晶体三极管工作在放大区的条件？_百度知道
晶体三极管工作在放大区的条件？
我有更好的答案
放大区：发射结正偏，集电结反偏。Uc&Ub&Ue（NPN）。截止区：发射结反偏，集电结反偏。Uc&Ue&Ub（NPN）。饱和区：发射结正偏，集电结正偏。Ube&Uce（NPN）。
三极管在正常放大时，npn三极管Vc&Vb&Ve
PNP三极管Vc&Vb&Ve
硅管VBE 0.7 V左右 锗管VBE 0.4 V左右
为您推荐：
其他类似问题
您可能关注的内容
晶体三极管的相关知识
换一换
回答问题，赢新手礼包
个人、企业类
违法有害信息,请在下方选择后提交
色情、暴力
我们会通过消息、邮箱等方式尽快将举报结果通知您。如何快速判断三极管工作在线性区
以最常用的共发射极电路（如图）为例，当输出电压Vout=Vc时，三极管处于截止状态，当输出电压Vout=0.3~0.5V（硅管）时，三极管处于饱和状态，当输出电压Vout处于上述两种情况之间时，三极管处于放大状态。
BJT的开关工作原理：
&形象记忆法 ：
& & 对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电流。
& & 假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。
& & 所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔流下。
& & 如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严格地按比例改变，那么，完美的控制就完成了。
& & 在这里，Ube就是小水流，Uce就是大水流，人就是输入信号。当然，如果把水流比为电流的话，会更确切，因为三极管毕竟是一个电流控制元件。
& & 如果水流处于可调节的状态，这种情况就是三极管中的线性放大区。
& & 如果那个小的阀门开启的还不够，不能打开大阀门，这种情况就是三极管中的截止区。
& & 如果小的阀门开启的太大了，以至于大阀门里放出的水流已经到了它极限的流量，这种情况就是三极管中的饱和区。但是你关小小阀门的话，可以让三极管工作状态从饱和区返回到线性区。
如果有水流存在一个水库中，水位太高（相应与Uce太大），导致不开阀门江水就自己冲开了，这就是二极管的反向击穿。PN结的击穿又有热击穿和电击穿。当反向电流和反向电压的乘积超过PN结容许的耗散功率，直至PN结过热而烧毁，这种现象就是热击穿。电击穿的过程是可逆的，当加在PN结两端的反向电压降低后，管子仍可以恢复原来的状态。电击穿又分为雪崩击穿和齐纳击穿两类，一般两种击穿同时存在。电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主。电压在5－6V之间的稳压管，两种击穿程度相近，温度系数最好，这就是为什么许多电路使用5－6V稳压管的原因。
& & 在模拟电路中，一般阀门是半开的，通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。没有信号的时候，水流也会流，所以，不工作的时候，也会有功耗。
& & 而在数字电路中，阀门则处于开或是关两个状态。当不工作的时候，阀门是完全关闭的，没有功耗。比如用单片机外界三极管驱动数码管时，确实会对单片机管脚输出电流进行一定程度的放大，从而使电流足够大到可以驱动数码管。但此时三极管并不工作在其特性曲线的放大区，而是工作在开关状态（饱和区）。当单片机管脚没有输出时，三极管工作在截止区，输出电流约等于0。
& & 在制造三极管时，要把发射区的N型半导体电子浓度做的很大，基区P型半导体做的很薄，当基极的电压大于发射极电压（硅管要大0.7V，锗管要大0.3V）而小于集电极电压时，这时发射区的电子进入基区，进行复合，形成Ie；但由于发射区的电子浓度很大，基区又很薄，电子就会穿过反向偏置的集电结到集电区的N型半导体里，形成Ic；基区的空穴被复合后，基极的电压又会进行补给，形成Ib。
理论记忆法：
&&&&当BJT的发射结和集电结均为反向偏置（VBE＜0，VBC＜0），只有很小的反向漏电流IEBO和ICBO分别流过两个结，故iB≈ 0，iC≈ 0，VCE ≈ VCC，对应于下图中的Ａ点。这时集电极回路中的c、e极之间近似于开路，相当于开关断开一样。BJT的这种工作状态称为截止。
当发射结和集电结均为正向偏置（VBE＞0，VBC＞0）时，调节RB，使IB=VCC / RC，则BJT工作在上图中的C点，集电极电流iC已接近于最大值VCC / RC，由于iC受到RC的限制，它已不可能像放大区那样随着iB的增加而成比例地增加了，此时集电极电流达到饱和，对应的基极电流称为基极临界饱和电流IBS（ ），而集电极电流称为集电极饱和电流ICS（VCC / RC）。此后，如果再增加基极电流，则饱和程度加深，但集电极电流基本上保持在ICS不再增加，集电极电压VCE=VCC-ICSRC=VCES=2.0-0.3V。这个电压称为BJT的饱和压降，它也基本上不随iB增加而改变。由于VCES很小，集电极回路中的c、e极之间近似于短路，相当于开关闭合一样。BJT的这种工作状态称为饱和。由于BJT饱和后管压降均为0.3V，而发射结偏压为0.7V，因此饱和后集电结为正向偏置，即BJT饱和时集电结和发射结均处于正向偏置，这是判断BJT工作在饱和状态的重要依据。下图示出了ＮＰＮ型BJT饱和时各电极电压的典型数据。
