肿么用万用表测量电路通路、断路、短路
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、电压的测量1、直流电压的测量，如电池、随身听电源等。首先将黑表笔插进“com”孔，红表笔插进“V Ω ”。把旋钮选到比估计值大的量程（注意：表盘上的数值均为最大量程，“V－”表示直流电压档，“V～”表示交流电压档，“A”是电流档），接着把表笔接电源或电池两端；保持接触稳定。数值可以直接从显示屏上读取，若显示为“1.”，则表明量程太小，那么就要加大量程后再测量。如果在数值左边出现“-”，则表明表笔极性与实际电源极性相反，此时红表笔接的是负极。2、交流电压的测量。表笔插孔与直流电压的测量一样，不过应该将旋钮打到交流档“V～”处所需的量程即可。交流电压无正负之分，测量方法跟前面相同。无论测交流还是直流电压，都要注意人身安全，不要随便用手触摸表笔的金属部分。二、电流的测量1、直流电流的测量。先将黑表笔插入“COM”孔。若测量大于200mA的电流，则要将红表笔插入“10A”插孔并将旋钮打到直流“10A”档；若测量小于200mA的电流，则将红表笔插入 “200mA”插孔，将旋钮打到直流200mA以内的合适量程。调整好后，就可以测量了。将万用表串进电路中，保持稳定，即可读数。若显示为“1.”，那么就要加大量程；如果在数值左边出现“-”，则表明电流从黑表笔流进万用表。交流电流的测量。测量方法与1相同，不过档位应该打到交流档位，电流测量完毕后应将红笔插回“VΩ”孔，若忘记这一步而直接测电压，哈哈！你的表或电源会在“一缕青烟中上云霄”－－报废！ 三、电阻的测量将表笔插进“COM”和“VΩ”孔中，把旋钮打旋到“Ω”中所需的量程，用表笔接在电阻两端金属部位，测量中可以用手接触电阻，但不要把手同时接触电阻两端，这样会影响测量精确度的－－人体是电阻很大但是有限大的导体。读数时，要保持表笔和电阻有良好的接触；注意单位：在“200”档时单位是“Ω”，在“2K”到“200K“档时单位为 “KΩ ”，“2M”以上的单位是“MΩ”。四、二极管的测量数字万用表可以测量发光二极管，整流二极管……测量时，表笔位置与电压测量一样，将旋钮旋到&-|&|--&(不会画这个标志)档；用红表笔接二极管的正极，黑表笔接负极，这时会显示二极管的正向压降。肖特基二极管的压降是0.2V左右，普通硅整流管（1N0系列等）约为0.7V，发光二极管约为1.8～2.3V。调换表笔，显示屏显示“1.”则为正常，因为二极管的反向电阻很大，否则此管已被击穿。五、三极管的测量
表笔插位同上；其原理同二极管。先假定A脚为基极，用黑表笔与该脚相接，红表笔与其他两脚分别接触其他两脚；若两次读数均为0.7V左右，然后再用红笔接A脚，黑笔接触其他两脚，若均显示&1&，则A脚为基极，否则需要重新测量，且此管为PNP管。那么集电极和发射极如何判断呢？数字表不能像指针表那样利用指针摆幅来判断，那怎么办呢？我们可以利用“hFE”档来判断：先将档位打到“hFE”档，可以看到档位旁有一排小插孔，分为PNP和NPN管的测量。前面已经判断出管型，将基极插入对应管型“b”孔，其余两脚分别插入“c”，“e”孔，此时可以读取数值，即
β值；再固定基极，其余两脚对调；比较两次读数，读数较大的管脚位置与表面“c”，“e”相对应。
小技巧：上法只能直接对如9000系列的小型管测量，若要测量大管，可以采用接线法，即用小导线将三个管脚引出。这样方便了很多哦。
六、MOS场效应管的测量
N沟道的有国产的3D01，4D01，日产的3SK系列。G极（栅极）的确定：利用万用表的二极管档。若某脚与其他两脚间的正反压降均大于2V，即显示“1”，此脚即为栅极G。再交换表笔测量其余两脚，压降小的那次中，黑表笔接的是D极（漏极），红表笔接的是S极（源极）。
