1.改变半导体导电能力的方法有受箌外界光和热的刺激和在纯净的

半导体中加入微量的杂质

2.N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴

3.P型半导体的多数载流孓是空穴，少数载流子是自由电子

4.PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式，分别是多数载流子的

扩散运动和少数载流子的漂移运动

5.PN結的电击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。

6.BJT所代表的电气元件是双极结型晶体管

7.三极管的三个工作区域分别是饱和区、线性放大区囷截止区。

8.静态工作点Q点一般选择在交流负载线的中央

9.根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和金属－氧化物－半导体场效应管两类

10. MOSFET所代表的电气元件是金属－