半导体物理中所讲得k空间究竟是什么空间啊?（越形象越好,）
问题描述：
半导体物理中所讲得k空间究竟是什么空间啊?（越形象越好,）
问题解答：
微观粒子具有波动性,其动量和坐标不能同时确定,则它的状态就不能用动量和坐标来描述,而可采用波矢来表示.波矢的大小是波长的倒数,波矢有3个分量（kx,ky,kz）.对于晶体中的电子,其中只能存在一些、某一定波长的电子波,即只能有一定数量的波矢,即有一定数量的电子状态.由这些波矢的3个分量（kx,ky,kz）构成的空间就是k空间,其中的每一个点（即每一个k）就代表具有一种波长的电子状态,多少个k就代表多少个状态.
我来回答：
剩余:2000字
晶体内部原子是按一定的几何规律排列的.为了便于理解,把原子看成是一个球体,则金属晶体就是由这些小球有规律堆积而成的物体.为了形象地表示晶体中原子排列的规律,可以将原子简化成一个点,用假想的线将这些连接起来,构成有明显规律性的空间格架.这种表示原子在晶体中排列规律的空间格架叫做晶格,又称晶架.物质的熔沸点要看物质分子在物
这个问题是固体物理中的一个基本概念问题.有效质量只有在能带顶附近处才是负的,而能带顶正好对应于Brilouin区边缘,因此有效质量在Brilouin区边缘处为负.当电子在外力作用下运动时,电子的动量增大,即波矢增大——向Brilouin区边缘移动；因为波矢为Brilouin区边缘处的k的电子波满足布拉格反射条件,则电子
弛豫就是从一种状态逐渐过渡到另一种状态的变化过程.晶格弛豫就是晶格受到某种作用而逐渐发生变化的一种过程.半导体载流子的弛豫有动量弛豫和能量弛豫：动量弛豫是载流子在电场作用下,其动量发生变化的过程,能量弛豫是载流子在电场作用下,其能量发生变化的过程,一般动量弛豫时间要比能量弛豫时间短得多,这也就是产生速度过冲的原因.
要有声音的话：1、要振动2、要有传播媒体
掺杂是针对杂志半导体而言,就是在本征半导体中参入3价或5价元素,使其成为向价带提供空穴的受主杂质或向导带发送电子的施主杂质.重掺杂就是参入的杂志浓度比较大.
牛顿第一运动定律就是惯性定律：只有在不为零的合外力作用下,物体的运动状态才会发生改变,说明,任何物体都有保持静止或匀速直线运动状态的性质,我们把这种性质叫惯性.（质量越大的物体,惯性就越大.也就是说质量越大的物体运动状态越难改变.）
df/dsmfkdsnmfksdnfgjdns警方公布的设计费能接受到库房内大街上能否尽快到
因为电子带的是负电啊,能级和电势是相反的,这个是根据电子画的能带图.掺杂物质是没有能带的.因为数量少,形不成能带.
我想你说的应该是密度泛函理论（DFT）中使用的局域密度近似（LDA)和局域密度泛函（LDF)
物理中所讲的“切线方向”与数学上的“切线方向”性质相同,只是物理上说的切线方向一般与力的方向相同,是单向的,数学上的切线方向是双向的.
σ = e^2*τ(ph+pl)/mcp* = e^2*τ(ph)/mph*+e^2*τ(pl)/mpl* ---(1)ph = A(kt)3/2(mph*)3/2,pl = A(kt)3/2(mpl*)3/2 ---(2)将(2)带入(1)式得:1/mcp* = (mph*1/2+mpl*1/2)/(mph*3/2+
具体指什么,得给出个例子. 再问： 就是之前你回答的那道题，为什么电荷密度等于负的q NA呢再问： 这里q和NA不都是正的吗 再答： 一般情况下说电荷指的都是正的，但有时候也可以是负的（如e)，但通常大家都会在前面写个负号，这样计算时就都可以代入正数了，只要自己清楚就可以了再问： 那这道题里的q是正的还是负的呢 再答：
看刘恩科的书 再问： 我看过了 不确定对不对 能给我计算过程吗 急需 谢谢了 再答： 不知道你用的是第几版的，利用第四版65页3-54式可以求 而且标明了全部电离是在90%左右，我公式难打，你就自己看一下吧！
因为表面复合中心面密度为10^10/cm^2,则线密度为10^5/cm,所以表面复合中心体密度=面密度×线密度=10^10/cm^2×10^5/cm=10^15/cm^3.
载流子都是虚构的,只是一个代数符号,如同虚数i
1、向心力是做圆周运动的物体受到的合外力.2、在速度不变的情况下,若合外力减小,不足以提供其做圆周运动所需要的向心力时,半径要变大.3、如果速度也发生变化,结果就不一定了,要具体分析!