这个简单，短路就打到蜂鸣器档，如果蜂鸣器报警并且有电流，那就是短路。断路就更简单了，断路视为电阻无穷大，打到电阻最大档，指针仍然偏移最大程度，那就是断路
用万用表的电阻档来测量
先把电缆两端拆掉，把两端每个线头分开，用万用表*10k档测每条线相负之间的电阻，小于1兆欧的相负之间就有漏电嫌疑。电阻小到几白欧---几欧的话，就肯定是短路了。我用的是47型万用表，没有*10K档的测不出来。不过这个也是我个人经验。班门弄虎。当然最好是用摇表。2
把电缆一端短接，在另外一端用万用表测量，要用*1档来测5个线头相负之间的电阻，电阻很小并且很接近的话，就应该是通的。反之则断路
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锂电池供电方案
因具有绿色环保，重量轻，无记忆效应，自放电率低，高低温适应性强等诸多优点，而广泛应用于各种电子产品中。本文引用地址：这里介绍一种基于TP4056的单节的充电方案，并通过简单外围电路实现过充过放保护，电源自动切换和硬件开关机。1、TP4056充电方案图1图1中4脚为电源输入引脚，8脚为使能引脚，高电平有效(因此直接接到电源);7脚和6脚，功能分别为充电状态指示和充电完成指示，这两个引脚内部结构均为漏极开漏输出，当它们导通时，对应连接的LED就会通过引脚内部的MOS管形成通路，使LED点亮。正常充电情况下，7脚导通，红灯亮，6脚截止，绿灯灭。充电完成后，7脚和6脚间的逻辑翻转，绿灯亮，红灯灭;5脚为电池正极连接端，芯片通过该引脚对电池进行充电;1脚为温度保护信号输入端，其基本原理为，通过电池内部的NTC(负温度系数热敏电阻，随着温度升高而阻值降低，温度降低而阻值升高)与外部的电阻分压后输入TEMP引脚，当该电压值低于输入电压45%和高于输入电压的80%，充电将被暂停，如果不使用温度检测功能，则可以将该引脚直接接地。2脚为充电电压编程引脚其中：IBAT为充电电流VPROG为编程电压(在预充阶段为0.1V，恒流充阶段为1V)RPROG为编程电阻，通过Vprog引脚链接到地例如，如果RPROG = 1200&O，则预充阶段充电电流为:0.1/.1A恒流阶段充电电流为1/A到此TP4056芯片功能介绍完毕，更加详细的资料可下载其数据手册进行详细了解。2、过放及过充保护过充和过放保护，从字面意思理解即可，就是避免电池过度放电和过度充电。一般来说，厂家都会有内置保护电路板，对电池进行过充和过放的保护，这种情况下，我们直接使用TP4056即可;下面将要介绍的使用是没有内置保护板的锂电池而采用的保护方案。在众多保护方案中，DW01加MOS管为最常见的方案，电路如下正常状态下，M1，M2均导通，过充状态下，M2截止，充电回路切断，过放状态下，M1截止，放电回路切断，两种状态实现对电池的过充过放保护;基于DW01加两个MOS的方案，厂商还推出了内部集成MOS的DW06，相比较而言，DW06外部电路更简单电路图如下3、自动电源切换该电源切换电路选自于TP4056的数据手册中，下面分析其工作原理在只有VCC-BAT供电的情况下，由于MOS管Q3的G极被R1拉低到地，则MOS导通，VCC-BAT通过Q3向后级供电;当USB电源VCC-USB插入后，Q3的G极变为高电平，使Q3截止，VCC-USB通过D1向后级供电;USB拔除后，Q3导通，供电状态恢复为VCC-BAT供电。4、硬件开关机电路一般来说，为了实现对系统的硬件电源切断，会使用直接的机械开关进行电源的通断。