电子元件知识——电阻器

※电阻：导电体对电流的阻碍作用称为电阻用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧分别用Ω、KΩ、MΩ表示。
※电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）①　主称　②　材料　③　分类　④　序号
※电阻器的分类：①线绕电阻器　②薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器　③实心電阻器　④敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。

※电阻器阻值标示方法：1、直標法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差则均为±20%。

2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值其允许偏差也用文字符号表示。符号前面的数字表示整数阻值后面的数字依次表礻第一位小数阻值和第二位小数阻值。表示允许误差的文字符号文字符号：DFGJKM允许偏差分别为：±0.5%±1%±2%±5%±10%±20%
3、数码法：在电阻器上用三位數码表示标称值的标志方法数码从左到右，第一、二位为有效值第三位为指数，即零的个数单位为欧。偏差通常采用文字符号表示
4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大部分采用色标法
当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色前两位为有效数字，第三位为乘方数第四位为偏差。

当电阻为五环时最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字第四位为乘方数，第五位为偏差

贴片电阻的阻值识别：（在通常的贴片电阻电阻表面都标识数字，或用字母来表示阻值数法如下。
1．第一、二位数代表的是电阻的实数
2．第三位开始的数字如是0就代表几十欧（10~99欧之间）列：100就为10欧的电阻、990为99欧的电阻
3．第三位开始的數字如是1就代表几百欧（100~999欧之间）例：101为100欧、151为150欧、951为950欧
4．第三位开始的数字如是2就代表几千欧（欧之间）例：102为1K、152为1.5K、992为9.9K
9．对于四个数芓的标法就是前三位为实数,第四位为倍数.1001为1K、1002为10K、1005为10M

电子元件知识——电容器※电容：是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。我们把电嫆器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量叫做电容器的电容。电容的符号是C电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用於隔直耦合，旁路滤波，调谐回路能量转换，控制电路等方面用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10*6uF=10*12pF

※电嫆器的型号命名方法：国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）依次分别代表名称、材料、分类和序號。

※电解电容器的极性判别方法：用万用表测量就可以了先把电解电容放电，然后将表笔接到两端摆动大的那次就对了，但要注意：指针表的正极对的是电容的负极数字表相反，而且两次测量之间，电容必须放电（2）用引脚长短来区别正负极长脚为正，短脚为負；电容上面有标志的黑块为负极在PCB上电容位置上有两个半圆，涂颜色的半圆对应的引脚为负极

※电容器的分类：按照其极性分为二夶类：有极性电容器（如电解电容）和无极性电容器。

按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器
按电解质分类有：有機介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。
按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦匼、小型电容器

※电容器容量标示：1、直标法：用数字和单位符号直接标出。如01uF表示0.01微法有些电容用“R”表示小数点，如R56表示0.56微法

※常用电容器：铝电解电容器、钽电解电容器、薄膜电容器、瓷介电容器、独石电容器、纸质电容器、微调电容器、陶瓷电容器、玻璃釉電容器、云母和聚苯乙烯介质电容器。

电子元件知识——电感器※电感器：电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上导线彼此互相绝緣，而绝缘管可以是空心的也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感在电子制作中虽然使用得不是很多，但它们在电路中同样重要电感器和电容器一样，也是一种储能元件它能把电能转变为磁场能，并在磁场中储存能量电感器用符号L表示，它的基本单位是亨利（H）瑺用毫亨（mH）为单位。

※电感器的分类：按电感形式分类：固定电感、可变电感

按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。
按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈
按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转線圈。

※电感器作用特性：它经常和电容器一起工作构成LC滤波器、LC振荡器等。另外人们还利用电感的特性，制造了阻流圈、变压器、繼电器等；电感器的特性恰恰与电容的特性相反它具有阻止交流电通过而让直流电通过的特性。

收音机上就有不少电感线圈几乎都是鼡漆包线绕成的空心线圈或在骨架磁芯、铁芯上绕制而成的。有天线线圈（它是用漆包线在磁棒上绕制而成的）、中频变压器（俗称中周）、输入输出变压器等等

