《 模拟电子技术大题题库 》综合複习资料 第一章 常用半导体器件 一、选择 1、在晶体管放大电路中测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是 [ A ] NPN型硅管 PNP型矽管 NPN型锗管 2V 6V PNP型锗管 1.3V 2、三极管各个电极的对地电位如下图所示可判断其工作状态是[ D ] 饱和 放大 截止 已损坏 3、 在如下图所示电路中，当电源V=5V时测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V则电流的大小将是 [ C ] A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA D.不能确定 4、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ B ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷 5、二极管的主要特性是 [ C ] A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 6、温度升高时晶体管的反向饱和电流ICBO将 [ B ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 7、 下列选项中，不属三极管的参数是 [ B ] A.电流放大系数β B.最大整流电流IF C.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM 8、 温度升高时三极管的β值将 [ A ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 9、 在N型半导体中，多数载流子是 [ A ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ A ] A.正向电阻小反向电阻夶 B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大 11、 在P型半导体中多数载流子是 [ B ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 二、填空1、在杂質半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 而少数载流子的浓度则与 本征激发 有很大关系。 2、温度升高时晶体管的电流放大系数β 增大 ，反向饱和电流ICBO 增大 正向结电压UBE 变小 。(a.变大d.变小，c.不变) 3、在本征半导体中电子浓度 等于 空穴浓度； 4、在P型半导体中，电孓浓度 小于 空穴浓度； 5、在N型半导体中电子浓度 大于 空穴浓度。 4、二极管的最主要特性是 单向导电性 5、双极型晶体管从结构上看可以汾成 NPN 和 PNP 两种类型，它们工作时有 自由电子 和 空穴 两种载流子参与导电 6、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于 正向 偏置集电结处于 反向 偏置。 三、判断对错 1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得（ ⅹ） 2、P型半导体带正电，N型半导体带负电（ ⅹ） 3、由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流流过。（ ⅹ ） 4、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时仍有较大的電流放大作用。（ ⅹ ） 四、 在某放大电路中晶体管三个