文章摘自：凌力尔特社区（/module/forum）
& 对于buck电路的成本，很多人认为与三级电路相比其优势并不明显。但实际上，从性能、尺寸、可靠性上来说，buck电路都要优于三级电路。纠结于成本问 题的设计者有可能是因为实践机会较少，对成本的了解不够深刻，所以出现了高估的现象。另一方面，一旦多家企业都开始产出，就必定将对电路进行优化，到时成 本将不再是问题。下面就来对双buck电路的成本问题进行讨论。　　就性能而言，三级电路与双BUCK是不在一个层面的。但三级电路控制非常简单，容易理 解，不像双BUCK电路控制复杂精确。三级电路采用的MOS功率器件太多，影响大批量的可靠性，这是其一，其二是传统BUCK电路的缺点，无论哪种工作模 式，均没有双BUCK的性能优秀。这是导致效率不高的原因之一。多数人都知道。其三是三级电路的工作特性，导致其干扰会比两级的大。
　　以70W的HID镇流器方案为例，有高频的，有三级全桥低频通用方案，还有两级半桥双BUCK方案，均以设计成功。其中，想说说低频方案的两级和三级 最主要的特点：两级半桥双BUCK方案：成本上来说并不比三级便宜。但在性能上要比三级要好一些，如：输出波形、温升、效率等。但双BUCK的控制较复 杂，参数调试麻烦，互相牵制，调试之初稍有不慎，就会爆响，不过一旦参数调试OK后，便能可靠运行。至于恒功率控制精度及MCU整体控制和三级差不多，都 是采用恒流方式来达到恒功率。三级全桥低频通用方案：电路结构清晰，易懂，各部分独立运作，便于调试，元件通用性强，便于采购。可以采用谐振点火，相对于 两级来说，可以省去点火MOSFET或IGBT。为了避免产品同质化，突出其差异化，现主要生产两级半桥双BUCK结构的金卤灯电子镇流器，相信随着产量 的提升，元器件成本就会有一定幅度的下降，到时将会比三级全桥结构更有优势。
　　三级的效率其实不是问题。调试得当91是没太大问题的。可问题不在效率这里。换向铝电解的问题，的确是个问题，不然CCI也不会出如此复杂的波形来控 制。但这个问题，根本上来说，是可解决的，只是控制电路复杂一些而已。三级电路如果降压为母线端，则需要高压驱动，驱动麻烦。当然这样的结果是取样方便。 如果在地端，则取样不便。全桥不可控状态。
　　论成本，半桥两级和全桥三级难分谁高谁低。论性能，难分孰优孰劣，各有所长各有所短。关键是看谁能吃透原理，把控好工艺，这样才能做出稳定可靠的产 品，现在金卤灯镇流器行业因其技术门槛高的原因，价格并不作为主要因素考虑，绝大多数还停留在抄袭的层次，更谈不上深刻理解甚至改进提高的层次虽然有但是 极少。
& && & 下面就把它还原成实际应用的两个拓扑。
详情请见：
buck电路PK三级电路
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(出处: 凌力尔特技术社区)
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北京市公安局备案编号： 京ICP备：号半桥LLC谐振变换器功率最大可以做多大?
半桥LLC谐振变换器功率最大可以做多大?
理论无限大,实际受元器件和工艺限制. 3000W以内都能做,1KW还是具有很高性价比的.如果你对成本不敏感,功率再大些也可以.
与《半桥LLC谐振变换器功率最大可以做多大?》相关的作业问题
变压器串联不能使用
对交流信号而言,C1（电源）的两端,可等效为连接在一起的,因此C2C3对地是并联的关系；
输出功率 ： 全桥 > 半桥（推挽等同于半桥） > 单管
不能,前者是PWM,后者是PFM
是串联.电感一端输出给灯丝,灯丝连接启动电容,再连接灯丝后路.
理想状况下；fofs：ZVS状态；频率越高输出电压越低显然LLC适用的是最后一段单调区域.将这段话仔细理解一下；就全明白了
你好!这个电路的功率范围是不定的,根据设备机器的大小而设计控制电路的大小的!如果要是做得不配套的话,大一点了可能是该动作了他没有动作,起不到什么作用,小一点的话那就是电路元件直接烧坏了!所以要慎之再慎之!