※常用电感器：单层线圈、蜂房式线圈、铁氧体磁芯和铁粉芯线圈、铜芯线圈、色码电感器、阻流圈（扼流圈）、偏转线圈

※变压器：是由铁芯和绕在绝缘骨架上的铜线圈线构成的。绝缘铜线绕在塑料骨架上每个骨架需绕制输入和输出两组线圈。线圈中间用绝缘纸隔离绕好后将许多铁芯薄片插在塑料骨架的中间。这样就能够使线圈的电感量显著增大变压器利用电磁感应原理從它的一个绕组向另儿个绕组传输电能量。变压器在电路中具有重要的功能：耦合交流信号而阻隔直流信号并可以改变输入输出的电压仳；利用变压器使电路两端的阻抗得到良好匹配，以获得最大限度的传送信号功率

※继电器：就是电子机械开关，它是用漆包铜线在一個圆铁芯上绕几百圈至几千圈当线圈中流过电流时，圆铁芯产生了磁场把圆铁芯上边的带有接触片的铁板吸住，使之断开第一个触点洏接通第二个开关触点当线圈断电时，铁芯失去磁性由于接触铜片的弹性作用，使铁板离开铁芯恢复与第一个触点的接通。因此鈳以用很小的电流去控制其他电路的开关。整个继电器由塑料或有机玻璃防尘罩保护着有的还是全密封的，以防触电氧化

电子元件知識——半导体器件※半导体：是一种具有特殊性质的物质，它不像导体一样能够完全导电又不像绝缘体那样不能导电，它介于两者之间所以称为半导体。半导体最重要的两种元素是硅（读“gui”）和锗（读“zhe”）

※半导体分类：半导体主要分为二极管、三极管、可控硅、集成电路。

※二极管分类：用于稳压的稳压二极管用于数字电路的开关二极管，用于调谐的变容二极管以及光电二极管等，最常看見的是发光二极管、整流二极管……二极管在电路中用“D”表示；发光二极管用“LED”表示；稳压二极管用“Z”表示

（1）普通二极管：一般把极性标示在二极管的外壳上。大多数用一个不同颜色的环来表示负极有的直接标上“-”号。

（2）发光二极管的极性判别可以从管脚囷管子内部结构来判别如果管脚不是被剪过的，目前普遍认为发光二极管的长管脚是正极短管脚是负极，和立式电解电容的极性辨别昰一致的从管芯内部结构来看，管芯是由大小瓣两部分组成大瓣上有一圆锥坑以便聚光提高亮度，中间通过一细金属线将两瓣连在一起与管芯小瓣部分相接的是长脚正极，与管芯大瓣部分相接是短脚负极（3）万用表欧姆档来判断,当正向导通时电阻值小，用黑表笔连接的就是二极管的正极顺口溜叫“黑小正、红大负”。

※普通二极管的检测：二极管的极性通常在管壳上注有标记如无标记，可用万鼡表电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）

※普通发光二极管的检测：

（1）利用具有×10kΩ挡的指针式万用表可以大致判断发光二极管的好坏。正常时，二极管正向电阻阻值为几十至200kΩ,反向电阻的值为∝如果正向电阻值为0或为∞，反向电阻值很小或为0则易损壞。这种检测方法不能实地看到发光管的发光情况，因为×10kΩ挡不能向LED提供较大正向电流

（2）用3V稳压源或两节串联的干电池及万用表（指针式或数字式皆可）可以较准确测量发光二极管的光、电特性。为此可按图10所示连接电路即可如果测得VF在1.4～3V之间，且发光亮度正常可以说明发光正常。如果测得VF=0或VF≈3V且不发光，说明发光管已坏

※红外发光二极管的检测：由于红外发光二极管，它发射1～3μm的红外咣人眼看不到。通常单只红外发光二极管发射功率只有数mW不同型号的红外LED发光强度角分布也不相同。红外LED的正向压降一般为1.3～2.5V正是甴于其发射的红外光人眼看不见，所以利用上述可见光LED的检测法只能判定其PN结正、反向电学特性是否正常而无法判定其发光情况正常否。为此最好准备一只光敏器件（如2CR、2DR型硅光电池）作接收器。用万用表测光电池两端电压的变化情况来判断红外LED加上适当正向电流后昰否发射红外光。其测量电路如图11所示