由此可见BJT相当于一个由基极电流所控制的无触点开关。三极管处于放大状态还是开关状态要看给三极管基极加的电流Ib（偏流），随这个电流变化，三极管工作状态由截止-线性区-饱和状态变化而变。BJT截止时相当于开关“断开”，而饱和时相当于开关“闭合”。ＮＰＮ型BJT截止、放大、饱和三种工作状态的特点列于下表中。
结型场效应管（N沟道JFET）工作原理：
& & & & &可将N沟道JFET看作带“人工智能开关”的水龙头。这就有三部分：进水、人工智能开关、出水，可以分别看成是JFET的 d极 、g 极、s极。
& & &“人工”体现了开关的“控制”作用即vGS。JFET工作时，在栅极与源极之间需加一负电压（vGS&0），使栅极、沟道间的PN结反偏，栅极电流iG≈0，场效应管呈现高达107Ω以上的输入电阻。在漏极与源极之间加一正电压（vDS&0），使N沟道中的多数载流子（电子）在电场作用下由源极向漏极运动，形成电流iD。iD的大小受“人工开关”vGS的控制，vGS由零往负向增大时，PN结的耗尽层将加宽，导电沟道变窄，vGS绝对值越大则人工开关越接近于关上，流出的水（iD）肯定越来越小了，当你把开关关到一定程度的时候水就不流了。
& & &“智能”体现了开关的“影响”作用，当水龙头两端压力差（vDS）越大时，则人工开关自动智能“生长”。vDS值越大则人工开关生长越快，流水沟道越接近于关上，流出的水（iD）肯定越小了，当人工开关生长到一定程度的时候水也就不流了。理论上，随着vDS逐渐增加，一方面沟道电场强度加大，有利于漏极电流iD增加；另一方面，有了vDS，就在由源极经沟道到漏极组成的N型半导体区域中，产生了一个沿沟道的电位梯度。由于N沟道的电位从源端到漏端是逐渐升高的，所以在从源端到漏端的不同位置上，漏极与沟道之间的电位差是不相等的，离源极越远，电位差越大，加到该处PN结的反向电压也越大，耗尽层也越向N型半导体中心扩展，使靠近漏极处的导电沟道比靠近源极要窄，导电沟道呈楔形。所以形象地比喻为当水龙头两端压力差（vDS）越大，则人工开关自动智能“生长”。
& & & 当开关第一次相碰时，就是预夹断状态，预夹断之后id趋于饱和。
& & & &当vGS&0时，将使PN结处于正向偏置而产生较大的栅流，破坏了它对漏极电流iD的控制作用，即将人工开关拔出来，在开关处又加了一根进水水管，对水龙头就没有控制作用了。
绝缘栅场效应管(N沟道增强型MOSFET)工作原理：
& & 可将N沟道MOSFET看作带“人工智能开关”的水龙头。相对应情况同JFET。与JFET不同的的是，MOSFET刚开始人工开关是关着的，水流流不出来。当在栅源之间加vGS&0， N型感生沟道（反型层）产生后，人工开关逐渐打开，水流（iD）也就越来越大。iD的大小受“人工开关”vGS的控制，vGS由零往正向增大时，则栅极和P型硅片相当于以二氧化硅为介质的平板电容器，在正的栅源电压作用下，介质中便产生了一个垂直于半导体表面的由栅极指向P型衬底的电场，这个电场排斥空穴而吸引电子，P型衬底中的少子电子被吸引到衬底表面，这些电子在栅极附近的P型硅表面便形成了一个N型薄层，即导通源极和漏极间的N型导电沟道。栅源电压vGS越大则半导体表面的电场就越强，吸引到P型硅表面的电子就越多，感生沟道将越厚，沟道电阻将越小。相当于人工开关越接近于打开，流出的水（iD）肯定越来越多了，当你把开关开到一定程度的时候水流就达到最大了。MOSFET的“智能”性与JFET原理相同，参上。
绝缘栅场效应管(N沟道耗尽型MOSFET)工作原理：
& & 基本上与N沟道JFET一样，只是当vGS&0时，N沟道耗尽型MOSFET由于绝缘层的存在，并不会产生PN结的正向电流，而是在沟道中感应出更多的负电荷，使人工智能开关的控制作用更明显。
已投稿到：
以上网友发言只代表其个人观点，不代表新浪网的观点或立场。52RD研发论坛已升级，老版论坛仅供浏览，请访问新版论坛：
& 硬件研发论坛(Hardware R&D Forum)
& 如何使三极管工作放大区的最佳位置？？
论坛升级中，停止回贴功能
等级：高级研究员帖子：1243被删：-61经验：5190RD币：1651.9来自：火星注册：
&|&&|&&|&&|&　发表于 8:38:001#
此页为旧版论坛，仅供浏览，请访问新版论坛：
怎么去选择Rb Rc Re等电阻 [52RD.com]
等级：研发工程师帖子：64被删：-2经验：268RD币：177.7来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 12:53:002#
