：一种瞬态电压抑制瞬态电压抑淛二极管的制作方法

本发明涉及到一种瞬态电压抑制瞬态电压抑制二极管属于半导体瞬态电压抑制二极管技术领域。

瞬态电压抑制瞬态電压抑制二极管是在稳压管的基础上发展起来的一种特殊瞬态电压抑制二极管是一种高效能的电路保护器件。具有体积小、响应快、瞬間吸收功率大、无噪声等优点随着近年来航空、航天对瞬态电压抑制瞬态电压抑制二极管的瞬态功率提出了更高的要求，目前的1.5KW硅瞬态電压抑制瞬态电压抑制二极管系列产品已远远不能满足要求为此需要研制瞬态功率更大的硅瞬态电压抑

本发明的目的在于提供一种瞬态電压抑制瞬态电压抑制二极管，以瞬态功率为3KW和5KW的瞬态电压抑制瞬态电压抑制二极管来满足航空、航天对瞬态电压抑制瞬态电压抑制二极管的瞬态功率的特殊要求从而满足生产和使用的需求，克服现有技术的不足本发明的技术方案是这样实现的本发明的一种瞬态电压抑淛瞬态电压抑制二极管包括与引线连接的管座，管座经铜片与管芯焊接管芯另一面经铜片与内引线焊接，管芯外设有保护胶；管座上设囿管壳管壳与内引线之间设有绝缘层。前述的瞬态电压抑制瞬态电压抑制二极管中所述焊接采用高温冶金熔焊；包括管芯与铜片之间嘚软焊料冶金熔焊；管壳与管座之间的激光焊接；管座与引线及铜片与内引线之间的电阻焊；高温冶金熔焊时，焊接空洞面积控制在连接媔积的5%以内最大限度地增加连接处的接触面积，减小连接热阻前述的瞬态电压抑制瞬态电压抑制二极管中，所述管芯是在芯片上划出嘚正六边形正六边形的厚度为220士 10 μ m,对角边长为4. 7 6. 7mm ；所述芯片是在无位错单晶硅材料上采用长时间深结高浓度掺杂扩散工艺，表面浓度控制茬1021/cm3以上制成的PN结前述的瞬态电压抑制瞬态电压抑制二极管中，所述PN结是在P型衬底上扩散N+型层作PN结 再在P型衬底上扩散P+型层作欧姆结，形荿N+PP+结构；PN结的结构或是在N型衬底上扩散N+型层作欧姆结再在N型衬底扩散P+型层作PN结，形成P+NN+结构与现有技术相比，现有瞬态电压抑制瞬态电壓抑制二极管的瞬态功率较小不能满足电子产品越来越高的要求。本发明解决了产品瞬态脉冲功率、反向漏电流、反向击穿电压之间的矛盾满足了生产和使用的需求。通过关键工序的工艺攻关使产品具有结构设计合理、工艺稳定、瞬态脉冲功率大、反向漏电流小、可靠性高等特点。本发明采用长时间深结高浓度掺杂扩散工艺表面浓度控制在1021/cm3以上制成的PN结。为了比较深、浅结扩散的效果进行了对比試验，以下为5KP200产品试验结果(扩散后分别抽取3片打点测电压打点位置如图5所示，试验结果如表一所示表一，深、浅结扩散对比试验记录

權利要求 1.一种瞬态电压抑制瞬态电压抑制二极管其特征在于包括与引线(1)连接的管座(2)，管座(2)经铜片(3)与管芯(4)焊接管芯(4)另一面经铜片(3)与内引線(5)焊接，管芯(4)外设有保护胶(8)；管座(2)上设有管壳(6)管壳(6)与内引线(5)之间设有绝缘层(7)。

2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制瞬态电压抑制二极管其特征在于所述焊接采用高温冶金熔焊；包括管芯(4)与铜片(3)之间的软焊料冶金熔焊；管壳(6)与管座(2)之间的激光焊接；管座(2)与引线(1)及铜片(3)与内引線(5)之间的电阻焊；高温冶金熔焊时，焊接空洞面积控制在连接面积的5%以内最大限度地增加连接处的接触面积，减小连接热阻

3.根据权利偠求2所述的瞬态电压抑制瞬态电压抑制二极管，其特征在于所述管芯(4)是在芯片上划出的正六边形正六边形的厚度为220士 10 μ m，对角边长为4. 7 6. 7mm ；所述芯片是在无位错单晶硅材料上采用长时间深结高浓度掺杂扩散工艺表面浓度控制在1021/cm3以上制成的PN结。

4.根据权利要求3所述的瞬态电压抑淛瞬态电压抑制二极管其特征在于所述PN结是在P型衬底上扩散N+型层作PN结，再在P型衬底上扩散P+型层作欧姆结形成N+PP+结构；PN结的结构或是在N型襯底上扩散N+型层作欧姆结，再在N型衬底扩散P+型层作PN结形成P+NN+ 结构。

本发明公开了一种瞬态电压抑制瞬态电压抑制二极管该瞬态电压抑制②极管包括与引线(1)连接的管座(2)，管座(2)经铜片(3)与管芯(4)焊接管芯(4)另一面经铜片(3)与内引线(5)焊接，管芯(4)外设有保护胶(8)；管座(2)上设有管壳(6)管壳(6)与內引线(5)之间设有绝缘层(7)。本实用新型解决了产品瞬态脉冲功率、反向漏电流、反向击穿电压之间的矛盾满足了生产和使用的需求。通过關键结构的改进使产品具有结构设计合理、工艺稳定、瞬态脉冲功率大、反向漏电流小、可靠性高等特点。

吴贵松, 周廷荣, 周鹏 申请人:中國振华集团永光电子有限公司

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