MOS场效应管
MOS场效应管逆变器自制
　　这里介绍的(见图1)主要由MOS场效应管。该变压器的工作原理及制作过程：　　
　　工作原理
　　一、方波的产生
　　这里采用CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而引起的震荡频率不稳。电路的震荡是通过电容C1充放电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2x103x2.2x10&6=62.6Hz，最小频率为fmin=1/2.2x4.3x103x2.2x10&6=48.0Hz。由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的发相器，输入端接地避免影响其它电路。
　　二、 场效应管驱动电路。
　　由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为0~5V，为充分驱动电源开关电路，这里用TR1、TR2将振荡信号电压放大至0~12V。如图3所示。
　　三、 场效应管电源开关电路。
　　场效应管是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS场效应管的工作原理。MOS场效应管也被称为MOS FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金属氧化物半导体场效应管)的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的是增强型MOS场效应管，其内部结构见图4。它可分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。由图可看出，对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压(或称场电压)控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
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方波发生器电路及工作原理
方波发生器电路及工作原理
滞比较器和RC负反馈回路构成方波发生器 方波发生器如图5.3-34所示，其电路是由一个迟滞比较器和一个RC负反馈回路构成。比较器输出电压UO被两个特性相同的稳压管限幅，在比较过程中，输出电压被稳定在正负UZ（UZ为稳压管VDZ的稳定电压、下同）而保持恒定。R1、R2为限流电阻，一般为10~100千欧。
电路的工作过程是：电源接通时刻（T=0），设C两端电压HC=0比较器输出电压UO=+，此时运放
滞比较器和RC负反馈回路构成方波发生器 方波发生器如图5.3-34所示，其电路是由一个迟滞比较器和一个RC负反馈回路构成。比较器输出电压UO被两个特性相同的稳压管限幅，在比较过程中，输出电压被稳定在正负UZ（UZ为稳压管VDZ的稳定电压、下同）而保持恒定。R1、R2为限流电阻，一般为10~100千欧。
电路的工作过程是：电源接通时刻（T=0），设C两端电压HC=0比较器输出电压UO=+，此时运放同相端电压为
当UO=+UZ时，+UZ通过R向C充电，UC随时间按正指数规律上升，当UC上升到略高于FUZ时，UO从+UZ跳变为UZ。此后，C经R放电UC按负指数规律下降。 在C放电期间，U0=-UZ，运放同相端电压为-FUZ。当UC下降到略低于-FUZ时，UO又立刻跳到+UZ，回到初始状态如此周而复始，便有方波输出。UO及UC的波形见图5.3-34B。图中
所以方波的周期为T0为
由上可以看出，改变R、R3、R4或C，均可改变振荡频率。实用中，R常用电位器代替实现对频率的调节。 图5.3-34N所示电路适用于产生10HZ~100KHZ频率范围内的方波，但选用高速集成运放时频率可达1MHZ以上。频率低于2KHZ方波产生器使用这种电路，性能较好。
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