此页为旧版论坛，仅供浏览，请访问新版论坛：
这个问题比较难，等待中
等级：实习生帖子：9被删：0经验：65RD币：32来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 21:18:003#
此页为旧版论坛，仅供浏览，请访问新版论坛：
可以介绍你一本书，科学出版社的图解电子电路系列，模拟电路（1 ），是日本人写的，中国人翻译的，里面有讲电阻的选择，你可以看看，我实在是记不清楚了，所以不好意思，现在没法给你解答，只能说个方向：）+1 RD币
等级：实习生帖子：7被删：0经验：33RD币：22来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 9:45:004#
此页为旧版论坛，仅供浏览，请访问新版论坛：
3楼的，好样的！！！screen.width-500)this.style.width=screen.width-500;">
等级：研发工程师帖子：55被删：0经验：2059RD币：833.1来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 12:35:005#
此页为旧版论坛，仅供浏览，请访问新版论坛：
一般是Rb>Rc,Re要看情况而定，当工作在Vce=（Vcc-Vces）/2为最佳+1 RD币
等级：研发工程师帖子：84被删：0经验：553RD币：280来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 15:13:006#
此页为旧版论坛，仅供浏览，请访问新版论坛：
把握住一个总原则,电阻的选择是为了得到最好的静态工作点,最大不失真输出幅度.由于放大电路的工作点达到了三极管的饱和区而引起的非线性失真。对于NPN管，输出电压表现为底部失真。由于放大电路的工作点达到了三极管的截止区而引起的非线性失真。对于NPN管，输出电压表现为顶部失真。对于只有Rb Rc的共基电路:首先要确定VCC,在输出特性曲线上确定两个特殊点,即可画出直流负载线。ic最大值=Vcc/Rc,Vcc处为ic=0处. ic最大值可由你的负载估算,最好仿真一下找出最合适的电阻值.对于存在Rb1,Rb2,Re的可以稳定工作点的电路多考虑一下分压偏置,还是仿真来的快.+3 RD币
等级：研发工程师帖子：84被删：0经验：553RD币：280来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 17:45:007#
此页为旧版论坛，仅供浏览，请访问新版论坛：
不好意思补充及修改一下:跟据负载所需要流过的电流确定Rl,之后,一般情况下也希望有阻值差不多的Rc
等级：高级工程师帖子：110被删：-1经验：598RD币：90来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 13:43:008#
此页为旧版论坛，仅供浏览，请访问新版论坛：
这要看你的三极管的应用来确定，静态工作点和三极管的特征频率，噪声系数，直流放大倍数等等很多因素有关，所以关键是看你的应用场合了！
等级：高级工程师帖子：101被删：-2经验：692RD币：178.6来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 13:48:009#
此页为旧版论坛，仅供浏览，请访问新版论坛：
楼主，你是半到出家吗？ 连三极管的静态工作点都不会选择，也来做硬件，还是教育太失败了？？
等级：资深工程师帖子：533被删：-7经验：1784RD币：133来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 15:59:0010#
此页为旧版论坛，仅供浏览，请访问新版论坛：
[quote]以下是引用kerry550在 13:48:00的发言：楼主，你是半到出家吗？ 连三极管的静态工作点都不会选择，也来做硬件，还是教育太失败了？？[/quote]这话听着真是太伤心了。
等级：实习生帖子：7被删：0经验：35RD币：21来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 19:56:0011#
此页为旧版论坛，仅供浏览，请访问新版论坛：
ding ding ding
等级：高级工程师帖子：190被删：0经验：708RD币：3.2来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 16:11:0012#
此页为旧版论坛，仅供浏览，请访问新版论坛：
这个问题其实不是知识或教育的问题，他是一个理论与实践相结合的问题。看看模电就可以了。
等级：研发工程师帖子：63被删：-1经验：364RD币：.8来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 9:21:0013#
