场效应管和IGBT有什么区别？

兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。 专业名字为绝缘栅双极型功率管 。通俗点说GBT管是有MOS管（场效应管）和双极型达林顿管结合而成。将场效应管做为推动管，大功率达林顿管作为输出管。这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管，功率可以做的很大。 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（juncon FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

　　IGBT型号功能大全：

• TL431是T0—92封装如图1所示。其性能是输出压连续可调达36V，工作电流范围宽达0．1。100mA，动态电阻典型值为0．22欧,输出杂波低。图2是TL431的典型应用，其中③、②脚两端输出电压V=2．5(R2十R3)V／R3。如果改变R2的阻值大小，就可以改变输出基准电压大小。图3是利用它作电压基准和驱动外加场效应管K790作调整管构成的输出电流大(约6A)、电路简单、安全的稳压电源。　　工作原理如图3所示，220v电压经变压器B降压、D1-D4整流、C1滤波。此外D5、D6、C2、C3组成倍压电路(

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• 基于SG3525的大功率开关电源的研制

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• 1.的EMI源 大功率开关电源的EMI干扰源集中体现在功率开关管、整流二极管、高频变压器等，外部环境对大功率开关电源的干扰主要来自电网的抖动、雷击、外界辐射等。 （1）功率开关管 功率开关管工作在On-Off快速循环转换的状态，dv/dt和di/dt都在急剧变换，因此，功率开关管既是电场耦合的主要干扰源，也是磁场耦合的主要干扰源。 （2）高频变压器 高频变压器的EMI来源集中体现在漏感对应的di/dt快速循环变换，因此高频变压器是磁场耦合

• 屌丝学生一枚，拆一成品开关电源，抄部分电路，发现问题。启动绕组和供电绕组是分离的，而且启动电路没怎么看懂，求各路大神指点迷津！变压器左边四根线，上面两根是一个绕组，下面两根是一个绕组。

• 首先是系统的硬件设计本文所涉及的电源功率主回路采用“AC-DC-AC—DC”变换的结构，主要由输入电网EMI滤波器、输人整流滤波电路、高频逆变电路、高频变压器、输出整流滤波电路等这几项构成。对于开关电源的工作原理，大家基本都已经很清楚，简单的来说开关电源基本工作原理是：沟通输入电压经EMI滤波、整流滤波后得到直流电压，通过高频逆变器将直流电压变换成高频沟通电压，再经高频变压器阻隔变换，输出所要的高频沟通电压，终究经过输出整流滤波电路，将高频变压器输出的高频沟通电压整流滤波后得到所需的高质量和高品质的直流电压。

• 老师留的题目，DC-DC开关电源可以设计，可是之前没接触过可调开关电源，不知如何下手，各位能人异士能否帮一下，帮忙设计一款直流转直流可调开关电源呢，最好是纯电路，不涉及单片机，会更加复杂，谢谢

• 大功率开关电源就是用通过电路控制开关管进行高速的导通与截止。将直流电转化为高频率的交流电提供给变压器进行变压，从而产生所需要的一组或多组电压。其次是使用过程中的注意事项：1、在电源使用以前，首先我们要确定输入和输出电压的规格参数与所用电源的标称值是否相符；2、在通电以前，仔细检查输入和输出的引线是否连接正确，防止损坏客户的设备；3、要牢固安装，仔细检查安装螺丝与电源板器件之间是否有接触，测量外壳与输入、输出的绝缘电阻，防止触电；4、仔细检查接地端是否接地，防止使用过程中的安全性，并且能减少一定