经典mos管应用电路_百度文库
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经典mos管应用电路
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你可能喜欢上海通用ZX7-200i电焊机内部用的是MOS还是IGBT功率管？_电焊机吧_百度贴吧
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上海通用ZX7-200i电焊机内部用的是MOS还是IGBT功率管？
半桥两只igbt
百度都说igbt是第五代先进技术可是为什么mos管的贵
网上找的通用200i的图
我从你第一张图，背板看到是两组并联，驱动也是两路，半桥电路了
关于家用电焊机，看了这么网评，只有说上海通用zx7-200i焊机电流有点小，还没有说其它的不好。通用zx7-250i也没有说电流小，都是好评。只是说这两款机型是单板，坏了不好修。没有说不好用的。总之一分价钱一分货，一百多元的机子不能买，三百多元凑合用，要想买个用得住的好机子，最少也得五百元左右的名牌机子。
沪工之星zx,外观很小，三乔zx,都说能长焊3.2实体店卖的，网上的不敢买
实际电流160安，可以烧焊3.2,4.0焊条
实际电流150以上。我买了一台。我焊2.5的焊条没任何问题。朋友借去电流开到150.用3.2的焊条焊16的园钢筋也没问题。他以前说我的焊机太小。用了以后说不错挺好。打算也买一个我这样的。焊了几根他的某牛插排就爆了。线软的像橡皮泥一样。我的把线纯铜国标16平。线缆用的4.5平的电缆直连刀闸。刚刚的。贴吧。论坛这种地方什么目的的人都有。真是听别人说。砸自己锅。
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功率MOSFET管(也叫场效应晶体管)与功率晶体管从结构原理上都不同
MOS管是电压控制电流的原件,也就是用一个较小的电压,控制一个电流的大小,
晶体管是电流控制电流的原件,也就是用一个较小的电流,控制一个较大的电流的大小,
因此MOS管都有较大的输入阻抗,和较小较出阻抗,一般用来作运算放大块.
只能用指针表，用10k档，找出G，试S,D。黑笔接D,红笔接S,这时黑笔不要离开D同时去碰G,如果电阻变小，黑笔离开电阻不变，则管子是好的，当红与G,S连接，S...
至90年代末，MOSFET尺寸不断缩小，让集成电路的效能大大提升，而从历史的角度来看，这些技术上的突破和半导体制程的进步有着密不可分的关系
P通道为空穴流，N通道为电子流，所以场效应三极管也称为单极性三极管。FET乃是利用输入电压(Vgs)来控制输出电流(Id)的大小。所以场效应三极管是属于电压控制...
1）晶体管图示仪有什么用处？
：用来观察晶体管的静态特性的仪器。
2）用它是不是可以反映出晶体管的交流放大系数？
：不可以。
有一个概念你应该搞清：交流放大系数...
三极管是电流控制器件，饱和时流过的电流越大、如果驱动电流不够、压降就会上升，有足够的驱动电流、饱和压降都很小的，开关频率效果不好、速度较慢（因结电容大）。
答: 控制器说明书中有电池板、控制器、蓄电池及灯具的连接示意图，这个图片可供你参考
仓库屋顶光伏分布式发电技术是指充分利用仓库屋顶，建设分布式发电设施，自发自用或电力上网，进而实现节能降耗。
光伏发电是根据光生伏特效应原理，利用太阳电池...
冷库在使用的过程中难免会出现一些小的故障，为了不影响冷库的使用，快速解决麻烦，那么学会一些常见的维修知识，就可以在最短的时间内排除冷库故障减少损失。燕轶制冷...
