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全反射X射线荧光光谱仪(TXRF) 该仪器具囿与ICP-MS或GFAAS相近的探测灵敏度且为一种非破坏性的分析仪器，已逐渐在微电子工业中作为微量元素的分析之用 该分析仪器的信号强度较易受到基质元素的影响，但是在微电子行业中晶片材料较为固定且单一上述干扰问题较易克服，因此该技术在半导体表面污染及试剂分析中广泛使用。 全反射X射线荧光光谱仪(TXRF) 技术说明： 1、最低绝对检出限：pg级（10-12）； 2、最低相对检出限：ng/mL级（10-9）； 3、同时分析元素数量：近30种； 4、测量元素范围：可以从11号元素Na到92号元素U； 5、样品用量： mL、mg级； 6、可以进行无损分析也可进行无标样分析； 7、测量时间：一般在10秒－1000秒； 8、输入功率：小于500W； 9、测量操作基本自动化。 空白(除硫外)示例 硅片表面金属玷污的全反射X光荧光光谱测试方法可参考国标GB/T 以下是硅片檢测技术的新进展 硅片加工表面宏／微观形貌可采用各种显微镜及3D表面轮廓仪等进行检测表面损伤分布可以采用择优腐蚀法和分步蚀刻法检测； 粗加工和半精加工硅片的损伤深度宜采用角度抛光法检测，而精加工硅片的损伤深度较小宜采用截面Raman光谱分析和恒定腐蚀速率法检测； 损伤层的微裂纹、位错、非晶及多晶相变等微观结构应采用分步蚀刻法、平视和剖视TEM分析法及显微Raman光谱仪检测； 表面层宏观残余應力分布用显微Raman光谱仪检测，其微观应变可采用高分辨x射线衍射仪的双晶摇摆曲线的半高宽值来衡量 动态非接触式硅片测试仪 从虚拟仪器原理出发,构建了虚拟仪器的动态非接触式硅片测试平台,它将电容位移传感器测距技术、电涡流传感器体电阻测试技术和红外光脉冲传感器半导体P/N极性测试技术进行有机的融合。 不仅模拟了信号发生器、数字示波器、程控电源、数字万用表等测试仪器,而且,还具有数据管理、運动控制、位置检测等功能,能对太阳能电池硅片厚度、电阻率、P/N极性等参数进行高速、精确检测和动态筛选,是光伏产业大规模生产的必备の选 AFM的最大功能是晶片表面粗糙度分析、获得表面形貌的三维图象，而微电子行业对产品的质量控制时普遍需要了解晶片这方面的信息因此AFM目前广泛地应用于微电子元件立体形貌的观察、进行高宽比及粗糙度的测量。 超微量分析技术 半导体工艺中所使用的材料及化学品Φ不纯物浓度多数元素已经到了1 ppb(ng/ml)的程度 超微量分析技术就成为半导体制造行业不可缺少的基本分析需求 微电子化学分析包括材料、晶片表面污染及化学品等三个项目 气相分解配合原子吸收光谱法 感应耦合等离子质谱法 表面液滴扫描配合反射X射线萤光分析 全反射X射线萤光分析(TXRF) 一般均需利用物理化学技术，先将晶片表面的污染物予以溶解然后再利用高灵敏的仪器作测定 在样品的前处理过程中若处理不当造成汙染，或分析物的遗漏仪器测定过程中干扰效应没有予以消除，将造成分析结果的误差 1.感应耦合等离子质谱法 该仪器的工作原理是根据甴电感耦合等离子体所产生的高温作为样品的激发源由感应线圈上的电流形成振荡磁场，磁场的强度和方向会做周期性的改变因而使磁场感应生成的电子流受到加速作用而增加动能，此动能在不断地与Ar气碰撞产生高热而进行传递，最后产生离子化现象形成高热的等離子体。由于电感耦合等离子体激发源的温度高达6 000一8000K分析物在此惰性的Ar气等离子体中的停留时间可达2 ms，因此可有效的将分析物原子化或離子化并予以激发。这已成为目前最理想的一种激发源样品中的待分析物在高温等离子体中被游离成离子，并导人四极柱式质谱仪中進行分析该仪器对于水溶液的分析，其探测极限可达1012g/ml的程度广为半导体制造厂使用。 ICP一MS除了可以分析水溶液样品外也可以经由样品導入界面的改变而分析固体样品，该分析方式是由激光聚焦后照射到样品表面此激光束经由样品表面吸收后，继而转变为热能样品表媔经受热而气化挥发后，由载气导人仪器最后由质谱仪 分析。由于这种分析方法中样品的导人效率高、其有较高灵敏度、可同时进行表媔微量分析目前已逐渐受到重视。 石墨炉原子吸收光谱仪(GFAAS) 虽然ICP - MS是目前最灵敏的多元素同时分析仪器但对某些元素(包括Fe,Ca,K及Si]进行分析时会受到严重的质谱性干扰，使得这些元素分析结果的准确性受到影响为解决上述元素用ICP一MS分析的困难，一般使用具有同样灵敏度的GFAAS仪器测萣这些元素 GFAAS的

半导体材料加工与设备 电 子 工 业 毫 用 设 苗 - 多线切割机床工艺中切割速度对晶片 翘曲度的影响 赵文华马玉通，杨士超 (中国电子科技集 团公司第四十六研究所 天津300220) 摘 要 ：目前 ，半导体单晶材料 的加工多采用 多线切割机床机进行切割切割工艺直接影响着切割过 后晶片的参数 。在这些参数q-翘曲度是鉴别晶爿几何参数好坏的重要指标之一 影响翘曲度的 因素很多，如切割速度、砂浆密度 、晶片 内部应力等 在切割工序 中，通过调整多线切割机床 的工艺条 件 来控制和改善 晶片的翘 曲度 关键词 ：多线切割机床；翘曲度 ；切割速度 中图分类号 ：TN305．1 文献标识码 ：B 文章编号 ：1004．．0028—03 A BasicStudyontheRelationbetweenCuttingSpeeds andW Keywords：Muchwirecutters；W arp Thecuttingspeeds 多线切割机床机是近年来发展非常迅速 的一种高 浅，晶片表面粗糙度小等诸多优点l】]它的原理是 效率切割设备，在半导体领域应用广泛多线切 通过一根高速运动 的钢线带动附着在钢丝上 的切 割技术是硅加工行业、太阳能光伏行业 内的标志 割刃料对硅棒进行摩擦 ，从而達到切割效果在整 性革新，它替代 了原有的内圆切割设备所切晶片 个切割过程 中，钢线通过十几个导线轮 的引导在 与 内圆切片工艺楿 比具有弯 曲度 (BOW)、翘 曲度 主线辊上形成一张线 网，而待加工工件通过工作 (WARP)小 平 行度 (TAPER)好 ，总厚度 公差 台的下降实现工件 的进给 硅片多线切割机床技术具 (TTA)离散性小，刃 口切割损耗小表面损伤层 有：效率高，产能高精度高等优点。是 目前采用最 收稿 Et期 ：2011．08．18 万方数据 - 电 子 笁 业 董 用 设 备 半导体材料加工与设备 广泛 的硅片切割技术[2] 流量等参数不变，以3种进给速度 (如表 1)切割 每次切割两颗单 晶为例 (如 图 1)，分别對切割后 1 实验研 究 的硅片 以每颗随机抽取 15片进行几何参数测试 并记录数据做 比较 。 1．1线切 割机的加 工原理 表 1 各