此页为旧版论坛，仅供浏览，请访问新版论坛：
我想问下你们都用什么软件仿真啊？我现在搞设计都不能用贴片的，都是要可插拔式来一一测试，郁闷死拉
等级：助理工程师帖子：22被删：0经验：116RD币：124来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 20:06:0014#
此页为旧版论坛，仅供浏览，请访问新版论坛：
不同应用有不同的接法，接法不同参数就不同，模电书里一般都有详细的解释
等级：高级工程师帖子：123被删：-1经验：981RD币：128.8来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 20:39:0015#
此页为旧版论坛，仅供浏览，请访问新版论坛：
1,凭经验先确定一个的大小;2,仿真软件仿真出曲线，Q点设在放大区中间位置；3，模电书中公式计算出其余阻值；4，测试根据结果对阻值进行微调
等级：高级工程师帖子：159被删：-1经验：691RD币：333.3来自：广东&深圳注册：
&|&&|&&|&&|&　发表于 17:45:0016#
此页为旧版论坛，仅供浏览，请访问新版论坛：
不要打击人好吗我也是搞电子的每个都有确定的麻呵呵QQ:
QQ:&&&& MSN:E-mail: //&&&&&&&&&& 喜欢开发自己喜欢的电子产品。希望和电子同行的人做为好朋友，与大家共同分享所有的成果！！放大电路测试试题及答案_百度文库
您的浏览器Javascript被禁用，需开启后体验完整功能，
赠送免券下载特权
10W篇文档免费专享
部分付费文档8折起
每天抽奖多种福利
两大类热门资源免费畅读
续费一年阅读会员，立省24元！
放大电路测试试题及答案
阅读已结束，下载本文需要
想免费下载本文？
定制HR最喜欢的简历
下载文档到电脑，同时保存到云知识，更方便管理
加入VIP
还剩5页未读，
定制HR最喜欢的简历
你可能喜欢三极管的放大区，截止区，饱和区是什么意思？_百度知道
三极管的放大区，截止区，饱和区是什么意思？
我有更好的答案
三极管的三种状态也叫三个工作区域，即：截止区、放大区和饱和区。(1)、截止区：三极管工作在截止状态，当发射结电压Ube小于0.6—0.7V的导通电压，发射结没有导通集电结处于反向偏置，没有放大作用。(2)、放大区：三极管的发射极加正向电压，集电极加反向电压导通后，Ib控制Ic，Ic与Ib近似于线性关系，在基极加上一个小信号电流，引起集电极大的信号电流输出。(3)、饱和区：当三极管的集电结电流IC增大到一定程度时，再增大Ib，Ic也不会增大，超出了放大区，进入了饱和区。饱和时，Ic最大，集电极和发射之间的内阻最小，电压Uce只有0.1V~0.3V，Uce&Ube，发射结和集电结均处于正向电压。三极管没有放大作用，集电极和发射极相当于短路，常 与截止配合于开关电路。主要是根据两个pn结的偏置条件来决定：发射结正偏，集电结反偏——放大状态；发射结正偏，集电结也正偏——饱和状态；发射结反偏，集电结也反偏——截止状态。这些状态之间的转换，可以通过输入电压或者相应的输入电流来控制，例如：在放大状态时，随着输入电流的增大，当输出电流在负载电阻上的压降等于电源电压时，则电源电压就完全降落在负载电阻上，于是集电结就变成为0偏压，并进而变为正偏压——即由放大状态转变为饱和状态。当输入电压反偏时，则发射结和集电结都成为了反偏，没有电流通过，即为截止状态。正偏与反偏的区别：对于npn晶体管，当发射极接电源正极、基极接负极时，则发射结是正偏，反之为反偏；当集电极接电源负极、基极（或发射极）接正极时，则集电结反偏，反之为正偏。总之，当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时，则为正偏，反之为反偏。
采纳率：99%
三极管的三种状态也叫三个工作区域，即：截止区、放大区和饱和区。(1)、截止区：三极管工作在截止状态，当发射结电压Ube小于0.6—0.7V的导通电压，发射结没有导通集电结处于反向偏置，没有放大作用。(2)、放大区：三极管的发射极加正向电压，集电极加反向电压导通后，Ib控制Ic，Ic与Ib近似于线性关系，在基极加上一个小信号电流，引起集电极大的信号电流输出。(3)、饱和区：当三极管的集电结电流IC增大到一定程度时，再增大Ib，Ic也不会增大，超出了放大区，进入了饱和区。饱和时，Ic最大，集电极和发射之间的内阻最小，电压Uce只有0.1V~0.3V，Uce&Ube，发射结和集电结均处于正向电压。三极管没有放大作用，集电极和发射极相当于短路，常 与截止配合于开关电路。
本回答被网友采纳
为您推荐：
其他类似问题
您可能关注的内容
三极管的相关知识
换一换
回答问题，赢新手礼包
个人、企业类
违法有害信息,请在下方选择后提交
色情、暴力
我们会通过消息、邮箱等方式尽快将举报结果通知您。}