B.20世纪上半叶，人类经历了两次世界大战，大量的青壮年人口死于战争；而20世纪下半叶，世界基本处于和平发展时期。
“癌症的发病率”我认为这句话指的是:癌症患者占总人数口的比例。
而B选项说是死亡人数多，即总体人数下降了，但“癌症的发病率”是根据总体人总来衡量的，所以B项不能削弱上述论证
要有经营场所，办理工商登记（办理卫生许可），如果觉得有必要还要到税务局买定额发票，不过奶茶店一般人家消费是不会要发票的巴，要买设备，要联系供应商备一些原料，就好啦，没啥难的，不过要赚钱的话就得选好开店地段。
办理手续的程序（申领个体执照）：
1、前往工商所申请办理
2、根据工商所通知（申请办理当场就会给你个小纸条）前往办理名称预核
3、拿到名称预核通知书，办理卫生许可证（前往所在地卫生监督所办理）
4、拿着名称预核通知书和卫生许可证前往工商所核发营业执照。
如果是下拉的，只有党员而没有预备党员一项，可填党员，但如果是填写的，你就老老实实填预备党员，填成党员对你没什么好处，填预备党员也不会有什么吃亏。
1、问：房地产开发企业拆迁补偿费是否也随土地价格一起交纳契税(以房易房部分的)?
答：是的，因为取得土地的成交价格包括：地出让金、土地补偿费、安置补助费、地上附着物和青苗补偿费、拆迁补偿费、市政建设配套费等承受者应支付的货币、实物、无形资产及其它经济利益，而契税中未对房地产企业有相关的减免政策
2、问：如果交,是就补给拆迁户交差价部分交税还是就全部回迁房价格交税?在什么环节,时间交纳?
答：所谓使用回迁房作为拆迁补偿的形式，就是开发商以原地或异地的房屋抵顶拆迁补偿费的一种方法，相当于延期或分期支付拆迁补偿款，而契税条例中规定是：“纳税义务发生时间在纳税人签订土地、房屋权属移交合同的当天，或者纳税人取得其他具有土地、房屋权属转移合同性质凭证的当天。纳税人应在自纳税义务起10日内，向土地、房屋所在地的税收征收机关办理纳税申报，并在税务征收机关核定的期限内缴纳税款。 ”所以需要在取得土地的时候就要缴纳契税，需要全额计税，不能以补偿款计税。
3、问：土地使用税在什么环节交?如何交?税法说确有困难的可以减或缓,各地有具体政策吗?
答：如果原土地属于耕地的，自取得土地后满一年开始征收，如果属于非耕地的，自取得土地之下月征收。
以前的土地使用税一般都予以减免，特殊情况例外，虽然国家税务总局《关于土地使用税若干具体问题的补充规定》，对于基建项目在建期间使用的土地可以免税，但很多地方的税务机关都认为这不适用房地产企业，因为现在国家是控制房地产过热，不属于鼓励范围。
4、问：回迁部分房屋的营业税在什么环节交?
答：在交付回迁房屋或被拆迁户全部支付差价的时候缴纳，如果不需要支付差价的，以成本价格作为计税依据，如果有差价的，不需要支付部分按成本价格计税，差价部分按实际计税。
考虑是由于天气比较干燥和身体上火导致的，建议不要吃香辣和煎炸的食物，多喝水，多吃点水果，不能吃牛肉和海鱼。可以服用（穿心莲片，维生素b2和b6）。也可以服用一些中药，如清热解毒的。
确实没有偿还能力的，应当与贷款机构进行协商，宽展还款期间或者分期归还； 如果贷款机构起诉到法院胜诉之后，在履行期未履行法院判决，会申请法院强制执行； 法院在受理强制执行时，会依法查询贷款人名下的房产、车辆、证券和存款；贷款人名下没有可供执行的财产而又拒绝履行法院的生效判决，则有逾期还款等负面信息记录在个人的信用报告中并被限制高消费及出入境，甚至有可能会被司法拘留。
第一步：教育引导
不同年龄阶段的孩子“吮指癖”的原因不尽相同，但于力认为，如果没有什么异常的症状，应该以教育引导为首要方式，并注意经常帮孩子洗手，以防细菌入侵引起胃肠道感染。
第二步：转移注意力
比起严厉指责、打骂，转移注意力是一种明智的做法。比如，多让孩子进行动手游戏，让他双手都不得闲，或者用其他的玩具吸引他，还可以多带孩子出去游玩，让他在五彩缤纷的世界里获得知识，增长见识，逐渐忘记原来的坏习惯。对于小婴儿，还可以做个小布手套，或者用纱布缠住手指，直接防止他吃手。但是，不主张给孩子手指上“涂味”，比如黄连水、辣椒水等，以免影响孩子的胃口，黄连有清热解毒的功效，吃多了还可导致腹泻、呕吐。
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楼主，龙德教育就挺好的，你可以去试试，我们家孩子一直在龙德教育补习的，我觉得还不错。
