请问这个图，三极管是否进入晶体管的三种工作状态是什么，是什么状态

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请问这个图，三极管是否进入晶体管的三种工作状态是什么，是什么状态

点击联系发帖人 时间：2021-01-16 06:41

晶体管的三种工作状态是什么

三极管饱和压降Vce（sat）是什么意思?

IB┅定,我们可以通过设置集电极电阻来改变直流负载线,如图画有1和2两条直流负载线,在这个IB下,1和2都处于饱和状态.但其对应的电压分别是VCE1和VCE2.换句話说再其它一定情总下,集电极电阻不同时,三极处于饱和状态时ce间的电压是变化的,既然如此,为什么好些地方说三极管的饱和压降Vce（sat）大约为0.2V、0.3V的压降.按我的理解：Vce只要小于0.7V,即可使集电结正向偏置处于饱和状态.

三极管的特性曲线图分为四个区：饱和区、放大区、截止区、击穿区.┅般讨论比较多的是前三个区.

三极管的的工作点进入饱和区,三极管就进入饱和状态.三极管进入饱和状态还分深度饱和之说.可以这样理三极管进入饱和区失去线性放大作用时可以认为三极管处于饱和状态（Q1）；三极管完全推动放大作用时三极管处于深度饱和状态（Q3）.

关于三极管的饱和压降Vce（sat）是有重要条件的,就是在一定的IB和IC的条件下的Vce（sat）.

在三极管的参数表给出的数据也是在一定条件下的数值（图中是S8050的Vce(sat)的数據）：

在图中还可以看出,当负载电阻很大（ic很小时）Vce(sat)的数值就很小,甚至小于0.1V.

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这是PNP型硅材料彡极管工作在放大状态。

仅代表个人观点不喜勿喷，谢谢

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