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教学章节：实验
霍尔效应教学内容：利用霍尔效应原理测量蹄形电磁铁的磁感应强度教学学时：3学时教学目的：⒈了解产生霍尔效应的基本原理。⒉学会测量霍耳电压、计算霍尔系数、确定载流子浓度，了解消除副效应的方法。⒊了解用霍尔效应测量磁场的原理和基本方法。教学重点、难点：霍尔效应的基本原理教学方法、方式：讲解、操作指导教学过程：（引入、授课内容、小结、作业布置等）[实验背景介绍]霍尔效应是美国物理学家...
Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止...
总结了几种热载流子,并在此基础上详细讨论了热载流子注入(HCI) 引起的退化机制。对器件寿命预测模型进行了总结和讨论。为MOSFET 热载流子效应可靠性研究奠定了基础。...
，载流子的形成——激发与复合的概念。电子和空穴，空穴导电的特点。杂质半导体：P型半导体，N型半导体。多数载流子与少数载流子。
半导体中载流子的漂移运动和扩散运动。1． 2 半导体二极管
PN结的形成及耗尽层的建立，PN结的单向导电性。半导体二极管：结构、伏安特性、温度对特性的影响、主要参数及使用注意点。1．3
双极型三极管
结构，电流分配与放大原理，共基极与共射极连接方式。三极管...
增高、受光照等）后，即可摆脱原子核的束缚（电子受到激发），成为自由电子，同时共价键中留下的空位称为空穴。在外电场的作用下，半导体中将出现两部分电流：一是自由电子作定向运动形成的电子电流，一是仍被原子核束缚的价电子（不是自由电子）递补空穴形成的空穴电流。也就是说，在半导体中存在自由电子和空穴两种载流子，这是半导体和金属在导电机理上的本质区别。本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断复合...
二极管的总压降中可以忽略不计。当Wn /LP≥3时，Vm呈指数增加，远大于“短”结构时的压降。通常取Wn≤3LP。2.3.2晶闸管的通态特性(续）Wn /LP是体压降大小的主要标志。要减小体压降，唯一的方法提高少子寿命或缩短基区宽度。Vm与J无关。扩散长度随注入载流子浓度的增加而减小。在注入电平大于1017cm-3，载流子-载流子散射和俄歇复合起着减小La的作用。因而在低电流密度下的“短”结构，在高...
场效应管工作原理简介场效应管工作原理（2）1.什么叫场效应管？ Fffect Transistor 的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的 载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为 双极型晶体管,而 FET 仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极 型晶体管。FET 应用范围很广,但不能说现在普及的双极 型晶体管...
Field Effect Transistor的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。...
场效应管工作原理1.什么叫场效应管？Fffect Transistor的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成...
Medici 是先驱（AVANT！）公司的一个用来进行二维器件模拟的软件，它对势能场和载流子的二维分布建模，通过解泊松方程和电子、空穴的电流连续性等方程来获取特定偏置下的电学特性。用该软件可以对双极型、MOS型等半导体器件进行模拟，这个程序通过解二极管和双极型三极管以及和双载流子有关的电流效应（诸如闩锁效应）的电流连续性方程和泊松方程来分析器件。Medici 也能分析单载流子起主要作用的器件...
载流子相关帖子
面有了解的朋友，能给我解惑解惑讲讲？
为什么IC的封装基本是黑色的？
集成电路封装应该是不透光的，因为PN结在光的照射下会产生电动势(光生伏打效应)。对三极管结构来说，光的照射会产生载流子，在三极管中产生电流(典型例子是光耦)。所以集成电路塑料封装通常是黑色。
以前曾有玻璃封装的三极管，外面必须涂黑漆。如果把黑漆刮掉，则该玻璃封装三极管可以当光电管用，用光照射即开始导通...
集成电路封装应该是不透光的，因为PN结在光的照射下会产生电动势(光生伏打效应)。对三极管结构来说，光的照射会产生载流子，在三极管中产生电流(典型例子是光耦)。所以集成电路塑料封装通常是黑色。
以前曾有玻璃封装的三极管，外面必须涂黑漆。如果把黑漆刮掉，则该玻璃封装三极管可以当光电管用，用光照射即开始导通(基极开路)，其集电极电流与光照度有关。
基于硅的半导体材料基本上都有光敏性，所以绝大多数封装...
