霍尔元件工作原理的工作面是在哪?是不是只要i丄B就行?

利用霍尔效应制作的霍尔元件.广泛应用于测量和自动控制等领域.如图是霍尔元件的工作原理示意图.磁感应强度B垂直于霍尔元件的工作面向下.通入图示方向的电流I.C.D两侧面会形成电压U.下列说法中正确的是( )A.电压U仅与材料有关B.若元件的载流子是自由电子.则C侧面电势高于D侧面电势C.在测地球赤道上方的地磁场强弱时.元件的工作面应保持水平D.在 题目和参考答案——精英家教网——
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利用霍尔效应制作的霍尔元件,广泛应用于测量和自动控制等领域.如图是霍尔元件的工作原理示意图,磁感应强度B垂直于霍尔元件的工作面向下,通入图示方向的电流I,C、D两侧面会形成电压U,下列说法中正确的是(  )A.电压U仅与材料有关B.若元件的载流子是自由电子,则C侧面电势高于D侧面电势C.在测地球赤道上方的地磁场强弱时,元件的工作面应保持水平D.在测地球两极上方的地磁场强弱时,元件的工作面应保持水平
A、根据左手定则,电子向C侧面偏转,C表面带负电,D表面带正电,所以D表面的电势高,则UCD<0.CD间存在电势差,之间就存在电场,电子在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡,设霍尔元件的长宽高分别为a、b、c,有qUb=qvB,I=nqvS=nqvbc,则U=BInqc.故A、B错误.C、在测地球赤道上方的地磁场强弱时,磁场方向为水平方向,则元件工作面应保持竖直.故C错误.D、在测地球两极上方的地磁场强弱时,磁场方向为竖直方向,则元件的工作面应保持水平,故D正确.故选D.
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科目:高中物理
(2011?江苏模拟)利用霍尔效应制作的霍尔元件,广泛应用于测量和自动控制等领域.如图是霍尔元件的工作原理示意图,磁感应强度B垂直于霍尔元件的工作面向下,通入图示方向的电流I,C、D两侧面会形成电势差UCD,下列说法中正确的是(  )A.电势差UCD仅与材料有关B.若霍尔元件的载流子是自由电子,则电势差UCD<0C.仅增大磁感应强度时,电势差UCD变大D.在测定地球赤道上方的地磁场强弱时,元件的工作面应保持水平
科目:高中物理
题型:阅读理解
利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器,广泛应用于测量和自动控制等领域.如图1,将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中,在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时,另外两侧c、f间产生电势差,这一现象称为霍尔效应.其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累,于是c、f间建立起电场EH,同时产生霍尔电势差UH.当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时,EH和UH达到稳定值,UH的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式UH=RH,其中比例系数RH称为霍尔系数,仅与材料性质有关.(1)设半导体薄片的宽度(c、f间距)为l,请写出UH和EH的关系式;若半导体材料是电子导电的,请判断图1中c、f哪端的电势高;(2)已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为n,电子的电荷量为e,请导出霍尔系数RH的表达式.(通过横截面积S的电流I=nevS,其中v是导电电子定向移动的平均速率);(3)图2是霍尔测速仪的示意图,将非磁性圆盘固定在转轴上,圆盘的周边等距离地嵌装着m个永磁体,相邻永磁体的极性相反.霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近.当圆盘匀速转动时,霍尔元件输出的电压脉冲信号图象如图3所示.a.若在时间t内,霍尔元件输出的脉冲数目为P,请导出圆盘转速N的表达式.b.利用霍尔测速仪可以测量汽车行驶的里程.除此之外,请你展开“智慧的翅膀”,提出另一个实例或设想.
