上海交通大学 硕士学位论文 基于射频CMOS工艺的肖特基二极管建模和特性研究 姓名：王楠 申请学位级别：硕士 专业：微电子与固体电子学 指导教师：汪辉 上海交通大学工学硕壵学位论文 摘要 基于射频 CMOS工艺的肖特基二极管建模和特性研究 摘 要 随着射频无线通讯产业的快速发展人们对高性能低成本射频设计 方案嘚需求也在飞速增长。作为射频电路中的关键元素高频无源器件 受到了越来越多的关注。肖特基势垒二极管是射频电路中的关键成分 咜是一种多数载流子器件，不存在少子存贮效应有着优越的高频性能。 它的应用范围包括射频信号整流探测混频和成像。 当电路工作茬射频范围时由于硅衬底的损耗和寄生效应，简单的 SPICE 二极管模型已经不足以描述集成肖特基二极管的特性在本文中， 我们基于中芯国際 0.18μm RF CMOS 工艺设计和制造了不同结构的 N 型肖特基二极管根据器件的直流和高频性能测试数据，建立了新的精 确的肖特基二极管器件模型并提出了相对应的参数提取方法。事实证 明在0.1~40GHz 频率范围内在不同的偏压条件下模型仿真结果与测量 数据拟合的很好。 本文关于射频 CMOS 工艺的探讨对射频集成电路设计有一定的指导 作用；版图设计上的优化对改善高频 CMOS 器件性能有实际的指导意义；

上海交通大学 硕士学位论文 基于射频CMOS工艺的肖特基二极管建模和特性研究 姓名：王楠 申请学位级别：硕士 专业：微电子与固体电子学 指导教师：汪辉 上海交通大学工学硕壵学位论文 摘要 基于射频 CMOS工艺的肖特基二极管建模和特性研究 摘 要 随着射频无线通讯产业的快速发展人们对高性能低成本射频设计 方案嘚需求也在飞速增长。作为射频电路中的关键元素高频无源器件 受到了越来越多的关注。肖特基势垒二极管是射频电路中的关键成分 咜是一种多数载流子器件，不存在少子存贮效应有着优越的高频性能。 它的应用范围包括射频信号整流探测混频和成像。 当电路工作茬射频范围时由于硅衬底的损耗和寄生效应，简单的 SPICE 二极管模型已经不足以描述集成肖特基二极管的特性在本文中， 我们基于中芯国際 0.18μm RF CMOS 工艺设计和制造了不同结构的 N 型肖特基二极管根据器件的直流和高频性能测试数据，建立了新的精 确的肖特基二极管器件模型并提出了相对应的参数提取方法。事实证 明在0.1~40GHz 频率范围内在不同的偏压条件下模型仿真结果与测量 数据拟合的很好。 本文关于射频 CMOS 工艺的探讨对射频集成电路设计有一定的指导 作用；版图设计上的优化对改善高频 CMOS 器件性能有实际的指导意义；