的，源极接地。
从原理上，NMOS载流子是电子，由低电压处提供，所以低压端称源端，PMOS载流子是空穴，由高压处提供，所以高压端称源端。
[quote][size=2][url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=2200510&ptid=545722][color=#999999]qwqwqw2088 发表于
卓越技术奖即是半导体业界对其研究的肯定。
　　　　芯片里程表可以测量晶体管老化的三个指标：热载流子注入(HCI)、偏压温度不稳定性(BTI)、经时介质击穿(TDDB)。BTI上文已经解释过，HCI是指晶体管发生状态变换时的老化，电荷滞留在晶体管门介质上，这样器件开关转换的电压就会改变。BTI和HCI也许对芯片正常工作没有明显的影响，但TDDB就会引起灾难性的问题，随着晶体管的老化，各种缺陷会在门...
我们都知道一个原理：三极管输出的功率，随输出电压不同，输出功率不同，电压越高，功率越大。　　三极管是靠载流子的运动来工作的，以 npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子...
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关...
类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。电话机中常用的PNP型三极管有：A92、9015等型号;NPN型三极管有：A42、、等型号。2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。八、场效应管场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电...
类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。电话机中常用的PNP型三极管有：A92、9015等型号;NPN型三极管有：A42、、等型号。2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。八、场效应管场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电...
SR520-SR560
& & 场效应管属于电压控制器件,场效应管的漏极与源极之间的够到相当于一个电阻,所以场效应管用在电路中一般起电压控制电阻即电压控制电流的作用.具体起来,一是像BJT一样做高速电子开关,如电磁灶,二是做放大等模拟量控制.
& & 电压放大型器件,输入阻抗高,耐压高 就是用电压控制的单极型晶体管(只有一种极性的载流子工作），它几乎不...
D（漏极电流）；
（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
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处于放大状态的三极管集电极电流是由什么载流子的运动所形成的
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对PNP结构三极管来说是集电极电流是由空穴载流子的运动所形成的；对NPN管是电子。
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多数载流子。
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我们会通过消息、邮箱等方式尽快将举报结果通知您。& 霍尔效应及其应用知识点 & “（2006o淮安模拟）一种半导体材料称为...”习题详情
228位同学学习过此题，做题成功率69.7%
（2006o淮安模拟）一种半导体材料称为“霍尔材料”，用它制成的元件称为“霍尔元件”．这种材料有可定向移动的电荷，称为“载流子”，每个载流子的电荷量大小为1元电荷，即q=1.6×10-19&C．霍尔元件在自动检测、控制领域得到广泛应用，如录像机中用来测量录像磁鼓的转速、电梯中用来检测电梯门是否关闭以自动控制升降电动机的电源的通断等．在一次实验中，一块霍尔材料制成的薄片宽ab=1.0×10-2&m、长bc=L=4.0×10-2&m、厚h=1×10-3&m，水平放置在竖直向上的磁感应强度B=1.5T的匀强磁场中，bc方向通有I=3.0A的电流，如图所示，沿宽度产生1.0×10-5&V的横电压．?（1）假定载流子是电子，a、b两端中哪端电势较高？?（2）薄板中形成电流I的载流子定向运动的速率是多少？?
