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小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v?模电书上都是这样定义的,三极管临界饱和时的管压降,临界饱和时Vce=Vbe,即Vbc=0,硅管区饱和压降VCES为0.3V,导通时Vbe约为0.7V,据此,临界饱和时的管压降应该为0.7V左右才说得通呀.就没一本书上讲得透彻的.可是书上说VBE=VCE=0.7V是也是饱和,这怎么解释.
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对于NPN型的硅三极管,0.7V是PN结正偏时的导通压降,即Ube就是B到E间的PN结——发射结的压降.而0.3V 是三极管饱和时C到E之间的压降.由于饱和时,三极管中的两个PN结的偏置为：发射结正偏(Ub>Ue),集电结正偏(Ub>Uc),因此,饱和时,C到E之间的压降不可能高于0.7V的,否则就不能满足饱和的条件了.而为什么硅管区饱和压降VCES为0.3V,是由元件本身特性决定的,可以看三极管的输出特性曲线,在左边的饱和区,Uces的很小的一个范围,一般按0.3V估算.可是书上说VBE=VCE=0.7V是也是饱和,这怎么解释.你们书写错了,饱和时的VCE不可能是0.7V,而是0.3V!
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万事荣电子科技三极管价格优惠 东莞市万事荣电子科技有限公司是一家全心专注三极管研发、生产、销售为一体的有限责任公司。公司于创立以来，一直遵循产品质量为上的方针，供应的三极管严把质量关，出厂经过严格的检测程序，严格按照行业质量标准。筑产品质量大堤，迎世纪挑战。本着诚挚、灵活、务实的经营理念，万事荣电子科技致力为新老客户提供满意的服务。三极管特点：规格 (Ta=25℃)TO-92电特性 (Ta=25℃)电压 BVCBO IC=-0.1mA 40 V集电极-发射极击穿电压 BVCEO IC=-1mA 20 V发射极-基极击穿电压 BVEBO IE=-0.1mA 5 V集电极截止电流ICBO VCB=-35V 200 nA发射极截止电流 IEBO VEB=-4V 200 nA直流电流增益 hFE VCE=-5V， IC=-5mA 85 400集电极-发射极饱和电压VCE(sat) IC=-500mA, IB=-50mA 0.6 V基极-发射极饱和电压 VBE(sat) IC=-500mA, IB=-50mA 1.2 V特征频率 fT VCB=-10V,IE=-50mA 100MHz HFE分档范围：（允许测试误差 10%） C D 120 200 200 300 300/400集电极-基极电压 VCBO 40 V集电极电流 IC500 mA集电极功耗 PC 625 mW结温度 Tj 125 ℃ 万事荣电子科技形成了一批精干、效率高、专业化的技术队伍，公司主营的产品以三极管为主。公司坚持以满足客户需求为主要目的，换位思考，感悟客户需求；在向社会提供可靠的产品及服务的同时，不断拓展思路，健全产品的质量管理制度；引进高科技人才，提升产品及服务层次，不断提供给用户满意的三极管与服务。 万事荣电子科技拥有完善且科学的质量管理体系，产品类目主要有三极管系列产品。本公司秉着的诚信经营、质量保证的理念，获得业界的一致认可，客户反馈良好。下单之后我们会尽快为您安排发货，确保您的货物能及时、完好地送到您的手上。默认采用陆运;水运;空运;公路运输;铁路运输;航空运输对货物进行快速安全的配送。 竭尽全力，积极进取是我司职业精神的核心。东莞市万事荣电子科技有限公司积极探索，通过产品做精、做强，实现企业创新、创优、创品牌，成为集成电路IC行业颇具竞争力的企业之一。高品质的三极管深受广大需求群体的支持与信赖，用户口碑良好。愿有更多志同道合的伙伴前来参与，我们齐心协力、同舟共济、众志成城、共创辉煌。东莞市万事荣电子科技有限公司在东莞三极管代理，桥头晶体管，深圳三极管生产等方面均有占有优势，欢迎您致电联系了解
地址：厦边社区厦边大街江边13巷21号502晶体管放大电路图解法固定偏置直流分析的图解法中,可以通过IB=(Vcc-VBE)/RB来确定哪一根特性曲线和负载线相交,就算在饱和区也可以通过读图来求出IC和VCE.但加上射极电阻（射极偏置）后,在射--基回路KVL等式中却假设IE=(Beta+1)*IB,解得IB=(Vcc-VBE)/(RB+(Beta+1)*RE).但这样不是就和图解法相违背了吗?假设IE=(Beta+1)*IB就是假定晶体管-学路网-学习路上 有我相伴
晶体管放大电路图解法固定偏置直流分析的图解法中,可以通过IB=(Vcc-VBE)/RB来确定哪一根特性曲线和负载线相交,就算在饱和区也可以通过读图来求出IC和VCE.但加上射极电阻（射极偏置）后,在射--基回路KVL等式中却假设IE=(Beta+1)*IB,解得IB=(Vcc-VBE)/(RB+(Beta+1)*RE).但这样不是就和图解法相违背了吗?假设IE=(Beta+1)*IB就是假定晶体管
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第7章 晶体管及其基本放大电路1
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