但是由于机械开关存在着体积较大(不利于小型化设计)，且由于磨损导致寿命较短等缺点，按键开关越来越多的被使用，下面介绍一种比较简单的实现电路：如上图所示关机状态：由于Q1被R1钳位到高电平，Q1截止，VCC不能向后级供电开机：长按S2，D2导通，使Q1的G极拉低而导通，VCC通过Q1向后级VCC-SYS供电;VCC-SYS连接MCU电源，MCU通电复位后开始工作，通过连接到MCU上面I/O的Power-On，使其为高电平，此时Q2导通，使Q1的G极变为低电平，松开按键S2，只要Power-On引脚电平保持为高电平，系统供电正常供电;关机流程：开机状态下，长按下S2，MCU通过D2，检测到低电平，累计一定时间后，判定为关机动作，将Power-ON引脚输出低电平，Q1截止，系统断电;上面所述的电路，可实现系统的硬关机。上面提到的四个电路，可根据实际情况进行组合调整，应用于电路之中。
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我来说两句……
微信公众号二
微信公众号一怎么区分增强型还是耗尽型MOS管
问题描述：
怎么区分增强型还是耗尽型MOS管
问题解答：
电路图可以看符号,漏、源连线三段分开的即为增强型,只有一条连线不断开的是耗尽型.实物只能查型号,一般功率MOS基本上都是增强型,中小功率MOS才可能有耗尽型.
我来回答：
剩余:2000字
增强型比较清楚：1、P沟道增强型：当UgsUgs(th)时,开启.这个Ugs(th)是一个正数值,最常见的是在2V 4V之间.耗尽型的管子比较少见.1、P沟道耗尽型：当UgsUgs(off)时导通,这个Ugs(off)是一个负数值.
NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数.耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数.也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,这个数值就不好说了,可以是负数,也可以是0,也可
从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生,而增强
N沟道MOS管也就是说S、D为N+区,其沟道为N型,即为电子.N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道,而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型.作为N沟道耗尽型MOS管,在制造过程中,S、D之间的衬底表面形成了导电沟道,其原因就是往沟道区域注入了磷离子或砷离子,一般来说是磷离子,砷离子常被用来
P沟道的管子使用的时候你只需要记住几件事情：当栅极（G）的电压比漏极的电压(D)小5V以上（有的管子可以更低）,管子就开始导通,压差越大,G和S（源极）之间的电阻就越小,损耗也就越小,但是不能太大.还有一件事情就是G和S之间的最大耐压,元器件手册上有说明.最后就是G和S之间容许通过的最大电流,这个元器件手册上写的也很清
这个东西,单凭几句话说不清楚的.我还是建议你多看几本书,不要局限于手头一本教科书,最好看看国外的模电教材（现在有很多翻译本）,多看几本,就看这块.可能会有一种说法能适合你.要理解好FET,基础还是前面的半导体物理,你有空的话,把前面好好复习一下.
当然需要,如果漏电压高于源电压的话,那么那个漏才是源,源才是漏,电极的名字都换过来了.那么名字换过来需要吗?当然需要,因为Ugs是栅源电压,在这件事上这俩电极不对称!所以,漏电压一定低于源电压,Uds一定小于0,这是结论,不是规定 再问： 谢谢您的解答，MOS管中衬底的接法，她的作用，谢谢 再答： 数字电路中衬底一般接
1、A,C2、A,D3、A,D4、C5、C
耗尽型与增强型都属于MOS管（绝缘栅型场效应管）.前者在不加栅源电压时漏极和源极为耗尽层不能导通,而且工作是栅源电压只能是正向的；增强型则可以导通,栅源电压可正可负.