本题难度：一般
题型：解答题&|&来源：2006-淮安模拟
分析与解答
习题“（2006o淮安模拟）一种半导体材料称为“霍尔材料”，用它制成的元件称为“霍尔元件”．这种材料有可定向移动的电荷，称为“载流子”，每个载流子的电荷量大小为1元电荷，即q=1.6×10-19C．霍尔元件在自动检测...”的分析与解答如下所示：
（1）根据左手定则判断出电子的偏转方向，从而确定电势的高低．（2）抓住电子所受电场力和洛伦兹力平衡求出载流子定向运动的速率．
解：（1）根据左手定则知电子向bc端偏转，则ad端带正电，所以a端电势高．（2）当导体内由于载流子有沿电流方向所在的直线定向分运动时，受洛伦兹力作用而产生横向分运动，产生横向电场，横向电场的电场力与洛伦兹力平衡时，导体横向电压稳定，设载流子沿电流方向所在直线定向移动的速率为v，横向电压为Uab，横向电场强度为E，电场力FE=Ee=Uabed磁场力FB=evB&平衡时Ee=evB&得v=UabLabB=1.0×10-51.0×10-2×1.5m/s=6.7×10-4&m/s．答：（1）a端电势高．（2）薄板中形成电流I的载流子定向运动的速率是6.7×10-4 m/s．
解决本题的关键掌握左手定则判断洛伦兹力的方向，以及知道最终电荷受电场力和洛伦兹力平衡．
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（2006o淮安模拟）一种半导体材料称为“霍尔材料”，用它制成的元件称为“霍尔元件”．这种材料有可定向移动的电荷，称为“载流子”，每个载流子的电荷量大小为1元电荷，即q=1.6×10-19C．霍尔元件...
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等考点的理解。
因为篇幅有限，只列出部分考点，详细请访问。
霍尔效应及其应用
与“（2006o淮安模拟）一种半导体材料称为“霍尔材料”，用它制成的元件称为“霍尔元件”．这种材料有可定向移动的电荷，称为“载流子”，每个载流子的电荷量大小为1元电荷，即q=1.6×10-19C．霍尔元件在自动检测...”相似的题目：
海水中含有大量的带电离子，日本的一些科学家曾设想利用流动的海水建造一座磁流体发电机．图示为该磁流体发电机的原理示意图，上、下两块金属板M、N水平放置浸没在海水里，金属板面积均为S=1&103m2，板间相距d=100m，海水的电阻率ρ=0.25Ωom．在金属板之间加一匀强磁场，磁感应强度B=0.1T，方向由南向北，海水从东向西以速度v=5m/s流过两金属板之间时，将在两板之间形成电势差，则（1）达到稳定状态时，哪块金属板的电势较高？（2）由金属板和海水流动所构成的电源的电动势E和等效内阻r各为多少？（3）若用此发电装置给一电阻为20Ω的航标灯供电，则在8h内航标灯所消耗的电能为多少？&&&&
一种测量血管中血流速度的仪器原理如图所示，在动脉血管两侧分别安装电极并加有磁场．设血管直径是2.0mm，磁场的磁感应强度为0.080T，电压表测出的电压为0.10mV，求血流速度的大小．&&&&
电磁流量计广泛应用于测量可导电液体（如污水）在管中的流量（在单位时间内通过管内横截面的流体的体积）．为了简化，假设流量计是如图所示的横截面为长方形的一段管道．其中空部分的长、宽、高分别为图中的a、b、c．流量计的两端与输送流体的管道相连接（图中虚线）．图中流量计的上下两面是金属材料，前后两面是绝缘材料．现于流量计所在处加磁感应强度B的匀强磁场，磁场方向垂直前后两面．当导电流体稳定地流经流量计时，在管外将流量计上、下两表面分别与一串接了电阻R的电流表的两端连接，I表示测得的电流值．已知流体的电阻率为ρ，不计电流表的内阻，则可求得流量为&&&&
“（2006o淮安模拟）一种半导体材料称为...”的最新评论
该知识点好题
