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单相多铁性BiFeO-%2c3-与晶体生长和结构研究.pdf84页
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上海大学硬±学位论文 摘
妥 摘要 多铁性材料由于同时具有自发铁磁性和铁电性并能相互耦合，从而引起了人
们的广泛兴趣和关注。磁性和电性序参量之间不平凡的晶格耦合作用，使得自发
电极化可以被外加磁场所控制，磁极化同样也能够被外加电场所调控。因此多铁
性材料包含着丰富的物理现象，也为设计新型电子器件提供了更大的自由度。然
而，目前为止，大多数此类化合物都只是在低温下才表现出电极化序和磁序的相
互耦合，尚未发现室温下就能够实现磁电耦合自由调控的多铁性材料。在极少数
室温单相多铁性材料中，铁酸铋 BiFeO。 显示出最高的电极化值。尽管铁酸铋
的许多方面都曾经被研究过，但是对于单晶生长的微观特征，电极化条纹相和复
杂畴结构的观察与研究还没有得到足够的重视。另外，单晶生长本身就是阻碍人
们进一步研究的一个突出难题。本文旨在研究BiFeO。的单晶生长，并系统观察
其微观缺陷、电极化条纹相、铁电畴及其畴壁的结构特征。主要内容共分六章： 第一章回顾了多铁性材料的发展概况，总结了单相多铁性材料BiFeO。的基
本结构及性能，阐述了BiFe03薄膜及单晶方面研究的最新进展及不足，最后汇
总了已有的BiFeO。单晶的生长结果。 第二章详细阐述了Bi：03-Fe。03--元体系的相图，结合第一章单晶生长的汇总
结果，给出了我们的单晶生长设计方案。结果表明，用低摩尔配比为3Biz03一IFez03
的起始反应物和较快的生长速率，也能生长出较高质量的毫米量级BiFeOs单晶，
进一步拓宽了铁酸铋单晶的生长窗口。 第三章利用高分辨同步辐射XRD，系统研究了晶体生长后熔体的组成成份，
并利用微区分析系统对单晶颗粒生长的择
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长城22液晶显示器好吗大约多少钱
来源：互联网 发表时间： 12:45:51 责任编辑：鲁晓倩字体：
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尺寸(寸) 22 21.5 22 22 22 22 21.6
点距(mm) 0.282 0.248 0.282 0.282 0.282 0.282 0.275
屏幕比例 16:10 16:9 16:10 16:10 16:10 16:10 16:10
接口类型 除V223有AV,S-Video,TV接口外其余都为VGA+DVI
亮度(cd/m2) 300 300 350 350 350 350 350
对比度 00:1 0:1 00:1 1000:1
分辨率 除M*1080外其余都为
响应速度 2ms 5ms 5ms 5ms 2ms 5ms 5ms
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