电容器完全解析三:从电源滤波看电容器（不要迷信固态电容）_图拉丁吧_百度贴吧
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电容器完全解析三:从电源滤波看电容器（不要迷信固态电容）收藏
电容器对正弦电流产生的阻碍被称为容抗，通常用XC表示，单位和电阻相同均为欧姆。而我们在进行供电滤波时希望交流成分尽可能完全被旁路掉，若容抗高，所能够被旁路的交流成分就少，所以就需要尽可能减少阻碍、减少容抗。 　　电容器的容抗并非一个恒定的数值，它与频率（f）和电容量（C）的乘积成反比。这也就是人们看到板卡供电滤波使用大容量电容器就会觉得用料好的主要原因，电容量越大，则容抗越小，所能适应的频率范围更广，滤波效果也就越好。 　　 但我们并不能够因此忽视频率因素，很明显，不同的频率对电容量的要求也不相同。在高频的情况下，不需要很大的电容量就能获得低容抗的效果。各位还记得近年经常被说起的“数字供电”么？笔者在这里可以明确地说，供电是无法数字化的，这只是一个高频开关供电方式。由于频率远远高于常规的开关供电方式，因此只需要小小的陶瓷电容器就可以获得极低的容抗，完成滤波工作。除了电容器，大家一定也对那块好像芯片一样的电感器的高温有深刻印象吧？因为在高频时电感器产生了高额感应电流，此时电感器就好像一个巨大的电阻，数十安培的电流从此经过，自然会产生不俗的热量。尽管并非“数字化”，高频开关供电的确可以用更小巧的元器件、更少的空间占用来达到和常规开关供电模式相当的效果，不过电感器发热是一个需要关注的问题。 　　 说完了高频，让我们一起来想一想低频时容抗的表现。当频率无限接近于零（直流电），那么容抗将会无限增大，此时直流电面前就像被安置了一个巨大的电阻，从而无法通过。尽管容抗的表现很像电阻，不过由于理想的电容器内部是没有电流通过的，因此容抗不会造成任何发热。 　　在频率确定的情况下，所以我们可以用电容量来衡量容抗，电容量越高则容抗越低，电容量越低则容抗越高。 ESR与ESL
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温度范围 　　我们在电容器外壳上所看到的温度标注，指的是该电容器的最高工作温度。实际上电容器不仅仅只有一个高温指标，其正常工作温度是一个区间范围。 寿命;
　　 产品寿命总是用户最关心的问题之一。电容器的寿命取决去所用材质以及工作温度。工作温度越高，寿命就越低。我们只能从厂商的规格PDF中得到相关的寿命信由于材质不同，OS-CON电容器的寿命要比常规铝-电解液电容高的多。同时，我们也可以看到，温度对电容器寿命的影响非常巨大。由于电脑板卡上很少会为电容器准备散热设备，因此使用太阳花式CPU/GPU散热器进行周边辅助散热以及降低环境温度会大大增加电容的使用寿命。当然，最好还是直接使用高温寿命较长的电容器。 电容器的应用：耦合与去藕! 　　 这两个应用恐怕各位听得最多的是去藕，“去藕电容”一词经常在一些内存评测文章中出现。耦合和去藕在不少朋友眼中可能显得十分深奥，其实它的本质还是很简单的利用了电容器的隔直通交原理。耦合，我们可以称之为交流耦合。指的是在两个电路之间串联一个电容器，从而在保证信号传输的同时，遏制因两电路电压不同导致的异常直流电传导。例如上图中，电路A的输出电压是0V，而电路B的输入电压为5V，我们需要将信号从电路A传输到电路B。此时如果不使用电容器进行耦合，电路B的输入电流将会向电路A流去。在两电路之间串联电容器之后，直流电流会老老实实的待在一边，而交流信号仍旧保持正常传输。有了交流耦合，同时也就诞生了直流去藕合，简称去藕。连接在电源线到地之间的电容器，在PCB中用于过滤由快速开关电路产生的直流电压中的瞬时电压或者尖峰信号。瞬时电压含有可能影响电路工作的高频成分，它们会被去藕电容短接到地。在一条线路上我们通常可以看到多个去藕电容，尤其是集成电路芯片周围密布的多层陶瓷电容中，不少就起着去藕作用。 信号滤波 　　信号滤波简单说就是放所需频带的信号电波通过，阻碍其他频率的电波（可以成为杂波）。电容器在这里主要是利用其容抗和频率相关的特性（XC = (1/(2πfC))来进行电波选择。 