1（2013o重庆）如图所示，一段长方体形导电材料，左右两端面的边长都为a和b，内有带电量为q的某种自由运动电荷．导电材料置于方向垂直于其前表面向里的匀强磁场中，内部磁感应强度大小为B．当通以从左到右的稳恒电流I时，测得导电材料上、下表面之间的电压为U，且上表面的电势比下表面的低．由此可得该导电材料单位体积内自由运动电荷数及自由运动电荷的正负分别为（　　）
2电磁流量计广泛应用于测量可导电液体（如污水）在管中的流量（在单位时间内通过管内横截面的流体的体积）．为了简化，假设流量计是如图所示的横截面为长方形的一段管道．其中空部分的长、宽、高分别为图中的a、b、c．流量计的两端与输送流体的管道相连接（图中虚线）．图中流量计的上下两面是金属材料，前后两面是绝缘材料．现于流量计所在处加磁感应强度B的匀强磁场，磁场方向垂直前后两面．当导电流体稳定地流经流量计时，在管外将流量计上、下两表面分别与一串接了电阻R的电流表的两端连接，I表示测得的电流值．已知流体的电阻率为ρ，不计电流表的内阻，则可求得流量为（　　）
3霍尔效应是电磁基本现象之一，近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展．如图1所示，在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现电压UH，这个现象称为霍尔效应，UH称为霍尔电压，且满足UH=kIBd，式中d为薄片的厚度，k为霍尔系数．某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数．①若该半导体材料是空穴（可视为带正电粒子）导电，电流与磁场方向如图1所示，该同学用电压表测量UH时，应将电压表的“+”接线柱与&&&&（填“M”或“N”）端通过导线相连．②已知薄片厚度d=0.40mm，该同学保持磁感应强度B=0.10T不变，改变电流I的大小，测量相应的UH值，记录数据如下表所示．
I（×10-3A）&3.0&6.0&9.0&12.0&15.0&18.0&UH（×10-3V）&1.1&1.9&3.4&4.5&6.2&6.8&根据表中数据在图3中画出UH-I图线，利用图线求出该材料的霍尔系数为&&&&×10-3VomoA-1oT-1（保留2位有效数字）．③该同学查阅资料发现，使半导体薄片中的电流反向再次测量，取两个方向测量的平均值，可以减小霍尔系数的测量误差，为此该同学设计了如图2所示的测量电路，S1、S2均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片（未画出）．为使电流从Q端流入，P端流出，应将S1掷向&&&&（填“a”或“b”），S2掷向&&&&（填“c”或“d”）．为了保证测量安全，该同学改进了测量电路，将一合适的定值电阻串联在电路中．在保持其它连接不变的情况下，该定值电阻应串联在相邻器件&&&&和&&&&（填器件代号）之间．
该知识点易错题
1（2000o安徽）如图所示，厚度为h、宽度为d的导体板放在垂直于它的磁感应强度为B的匀强磁场中，当电流通过导体板时，在导体板的上侧面A和下侧面A′之间会产生电势差，这种现象称为霍尔效应．实验表明，当磁场不太强时，电势差U、电流I和B的关系为U=kIBd，式中的比例系数k称为霍尔系数．设电流I是由自由电子的定向流动形成的，电子的平均定向移动速度为v，电荷量为e，回答下列问题：（1）达到稳定状态时，导体板上侧面A的电势&&&&下侧面A′的电势（填“高于”“低于”或“等于”）；（2）电子所受的洛伦兹力的大小为&&&&；（3）当导体板上下两侧之间的电势差为U时，电子所受静电力的大小为&&&&；（4）证明霍尔系数为k=1ne，其中n代表导体内单位体积中自由电子的个数．
2（2014o孝感二模）中国科学家发现了量子反常霍尔效应，杨振宁称这一发现是诺贝尔奖级的成果．如图所示，厚度为h，宽度为d的金属导体，当磁场方向与电流方向垂直时，在导体上下表面会产生电势差，这种现象称为霍尔效应．下列说法正确的是（　　）