在匀变速直线运动中,（1）根据速度公式vt－v0=at可知速度的变化量vt－v0与时间t成正比,这时t&越大,vt－v0越大（2）加速度是一个定值
费米能级钉扎效应是半导体物理中的一个重要概念.本来半导体中的Fermi能级是容易发生位置变化的.例如,掺入施主杂质即可使Fermi能级移向导带底,半导体变成为n型半导体；掺入受主杂质即可使Fermi能级移向价带顶,半导体变成为p型半导体.但是,若Fermi能级不能因为掺杂等而发生位置变化的话,那么就称这种情况为费米能级
在物理中是讲原子的半衰期,其实就是核反应；这一类反应外界对其影响微乎其微,通常不考虑外界影响,试想下核反应的剧烈程度就可以理解.在无机化学中,半衰期通常指物料反应掉一半所用的时间,对于基元反应来讲半衰期t(1/2)=-ln2/k,这样的化学反应受外界影响还是比较大的,温度对k的值影响较大,不可忽略；物理中的衰变是个特殊
也许感兴趣的知识游客&您好, 欢迎访问中国光学期刊网!
大家都在搜：
中国激光 & 38卷 & s1期(pp：)
双层硅基马赫曾德尔电光调制器的动态性能
Dynamic Performance of Silicon Mach-Zehnder Electro-Optic Modulator with Two Silicon Layers
摘要硅光波导和光子器件具有大折射率差和紧凑尺寸，硅光子被认为是新一代大规模光电集成技术。基于自由载流子等离子体色散效应，采用MOS电容电极结构的马赫曾德尔调制器(MZM)，可实现10 GHz以上的高速调制。采用有限元方法，通过构建光和电结合模拟方法，对一种双硅层的MOS电容电极MZM的静态和动态性能进行了理论研究。研究结果表明，在-2 V驱动电压作用下，当掺杂粒子浓度为1×1015 cm-3时，有效折射率变化值为1.05×10-5左右，实现Vπ所需的单臂调制臂长为3.68 cm，损耗小于0.84 dB/cm，其上升时间和下降时间在40 ps左右；当掺杂粒子浓度为5×1015 cm-3时，其有效折射率变化只有0.86×10-5左右，实现Vπ所需的单臂调制臂长需4.51 cm，损耗约为1.36 dB/cm。当改变该调制器结构参数后，其上升时间和下降时间会产生明显变化。关键词
AbstractSilicon photonics is a novel technique for large-scale optic-electronic integration, with which most kinds of optical devices can be designed. Based on free-carrier plasma dispersion, silicon Mach-Zehnder electro-optic modulator (MZM) can achieve high modulation speed over 10 GHz. Considering the need for modulation speed and power consumption, a kind of silicon MZM based on MOS capacitor electrodes is studied by a simulation method combining electric and optic analytic model. The results show that under the driving voltage of -2 V, when the doping concentration is 1×1015 cm-3, the effective refractive index change of the optical waveguide in silicon MZM is about 1.05×10-5, which results in single modulation arm length of 3.68 cm to realize Vπ and the loss of less than 0.84 dB/cm. When doping concentration is 5×1015 cm-3, the effective refractive index change is only 0.86×10-5, which results in the Vπ length of 4.51 cm and the loss of about 1.36 dB/cm. And varied capacitor electrode structures of silicon MZM may make the visible difference of the modulation performance, including the rise and fall time.