科目:高中物理
利用霍尔效应制作的霍尔元件,广泛应用于测量和自动控制等领域.如图所示是霍尔元件的工作原理示意图,磁感应强度B垂直于霍尔元件的工作面向下,通入图示方向的电流I,C、D两侧面会形成电势差.下列说法中正确的是(  )A、若元件的载流子是自由电子,则D侧面电势高于C侧面电势B、若元件的载流子是自由电子,则C侧面电势高于D侧面电势C、在测地球赤道上方的地磁场强弱时,元件的工作面应保持竖直D、在测地球赤道上方的地磁场强弱时,元件的工作面应保持水平
科目:高中物理
来源:2010年北京市高考物理试卷(解析版)
题型:解答题
利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器,广泛应用于测量和自动控制等领域.如图1,将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中,在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时,另外两侧c、f间产生电势差,这一现象称为霍尔效应.其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累,于是c、f间建立起电场EH,同时产生霍尔电势差UH.当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时,EH和UH达到稳定值,UH的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式UH=RH,其中比例系数RH称为霍尔系数,仅与材料性质有关.(1)设半导体薄片的宽度(c、f间距)为l,请写出UH和EH的关系式;若半导体材料是电子导电的,请判断图1中c、f哪端的电势高;(2)已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为n,电子的电荷量为e,请导出霍尔系数RH的表达式.(通过横截面积S的电流I=nevS,其中v是导电电子定向移动的平均速率);(3)图2是霍尔测速仪的示意图,将非磁性圆盘固定在转轴上,圆盘的周边等距离地嵌装着m个永磁体,相邻永磁体的极性相反.霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近.当圆盘匀速转动时,霍尔元件输出的电压脉冲信号图象如图3所示.a.若在时间t内,霍尔元件输出的脉冲数目为P,请导出圆盘转速N的表达式.b.利用霍尔测速仪可以测量汽车行驶的里程.除此之外,请你展开“智慧的翅膀”,提出另一个实例或设想.
科目:高中物理
来源:北京
题型:问答题
利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器,广泛应用于测量和自动控制等领域.如图1,将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中,在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时,另外两侧c、f间产生电势差,这一现象称为霍尔效应.其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累,于是c、f间建立起电场EH,同时产生霍尔电势差UH.当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时,EH和UH达到稳定值,UH的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式UH=RHIBd,其中比例系数RH称为霍尔系数,仅与材料性质有关.(1)设半导体薄片的宽度(c、f间距)为l,请写出UH和EH的关系式;若半导体材料是电子导电的,请判断图1中c、f哪端的电势高;(2)已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为n,电子的电荷量为e,请导出霍尔系数RH的表达式.(通过横截面积S的电流I=nevS,其中v是导电电子定向移动的平均速率);(3)图2是霍尔测速仪的示意图,将非磁性圆盘固定在转轴上,圆盘的周边等距离地嵌装着m个永磁体,相邻永磁体的极性相反.霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近.当圆盘匀速转动时,霍尔元件输出的电压脉冲信号图象如图3所示.a.若在时间t内,霍尔元件输出的脉冲数目为P,请导出圆盘转速N的表达式.b.利用霍尔测速仪可以测量汽车行驶的里程.除此之外,请你展开“智慧的翅膀”,提出另一个实例或设想.
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利用霍尔效应制作的霍尔元件,广泛应用于测量和自动控制等领域.如图是霍尔元件的工作原理示意图,磁感应强度B垂直于霍尔元件的工作面向下,通入图示方向的电流I,C、D两侧面会形成电势差UCD,下列说法中正确的是( )A.电势差UCD仅与材料有关B.若霍尔元件的载流子是自由电子,则电势差UCD<0C.仅增大C、D间的宽度时,电势差UCD变大D.在测定地球两极上方的地磁场强弱时,元件的工作面应保持水平
在霍尔元件中,移动的是自由电子,根据左手定则判断出电子所受洛伦兹力方向,从而知道两侧面所带电荷的电性,即可知道C、D两侧面会形成电势差UCD的正负.CD间存在电势差,之间就存在电场,电子在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡,根据平衡推导出电势差UCD与什么因素有关.
A、根据左手定则,电子向C侧面偏转,C表面带负电,D表面带正电,所以D表面的电势高,则UCD<0.CD间存在电势差,之间就...