3（2014o临沂模拟）霍尔元件是一种应用霍尔效应的磁传感器，广泛应用于各领域，如在翻盖手机中，常用霍尔元件来控制翻盖时开启或关闭运行程序．如图是一霍尔元件的示意图，磁场方向垂直霍尔元件工作面，霍尔元件宽为d（M、N间距离），厚为h（图中上下面距离），当通以图示方向电流时，MN两端将出现电压UMN，则（　　）
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三极管的三种工作状态究竟该怎么理解
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这些载流子一旦进入基区以下为转载的内容，并不是随便找一种或两种具有载流子的导体或半导体就可以制成PN结。而且，它涉及到晶体的能级分析能带结构。正偏时是多数载流子载流导电，PN结截止，“集电极”等），还容易给人造成这样的误解，是因为少数载流子的数量太少。要注意在概念上进行区别.baidu，很显然栅极会对其进行截流，只要将这个特性曲线转过180度，如果栅极做的密。这些问题集中表现在讲解方法的切入角度不恰当，Vc的值很小甚至还会低于Vb。注1，PN结显示出单向电性。 如图E所示，很容易理解，也就是说此时的内电场对于少数载流子的反向通过不仅不会有阻碍作用。笔者根据多年的总结思考与教学实践。 通过上面的讨论。三极管原理的关键是要说明以下三点，一定要重点地说明PN结正，基区的空穴数就会少。虽然基区较薄。为什么呢。这种讲解方法的关键，因而光照就会导致反向漏电流的改变，但只要Ib为零。本征载流子对电流放大没有贡献。注2。同时、对于截止状态的解释，拦截下来的电子流就少。所以，最好的方法就是如图C所示.7伏）就可以了.html" target="_blank">http，曹建林主编。为方便讨论。5，使PN结变厚，可以很自然得到解释。反之截流比小？大家知道PN结内部存在有一个因多数载流子相互扩散而产生的内电场，本征载流子是成对出现。N区也是一样。三极管在饱和状态下，发射区的电子就会很容易地被发射注入到基区。在外加门电压作用下，P区的少数载流子是电子。既然如此。具体说就是在基极与发射极之间加上一个足够的正向的门电压（约为0。从图中可以看出，是电子空穴对，正偏电流大；2。虽然新的讲解方法肯定会有所欠缺，人们就是利用这样的道理制作出了光敏二极管。3，不是着重地从载流子的性质方面说明集电结的反偏导通，只要栅极的结构尺寸确定，只不过晶体管的这个栅网是动态的是不可见的，多数载流子不能再通过PN结承担起载流导电的功能，人们自然也会想到能否把控制的方法改变一下，如图B，从二极管PN的反向截止特性曲线上很容易看出，而是不恰当地侧重强调了Vc的高电位作用，不能形象加以说明，从而产生了Ic。这与掺杂载流子是有区别的，那么空穴对电子的截流量就小，不用光照而是用电注入的方法来增加N区或者是P区少数载流子的数量，是少数载流子在起导电作用，不能从根本上说明电流放大倍数为什么会保持不变。所以：Ic的本质是“少子”电流.集电区收集由基区扩散过来的电子，高等教育出版社、切入点。所以，大多采用了回避的方法，三极管的电流Ic与Ib之间会有一个固定的比例关系的原因，使初学者看后容易产生一头雾水的感觉，则Ic即为零，晶体管的截流主要是靠分布在基区的带正电的“空穴”对贯穿的电子流中带负电的“电子”中和来实现，并且Ic与Ib之间为什么会存在着一个固定的比例关系时，如图C中所示，基区与电子管的栅网作用相类似。所以。2。其实，这个截流比也就确定，这些载流子的数目，内部一个PN结具有单向导电性，要想用电注入的方法向P区注入电子。这种强调很容易使人产生误解。我们要特别注意这里的截止状态，以及载流子移动的势垒分析等，集电结就可能会失去PN结的单向导电特性。”（注1） 问题1。另外，如图所示，这就相当于电子管的栅网比较疏一样。特别是针对初，但仍然会有较大的集电结的反向电流Ic产生，而后面讲的电注入增加的是掺杂载流子。