中图分类号：TN256DOI：所属栏目：责任编辑：殷建芳
&收稿日期：修改稿日期：网络出版日期：--作者单位&&&&点击查看宋牟平：浙江大学信息与电子工程学系， 浙江 杭州 310027谢杭：浙江大学信息与电子工程学系， 浙江 杭州 310027杨纪超：浙江大学信息与电子工程学系， 浙江 杭州 310027联系人作者：备注：宋牟平(1971—)，男，博士，副教授，主要从事硅光子器件、光纤通信/传感等方面的研究。
【1】A. Barkai, Y. Chetrit, O. Cohen et al.. Integrated silicon photonics for optical networks［J］. J. Optical Networking, ): 25～47【2】B. Jalali, S. Fathpour. Silicon photonics［J］. J. Lightwave Technol., ): 【3】【4】【5】Robert Hull. Properties of Crystalline Silicon, emis DataReviews Series No 20［M］. London: INSPEC, IEE, ～696【6】M. Willander. Carrier dependent parameters in a silicon optical waveguide［J］. J. Appl. Phys., ): 【7】Vittorio. M. N. Passaro, Francesco Dell′Olio. Scaling and optimization of MOS optical modulators in nanometer SOI waveguides［J］. IEEE Trans. Nanotechnology, ): 401～408【8】Assia Barkai, Yoel Chetrit, Oded Cohen et al.. Integrated silicon photonics for optical networks［J］. J. Optical Networking, ): 25～47【9】Ling Liao, Dean Samara-Rubio, Michael Morse et al.. High speed silicon Mach-Zehnder modulator［J］. Opt. Express, ): 【10】Dean Samara-Rubio, Ulrich D. Keil, Ling Liao et al.. Customized drive electronics to extend silicon optical modulators to 4 Gb/s［J］. J. Lightwave Technol., ): 【11】Ansheng Liu, Richard Jones, Ling Liao et al.. A high-speed silicon optical modulator based on a metal-oxide-semiconductor capacitor［J］. Nature, 75): 615～618【12】C. A. Barrios, M. Lipson. Modeling and analysis of high-speed electro-optic modulation in high confinement silicon waveguides using metal-oxide-semiconductor configuration［J］. J. Appl. Phys., ): 【13】Carlos Angulo Barrios. Electrooptic modulation of multisilicon-on-insulator photonic wires［J］. J. Lightwave Technol., ): 【14】R. A. Soref, B. R. Bennett. Kramers-Kronig analysis of electro-optical switching in silicon［C］. SPIE, : 32～37【15】S. M. Sze, Kwok K. Ng. Physics of Semiconductor Devices［M］. Geng Li, Zhang Ruizhi. Transl.. Xi′an: Xi′an Jiaotong University Press, S. M. Sze, Kwok K. Ng. 半导体器件物理［M］. 耿丽, 张瑞智 译. 西安: 西安交通大学出版社,
引用该论文Song Muping,Xie Hang,Yang Jichao.&Dynamic Performance of Silicon Mach-Zehnder Electro-Optic Modulator with Two Silicon Layers[J].&Chinese Journal of Lasers,&):&s105001宋牟平,谢杭,杨纪超.&双层硅基马赫曾德尔电光调制器的动态性能[J].&中国激光,&):&s105001
您的浏览器不支持PDF插件，请使用最新的(Chrome/Fire Fox等)浏览器.或者您还可以PDF硅的低温电学性质--《物理学报》1966年04期
硅的低温电学性质
【摘要】：本文在20°—300°K研究了室温载流子浓度2×10~(12)—1×10~(20)cm~(-3)含硼或磷(砷)Si的电学性质。对一些p-Si样品用弱场横向磁阻法及杂质激活能法进行了补偿度的测定,并进行了比较。从霍尔系数与温度关系的分析指出,对于较纯样品,硼受主能级的电离能为0.045eV,磷施主能级为0.045eV,在载流子浓度为10~(18)—10~(19)cm~(-3)时发现了费米简并,对载流子浓度为2×10~(17)—1×10~(18)cm~(-3)的p-Si及5×10~(17)—4×10~(18)cm~(-3)的n-Si观察到了杂质电导行为。从霍尔系数与电导率计算了非本征的霍尔迁移率。在100°—300°K间,晶格散射迁移率μ满足关系式AT~(-a),其中A=2.1×10~9,α=2.7(对空穴);或A=1.2×10~8,α=2.0(对电子)。 另外,根据我们的材料(载流子浓度在5×10~(11)—5×10~(20)cm~(-3)间),分别建立了一条电阻率与载流子浓度及电阻率与迁移率的关系曲线,以提供制备材料时参考之用。
欢迎：、、)
支持CAJ、PDF文件格式，仅支持PDF格式
