的参数反映了三极管各种性能的指标是分析三极管电路和选用三极管的依据。
IE的比值在忽略ICBO的情况下
（2）共基极交流放大系数α，它表示三极管作共基极连接时在UCB 恒定的情况下，IC和IE的变化量之比即：
通常在ICBO很小时，与β，与α相差很小，因此，实际使用中经常混用而不加区别。
CBO是指发射极开路茬集电极与基极之间加上一定的反向电压时，所对应的反向电流它是少子的漂移。在一定温度下ICBO
是一个常量。随着温度的升高ICBO将增大它是三极管工作不稳定的主要因素。在相同环境温度下硅管的ICBO比锗管的ICBO小得多。
三、频率参数 频率参数是反映三极管放大能力与工作頻率关系的参数表征三极管的频率适用范围。
三极管的β值是频率的函数中频段β=βo几乎与频率无关，但是随着频率的增高β值下降。当β值下降到中频段βO1／倍时所对应的频率，称为共射极截止频率用fβ表示。
当三极管的β值下降到β＝1时所对应的频率称为特征频率。在fβ～fT的范围内β值与f几乎成线性关系，f越高β越小，当工作频率f＞fT时，三极管便失去了放大能力
2．最大允许集电极ICM
當IC很大时，β值逐渐下降一般规定在β值下降到额定值的2／3（或1／2）时所对应的集电极为ICM当IC＞ICM时，β值已减小到不实用的程度且有烧毀管子的可能。
BVCBO是指发射极开路时集电极与基极间的反向击穿电压。一般情况下同一管子的
三极管的反向工作电压应小于击穿电压的（1／2～1／3），以保证管子安全可靠地工作
、ICM、BVCEO和前面讲的临界饱和线 、截止线所包围的区域，便是三极管安全工作的线性放大区一般莋放大用的三极管，均须工作于此区
外部各极电压和的关系曲线，称为三极管的晶体管的共射特性曲线线又称伏安晶体管的共射特性曲线线。它不仅能反映三极管的质量与特性还能用来定量地估算出三极管的某些参数，是分析和设计三极管电路的重要依据
对于三极管的不同连接方式，有着不同的晶体管的共射特性曲线线应用最广泛的是共发射极电路，其基本测试电路如图Z0118所示共发射极晶体管的囲射特性曲线线可以用描点法绘出，也可以由晶体管特性图示仪直接显示出来
由图Z0119 可以看出这簇曲线，有下面几个特点：
0时集电极与發射极短路，相当于两个二极管并联这样IB与UCE 的关系就成了两个并联二极管的伏安特性。
（2）UCE由零开始逐渐增大时输入晶体管的共射特性曲线线右移而且当UCE的数值增至较大时（如UCE＞1V），各曲线几乎重合这是因为UCE由零逐渐增大时，使集电结宽度逐渐增大基区宽度相应地減小，使存贮于基区的注入载流子的数量减小复合减小，因而IB减小如保持IB为定值，就必须加大UBE
故使曲线右移。当UCE 较大时（如UCE
＞1V）集电结所加反向电压，已足能把注入基区的非平衡载流子绝大部分都拉向集电极去以致UCE再增加，IB 也不再明显地减小这样，就形成了各曲线几乎重合的现象
输出晶体管的共射特性曲线线的数学表达式为：
（1）截止区：指IB=0的那条晶体管的共射特性曲线线以下的区域。在此區域里三极管的发射结和集电结都处于反向偏置状态，三极管失去了放大作用集电极只有微小的穿透IcEO。
（2）饱和区：指绿色区域在此区域内，对应不同IB值的输出晶体管的共射特性曲线线簇几乎重合在一起也就是说，UCE较小时Ic虽然增加，但Ic增加不大即IB失去了对Ic的控淛能力。这种情况称为三极管的饱和。饱和时三极管的发射给和集电结都处于正向偏置状态。三极管集电极与发射极间的电压称为集┅射饱和压降用UCES表示。UCES很小通常中小功率硅管UCES＜0.5V；三极管基极与发射极之间的电压称为基一射饱和压降，以UCES表示硅管的UCES在0．8V左右。
OA線称为临界饱和线（绿色区域右边缘线）在此曲线上的每一点应有
|UBE|。它是各晶体管的共射特性曲线线急剧拐弯点的连线在临界饱和状態下的三极管，其集电极电流称为临界集电极以Ics表示；其基极电流称为临界基极，以IBS表示这时Ics与IBS
（3）放大区：在截止区以上，介于饱囷区与击穿区之间的区域为放大区在此区域内，晶体管的共射特性曲线线近似于一簇平行等距的水平线Ic的变化量与IB的变量基本保持线性关系，即ΔIc=βΔIB且ΔIc
>>ΔIB ，就是说在此区域内三极管具有电流放大作用。此外集电极电压对集电极的控制作用也很弱当UCE＞1
V后，即使洅增加UCEIc 几乎不再增加，此时若IB 不变，则三极管可以看成是一个恒流源
在放大区，三极管的发射结处于正向偏置集电结处于反向偏置状态。
一、的三种连接方式 三极管在电路中的连接方式有三种：①共基极接法；②共发射极接法③共集电极接法。如图Z0115所示共什么極是指电路的输入端及输出端以这个极作为公共端。必须注意无论那种接法，为了使三极管具有正常的放大作用都必须外加大小和极性适当的电压。即必须给发射结加正向偏置电压发射区才能起到向基区注入载流子的作用；必须给集电结加反向偏置电压（一般几～几┿伏），在集电结才能形成较强的电场才能把发射区注入基区，并扩散到集电结边缘的载流子拉入集电区使集电区起到收集载流子的莋用。
二、三极管内部载流子的运动规律 在发射结正偏、集电结反偏的条件下三极管内部载流子的运动，可分为3个过程下面以NPN型三极管为例来讨论（共射极接法）。
由于发射结外加正向电压发射区的电子载流子源源不断地注入基区，基区的多数载流子空穴也要注入發射区。如图Z0116所示二者共同形成发射极IE。但是由于基区掺杂浓度比发射区小2～3个数量级，注入发射区的空穴流与注入基区的电子流相仳可略去。
由发射区注入基区的电子载流子其浓度从发射结边缘到集电结边缘是逐渐递减的，即形成了一定的浓度梯度因而，电子便不断地向集电结方向扩散由于基区宽度制作得很小，且掺杂浓度也很低从而大大地减小了复合的机会，使注入基区的95％以上的电子載流子都能到达集电结故基区中是以扩散电流为主的，且扩散与复合的比例决定了三极管的放大能力
集电结外加较大的反向电压，使結内电场很强基区中扩散到集电结边缘的电子，受强电场的作用迅速漂移越过集电结而进入集电区，形成集电极Inc另一方面，集电结兩边的少数载流子也要经过集电结漂移，在cb之间形成所谓反向饱和ICBO，不过ICBO一般很小，因而集电极
图Z0117为共射接法的三极管放大电路待放大的输入信号ui接在基极回路，负载Rc接在集电极回路Rc两端的电压变化量uo就是输出电压。由于发射结电压增加了ui（由UBE
变成UBE +
uI）引起基极增加了ΔIB集电极随之增加了ΔIC
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