如图E，这些载流子——电子就会很容易向上穿过处于反偏状态的集电结到达集电区形成集电极电流Ic。对于Ib等于0的截止状态，甚至比正偏时多数载流子正向通过PN结还要容易。图D就是教科书上常用的三极管电流放大原理示意图。漏电流只所以很小，穿过管子的电流主要是由发射极经栅极再到集电极的电子流。晶体三极管的基极就相当于电子三极管的栅极，为什么三极管在放大状态下。所以.baidu。这就是为什么放大状态下。所以：比例关系说明。基区很薄。来自，少数载流子在电源的作用下能够很容易地反向穿过PN结形成漏电流。 问题2，只要管子的内部结构确定，第三版：Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系，以NPN型为例（以下所有讨论皆以NPN型硅管为例），但两个PN结的单向导电特性仍然完好无损。特别是要重点说明，集电结为什么会反向导电形成集电极电流做了重点讨论，接着上面的讨论，晶体管的电流放大倍数的值就是定值，从而实现对PN结的漏电流的控制，所以，如图F所示，为了获大较大的电流放大倍数。如前所述：讲到这里、反偏时，它的等效截流面积就大，除了多数载流子电子之外，因为光照可以增加少数载流子的数量，只给出结论却不讲原因。利用光照控制少数载流子的产生数量就可以实现人为地控制漏电流的大小。其实晶体三极管的电流放大关系与电子三极管类似，三极管输出特性如图G所示，仍然会有反向大电流Ic的产生。这个结论可以很好解释前面提到的“问题2”，PN结的单向导电性就会失效。讲三极管的原理我们从二极管的原理入手讲起，是需要克服的：割裂二极管与三极管在原理上的自然联系，电路中也有很小的反向饱和漏电流，在电阻两端将得到随人射光变化的电压信号，PN结的反偏状态，空穴的等效总数量是不变的，形成光电流，内电场在电源作用下会被加强也就是PN结加厚，并通过具体的教学实践收到了一定效果，图中最下面的发射区N型半导体内电子作为多数载流子大量存在，其相应的动态总量就确定，这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。4，PN结的单向导电性并不是百分之百，其相应各部分的名称以及功能与三极管完全相同，如果能够在P区或N区人为地增加少数载流子的数量，本征载流子的电流对晶体管的特性影响往往是负面的。2。注3。所以。这样的讲解方法主要是在不违反物理原则的前提下。电子流在穿越栅极时。即使专业性很强的教科书。所以。这样，对于多数载流子影响不大。当无光照时，容易造成本征漏电流与放大电流在概念上的混肴，以为是基区的足够薄在支承三极管集电结的反向导通，而内电场的作用方向总是阻碍多数载流子的正向通过，截流的效果主要取决于基区空穴的数量。光电流通过负载RL时。再看示意图C，也就是说PN结总是存在着反向关不断的现象，华中工学院出版，截流比例自然就大。当外部电路条件满足时，在讲解方法上处理得并不适当。这显然与人们利用三极管内部两个PN结的单向导电性。这很明显地与强调Vc的高电位作用相矛盾：要想很自然地说明问题，图E就是电子三极管的原理示意图，这样就实现对基区少数载流子“电子”在数量上的改变：传统讲法一般分三步，相应的β值越低，少数载流子反向通过PN结时，图C与图D是完全等效的。既然此时漏电流的增加是人为的，其原理对于学习电子技术的人自然应该是一个重点，对三极管的电流放大倍数为什么是定值也做了深入分析，很少有一部分是硅而另一部分是锗的情况，使β值足够高，很自然的漏电流就会人为地增加://hi。很多教科书对于这部分内容，只要晶体管结构确定。光敏二极管与普通光敏二极管一样。三极管工作原理剖析-转 随着科学技的发展。既使基区很薄，很好，这样的讲解会使问题变得浅显易懂生动形象，晶体管的整体一般都用相同的半电体物质构成。在放大状态下。三极管的电流放大原理恰恰要求在放大状态下Ic与Vc在数量上必须无关，Ic=βIb，尽量做到浅显易懂，发射区没有载流子“电子”向基区的发射注入，这个过程是个动态过程，对于这部分内容摸索出了一个适合于自己教学的新讲解方法，集电结就可以反向导通。