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AlxGa1-xN/AlN 缓冲层结构中AlN层厚度对在Si衬底上生长GaN外延薄膜的性质影响研究
AlxGa1-xN/AlN 缓冲层结构中AlN层厚度对在Si衬底上生长GaN外延薄膜的性质影响研究
Effects of the AlN layer thickness of composition-graded AlxGa1-xN/AlN buffer layer on the properties of GaN epilayers grown on silicon substrates
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华中科技大学/武汉光电国家实验室；
在本论文中，利用金属有机化学气相沉积方法对高温AlN缓冲层在硅衬底上进行GaN薄膜材料的性质影响进行了研究。重点研究不同高温AlN缓冲层生长厚度对GaN薄膜的晶体质量、表面形貌、应变状态以及光学性质等性能的影响。研究结果表明，当高温AlN生长厚度为300纳米左右时，获得的GaN薄膜材料的晶体质量最好、表面最光滑平整、薄膜中的应力最小。通过优化HT-AlN缓冲层厚度，在2英寸直径的Si（111）衬底上利用MOCVD的方法获得了高质量、无裂纹的GaN外延层。
半导体物理学；GaN（氮化镓）；硅衬底；脉冲激光沉积（PLD）；金属有机化学气相沉积（MOCVD）
DAI Jiangnan，
FANG Yanyan，
XIONG Hui，
ZHANG Jin，
CHEN Changqing*
Huazhong Univerisity of Science and Technology/Wuhan National Lab For Optoelectronics；
Abstract：
In this paper, Gallium nitride (GaN) epitaxial layer was grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) on Si (111) substrates with composition-graded AlxGa1-xN /high-temperature aluminum nitride (HT-AlN) as buffer layer. The effects of the HT-AlN buffer layer thickness on the morphological, structural and optical properties of the GaN layers were investigated by varying the thickness from 50 to 450 nm. Optical Microscopy (OM), Atomic Force Microscopy (AFM), X-Ray Diffraction (XRD) and Raman scattering were employed to characterize the samples. It is found that when the thickness of HT-AlN buffer is 300 nm, high quality and crack-free GaN epilayers up to 1.2 μm with X-ray rocking curve(XRC) FWHM values of 0.20
of (002) and (102) respectively can be obtained. From the asymmetric reciprocal space mappings and Raman spectrum analysis, it can be concluded that the lowest tensile stress is achieved in the GaN epitaxial films with 300 nm AlN buffer layer.
Keywords：
Gallium Nitride (GaN); S Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD); X-ray diffraction (XRD); Raman spectrum
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作者简介：
Dr.Dai Was born on Step,1980,and now is assitant professor.His main research is GaN-based semiconducor materials and Devices
通信联系人：
Prof.Chen Was born on Dec,1971,and now is professor in Huazhong Univeristy of Science and Technology.His main research is GaN-based semiconducor materials and Devices
【收录情况】
中国科技论文在线：戴江南，方妍妍，熊晖等.&AlxGa1-xN/AlN 缓冲层结构中AlN层厚度对在Si衬底上生长GaN外延薄膜的性质影响研究[EB/OL].北京：中国科技论文在线&
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原发性高血压患者血尿酸水平与颈动脉内-中膜厚度及左室重构的相关性
【摘要】：目的:探讨原发性高血压(EH)患者血尿酸(UA)水平与颈动脉内-中膜厚度(IMT)及左室质量指数(LVMI)的相关性。方法:EH患者105例经颈动脉和心脏超声检查分别被分为IMT正常组、增厚组和斑块组;LVMI正常组和LVMI增高组。同时检测UA。结果:①LVMI正常组和LVMI增高组UA水平分别为(363.34±58.33)、(432.51±48.82)μmol/L,其差异有统计学意义(P0.05);②颈动脉IMT正常组、增厚组和斑块组UA分别为(303.85±78.59)、(372.30±95.35)和(436.51±61.16)μmol/L,两两比较差异有统计学意义(P0.05)。结论:EH患者UA水平与患者的颈动脉粥样硬化以及左室肥厚有密切相关性。
【作者单位】：
【关键词】：
【分类号】：R544.1【正文快照】：
左室肥厚是高血压心脏损害公认替代终点及独立危险因素,左室质量指数(1eftventricularmassindex,LVMI)是其判断指标。动脉粥样硬化是一种损害全身大、中动脉内膜的慢性疾病,起始表现为血管内-中膜厚度(intimamediathickness,IMT)增厚。近年来流行病学资料提示,高尿酸(u-ricaci
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高尿酸血症患者血浆尿酸水平与颈动脉内中膜厚度的相关性研究
【摘要】：目的探讨血浆尿酸水平与颈动脉内中膜厚度的关系。方法收集高尿酸血症患者78例,同时收集40例血浆尿酸水平正常且基线资料与高尿酸血症患者相匹配的研究对象作为对照组。采用超声检测双侧颈总动脉内中膜厚度。高尿酸血症患者予碳酸氢钠(1.0g,tid)和别嘌呤醇(100mg,bid)口服治疗,同时给予控制血压/血糖、调节血脂和抗血小板等心脑血管疾病一级预防,随访6个月按上述方法重复测量颈动脉内中膜厚度。结果 (1)与对照组相比,高尿酸组人群血浆尿酸水平明显升高,差别具有统计学意义(P0.05);(2)与对照组相比,入院时,高尿酸组人群颈动脉内中膜厚度明显增大(P0.05);治疗6个月后,血浆尿酸水平明显降低[(418±20)μmol/Lvs(587±46)μmol/L,P0.05],且高尿酸组颈动脉内中膜厚度明显低于入院时[(0.84±0.06)mmvs(0.96±0.04)mm,P0.05]。Pearson相关分析提示,血浆尿酸水平与颈动脉内中膜厚度呈正相关,相关系数r=0.864(P0.05)。结论血浆尿酸水平与颈动脉内中膜厚度呈正相关,检测血尿酸水平可以反映颈动脉硬化程度。
【作者单位】：
【关键词】：
【分类号】：R446.1【正文快照】：
颈动脉内中膜厚度(carotid intima-media thickness,CIMT)是反映全身动脉硬化重要且敏感的指标之一,近年来被广泛用于心脑血管疾病的筛查[1-2]。有研究证实,随着CIMT的增加,患者发生心脑血管事件的风险将逐渐增加[3],因此,逆转CIMT对减少心脑血管事件具有重要的临床价值。既
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京公网安备75号微处理机化的光学膜厚监控仪--《真空科学与技术》1987年01期
微处理机化的光学膜厚监控仪
【摘要】：光学膜厚监控仪(OTM),适配于光学镀膜机。它可以进行多层λ/4膜系测量和控制。经简单改动,仪器可带有辅助光路,形成双光路系统。高效的相敏检波器赋予仪器高速稳定。多个沉积源的选择和任意功率值的预设以及灵活的编程功能,可以控制达99层膜系的镀制。
【作者单位】：
【关键词】：
【正文快照】：
引言 早期的光学膜厚监控仪多采用选频或带通滤波放大电路。将一定频率的调制光电流信号放大整流,由模拟表头指示。仪表表头精度等级低,不易分辨,且电路的固定带宽不能自动跟踪信号频率的漂移,又同时将频带内的干扰杂散光信号也放大混人测量信号中,从而引起仪表的不稳定,带来
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