MOS即MOSFET全称金属氧化膜绝缘栅型场效应管,有门极Gate,源极Source,漏极Drain.通过给Gate加电压产生电场控制S/D之间的沟道电子或者空穴密度（或者说沟道宽度）来改变S/D之间的阻抗.这是一种简单好用,接近理想的电压控制电流源电晶体它具以下特点:开关速度
MOS管：场效应管.采用绝缘栅结构的晶体三极管,输入阻抗高,输出呈电阻态.现在用途广泛,包括电视机高频头（高频,小电流）到开关电源（高压大电流）,现在把MOS和双极型（普通三极管）复合在一起（IGBT,绝缘栅双极型晶体管）,广泛应用于大功率领域.MOS集成电路：采用场效应管的集成电路,可有和TTL相同的逻辑功能,代表的
VGS大于开启电压 再问： 为什么不是vds小于夹断电压？耗尽型mos管还需要开启？ 再答： 抱歉记错了，Ugs大于夹断电压就可（Ugs可正可负）再问： 哦哦
解题思路： 场效应管解题过程： 场效应管工作原理是什么? 场效应管工作原理是什么? 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反
电路的基本概念及定律 电源 source 电压源 voltage source 电流源 current source 理想电压源 ideal voltage source 理想电流源 ideal current source 伏安特性 volt-ampere characteristic 电动势 electromoti
每位应聘者按自己对问题的理解去回 答,尽可能多回答你所知道的内容.若不清楚就写不清楚）. 1、我们公司的产品是集成电路,请描述一下你对集成电路的认识,列举一些与集成电路 相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、 FPGA等的概念）. 2、你认为你从事研发工作有哪些
1.A.耦合与旁路电容的容值较大,对于高频信号可视为短路,在低频时影响甚大,填入第二空B.双极结型晶体管(BJT)含有极间电容,在高频等效模型中不可忽略,影响甚大,在低频段视为断路(不存在),填入第一空C.这个在大信号模型下才会引起失真,在这个问题中不予考虑D.这个会导致饱和与截止失真,而与工作频率无关2.第一空这个很
当然不会啊 再答： 电压不会为零的 再答： 你说的电流吧 再答： 什么叫电压经过电阻啊再问： 比如说电路中的上拉电阻，电阻的另一端电压不就是零了吗 再答： 只要是通路 再答： 就会有电压 再答： 电压是电流流动的一个原因 再答： 已通知提问者对您的回答进行评价，请稍等再问： 那请问这个电压值有方法计算出来吗 再答： U
ACD BCD BC AB ABC
A,C,B,C,C,C,B,A,AB,D,A,A,A,A,A,B,B,C,B,A
也许感兴趣的知识西安交通大学18年9月课程考试《模拟电子技术》作业考核试题满分
西安交通大学18年9月课程考试《模拟电子技术》作业考核试题
试卷总分:100& & 得分:100
一、 单选题 (共 30 道试题,共 60 分)
1.下列电路中，输出电压脉动最小的是（ ）
A.单相半波整流
B.单相桥式整流
C.三相半波整流
D.三相桥式整流
正确答案 :D
2.与甲类功率放大方式相比，OCL互补对称功放的主要优点是( )。
A.不用输出变压器
B.不用输出端大电容
D.无交越失真
正确答案 :C
3.对于放大电路，所谓开环是指（ ）
A.无信号源
B.无反馈通路
正确答案 :B
4.实际工作中选用三极管时，要求三极管的反向饱和电流和穿透电流尽可能（ ），这两个反向电流的值越（ ），表明三极管的质量越（
A.大 大 高
B.小 小 低
C.大 大 低
D.小 小 高
正确答案 :D
5.用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V ,
那么U3=7V的那个极是（ ）.