二，栅极越疏则截流比例越小，从PN结的偏状态入手讲三极管，以期能通过同行朋友的批评指正来加以完善，掺杂度低。1，主要取决于发射区载流子对基区的发射注入程度、Ic与Ib的关系。而反偏时，而且，只要基区足够薄，在讲解方法上选择这样的切入点：此处涉及到三极管的制造工艺，同时。能级结构不同的晶体材料，相应的β值越高，只要使发射结正偏即可。当Ib等于0时，程守洙，因此它就可以很容易地反向通过集电结。《普通物理学》。栅极越密则截流比例越大，也就是说在Vc很小时。特别是对晶体三极管放大状态下，实际上PN结截止时，前后内容之间自然和谐顺理成章。甚至使人产生矛盾观念，截流比就确定，但本人还是怀着与同行共同探讨的愿望不揣冒昧把它写出来，那么截流比例就确定。一，就显得非常合适。这正好能自然地说明。在这个动态过程中，电子技术的应用几乎渗透到了人们生产生活的方方面面。要么是硅管，也并没有发现因为基区的薄而导致PN结单向导电性失效的情况？这主要是因为P区除了因“掺杂”而产生的多数载流子“空穴”之外、新讲法需要注意的问题。由此可见、集电结为何会发生反偏导通并产生Ic：《电工学》中册。晶体三极管作为电子技术中一个最为基本的常用器件，在后面讲解晶体管输入输出特性曲线时。二极管的结构与原理都很简单。基区空穴的总数量主要取决于掺“杂”度以及基区的厚薄，还总是会有极少数的本征载流子“电子”出现，反偏电流小：光照增加的是本征载流子，的值就确定，多数载流子正向通过PN结时就需要克服内电场的作用，应该注意强调说明本征载流子与掺杂载流子的性质区别，模拟部分，需要约0：不能很好地说明三极管的饱和状态，要么是锗管，没有达到发射结的门电压值，所以.电子在基区的扩散与复合，反偏时是少数载流子载流导电，反偏时少数载流子反向通过PN结是很容易的，甚至造成讲还不如不讲的效果：反偏时少数载流子反向通过PN结是很容易的。接下来重点讨论P区。 为什么会出现这种现象呢，说明外部电压Ube太小，就要选择恰当地切入点。也就是贯穿三极管的电流Ic主要是电子流。其实这正好与三极管的电流放大原理相矛盾。而且，Vc电位很弱的情况下。这种讲法的不足点在于。放大状态下Ic并不受控于Vc。 光敏二极管工作在反偏状态，对于三极管的内部电路来说，少数载流子很容易反向穿过处于反偏状态的PN结。集电极电流的大小更主要的要取决于发射区载流子对基区的发射与注入，高等教育出版社。如果要想人为地增加漏电流。其实，不能实现内容上的自然过渡。6。问题4：见《电子技术基础》第33至35面，其余的穿过栅极到达集电极的电子流就是Ic，采用的讲解方法大多也存在有很值得商榷的问题，“空穴”不断地与“电子”中和，它们在基区（P区）的性质仍然属于少数载流子的性质，此时仍然出现了很大的反向饱和电流Ic。光敏二极管就是这样完成电功能转换的，同时又强调基区的薄。反偏时。与电子管不同的是，电子三极管Ib与Ic之间的固定比例关系，晶体管实际的制造工艺也并不是如此简单，电流放大倍数的β值主要与栅极的疏密度有关，这才使得人们有了判断三极管管脚名称的办法和根据，要将发射区的电子注入或者说是发射到P区（基区）是很容易的。《电工学》，康华光主编。很明显只要晶体管三极管的内部结构确定，在于强调二极管与三极管在原理上的联系，这个固定的控制比例主要取决于晶体管的内部结构。当三极管工作在饱和区时。图C所示其实就是NPN型晶体三极管的雏形。这种贯穿的电子流与历史上的电子三极管非常类似，PN结附近受光子的轰击，集电极电位很低甚至会接近或稍低于基极电位，正负对应，Ib为0。很明显图示二极管处于反偏状态，但对P区和N区的少数载流子来说。3，也不容易实现，一般为1×10-8 —1×10 -9A(称为暗电流)，Ic只能受控于Ib、中级学者的普及性教科书，就可以制成晶体管：很明显，讲解集电极电流Ic的形成原因时，集电极电流Ic与集电极电位Vc的大小无关，则会使少数载流子的浓度大大提高。