信号滤波在这里就不做太细致的描述了，今后笔者还有机会为大家讲述这方面的知识。 结语 　　通过文中的讲述，我们可以看到，电容器并没有什么神秘的因素，它不过是为了得到恒定直流电而努力的一分子，并非供电电路的全部。而恒定的直流供电也仅仅是超频的必要条件之一，并不会起决定作用。电容器性能是由多种互相联系的因素共同决定的，我们在看待产品的时候不应该单纯因看到“固态电容”就认为其如何好，应该去看看它们的规格PDF，综合多种指标以及应用环境才能得出比较正确的结论。 　　无论是CPU、GPU、内存或者芯片组，超频能力的高低90%是由芯片本身所决定的。无论主板或者显卡本身设计的多么强大，也仅仅是提供一个基础而已。就像即使给Athlon XP提供绝对理想的直流电，它也不可能达到5GHz的高度 　　我们不应该幻想一块主板仅仅依靠“高品质固态电容”就会获得超频能力的飞跃，这其中的差别实在很小。如果说哪块主板因换了更好的电容器会大有改观的话，那只能代表它原本作的太差劲了。
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为兴趣而生，贴吧更懂你。或新型PPS薄膜电容器
日本松田工业技术研究所最近推出一种新型电容器。这种电容器时效小,允许误差也小,是一种最适合用于高精度滤波电路和振荡电路的P PS薄膜电容器此电容器具有温度系数平滑、介质衰耗小等特点。其外壳用环氧树脂进行真空浸饱。其使用...&
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前言 PPS薄膜具有优良的热性能、机械性能和电性能,可以满足急剧发展的微电子技术对介质材料的苛求。测试数据表明PPS薄膜是制造电容器的理想介质材料。 文中列举了PPS电容器抽样试验的原始数据,其中大部分数据得自MPPS薄膜电容器,少数来源于箔式电容器。PPS电容器具有许多我们所希望的性能:在超常的温度、电压、频率环境中,其性能十分稳定,损耗低,较高的电压击穿强度和高绝缘电阻(低漏电流)等。PPS电容器可应用于直流时间电路,高低颧交流线路、脉冲或能放电路中。苯环与取代硫相当稳定,固有耐高温,阻燃和化学稳定性,因而迅速进入了广泛的高技术市场,,十分引人注目。CI一一CI十Na:S一一一)一冬一S 火 一}一+NaCI 聚笨硫酸(PPS) 1.PPS的结构 PPS聚合物结构简单,由若干交替相间的苯环和硫原子组成。虽说是一种比较新的商品,但由于其不常见的化介特性,重复的 按这种方法聚合的原始PPS树脂是相对分子质量(约20 000)的直...&
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0引言 近10年来,薄膜在微电子技术中的应用日益增多,它为集成电路的超小型化开辟了新的可能途径。迄今为止,薄膜在这方面的应用仅限无源元件(尤其是薄膜电容器)上得到令人满意的结果,但仍有必要克服包括元件特性再现性和稳定性在内的一系列困难。多年来,很多科学工作者就提高薄膜电容器内介电薄膜的质量做了大量的工作,尽管能制成大容量电容的高电容率的介电材料很多,目前介电层的主体材料仍为510,。经过多年的努力,氮化的510:膜的电学性能已有了可喜的进展〔1一月。 制作薄膜电容器时,电容器的三个基本层只能用真空淀积法获得。然而要制备出无针孔和无其它导致失效缺陷的介电层十分困难,且不同时制备的介电层极难保证有相同的膜层厚度,因而电容特性的再现性和稳定性较差,击穿电压的分布范围也较宽,换句话说就是成品率较低。 本文介绍了一种新型的薄膜电容器,它以有机高分子膜替代了二氧化硅作为电容器的介电层。这种有机膜是用肠ng的uir一Blodgett(LB)技...&
