1.设晶格常数为a 的一维晶格导帶极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近
(2)导带底电子有效质量; (3)价带顶电子有效质量;
(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解:(1)
1202==-===+===-+ 因此:取极大值处,所以又因为得价带:
取极小值处所以:在又因为:得:由导带:
研究半导体原子状态和电子状态鉯及各种半导体器件内部电子过程的学科
研究半导体中的原子状态是以晶体结构学和点阵动力学为基础,
以及晶体中的杂质和各种类型嘚缺陷
研究半导体中的电子状态是
以固体电子论和能带理论为基础,主要研究半导体的电子状态半导体的光电和热电效应、
半导体的表面结构和性质、
半导体与金属或不同类型半导体接触时界面的性质和所发生的过
程、各种半导体器件的作用机理和制造工艺等。
学的发展不仅使人们对半导体有了深入的了解而且由此
而产生的各种半导体器件、集成电路和
典型的半导体主要是由共价键结合的晶体。如硅、锗的晶体具有
费米能级较高的半导体界面一侧帶
半导体硅的价带极大值位于
空间第一布里渊区的中央其导带极小值位于
晶体中缺陷一般可分为三类:
;面缺陷,如层错和晶粒间界
雜质可显著改变非平衡载流子的寿命,是有效的复合中心
硅在砷化镓中既能取代镓而表现为
,这种性质称为杂质的双性行
在真空中进行脫氧处理
.本征半导体的电阻率随温度增加而
体的电阻率随温度增加,
型半导体的费米能级在极低温(
)时位于导带底和施主能级之间
處随温度升高,费米能级先上升至一极值然后下降至
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