最近参与到一款路由产品的硬件开发中，其中一项是客户需要非标准POE供电，可输出的POE供电电压为12/24/30/48V切换，最大输出功率设计为24W，电路采用反激式电源方案（电源芯片MP3910，芯...
MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗？击穿就一定短路了吗？JFET管静电击穿又是怎么回事？
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小...
介绍之前做两个声明：
1、以下代码可以直接运行，当然你别忘了引用jQuery才行，我可提醒了，别到时候跑不起来骂我就成；
2、下面的实现思想参照了网上的一些文章，自己做了以下整理，对代码加入了一些...
编写汽车类，要求有汽车、方向盘、车身、发动机、刹车等几个类。
模拟一次从启动到结束的过程，并输出汽车的状态变化。
同时实现几类汽车：奥迪A4、奔驰C...
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(最多只允许输入30个字)本征、掺杂形成的载流子迁移率与温度的-1
11 简述有效质量与能带结构的关系? 12 对于自由电子...对一定的材料,当掺杂浓度一定时,温度越高,载流子...,受主杂质浓 ,假设电 ,若流过 子和空穴的迁移率...
,可见, 载流子的扩散系数的温度关系在很大程度上决定于 载流子迁移率的温度关系...爱因斯坦吸收和辐射系数 1页 免费喜欢此文档的还喜欢 本征、掺杂形成的载流子.....
3. 试用掺杂半导体的能带图解释说明右图中 N 型硅...中有哪几种主要的散射机构,它们跟温度的变化关系...大量的本征载流子产生远远超过迁移率减小对电阻 率的...
简述电导率与掺杂浓度及温度的关系。正确答案及相关解析
正确答案 电导率决定于...温度继续升高,本征激发很快增大,大量本征载流子的产生远远超过迁移率减小对电导率...
6.说明掺杂对半导体导电性能的影响。 答:在纯净的...电导迁移率: 漂移迁移率:载流子在电场作用下运动速度...9.硅电阻率与温度的关系图 10. 光学波散射和声学...
5.简述有效质量与能带结构的关系; 答:能带越窄,...和空穴浓 度,如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度...提高迁移率和和提高本征载流子浓度 7.如果有相同的...
16、什么叫载流子的简并化?试说明其产生的原因。有一重掺杂半导体,当温度升高...13、有两块不同纯度的 n-Si 单晶体 A、B,测得其电导迁移率与温度的关系如...
上式求轻度补偿时室温下的电导率公式; 3.简述电导率与掺杂浓度及温度的关系。...温度继 续升高,本征激发很快增大,大量本征载流子的产生远远超过迁移率减小对电导...
迁移率是指载流子(电子和空穴)在单位电场作用下的...即载流子在电场作用下运动速度的 快慢的量度,运动得...另一种方法是在半导体中先扩散形成重掺杂区,然后使...
而肖特基势垒 二极管的正向电流,主要是由半导体中的多数载流子进入金属形成的。它...(1 分) 5. 下图给出了电子的迁移率与温度及掺杂浓度的关系图,写出迁移率与...载流子迁移率-学术百科-知网空间
载流子迁移率
载流子迁移率
carrier mobility
与"载流子迁移率"相关的文献前10条
为了研究空间用聚酰亚胺材料在不同温度下的载流子迁移率,提出了基于热刺激电流(TSC)测量载流子迁移率的模型。对试样施加一段时间的电压,会有电荷注入到材料中。当试样温度降低到液氮温
采用van der Pauw法、等离子振荡波长法和光谱拟合法等三种方法对IMO(In2 O3 ∶Mo)薄膜和ITO(In2 O3 ∶Sn)薄膜的载流子迁移率进行了测量和比较。结果
载流子迁移率是标定共轭聚合物光电器件性能的重要参数,在数值上其大小远小于传统半导体材料,所以常常用飞行时间方法来测量。利用自行搭建的变温飞行时间检测系统,能够准确地测量聚合物中载
半导体材料载流子迁移率是表征其电导特性的重要参数,在半导体材料载流子散射机制理论基础上,基于玻耳兹曼方程和Mathiessen规则,通过对具有不同热运动速度的载流子漂移速度求统计
首先介绍了宽温区 (2 7～ 30 0°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型 ;进而给出了室温下 MOSFET反型层载流子迁移率的测定
分析了器件中载流子迁移率的基本理论及其受温度、掺杂浓度、栅极电压以及漏极电压的影响,并总结了测量器件中载流子迁移率的几种常用的方法。
正 对于MOS器件,由于器件的跨导正比于载流子迁移率,因而迁移率(μ)是个首要的因素.SOS膜的载流子除受一般离子散射外还受异质外延所特有的散射而使其迁移率下降.已知Si-Al_
在导出ＨＢＴ的最高振荡频率与载流子迁移率关系的基础上［１］，指出了多子在影响频率性能方面与少子同样重要，呈现的几何平均关系清楚地揭示出晶体管的“双极”工作原理。在比较Ｎｐｎ和Ｐｎ
采用渡越时间法测量了PVC_z-TNF电荷转移复合物薄膜载流子的迁移率。观察到电子和空穴在输运过程中的差异:电子的渡越时间是大致均一的。空穴的渡越时间有一个分布,在电场作用下迁移
本文系统地研究了多晶硅薄膜载流子迁移率与掺杂浓度的关系,发现不仅如前人所指出的那样,多晶硅载流子迁移率在中等掺杂区有一极小值,而且同时在高掺杂区存在一个极大值.本文将前人提出的杂
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