推挽变换器基本电路特点：1、变压器磁芯双边磁 化磁芯,磁芯利用率高,变压器体积可减小； 2、器件承受电压高.推挽变换器基本工作原理1.有续流二极管时推挽变换器2.无续流二极管时隔离型拓扑结构全桥变换器 Full-bridge Converter全桥变换器基本电路特点:1.变压器原边一个线圈,但双边磁化,变压器利用率高;
逆变驱动 再问： 是不是可以把功率变大啊
电子镇流器半桥逆变输入电路分析与设计[日期：] 来源：电源技术应用 作者：周云正 [字体：大 中 小] 摘要：电子镇流器半桥逆变输入电路决定整机工作频率,是影响开关功率管逆变的重要因素.通过对脉冲变压器及理想激励电流波形的分析,如何提高转换速率,阻尼振荡予以讨论,指出目前存在的设计误区,做出减少共态
可以用最基本的BUCK降压电路,采用功率MOS管作为开关管,用3525产生PWM波,占空比用24/500,该PWM波经IR2110放大增强驱动功率MOS管.BUCK电路网上很容易搜到,根据IR2110的中文资料可以连接出驱动电路.
Abstract:A half-bridge circuit using the power switch,the input voltage for the exchange of 220 V ± 20%,the output voltage to DC 4 16 V,the largest current 40 A
反激最简单,一个变压器,一个开关管,一个输出二极管正激在上面的基础上,多一个储能电感,次级多一个续流二极管推挽,两个开关管,一个变压器（变压器初级抽头）,次级也抽头,两个输出二极管半桥,跟推挽相近,但变压器没有抽头,次级同推挽全桥,有四个开关,次级同推挽
以你所列元件220v交流电无论如何也不能整流为24V直流电!我从各方综合考虑认为：二极管的频率、电流参数等于最大工作频率/电流的几倍为宜.几百kHz的大电流整流管难找哦.电感的电流参数略大于最大工作电流.电感量大则滤波效果好,磁芯（铁芯不适用于高频）略小于变压器磁芯一半为宜.100kHz 已算高频,电容量比起50Hz工
半桥电路只是整形,它还要联合滤波电路才能达到交变直的基本效果；而推挽电路不仅能使交变直的效果明显,而且还能抑制零漂、保持温衡,但它主要的目的是放大输出功率的功率放大器；所以根据以上情况,本人觉得推挽电路比半桥好!但如果是在特定的情况下如电源电路,我会建议你使用半桥电路,也会觉得半桥电路比推挽电路好些,因为从现实情况来看
我是搞维修的,给你分析一下,全桥整流与半桥整流方式输出电压是一样的,前提条件是在没有接入负载的情况下.但如果接了负载,电流就增大,随之电压降低,电流和电压的关系是反比关系的.用全桥可以增大输出功率.
半桥电路是两个三极管或MOS管组成的振荡,全桥电路是四个三极管或MOS管组成的振荡.全桥电路不容易产生泻流,而半桥电路在振荡转换之间容易泻有电流使波形变坏,产生干扰.半桥电路成本底,电路容易形成,全桥电路成本高,电路相对复杂.
