【摘要】:介绍用硅三级管作为樣品在低温150K-250K范围内,测量其PN结正向特征可精确求得玻耳兹曼常量及硅半导体材料禁带宽度的值.
|
|
|
李思渊,李寿嵩,张秀文,杨映虎,裘会芳,盂益民,柳南辉,郑秩,马莉莉,张同军,田仁杰;[J];半导体技术;1981年06期
|
李惠军,马瑞芬张宝财,刘乃英;[J];半导体技术;1996年03期
|
|
李兴腾,焦鴻志,范茂军;[J];传感器技术;1984年02期
|
陈俊涛,李新军,杨莹,王良焱,何明兴;[J];催化学报;2004年05期
|
李爱昌,李健飞,任宁,刘爽;[J];材料保护;2004年11期
|
徐华伟,谭春光,朱亚辉,陆申龙;[J];夶学物理实验;1999年02期
|
|
海宇涵,陈远星,臧宝翠;[J];电子与信息学报;1991年01期
|
|
|
|
|
杜宏鹏;王莉;肖斐;;[A];第六届全国低温与制冷工程大会会议论文集[C];2003年
|
|
}