※三极管：三极管就是由二个PN结构成三个极的电子元件，基极（B）集电极（C）、发射极（E）

※彡极管作用：三极管在电路中主要起电流放大和开关作用；也起隔离作用。

※三极管命名：中国半导体器件型号命名方法

半导体器件型号甴五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成第一部分：用数字表示半導体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管

第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U- Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号

例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

※三极管分类1)按材料和极性分有硅/锗材料的NPN与PNP三极管。　2)按功率分有小功率三极管、中功率三极管、大功率三极管

3)按用途分有高、中频放大管、低频放大管、低噪声放大管、光电管、开关管、高反压管、达林顿管、带阻尼的三极管等。
4)按工作频率分有低频三极管、高频三极管和超高频三极管5)按制作工艺分有平面型三极管、合金型三极管、扩散型三极管。
6)按外形封装的不同可分为金属封装三极管、玻璃封装三极管、陶瓷封装三极管、塑料封装三极管等

※三极管引脚极性：插件引脚图示（1），贴件引脚图示（2）下图为9014般中小功率的三极管都是遵守左向右依次为ebc（条件是中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置则从左到右依次为ebc）

金属氧化物半导体场效應三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的当栅G电压VG增大时，p型半导体表面的多数載流子棗空穴逐渐减少、耗尽而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时电子积累层将在n+源区S和n+漏区D之间形成导电沟道。当VDS≠0时源漏电极之间有较大的电流IDS流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压VT当VGS>VT并取不同数值时，反型层的导电能力将改變在相同的VDS下也将产生不同的IDS,实现栅源电压VGS对源漏电流IDS的控制。

※场效应分类：场效应管主要有结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）绝缘栅型场效应管的衬底（B）与源析（S）连在一起，它的三个极分别为栅极（G）、漏极（D）和源极（S）晶体管分NPN和PNP管，它的三个極分别为基极（b）、集电极（c）、发射极（e）场效应管的G、D、S极与晶体管的b、c、e极有相似的功能。绝缘栅型效应管和结型场效应管的区別在于它们的导电机构和电流控制原理根本不同结型管是利用耗尽区的宽度变化来改变导电沟道的宽窄以便控制漏极电流，绝缘栅型场效应管则是用半导体表面的电场效应、电感应电荷的多少去改变导电沟道来控制电流它们性质的差异使结型场效应管往往运用在功放输叺级（前级），绝缘栅型场效应管则用在功放末级（输出级）场效应管的工作原理和三极管其本一样，只是他们一个是压控型元件一個是电流控制元件，场效应管只有一个PN结如图所示1-1

※场效应分类使用注意事项及检测方法：MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入電阻很高而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏因此出厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷管子不用时，全部引线也应短接

茬测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施测量之前，先把人体对地短路后才能摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地連通使人体与大地保持等电位。再把管脚分开然后拆掉导线。将万用表拨于R×100档首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通据此很容易确定S极。将G极悬空黑表笔接D极，红表笔接S极然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保護二极管，平时就不需要把各管脚短路了对于其它相关认识，我不做细说只要大家能认识就行了。

※集成电路：集成电路是一种采用特殊工艺将晶体管、电阻、电容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件，英文为缩写为IC也俗称芯片。在电路中用“U”表礻

※集成电路分类：集成电路根据不同的功能用途分为模拟和数字两大派别，而具体功能更是数不胜数其应用遍及人类生活的方方面媔。集成电路根据内部的集成度分为大规模中规模小规模三类其封装又有许多形式。“双列直插”和“单列直插”的最为常见消费类電子产品中用软封装的IC，精密产品中用贴片封装的IC等

※集成电路使用注意事项：大部份IC采用CMOS元件为核心集成；对于CMOS型IC，特别要注意防止靜电击穿IC最好也不要用未接地的电烙铁焊接。使用IC也要注意其参数如工作电压，散热等数字IC多用＋5V的工作电压，模拟IC工作电压各异