考点分析:
考点1:霍尔效应及其应用
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如图所示,匝数为50匝的矩形闭合导线框ABCD处于磁感应强度大小B=T的水平匀强磁场中,线框面积S=0.5m2,线框电阻不计.线框绕垂直于磁场的轴OO′以角速度ω=100rad/s匀速转动,并与理想变压器原线圈相连,副线圈线接入一只“220V,60W”灯泡,且灯泡正常发光,熔断器允许通过的最大电流为10A,下列说法正确的是( )A.在图示位置线框中产生的感应电动势最大B.线框中产生交变电压的有效值为VC.变压器原、副线圈匝数之比为25:22D.允许变压器输出的最大功率为5000W
现有两个边长不等的正方形ABCD和abcd,如图所示,且Aa、Bb、Cc、Dd间距相等.在AB、AC、CD、DB的中点分别放等量的正点电荷或负点电荷.则下列说法中正确的是( )A.O点的电场强度和电势均为零B.把一负点电荷沿着b→d→c的路径移动时,电场力做功为零C.同一点电荷在a、d两点所受电场力不相同D.将一正点电荷由a点移到b点电势能增加
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题型:选择题
难度:中等
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满分5 学习网 . All Rights Reserved.图是霍尔元件的工作原理示意图,用d表示薄片的厚度,k为霍尔系数,对于一个霍尔元件d、k为定值,如果保持I恒定,则可以验证UH随B的变化情况.以下说法中正确的是(  )
A.将永磁体的一个磁极逐渐靠近霍尔元件的工作面,UH将变大
B.在测定地球两极的磁场强弱时,霍尔元件的工作面应保持与地面垂直
C.在测定地球赤道上的磁场强弱时,霍尔元件的工作面应保持水平
D.改变磁感线与霍尔元件工作面的夹角,UH将会发生变化
A、电子最终在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡,evB=
得:UH=vBL,则将永磁体的一个磁极逐渐靠近霍尔元件的工作面时,B增大,则UH将变大.故A正确.B、C、地球赤道上方的地磁场方向水平,两极上方的磁场方向竖直;在测地球赤道上方的地磁场强弱时,元件的工作面应保持竖直,在测量两极磁场强弱时,霍尔元件的工作面应水平.故B错误,C错误.D、改变磁感线与霍尔元件工作面的夹角,需将磁场进行分解,在垂直于工作面方向上的磁感应强度小于原磁场磁感应强度的大小,则UH将发生变化.故D正确.故选:AD.
试题“图是霍尔元件的工作原理示意图,用d表示薄片的厚度...”;主要考察你对
等知识点的理解。
明清时期君主专制的加强对中国社会发展的影响包括( ) ①有利于统一多民族国家的巩固和发展
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明清时期君主专制空前强化反映的本质问题是
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阅读材料并结合所学知识,回答下列问题。材料一 唐代科举取士,以进士、明经两科为主,“大抵众科之目,进士尤为贵,其得人亦最为盛焉”。唐代明经、进士两科的考试内容
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如图所示,导电物质为电子的霍尔元件位于两串联线圈之间,线圈中电流为I,线圈间产生匀强磁场,磁感应强度大小B与I成正比,方向垂直于霍尔元件的两侧面,此时通过霍尔元件的电流为IH,与其前后表面相连的电压表测出的霍尔电压UH满足:UH=,式中k为霍尔系数,d为霍尔元件两侧面间的距离。电阻R远大于RL,霍尔元件的电阻可以忽略,则(&&&)A.霍尔元件前表面的电势低于后表面. C5 ]2 D# _' f1 W* O) R B.若电源的正负极对调,电压表将反偏& X8 I6 ^/ W' F0 N- ] C.IH与I成正比( N6 @4 P- H2 M. f/ ?$ a2 D# c7 j D.电压表的示数与RL消耗的电功率成正比& `+ T8 `4 E5 C5 b- A0 X2 d
解析试题分析:根据左手定则可以判断出霍尔元件中的导电物质所受安培力指向后表面,即将向后表面侧移,又由于该导电物质为电子,带负电,因此后表面的电势将低于前表面的电势,故选项A错误;若电源的正负极对调,磁场方向与图示方向相反,同时由电路结构可知,流经霍尔元件上下面的电流也将反向,因此电子的受力方向不变,即前后表面电势高低情况不变,故选项B错误;由电路结构可知,RL与R并联后与线圈串联,因此有:I=,故选项C正确;RL消耗的电功率PL==,显然PL与成正比,又因为磁感应强度大小B与I成正比,即B与IH成正比,电压表的示数UH=,则UH与成正比,所以UH与RL消耗的电功率PL成正比,故选项D正确。考点:本题主要考查了电路的串并联关系、带电粒子在复合场中运动的现实应用分析问题,属于中档题。}

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