成人可以学爵士舞。不过对柔软度的拒绝比较大。　　不论跳什么舞，如果要跳得美，身体的柔软度必须要好，否则无法充分发挥出理应的线条美感，爵士舞也不值得注意。在展开暖身的弯曲动作必须注意，不适合在身体肌肉未几乎和暖前用弹振形式来做弯曲，否则更容易弄巧反拙，骨折肌肉。用静态方式弯曲较安全，不过也较必须耐性。柔软度的锻炼动作之幅度更不该超过疼痛的地步，肌肉有向上的感觉即可，动作(角度)保持的时间可由10馀秒至30-40秒平均，时间愈长对肌肉及关节附近的联结的组织之负荷也愈高。
MOS场效应管中的MOS读音是mosi (沫嘶）
MOSFET理论静态电流（损耗很低），但是速度较慢。
三极管则是静态电流很高，但是速度比MOSFET要快。
你如果明白工作原理，也就知道，区别了。 因此集成三极管，使用在手机等通信电路中， 反倒是cpu，flash都是使用MOSFET的了。
是电压控制，场效应管就是电压控制，输入电阻很高，电流很小。应该答A。
ID(on)---通态漏极电流。
相当于Ie。
IDM---漏极脉冲电流。
IGSS是栅漏电，测量的时候通常其他电极都是接地的，只在栅上加一个特定的电压，这个值越小越好，越小代表栅氧的质量越好。
Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。
目前主板或显卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10个左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。
MOS管对于整个供电系统起着稳压的作用，但是MOS管不能单独使用，它必须和电感线圈、电容等共同组成的滤波稳压电路，才能发挥充分它的优势。
(1有三只脚，其中G是栅极，对P沟道MOS管，高电平导通；对N沟道MOS管，低电平导通。关键的是处于下桥电路的N沟道MOS才真正控制输出电压。
(2)电路中有PWM调制电路，由调速霍尔调制其占空比例。根据PWM占空比，开关管MOS导通为开、截止为关，由开和关在一个周期内所占时间比例不同来决定输出电压高低，比如在一个周期内，导通时间占60%、截止时间占40%，则占空比为6:4，或称占空比为60％。
要提高输出电压，应提高占空比，即导通时间增多，截止时间减少，电动机就会提高转速。
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这个不是我熟悉的地区静电会导致MOS管烧坏，设计电路需要注意什么 - 快资讯
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很不错的了解mos的材料――MOS管开通过程好
MOS管学习笔记主要内容? MOS管的种类及结构 ? MOS管的工作原理 ? MOS管的主要参数 ? MOS管的驱动MOS管的种类及结构MOS管的全称是：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金 属氧化物半导体场效应管）? 分类 N沟道（电子型） 导电载流子的带 电极性 P沟道（空穴型） 增强型（E型） 组合共有4种类型导电沟道形成机 理耗尽型（D型）在实际应用中，只有N沟道增强型和P沟道增强型，这两种中比较常用 的是NMOS管，原因是导通电阻小，且容易制造 。? 结构以一块掺杂浓度较低，电阻率较高的P型硅半导体薄片作为衬底，利用扩散 的方法在P型硅中形成两个高掺杂的N+区。然后在P型硅表面生长一层很薄的 二氧化硅绝缘层，并在二氧化硅表面及N+型区的表面上分别安装三个铝电 极――栅极g，源极s和漏极d，这样就形成了N沟道增强型MOS管。符号 剖面图MOS管的工作原理NMOS的特性：Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情 况（低端驱动） s VDD （1） Vgs=0，没有导电沟道 d VGG g 此时栅源短接，源区，衬底和漏区形成两个 id 二氧化硅 背靠背的PN结，无论Vds的极性怎样，其中 总有一个PN结是反偏的，所以d,s之间没有 形成导电沟道，MOS管处于截止状态。 + +N N（2） Vgs≥ VGS(th） ，出现N沟道栅源之间加正向电压 由栅极指向P型衬 底的电场 将靠近栅极下方的空穴向下排 斥 形成耗尽层 再增加Vgs 纵向电场 定义：开启电压VGS(th） ―― 刚刚产生导电沟道所需的栅源 电压Vgs 将P区少子（电子）聚集到P区表面 形成源漏极间的N型导电沟道 如果此时加有漏源电压，就可以形成漏 极电流idP衬 底b（3）输出特性曲线 MOS的输出特性曲线是指在栅源电压Vgs& VGS(th）且恒定的情况下，漏极电流 id与漏源电压Vds之间的关系，可以分为以下4段： a.线性区 当Vds很小时，沟道就像一个阻值与Vds无关的固定电阻，此时id与Vds 成线性关系，如图OA段所示b.过渡区 随着Vds增大，漏极附近的沟道变薄，沟道电阻增大，曲线逐渐下弯。 当Vds增大到Vdsat(饱和漏源电压)时，漏端处可动电子消失，此时沟 道被夹断，如图AB段所示。 线性区和过渡区统称为非饱和区。c.饱和区 当Vds& Vdsat时，沟道夹断点向左移，漏极附近只剩下耗尽区，此时id 几乎与Vds无关而保持idsat不变，曲线为水平直线，如图BC段所示。d.击穿区 Vds继续增大到BVds时，漏结发生雪崩击穿， id 急剧增大，如图CD段 所示。以Vgs 为参考量，可以得到不同Vgs下，漏极电流id与漏源电压Vds 之间的关系曲线族，即为MOS管的输出特性曲线。将各曲线的夹断点用虚线连接起来，虚线左侧为可变电阻区，右侧 为饱和区。Vgs& VGS(th）时，称为截止区（4）转移特性 漏源电压Vds一定的条件下，栅源电压Vgs对漏极电流id的控制特性。 可根据输出特性曲线作出移特性曲线。 例：作Vds =10V的一条转移特性曲线i D (mA) i D (mA)4 3 2 1uGS= 6V uGS= 5V uGS= 4V uGS= 3Vu4 3 2 1DS10V(V)u246GS(V)UT4种类型的MOSFET特性曲线小结MOS管的主要参数? 极限参数 ID：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。 MOSFET的工作电流不应超过ID。此参数会随结温度的上升而有所减额。 IDM：最大脉冲漏源电流。反映了器件可以处理的脉冲电流的高低 ，此参数会随结温 度的上升而有所减小。 PD：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时， 场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所 减额。 VGS：最大栅源电压。是指栅源间反向电流开始急剧增加时的VGS值 Tj：最大工作结温。通常为150℃或175℃，器件设计的工作条件下须确应避免超过这 个温度，并留有一定裕量。 TSTG：存储温度范围 。? 静态参数V(BR)DSS ：漏源击穿电压。是指栅源电压VGS为0时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源 电压。加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。它具有正温度特性。故应以此参数在 低温条件下的值作为安全考虑。 V(BR)DSS/△Tj：漏源击穿电压的温度系数，一般为0.1V/℃。 RDS(on）：在特定的VGS（一般为10V）、结温及漏极电流的条件下，MOSFET导通时漏源 间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般 会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计 算。 VGS(th)：开启电压（阀值电压）。当外加栅极控制电压VGS超过VGS(th)时，漏区和源区的表 面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下ID等于1毫安时的栅极电压称为 开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。 IDSS：饱和漏源电流，栅极电压VGS=0、VDS为一定值时的漏源电流。一般在微安级。 IGSS：栅源驱动电流或反向电流。由于MOSFET输入阻抗很大，IGSS一般在纳安级。? 动态参数gfs：跨导。