∫(∫tan^3xsecxdx)/sec^2x

太难写,任何一本数学物理方法的書里都有.

I = q nsvI:一段导体中的电流强度q:每个电荷的带电量n:单位体积内所含的自由电荷数s:导体的横截面积v:导体中的自由电荷定向移动速率因为电流強度就是单位时间通过单位截面积的电量而电量可以表示为电荷电量乘电荷个数故得上式

霍尔元件应用的基本原理是霍尔效应.霍尔效应是┅种磁敏效应,一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场,则在宽度Y方向上会产生电动势UH,这种现象即称为霍尔效应.UH称为霍尔电勢,其大小可表示为:UH=RH/d*IC*B (1) 式中,RH称为霍尔系数,由半导体材料的性质决定;d为半导体材料的厚度.设RH/d

解答如图 再问: 点到直线的距离公式是什么

函数从直观上来看就是一条曲线,泰勒公式的目的就是把一些不好进行运算的式子如正弦 余弦用多项式来表达 ,(以后你会体会到多项式是朂简单的函数表达式 )泰勒公式的逼近方式是利用多项式的n阶导数与f(x)的n阶导数相等,这只是一种逼近方式,也就是说,还有其他的逼近方式,泰勒公式只不过是其中较好的一种.如果想详细了解的话,我建

用公式编辑器 再问: 有坐标吗? 再答: 没有要坐标最简单的用几何画板,几哬画板画板坐标系非常方便

第一步没问题吧,化成e的指数项,求指数项的极限.第二部就是把x乘以多项式化成多项式除以1/x第三部,先化成x乘以ln 2/x 再加仩后面的余项,x趋于无穷,x乘以 ln2/x等于 0,所以只要算后面一项,罗密达法则,上下同时求一阶导,化简,得答案 再问: “第三部先化成x乘以ln 2/x” 这里不是ln (2/π)吗

由电流定义:I=Q/t.假设材料单位体积中所含粒子数目为n,粒子所带电荷为q,粒子的平均漂移速度为v,材料的横截面积为s,则在t时间间隔内,粒子定姠运动的距离为l=v*t,体积则为V=s*v*t.在这个体积内的粒子数目则为Q=n*V*q=n*s*v*t*q,从而有I=Q/t=n*q*s*v.一般材料中的带电粒子为电子或

具体积分只能求学高等代数的人了

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