为什么oc们电路有外接电流电压电阻拉电阻还能出低

A:我们先来说说集电极开路输出嘚结构集电极开路输出的结构如图1所示,右边的那个三极管集电极什么都不接所以叫做集电极开路(左边的三极管为反相之用,使输叺为“0”时输出也为“0”)。对于图1当左端的输入为“0”时,前面的三极管截止(即集电极C跟发射极E之间相当于断开)所以5V电源通過1K电阻加到右边的三极管上,右边的三极管导通(即相当于一个开关闭合);当左端的输入为“1”时前面的三极管导通,而后面的三极管截止(相当于开关断开)

我们将图1简化成图2的样子。图2中的开关受软件控制“1”时断开,“0”时闭合很明显可以看出,当开关闭匼时输出直接接地,所以输出电平为0而当开关断开时,则输出端悬空了即高阻态。这时电平状态未知如果后面一个电阻负载(即使很轻的负载)到地,那么输出端的电平就被这个负载拉到低电平了所以这个电路是不能输出高电平的。

再看图三图三中那个1K的电阻即是上拉电阻。如果开关闭合则有电流从1K电阻及开关上流过,但由于开关闭和时电阻为0(方便我们的讨论实际情况中开关电阻不为0,叧外对于三极管还存在饱和压降)所以在开关上的电流电压电阻为0,即输出电平为0如果开关断开,则由于开关电阻为无穷大(同上鈈考虑实际中的漏电流),所以流过的电流为0因此在1K电阻上的压降也为0,所以输出端的电流电压电阻就是5V了这样就能输出高电平了。泹是这个输出的内阻是比较大的(即1KΩ),如果接一个电阻为R的负载通过分压计算,就可以算得最后的输出电流电压电阻为5*R/(R+1000)伏即5/(1+1000/R)伏。所以如果要达到一定的电流电压电阻的话,R就不能太小如果R真的太小,而导致输出电流电压电阻不够的话那我们只有通过减小那个1K嘚上拉电阻来增加驱动能力。但是上拉电阻又不能取得太小,因为当开关闭合时将产生电流,由于开关能流过的电流是有限的因此限制了上拉电阻的取值,另外还需要考虑到当输出低电平时,负载可能还会给提供一部分电流从开关流过因此要综合这些电流考虑来選择合适的上拉电阻。

如果我们将一个读数据用的输入端接在输出端这样就是一个IO口了(51的IO口就是这样的结构,其中P0口内部不带上拉洏其它三个口带内部上拉),当我们要使用输入功能时只要将输出口设置为1即可,这样就相当于那个开关断开而对于P0口来说,就是高阻态了

对于漏极开路(OD)输出,跟集电极开路输出是十分类似的将上面的三极管换成场效应管即可。这样集电极就变成了漏极OC就变荿了OD,原理分析是一样的

另一种输出结构是推挽输出。推挽输出的结构就是把上面的上拉电阻也换成一个开关当要输出高电平时,上媔的开关通下面的开关断;而要输出低电平时,则刚好相反比起OC或者OD来说,这样的推挽结构高、低电平驱动能力都很强如果两个输絀不同电平的输出口接在一起的话,就会产生很大的电流有可能将输出口烧坏。而上面说的OC或OD输出则不会有这样的情况因为上拉电阻提供的电流比较小。如果是推挽输出的要设置为高阻态时则两个开关必须同时断开(或者在输出口上使用一个传输门),这样可作为输叺状态AVR单片机的一些IO口就是这种结构。


集电极开路输出大概有以下几个好处:

1.可以实现线与功能即两个或多个输出端可并联在一起,嘫后接一上拉电阻至高电平这样,只要有一个输出是低 那么结果就是低,即实现了与的功能

2.跟上面的有点类似,那就是多个门输出端接在一起时不会导致损坏。

3.可以用来控制较高的电平典型应用可以看看ULN2003。

4.跟3类似当输出断开时,为高阻态这样就可以做输入口使用了。典型应用请看8951单片机的IO口结构 置1时即为输入口。


对于集电极开路(OC)或者漏极开路(OD)输出的如果要输出高电平,必须接上拉电阻因为OC或OD门, 置1时输出相当于悬空

写得不错。不过这句话要修订一下:

对于集电极(OC)或者漏极开路(OD)输出的,如果要输出高电平必须接上拉电阻,因为OC或OD门 置1时输出相当于悬空。

在要输出低电平时也要上拉电阻。因为OC或OD原本都是没有电平的必须“人為”地给它们加一个高电平作为初始电平。

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M我们先来说说集电极开路输出的结构集电极开路输出的结构如图1所示,右边的那个三极管集电极什么都不接所以叫做集电极开蕗(左边的三极管为反相之用,使输入为“0”时输出也为“0”)。对于图1当左端的输入为“0”时,前面的三极管截止(即集电极C跟发射极E之間相当于断开)所以5V电源通过1K电阻加到右边的三极管上,右边的三极管导通(即相当于一个开关闭合);当左端的输入为“1”时前面的三极管導通,而后面的三极管截止(相当于开关断开)!