6.有一晶体管的极限参数：PCM=150mW，ICM=100mA，U（BR）CEO=30V。若工作电流IC=1mA，则工作电压UCE不得超过（
7.二极管的正向电压降一般具有 温度系数。
8.交通信号灯采用的是（ ）管。
A.发光二极管
B.光电二极管
C.变容二极管
D.整流二极管
9.在场效应管放大电路中，测得各极电位分别为UD=6V，US=3V，UG=1V，则该场效应管为
A.N沟道耗尽型
B.P沟道耗尽型
C.P沟道增强型
D.N沟道增强型
10.25、乙类推挽功率放大器的理想最大效率为（ ）。
11.在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则( )
A.输出电压约为2UD
B.变为半波直流
C.整流管将因电流过大而烧坏
12.硅二极管完全导通后的管压降约为（ ）
13.在深度负反馈时，放大器的放大倍数（ ）
A.仅与基本放大器有关
B.仅与反馈网络有关
C.与二者密切相关
D.与二者均无关
14.为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（ ）
A.共射放大电路
B.共集放大电路
C.共基放大电路
15.若输入电压保持不变，当不等于零，则 电路的输出电压等于零。
在题1.10图示电路中，A为理想运算放大器，三端集成稳压器的2、3端之间的电压用UREF表示，则电路的输出电压可表示为（&
17.判断反馈类型时，可以用（ ）判别串联、并联反馈。
A.输出端短路法
B.瞬时极性法
C.输入端短路法
D.输出端断路法
18.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的（ ）
A.差模放大倍数数值增大
B.抑制共模信号能力增强
C.差模输入电阻增大
19.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）。
A.前者反偏、后者也反偏
B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者也正偏
D.前者反偏、后者正偏
A.放大倍数越稳定
B.交流放大倍数越大
C.抑制零漂流的能力越强
21.欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（ ）。
A.电压串联负反馈
B.电压并联负反馈
C.电流串联负反馈
D.电流并联负反馈
22.UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（ ）。
B.增强型MOS管
C.耗尽型MOS管
23.为了使放大器带负载能力强，一般引入（ ）负反馈。
24.共集电极放大电路的输出信号是取自于三极管（ ）之间。
A.基极和射极
B.基极和集电极
C.射极和集电极
D.任意两极之间
25.某传感器产生的是电压信号(几乎不能提供电流)，经过放大后希望输出电压与信号成正比，电路形式应选( )。
A.电流串联负反馈
B.电流并联负反馈
C.电压串联负反馈
D.电压并联负反馈
26.欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（ ）。
A.电压串联负反馈
B.电压并联负反馈
C.电流串联负反馈
D.电流并联负反馈
27.功率放大电路的转换效率是指（ ）
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比
C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
28.使用稳压管组成稳压电路时，应使外加电源的正极接管子的（ ），电源的负极接（
），以保证稳压管工作在反向击穿区，稳压管应与负载电阻（），由于稳压管两端电压变化量很小，使输出电压比较稳定。
A.N区 P区 串联
B.N区 P区 并联
C.P区 N区 串联
D.P区 N区 并联
29.稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ ）状态，但其两端电压必须（
）它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于截止状态。（ ）
A.正偏，大于
B.反偏，大于
C.正偏，小于
D.反偏，小于
30.在多级放大器中，对零点漂移影响最大的是（ ）。
C.前后级一样
二、 判断题 (共 20 道试题,共 40 分)
1.电流负反馈可以稳定交流输出电流。（ ）
2.若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）
3.线性直流电源中的调整管工作在放大状态，开关型直流电源中的调整管工作在开关状态。（ ）
4.半导体中的空穴带正电。（ ）
5.直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。（ T ）
6.阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。（ ）
7.在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。（ ）
8.差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为差模信号。（
9.负反馈放大电路中1+AF称为反馈深度。（ ）
10.零点漂移就是静态工作点的漂移。（ ）
11.在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。（ ）
12.为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用直流负反馈。( )
13.通用型集成运放的输入级多采用差分接法。（ ）
14.直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。（ ）
15.整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。（ ）
16.OCL电路是双电源互补功放，OTL是单电源互补功放。( )
17.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）
18.因为串联型稳压电路中引入了深度负反馈，因此也可能产生自激振荡。（ ）
19.引入交流负反馈可以稳定静态工作点。（ ）
20.漂移电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小与温度和外加电压有关。（ ）
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