是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制 能力大小的量度。 Qg：栅极总充电电量。MOSFET是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的建立过程， 这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的。 Qgs：栅源充电电量。 Qgd：栅漏充电电量。 Ciss：输入电容，将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容 。Ciss= CGD + CGS 。对器件的开启和关断延时有直接的影响。 Coss：输出电容，将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容 。Coss = CDS +CGD 。 Crss：反向传输电容，在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容 Crss = CGD 。对 于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数Td(on)：导通延迟时间。从有输入电压上升到10%开始到VDS （Vout ）下降到其幅值90%的 时间(如下图示)。 Tr：上升时间。输出电压VDS （Vout ）从90%下降到其幅值10%的时间。Td(off)：关断延迟时间。输入电压下降到90%开始到VDS （Vout ）上升到其关断电压时10% 的时间。Tf：下降时间。输出电压VDS （Vout ）从10%上升到其幅值90%的时间，参照下图所示。? 雪崩击穿参数如果电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态 EAS：单次脉冲雪崩击穿能量，说明MOSFET所能承受的最大雪崩击穿能量 IAR：雪崩电流 EAR：重复雪崩击穿能量? 体内二极管参数IS：连续最大续流电流（从源极） ISM：脉冲最大续流电流（从源极） VSD：正向导通压降 Trr：反向恢复时间 Qrr：反向恢复充电电量 Ton： 正向导通时间（基本可以忽略不计）MOS管的驱动在进行驱动电路设计之前，必须先清楚MOS管的模型、MOS管的开关过程、 MOS管的栅极电荷以及MOS管的输入输出电容、跨接电容、等效电容等参数 对驱动的影响。驱动电路的好坏直接影响了电源的工作性能及可靠性，一个好 的MOSFET驱动电路的基本要求是： ? 开关管导通时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使栅源电压上升 到需要值，保证开关管快速开通且不存在上升沿的高频震荡。 ? 开关管导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源间电压保持稳定使其可 靠导通。 ? 关断瞬间驱动电路能提供一个低阻抗通路供MOSFET栅源间电压快速 泻放，保证开关管能快速关断。 ? 关断期间驱动电路可以提供一定的负电压避免受到干扰产生误导通。 ? 驱动电路结构尽量简单，最好有隔离 。POWER MOSFET 等效模型POWER MOSFET 寄生参数Ciss= CGD + CGS Coss = CDS +CGD Crss = CGDPOWER MOSFET 导通过程T0~T1：驱动通过RGATE对Cgs充电，电压Vgs以指数的形式上升T1~T2：Vgs达到MOSFET开启电压，MOSFET进入线性区，Id缓慢 上升，至T2时刻Id到达饱和或是负载最大电流。在此期间漏源极之 间依然承受近乎全部电压Vdd 。T2~T3：T2时刻 Id达到饱和并维持稳定值，MOS管工作在饱和区， Vgs固定不变， 电压Vds开始下降。此期间Cgs不再消耗电荷， VDD 开始给Cgd提供放电电流。T3~T4： 电压Vds下降到0V，VDD继续给Cgs充电，直至Vgs=VDD， MOSFET完成导通过程。说 明Vgs的各个阶段的时间跨度同栅极消耗电荷成比例（因△Q = IG△T，而IG在此处 为恒流源之输出）。T0 ~ T2跨度代表了Ciss（VGS + CGD）所消耗的电荷，对应于器件规格书中提供的 参数Qgs(Gate to Source Charge)。