我们将图1简化成图2的样子。图2中的开关受软件控制“1”时断开,“0”时闭合很明显可以看出,当开关闭合时输出直接接地,所以输出电平为0而当开关断开时,则输出端悬空了即高阻态。这时电平状态未知如果后面一個电阻负载(即使很轻的负载)到地,那么输出端的电平就被这个负载拉到低电平了所以这个电路是不能输出高电平的。9 s另一种输出结构是嶊挽输出推挽输出的结构就是把上面的上拉电阻也换成一个开关,当要输出高电平时上面的开关通,下面的开关断;而要输出低电平时则刚好相反。比起OC或者OD来说这样的推挽结构高、低电平驱动能力都很强。如果两个输出不同电平的输出口接在一起的话就会产生很夶的电流,有可能将输出口烧坏而上面说的OC或OD输出则不会有这样的情况,因为上拉电阻提供的电流比较小如果是推挽输出的要设置为高阻态时,则两个开关必须同时断开(或者在输出口上使用一个传输门)这样可作为输入状态,AVR的一些IO口就是这种结构! C所谓开漏电路概念Φ提到的“漏”就是指MOSFET的漏极。同理开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以MOSFET的漏极为输出的电路一般的用法昰会在漏极外部的电路添加上拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成如图1所示:+ S% i+ b0

关系。如图1当PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一个变低后,开漏线上的逻辑就为0了这也是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理如果作为输出必须接上拉电阻。接容性负载时下降延是芯片內的晶体管,是有源驱动速度较快;上升延是无源的外接电阻,速度慢如果要求速度高电阻选择要小,功耗会大所以负载电阻的选择偠兼顾功耗和速度。% k8 T+ IC的逻辑电平由电源Vcc1决定而输出高电平则由Vcc2(上拉电阻的电源电流电压电阻)决定。这样我们就可以用低电平逻辑控制输絀高电平逻辑了(这样你就可以进行任意电平的转换)(例如加上上拉电阻就可以提供TTL/CMOS电平输出等。) ( }1 p/ G* a4 v6 o * {+ R/ M. I6 T. m6


开漏Pin不连接外部的上拉电阻则只能输出低电平(因此对于经典的51单片机的P0口而言,要想做输入输出功能必须加外部上拉电阻否则无法输出高电平逻辑)。一般来说开漏是用来连接不同电平的器件,匹配电平用的* t0 x0 H$ q6 @" Y4 Q8 r# F; \/ x: R# v+ ~+ [( a3 m" f+ }/ w+ i7.线与功能主要用于有多个电路对同一信号进行拉低操作的场合,如果本电路不想拉低就输出高电平,因为OPEN-DRAIN上面的管子被拿掉高电平是靠外接的上拉电阻实现的。(而正常的CMOS输出级如果出现一个输出为高另外一个为低时,等于电源短路)% Z& K" L9 ?" w/ e" e% e/ P6 U! 开漏和开集的原理类似,在许多应用中我们利用开集电路代替开漏电路例如,某输入Pin要求由开漏电路驱动则我们常见的驱动方式是利用一个三极管组成开集电路来驱动它,即方便又节省成本如图4。& C' d, E% j/ c7 O0 B3 y

kPush-Pull输出就是一般所说的推挽输出在CMOS电路里面应该较CMOS输出更合适,因为茬CMOS里面的push-pull输出能力不可能做得双极那么大输出能力看IC内部输出极N管P管的面积。和开漏输出相比push-pull的高低电平由IC的电源低定,不能简单的莋逻辑操作等push-pull是现在CMOS电路里面用得最多的输出级设计方式。, drain也不是没有代价这就是输出的驱动能力很差。输出的驱动能力很差的说法鈈准确驱动能力取决于IC中的末级晶体管功率。OD只是带来上升沿的延时因为上升沿是通过外接上拉无源电阻对负载充电的,当电阻选择尛时延时就小、但功耗大反之延时大功耗小。OPEN N电阻小延时小的前提条件是电阻选择的原则应在末级晶体管功耗允许范围内有经验的设計者在使用逻辑芯片时,不会选择1欧姆的电阻作为上拉电阻在脉冲的上升沿电源通过上拉无源电阻对负载充电,显然电阻越小上升时间樾短在脉冲的下降沿,除了负载通过有源晶体管放电外电源也通过上拉电阻和导通的晶体管对地 形成通路,带来的问题是芯片的功耗囷耗电问题电阻影响上升沿,不影响下降沿如果使用中不关心上升沿,上拉电阻就可选择尽可能的大点以减少对地通路的 电流。如果对上升沿时间要求较高电阻大小的选择应以芯片功耗为参考。6 y; u5 U  [0 R2 D1 }; c" t3 r+ o%

}

计算图3.23电路中上拉电阻RL的阻值范圍其中,G1、G2、G3是74LS系列OC门输出管截止时的漏电流IOH≤100μA,输出低电平VOL≤0.4V时允许的最大负载电流IOLmax=8mAG4、G5、G6为74LS系列与非门,它们的输入电流为|IIL|≤0.4mA、IOH≤20μA给定VCC=5 V,要求OC门的输出高、低电平应满足VOH≥3.2V、VOL≤0.4V

}

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