《半导体技术》1983年第3期中的《MOS管閾值电压公式的理论修正》(以下简称《理论修正》)一文,从实测的MOS管阈值电压公式与宽长比W/L有关并比理论值显著增大的现象出发,提出了一种主要发生在长沟道MOS管中的“沟道电阻效应”,并据此对传统的阈值电压公式公式作了理论修正.我们认为其中的一些概念需要加以澄清,问题的實质是对阈值电压公式的定义.此外,该文在计算沟道离子注入对阈值电压公式的调整时所用的公式也欠妥.
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