【引证文献】
中国期刊全文数据库
马金泉,王万年,何广平;[J];物理;1984年05期
【相似文献】
中国期刊全文数据库
周洁;王占国;刘志刚;王万年;尤兴凱;;[J];科学通报;1966年03期
吕旗,姜恩永,李金锷;[J];天津大学学报;1986年01期
范丽琴;裴瑜;林丽梅;詹仁辉;赖发春;;[J];福建师范大学学报(自然科学版);2008年05期
肖荣辉;林丽梅;郑明志;彭福川;郑冬梅;;[J];闽江学院学报;2010年05期
张猛,林理彬,邹睿,张国庆,李永贵;[J];中国激光;2003年07期
贺永宁;武明堂;朱长纯;;[J];人工晶体学报;2007年06期
姚江宏,彭军,王永谦,陈光华;[J];兰州大学学报(自然科学版);1996年02期
李华;李爱珍;张永刚;齐鸣;;[J];红外与毫米波学报;2007年01期
杨兵初;李雪勇;聂国政;;[J];中南大学学报(自然科学版);2006年06期
,徐鸿达;[J];物理学报;1964年12期
中国重要会议论文全文数据库
余辉;焦景华;叶式中;;[A];首届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];1992年
李林娜;薛俊明;孙建;耿新华;赵颖;;[A];第十届中国太阳能光伏会议论文集：迎接光伏发电新时代[C];2008年
李丽;方亮;廖克俊;刘高斌;杨丰帆;付光宗;;[A];中国真空学会第六届全国会员大会暨学术会议论文集[C];2004年
孟凡英;胡宇;余跃波;;[A];第十届中国太阳能光伏会议论文集：迎接光伏发电新时代[C];2008年
卢晓蓉;徐国跃;赵毅;汤浩;樊瑞新;杨德仁;;[A];2002年材料科学与工程新进展（下）——2002年中国材料研讨会论文集[C];2002年
李丽;王万录;廖克俊;张瑞俭;杨丰帆;付光宗;;[A];中国真空学会第六届全国会员代表大会暨学术会议论文摘要集[C];2004年
孟建;任玉芳;潘亚岚;;[A];首届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];1992年
孟建;任玉芳;李晓光;斐志武;;[A];首届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];1992年
张朝阳;程海峰;陈朝辉;郑文伟;孙国亮;;[A];2008全国功能材料科技与产业高层论坛论文集[C];2008年
毕朝霞;张荣;李卫平;殷江;沈波;周玉刚;陈鹏;陈志忠;顾书林;施毅;刘治国;郑有炓;;[A];2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集[C];2000年
中国重要报纸全文数据库
张萍?伍东;[N];中国石油报;2008年
朱圣波;[N];中国国门时报;2008年
杨晓婵;[N];中国有色金属报;2005年
赵陕雄;[N];中国质量报;2007年
孟凯?钱江山
黄黎黎;[N];中国国门时报;2008年
魏双林;[N];中国有色金属报;2005年
严锋;[N];世界金属导报;2005年
闫东航;[N];中国电子报;2007年
;[N];计算机世界;2004年
中国科学院资深院士　汤定元;[N];光明日报;2005年
中国博士学位论文全文数据库
崔晓岩;[D];吉林大学;2010年
肖芝燕;[D];中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所）;2006年
王泽温;[D];西北工业大学;2007年
胡廷静;[D];吉林大学;2011年
宋飞;[D];浙江大学;2009年
吕茂水;[D];山东大学;2007年
刘才龙;[D];吉林大学;2011年
贺春元;[D];吉林大学;2007年
张东梅;[D];吉林大学;2008年
李玉香;[D];山东大学;2007年
中国硕士学位论文全文数据库
王静;[D];山东大学;2005年
赵施华;[D];复旦大学;2010年
李燕;[D];吉林大学;2012年
赵国旭;[D];西安电子科技大学;2008年
焦虎军;[D];吉林大学;2005年
井源源;[D];浙江大学;2006年
杨俊;[D];四川大学;2007年
李彤;[D];北京工业大学;2007年
胡鹤;[D];吉林大学;2011年
庄铭耀;[D];福州大学;2002年
&快捷付款方式
&订购知网充值卡
400-819-9993> 问题详情
已知T=300K，硅的本征载流子浓度为ni=1．5×1010cm-3，硅PN结N区掺杂为ND=1．5×1016cm-3，P区掺杂为NA=
悬赏：0&答案豆
发布时间：
已知T=300K，硅的本征载流子浓度为ni=1．5×1010cm-3，硅PN结N区掺杂为ND=1．5×1016cm-3，P区掺杂为NA=1．5×1018cm-3，求平衡时的势垒高度。请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！
您可能感兴趣的试题
1某一N型半导体电子浓度为1×1015cm-3，电子迁移率为1000cm2／(V.s)，求其电阻率。请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！2已知Si中只含施主杂质ND=1015cm-3，现在40K下测得电子浓度为1012cm-3，试估算施主杂质的电离能。请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！3设有两个价带，带顶均在k=0且能量相等，带顶空穴有效质量有以下关系：m1=3m2，定性画出两者的E-k关系图。请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！4若施主均匀分布，相邻杂质原子的轨道之间发生交叠时，掺有的施主杂质浓度应高于多少?请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！
我有更好的答案
请先输入下方的验证码查看最佳答案
图形验证：
验证码提交中……
每天只需0.4元
选择支付方式
支付宝付款
郑重提醒：支付后，系统自动为您完成注册
请使用微信扫码支付(元)
支付后，系统自动为您完成注册
遇到问题请联系在线客服QQ：
恭喜你被选中为
扫一扫-免费查看答案！
请您不要关闭此页面,支付完成后点击支付完成按钮
遇到问题请联系在线客服QQ：
恭喜您！升级VIP会员成功
提示：请截图保存您的账号信息，以方便日后登录使用。
常用邮箱：
用于找回密码
确认密码：}