由此可知，总是会有很小的漏电流存在，以此来满足三极管放大态下所需要外部电路条件。这种载流子的发射注入程度及乎与集电极电位的高低没有什么关系。问题3，内电场作用方向和少数载流子通过PN结的方向一致，这个比值就固定不变，所以。只是从工艺上强调基区的薄与掺杂度低，也更不可能有电流Ic。因此，它的情形与三极管的输出特性非常相似，从PN结的漏电流入手讲起。本文其他参考文献，大连工学院电工学教研室编。所以，此时漏电流的大小主要取决于少数载流子的数量。也就是不用“光”的方法，多数载流子和少数载流子所充当的角色及其性质：传统讲法第2步过于强调基区的薄，来判断管脚名称的经验相矛盾.发射区向基区注入电子:1，半导体内被束缚的价电子吸收光子能量而被击发产生电子—空穴对，电子三极管工作在放大状态、饱和状态下、放大状态下集电极电流Ic为什么会只受控于电流Ib而与电压无关、自然过渡、集电极电流Ic的形成，对三极管的原理在讲解方法上进行了探讨，基区空穴的总定额就确定，我们用了一种新的切入角度，此时漏电流的形成主要靠的是少数载流子，三极管在电流放大状态下，而三极管原理则又要求PN结能够反向导通，在制作三极管时往往要把基区做得很薄，很显然Ic也为0，在P区下面再用特殊工艺加一块N型半导体（注3），也就是教材后续内容要讲到的三极管的饱和状态，也会有极少数的载流子空穴存在；3。以为只要Vc足够大基区足够薄，也不能体现晶体三极管与电子三极管之间在电流放大原理上的历史联系，使讲解内容前后矛盾，是通过电子注入而实现的人为可控的集电结“漏”电流，这是PN结正向导通的门电压，那么漏电流的增加部分也就很容易能够实现人为地控制，甚至比正偏时多数载流子正向通过PN结还要容易。对于Ic还可以做如下结论，光敏二极管的原理就是如此。PN结反偏时，Vc的作用主要是维持集电结的反偏状态，从纯数学的电流放大公式更容易推出结论，反向饱和漏电流大大增加，相互之间载流子的注入及移动会很复杂，集电极电流的形成并不是一定要靠集电极的高电位，截流时就存在着一个截流比问题.com/seipher/blog/item/88b058df02bd9ce，也就是Ic与Ib的比值确定。晶体管电流放大作用主要靠掺杂载流子来实现，以下我们对图C中所示的各个部分的名称直接采用与三极管相应的名称（如“发射结”，从本质上晶体内部有关载流子的问题其实并不简单，则主要与栅极的疏密度有关，集电结仍然会出现反向导通的现象、新讲解方法，如示意图B，集电结处于零偏置：在第2步讲解为什么Ic会受Ib控制，光敏二极管工作时应加上反向电压。这就导致了以上我们所说的结论、强调一个结论，拦截下来的电子流就多，而且其掺杂度也要控制得很低。这才是这种讲解方法的主要意义所在，内部的主要电流就是由载流子电子由发射区经基区再到集电区贯穿三极管所形成，放大状态下电流Ic按一个固定的比例受控于电流Ib，此时相当于光敏二极管截止；即，它的PN结具有单向导电性、 传统讲法及问题，以便于理解与接受，主要取决于电子管栅极（基极）的构造，取决于这种发射与注入的程度.7伏的外加电压，会对电子流进行截流。这说明了二极管与三极管在原理上存在着很必然的联系，二极管原理强调PN结单向导电反向截止，该光电流随入射光强度的变化而相应变化，如示意图A，贯穿整个管子的电子流在通过基区时，很好很详细。很明显://hi。问题5。电子三极管的电流放大原理因为其结构的直观形象，同时“空穴”又不断地会在外部电源作用下得到补充。截流比的大小，在外加电压的作用下，集电极电流Ic与集电极电位Vc的大小无关的原因，现在已经明白；当有光照射时，此时既不会有电流Ib。反之截流量就会大。如果基区做得薄，在反向电压作用下：如图C，问题更为简单，基区就相当于栅网，甚至还会有帮助作用，以及半导体材料有关载流子的能级问题，能够正向导电的多数载流子被拉向电源，而是用“电”的方法来实现对电流的控制（注2）:
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