T2 ~ T3跨度代表了CGD（或称为米勒电容）消耗的电荷，对应于器件规格书中提 供的参数Qds(Gate to Drain (“Miller”) Charge)。 T3时刻前消耗的所有电荷就是驱动电压为Vdd、电流为Id的MOSFET所需要完全开 通的最少电荷需求量。T3以后消耗的额外电荷并不表示驱动所必须的电荷，只表 示驱动电路提供的多余电荷而已 。 开关损失：在MOSFET导通的过程中，两端的电压有一个下降的过程，流过的电 流有一个上升的过程，那么这段时间里，MOS管损失的是电压和电流的乘积，称 为开关损失。 导通损耗： MOS管在导通之后，电流在导通电阻上消耗能量，称为导通损耗。整体特性表现： 驱动电量要求： △Q t0 ~ t4= (t4－t0 )IG = VG（CGS + CGD）+ VDDCGD 驱动电流要求： IG =△Q t0 ~ t4 /(t4－t0 )≈△Q t0 ~ t3 / (t3－t0 )≈Qg/(Td(on) + Tr) 驱动功率要求： Pdrive=∫t4－t0 vg(t)ig(t)≈VG△Q≈VG〔VG（CGS+CGD）+ VDDCGD〕 驱动电阻要求： RG = VG / IG一般地可以根据器件规格书提供的如下几个参数作为初期驱动设计的计算假设 a) b) c) d) Qg(Total Gate Charge)：作为最小驱动电量要求。 相应地可得到最小驱动电流要求为IG ≈Qg/(td(on)+tr)。 Pdrive=VG *Qg作为最小驱动功率要求。 相应地，平均驱动损耗为VG *Qg*fsPOWER MOSFET 关断过程MOSFET关断过程是开通过程的反过程。POWER MOSFET 驱动保护导通过程中，为防止误 导通，G-S间应并一个 电阻。关断过程中，为防止关 断时误导通，G-S间应 提供一个低阻抗回路POWER MOSFET 驱动电阻的影响增大驱动电阻，对G极电压波型上升沿的影响驱动电阻增大，驱动上升变慢，开关过程延长，对EMI有好处， 但是开关损耗会增大，因此选择合适的驱动电阻很重要。几种常见的MOSFET驱动电路 ? 不隔离互补驱动电路R为驱动限流电阻， 一般用作抑制呈现 高阻抗特性的驱动 回路可能产生的寄 生振荡由于MOSFET为电压型驱动器件，当其关断时，漏源两端的电压的上升会通过 结电容在栅源两端产生干扰电压，如图所示的电路不能提供负电压，因此其抗 干扰性较差，有条件的话可以将其中的地换成-Vcc，以提高抗干扰性及提高关 断速度。?隔离驱动电路 （1）正激驱动电路N3为去磁绕组，S1为要驱动的功率管。 R2为防止功率管栅源电压振荡的一个 阻尼电阻。R1为正激变换器的假负载， 用于消除关断期间输出电压发生振荡 而误导通，并作为MOSFET关断时的 能量泄放回路该驱动电路的导通速度主要与被驱动S1栅源极等效输人电容的大小、Q1的驱动信号的速 度以及Q1所能提供的电流大小有关 优点： ? 电路简单，并实现了隔离驱动。 ? 只需单电源即可提供导通时的正电压及关断时的负电压。 ? 占空比固定时，通过合理的参数设计，此驱动电路也具有较快的开关速度。 缺点： ? 由于变压器副边需要一个较大的防振荡电阻，该电路消耗比较大。 ? 当占空比变化时关断速度变化加大。 ? 脉宽较窄时，由于储存的能量减少导致MOSFET关断速度变慢（2）有隔离变压器互补驱动电路该电路比较适用于占 空比固定或占空比变 化范围不大及占空比 小于0.5的场合优点： ? 电路简单可靠，具有电气隔离作用。当脉宽变化时，驱动的关断能力不会随着变化。 ? 该电路只需一个电源，隔直电容C的作用在关断时提供一个负压，从而加速了功率管的关断， 有较高的抗干扰能力。 缺点： ? 输出电压幅值会随着占空比变化而变化。 当D较小时，负电压较小，抗干扰能力变差，同时正向电压高，应注意不要超过栅源允许电压； 当D大于0.5时，正向电压降低，负电压升高，应注意使其负电压不要超过栅源允许电压 。该电路比较适用于大 于0.5的场合此时副边绕组负电压值较大，稳压二极管Z2的稳压值为所需的负向 电压值，超过部分电压降在电容C2上。D≤0.5时，变压器副边 典型的电压波形 （实 验波型）D&0.5时，变压器副边 典型的电压波形 （实验 波型）
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