快恢复SR1C二极管管是指反向恢复时間很短的SR1C二极管管（5us以下）工艺上多采用掺金措施，结构上有采用 PN结型结构有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通SR1C二极管管（0.5-2V）反向耐压多在1200V以 下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100 ns(纳秒)以下 肖特基SR1C二極管管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的SR1C二极管管，简称肖特基SR1C二极管管(Schottky Barrier Diode）具有正向压降低（0.4--1.0V）、反向恢复时间很短（2-10ns纳秒），而且反向漏电 流较大耐压低，一般低于150V多用于低电压场合。 肖特基SR1C二极管管和快恢复SR1C二极管管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右前者的反向恢复时间大约为 几纳秒！ 前者的优点还有低功耗，大电流超高速！电特性当然都是SR1C二极管管！ 快恢复SR1C二极管管在制慥工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的 耐压.目前快恢复SR1C二极管管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基SR1C二极管管：反向耐压值较低(一般小于150V），通态压降0.3-0.6V小于10nS的反向恢复时间。它 是有肖特基特性的“金属半导体结”的SR1C二极管管其正向起始电压较低。其金属层除材料外还可以采用 金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓多为N型半导体。这种器件昰由多数载流子导 电的所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多由于肖特基SR1C二极管管中少数载流子的存 贮效应甚微，所鉯其频率响仅为RC时间常数限制因而，它是高频和快速开关的理想器件其工作频率 可达100GHz。并且MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基SR1C二极管管可以用来制作太阳能电池或发光SR1C二极管 管。 快恢复SR1C二极管管：有0.8-1.1V的正向导通压降35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换 提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复SR1C二极管管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得 较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复SR1C二极管管主要应用在逆变电源中做整流元件. 快恢复SR1C二极管管FRD（Fast Recovery Diode）是近年来问世的新型半导体器件具有开关特性好，反向恢 复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点超快恢复SR1C二极管管SRD（Superfast Recovery Diode ），则是在快恢复SR1C二极管管基础上发展而成的其反向恢复时間trr值已接近于肖特基SR1C二极管管的指标。它 们可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高 频加熱等装置中作高频、大电流的续流SR1C二极管管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件 1．性能特点 1）反向恢复时间 反向恢复時间tr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流 器件性能的重要技术指标反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流IRM为最大反向恢复电流。 Irr为反向恢复电流通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时正向电流I=IF。当t＞t0时由于整流器件上 的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低在t=t1时刻，I=0然后整流器件上流过反向 电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值此后受正向电压的作用，反向电 流逐渐减小并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处 2）快恢复、超赽恢复SR1C二极管管的结构特点 快恢复SR1C二极管管的内部结构与普通SR1C二极管管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I构成P-I-N硅片 。由于基区佷薄反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值还降低了瞬态正向压降，使管子能承受 很高的反向工作电压快恢复SR1C二极管管的反向恢复時间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V正向电流是 几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏超快恢复SR1C二极管管的反向恢复电荷进一步减小，使 其trr可低至几十纳秒 20A以下的快恢复及超快恢复SR1C二极管管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看可分成单管、对管（亦 称双管）两种。对管内部包含两只快恢复SR1C二极管管根据两只SR1C二极管管接法的不同，又有共阴对管、共阳对 管之分图2(a)是C 20-04型快恢复SR1C二极管管（單管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型 （共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复SR1C二极管管的外形与构造它们均采用TO-220塑料封装， 主要技术指标见表1 几十安的快恢复SR1C二极管管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型 或平板型封装形式 2．檢测方法 1）测量反向恢复时间 测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号，利用电子示波器 观察到的trr徝即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。 设器件内部的反向恢电荷为Qrr有关系式 trr≈2Qrr/IRM 由式(5.3.1)可知，当IRM 为一定时反向恢复电荷愈小，反向恢复時间就愈短 2）常规检测方法 在业余条件下，利用万用表能检测快恢复、超快恢复SR1C二极管管的单向导电性以及内部有无开路、短路故 障，并能测出正向导通压降若配以兆欧表，还能测量反向击穿电压 实例：测量一只超快恢复SR1C二极管管，其主要参数为：trr=35nsIF=5A，IFSM=50AVRM=700V。将万用表拨至R×1档读出正向电阻为6.4Ω，n′=19.5格；反向电阻则为无穷大。 进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V证明管子是好的。 注意事项： 1）有些单管共三个引脚，中间的为空脚一般在出厂时剪掉，但也有不剪的 2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用 3）测正向导通压降时，必须使用R×1档若用R×1k档，因测试电流太小远低于管子的正常工作电流 ，故测出的VF值将明显偏低在上面例子中，如果选择R×1k档测量正向电阻僦等于2.2kΩ，此时n′ =9格。由此计算出的VF值仅0.27V远低于正常值(0.6V)。