大,芯子严重发热,导致电容器失效,并有可能燃烧爆炸,损害线路板上的其它器件。&
   (5)工作电压有一定的上限。根据铝电解电容器介质氧化膜的特殊生成手段,其最高工作电压一般为500V,且发展潜力十分有限;而对其它非化学电容器而言,只要适当加厚其电介质的厚度,理论上的工作电压可以达到任意上限值。&
   (6)铝电解电容器的性能容易劣化。使用经过长期存放的铝电解电容器,不宜突然施加额定工作电压,而应逐渐升压至额定电压。&
   (7)传统铝电解电容器由于采用电解液作为阴极,在片式化方面存在较大的障碍,故其片式化进程落后于陶瓷电容器及金属化薄膜电容器。&
2?3铝电解电容器的电性能参数&
   铝电解电容器的额定容量接E6系列的优选数确定,即:  (N=0,1,2…5);共有6个数值,与E6系列相对应的允许偏差为±20%,但对通用的电解电容器而言,其正偏差常放宽至+50%。&
   铝电解电容器的损耗因子的定义为:在规定频率的正弦电压下,电容器所消耗的有功功率和无功功率的比值,即:  &
其中,f为正弦电压的频率,C为在该频率下电解电容器串联模型的容量,r为电解电容器的等效串联电阻(ESR)。&
   铝电解电容器的漏电流通常定义为施加额定工作电压若干分钟以后流过电容器的电流。通常,铝电解电容器容许的最大漏电流可以用下式界定:&
   Il=KCU(μA)&
其中,C为电容器的容量(μF),U为所施加的直流电压值(V),K是与电容器类型有关的常数,通常的取值范围为0.01~0.1,低漏电流的系列品也有取值小于0.002的情况。&
   额定工作电压是指在规定的环境温度范围内所能施加到电解电容器上的最大直流电压值。按GB2472?81的规定,适用于电解电容器的额定电压序列为:4.0,6.3,10,16,25,35,50,63,100,125,160,250,300,450,500,630。根据实际的需要,有时也用到200V及350V的产品。&
3铝电解电容器面临的挑战与机遇&
   20世纪80年代,当LSI、VLSI蓬勃发展的时候,有人曾经对电容器的前景极为悲观,随后的事实证明,这些看法有一些杞人忧天的味道:自上个世纪80年代中期起,电容器产业的年平均增长率均在20%以上,1993年全球电容器的销售产值已达130亿美元。铝质电解电容器的销售产值占整个电容器产业的1/3多。但是,随着电子技术及材料制造工艺的进步,传统型铝电解电容器不仅受到电子技术发展的压力,也面临其它类别电容器挑战其龙头老大地位的压力。&
   电子技术对电容器小型化、片式化的需求,使得传统铝电解电容器产业倍感压力。传统铝电解电容器采用电解液作为阴极,这使得其片式化进程受到极大的阻碍。片式化通常采用迭层结构、树脂包封的形式,而如何将电解液完好地密封起来一直是铝电解电容器研发人员倍感头痛的事。钽电解电容器采用固态半导体材料MnO2作为阴极材料,其片式化的进展颇为迅速,已经对铝电解电容器构成一定的市场威胁。&
   超大比表面积(2000m2/g~3000m2/g)炭纤维布工业化制造技术的成熟,使得近年来双层电容器的研发与制造迅速成长,并成为极低压和低压铝电解电容器的一个有力的竞争对手。EDLC可以轻而易举地获得法拉级的容量,其储能密度高于铝电解电容器,因而在储能用的领域正在逐步打破铝电解电容器的垄断地位,并有可能后来居上。&
   金属化纸介、金属化薄膜电容器的出现,使得纸介、塑料薄膜电容器在减小体积、增大比容量方面迈出历史性的一步。目前,金属化纸介、金属化薄膜电容器小型化、片式化的发展较为活跃,并向低压小容量的铝电解电容器发出挑战。同样,片式陶瓷电容器由于中低温烧结技术的开发,垂直迭层工艺的发展,能够获得的电容量范围也在逐步扩大,也在逐步蚕食低压小容量铝电解电容器所占的市场份额。&
   虽然铝电解电容器面临着前所未有的压力和挑战,但是也不必过于悲观地认定铝电解电容器已经穷途末路,必定要退出历史舞台。然而新技术、新材料的发展,在给其它类别电容器带来发展机遇的同时,也必定会为铝电解电容器的创新突破打开方便之门。有机半导体材料、导电聚合物材料的出现及其合成技术的成熟,已经为铝电解电容器的更新换代奠定了物质基础。将有机半导体材料、导电高分子材料用作铝电解电容器阴极的尝试,得到的频率特性、温度特性可以和片式陶瓷电容器媲美,甚至高出固态铝电解电容器。另外,对于传统型铝电解电容器而言,在一段时间内不可相比的容量价格比仍足以使其维持主流产品的地位。
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