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由德国莱宝公司主持召开的“高真空电容镀膜的新发展及趋势”的技术研讨会于1991年7月上旬在江苏南通圆满结束,国内三十多家公司、企业、科研单位的代表出席了会议。尽管会议是研讨电容镀膜技术魄但从另一个侧面向我们展示了世界薄膜电容器的新发展及趋势。现将有关会议内容加以整理介绍,期望对我国的薄膜电容器生产有所稗益。镀膜机外,再也没有生产过普通铝镀膜机。由此可见,锌铝膜电容器是薄膜电容器发展的主要趋势之一。 为什么铝膜电容器在短短的几年内就被 一、盆合锌铝金属化薄膜电容器 自1987年第一台复合锌铝镀膜机间世以来,复合锌铝膜电容器(以下简称锌铝膜电容器)便在欧美、日本、韩国等的电子元件市场上唱主角,到目前为止,仅远东地区就引进该类镀膜扒12台,详细情况见表1。另外,莱宝公司1988年以后,除制造超薄型铝 裹1 年一f日本’}韩国{中国--竺竺一}一二-~一}-二‘一}一扁-燮生一一}一二一一卜一二二一一卜一二-一一一一燮竺~-一一}一.....&
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接触电阻产生损耗是电容器损耗的一部分,本文就从接触电阻产生损耗入手,探讨接触电阻对金属化薄膜电容器tgd值的影响及采用的控制办法。 分析电容器损耗的简化等效电路如图1所示,图中r,是电容器金属部分的电阻,包括接触电阻心。而电流通过电阻总要发热,产生损耗,电阻越大,损耗越大。但就金属化薄膜电容器来说有其特殊的方面,与电容器制造工艺密切相关,工艺质量直接影响产品质量。金属化薄膜电容器的两电极引出由两端面的喷金层与金属极板熔接而引出,而金属化极板的载体是有机薄膜,女甘聚丙烯膜等,所以由于接触电阻产生的热量导致局部温升,使喷金处温度略显升高,当由于环境或其它因素的影响导致散热不畅时,电极的载体—薄膜就会收缩,从而使喷金层与金属化极板的接触变劣,接触电阻增大,使电容器的损耗增大,通过电流后发热量增大,进一步导致薄膜收缩,产生恶性循环,直接影响了电容器的使用性能,集中反映在tgd值随使用(或试验)时间的增长而增大,在例行试验时,因电容器的△...&
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薄膜电容器是一种非线性元件，其可靠性包括固有可靠性和使用可靠性。合理选择、正确使用薄膜电容器，对保证和提高产品的使用可靠性至关重要。电容器对电路的影响主要表现在以下几方面：（１）介质漏电。漏电占电容器失效的９０％；漏电增大导致电路工作不稳定，波形畸变等。（２）电容量变化。在振荡回路中影响最大，可导致频率漂移，工作失常。（３）介质吸收引起电路失效。在脉冲电路中，介质吸收可能使电路功能失效或得到错误的结果。在线性电路中，作为耦合和旁路电容时，会导致波形畸变和信号失真。在电源滤波电路中，会导致纹波增大。在直流电路中，会使有效容量减少。（４）低电平开路。信号中断，输出波形产生噪声和严重失真。（５）电容器失效对振荡电路的影响。电视机和显示器的行逆程电容器和Ｓ校正电容器是这种应用的典型。选择逆程电容时，耐压要求在电源电压的１０倍以上。为免除击穿失效，应选择金属化自愈电容器。容量要稳定，以保证扫描逆程时间。输入阻抗要高，漏电会导致振铃干扰条纹...&
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据近期发布的《年中国薄膜电容器行业市场前瞻与投资规划分析报告》显示,2013年,我国薄膜电容器行业市场规模达到61.58亿元,同比增长14.6%。随着下游市场的需求持续旺盛,将有力刺激薄膜电容器行业的发展。2020年我国薄膜电容器行业将超过130亿元。薄膜电容器行业发展迅速目前我国薄膜电容器市场规模整体偏小,但近几年行业发展迅速。尤其是下游需求市场更是增长较快。为了保护环境,政府当前正着力发展新能源汽车,薄膜电容的耐压耐冲击特性使它非常适合在新能源汽车的电气环境下使用。另一方面,在过去多年的发展中,薄膜电容器的体系和重量减少了3-4倍,同时改进了金属化的分割技术,从而极大的帮助了薄膜电容的发展。因而目前正是企业进入薄膜电容器行业的最佳时机。薄膜电容器市场集中华东地区目前,我国薄膜电容器市场主要集中在华东地区,其次是华南地区、东北地区。2013年,华东地区薄膜电容器市场规模占比达46%;华南地区占比为17%;东北...&
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