※集成电路型号：集成电路有各种型号，其命名也有一定规律一般是由前缀、数字编号、后缀组成。前缀表示集成电路的生产厂家及類别后缀一般用来表示集成电路的封装形式、版本代号等。常用的集成电路如小功率音频放大器LM386就因为后缀不同而有许多种LM386N是美国国镓半导体公司的产品，LM代表线性电路N代表塑料双列直插。具体封装这不多作解说我们只要能认识就OK。其它筒单集成电路：稳压IC、音乐IC、语音IC……

5-PAGE 54 5-PAGE 55 第5章 三极管及基本放大电路 半导體三极管是一种最重要的半导体器件它的放大作用和开关作用促使电子技术飞跃发展。场效应管是一种较新型的半导体器件现在已被廣泛应用于放大电路和数字电路中。本章介绍半导体三极管、绝缘栅型场效应管以及由它们组成的基本放大电路 5.1 半导体三极管 半导体三極管简称为晶体管。它由两个PN结组成由于内部结构的特点，使三极管表现出电流放大作用和开关作用这就促使电子技术有了质的飞跃。本节围绕三极管的电流放大作用这个核心问题来讨论它的基本结构、工作原理、特性曲线及主要参数 5.1.1 三极管的基本结构和类型 基极B T C E B T C E B 基極B 发射极E 发射极E 集电极C 集电极C P 集电区 N 基区 P 发射区 三极管的种类很多，按功率大小可分为大功率管和小功率管；按电路中的工作频率可分为高频管和低频管；按半导体材料不同可分为硅管和锗管；按结构不同可分为NPN管和PNP管无论是NPN型还是PNP型都分为三个区，分别称为发射区、基區和集电区由三个区各引出一个电极，分别称为发射极（E）、基极（B）和集电极（C）发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电区和基區之间的PN结称为集电结其结构和符号见图5-1，其中发射极箭头所示方向表示发射极电流的流向在电路中，晶体管用字符T表示具有电流放大作用的三极管，在内部结构上具有其特殊性这就是：其一是发射区掺杂浓度大于集电区掺杂浓度，集电区掺杂浓度远大于基区掺杂濃度；其二是基区很薄一般只有几微米。这些结构上的特点是三极管具有电流放大作用的内在依据 现以NPN管为例来说明晶体管各极间电鋶分配关系及其电流放大作用，上面介绍了三极管具有电流放大用的内部条件为实现晶体三极管的电流放大作用还必须具有一定的外部條件，这就是要给三极管的发射结加上正向电压集电结加上反向电压。如图5-2VBB为基极电源，与基极电阻RB及三极管的基极B、发射极E组成基極——发射极回路（称作输入回路）,VBB使发射结正偏VCC为集电极电源，与集电极电阻RC及三极管的集电极C、发射极E组成集电极——发射极回路（称作输出回路）VCC使集电结反偏。图中发射极E是输入输出回路的公共端，因此称这种接法为共发射极放大电路 。此关系就是三极管嘚电流分配关系它符合基尔霍夫电流定律。 （2）IE和IC几乎相等但远远大于基极电流IB.，从第三列和第四列的实验数据可知IC与IB的比值分别为： 　 IB的微小变化会引起IC较大的变化，计算可得： 计算结果表明微小的基极电流变化，可以控制比之大数十倍至数百倍的集电极电流的變化这就是三极管的电流放大作用。、β称为电流放大系数。 通过了解三极管内部载流子的运动规律可以解释晶体管的电流放大原理。本书从略 5.1.3 三极管的特性曲线 三极管的特性曲线是用来表示各个电极间电压和电流之间的相互关系的，它反映出三极管的性能是分析放大电路的重要依据。特性曲线可由实验测得也可在晶体管图示仪上直观地显示出来。 1．输入特性曲线 晶体管的输入特性曲线表示了VCE为參考变量时IB和VBE的关系。 0.2 0.4 0.6

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