副边线圈里的中心抽头是接输出地的. 再问： 如图所示，当初级电流从上至下的时候，自感电动势耦合到副边就是上负下正，如图3,4脚是正极。1，2脚不是负极吗？那中心抽头11,12,13,14的电压不是正极吗？如果是输出又是怎么回事呢？ 再答： 这时，3、4脚为相对中心抽头是正极，1、2脚相对中心抽头就是负极。这里中心抽头相
半桥整流其实就是原来叫的半波整流,整流后,得到的只是脉冲直流,因为它只是让电路中正向部分通过回路,反向部分被二极管截止了.全桥把反向部分也利用起来了,它输出的就是连续的直流电了.开关电源蛮复杂的,现在的开关电源涉及所有电子电路知识您的浏览器不支持javascript，不能使用此页面的全部功能。
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一种应用于碳纳米管制备的交流脉冲电源研制
　　研制了一台零电压软开关中频交流脉冲放电电源，应用于碳纳米管的制备，以乙炔作为碳源，在反应容器中通入氦气，在两电极之间激发出电弧为碳纳米管生长提供环境。本文给出了交流脉冲电源的设计思路和实现方案。该电源采用三相桥式不可控整流拓扑电路、PWM 整流电路、半桥逆变电路的方案。根据放电过程中电流急剧上升的特点，绕制了具有高漏感的变压器，利用变压器漏感来抑制放电过程电流上升的速率，同时实现了IGBT 的零电压开通。该电源输出峰值电压5kv-12kv 连续可调, 频率为8kHz，脉宽占空比16%~20%可调。通过对放电试验结果的观测，此电源各项指标运行正常，工作稳定，电磁干扰小，具有良好的应用价值。　　该电源设计应用于电弧放电法制备碳纳米管。碳纳米管1991 年由日本NEC 公司的S.Iijima在石墨电弧放电形成的阴极沉积物中发现，是一种具有显著电子特性和机械特性的独特纳米结构。　　自发现以来，对其性质和用途的研究日益增多。由于碳纳米管具有高导电性、高表面积比、高稳定性等特点，于电化学领域的应用非常广泛，比如可用作电化学传感器、超级电容器、锂离子电池等电化学器件的电极材料，并以其优异的电学和热学特性在场发射显示器、场效应晶体管、单电子晶体管等纳电子器件以及集成电路中作为互连线的应用上具有巨大的潜能。常用的碳纳米管制备方法主要有：电弧放电法、激光烧蚀法、化学气相沉积法、固相热解法、辉光放电法、气体燃烧法以及聚合反应合成法等。电弧放电法是以乙炔作为碳源，在反应容器中通入氦气以此保证容器中的含氧量低于安全标准，在两极之间激发出电弧，乙炔裂解沿着激发出的离子生长生成无定型碳和单壁或多壁的碳纳米管。　　随着电力电子器件制作工艺技术的发展，开关电源的工作频率得以不断的提高，电源工作频率的提高在减小电源的体积、重量、提高工作效率的同时也增加了电力电子器件的开关损耗，造成严重的电磁干扰。采用软开关技术可以有效降低IGBT 开通和关断损耗和电磁干扰。要根据要求，在脉冲电源的主电路和控制驱动电路方面做相应的调整和设计，在研制过程中要严格把控尖端的距离、曲率及温度、湿度气压等工作环境的影响。尖端放电时，其阻抗很小，电流很大，如果电流上升太快会对电源本身造成一定的影响并且会导致电压快速拉低。因此需要有意的放大变压器的漏感来抑制电流的上升，同时在电源设计中必须考虑适当的电流检测电路，使该电路检测到过流信号时关断SG3525 脉冲输出。基于此，设计并研制了一台输出峰值电压5kV-12kV 连续可调，频率为8kHz，脉宽占空比16%~20%可调的交流脉冲电源，此电源具有多级短路过流保护保证其工作的可靠性，充分利用变压器的漏感减小了电源的体积。最后实验验证电源工作的可靠性，包括电弧是否具有足够的能量，放电是否会触发电源的短路保护以及电源本身对EMI 电磁干扰的屏蔽能力等。1、设计框图和主电路设计　　1.1、电源电路设计框图　　如图1 所示，电源电路主要由以下几部分组成：(1)三相整流滤波；(2)BUCK 电路；(3)中频逆变；(4) 升压变压器；(5)3525 PWM 输出；(6)过流检测；(7)面板液晶显示　　其中，三相整流滤波、BUCK 电路、逆变电路、LC 谐振电路和变压器组成电源的主回路。单片机和CPLD 完成控制回路和保护回路。通过单片机给定SG3525 的2 脚设定值，电压信号反馈接入SG3525 的1 脚，实现BUCK 电路输出电压闭环控制， 输出电压范围可调。单片机芯片采C，C 拥有8 个8 位的I/O 端口，大量减少了外部连线和器件扩展，有利于提高可靠性和抗干扰能力，特别适用于需大量数据处理的测控领域。单片机还可以通过CAN 通信接收人机界面的电压电流等设定值，并将检测到的数值和故障等信号通过CAN 通信至人机界面进行显示。图1 电源框图　　1.2、主回路设计　　主电路结构如图2 所示。它主要由三相整流滤波电路、绝缘栅双极性晶闸管IGBT1(仿真图2主电路中以sw1-14 开关代替，下同)，反向连接的二极管，电感L1 组成BUCK 电路、电容C2、C3和IGBT2、IGBT3 组成逆变电路、升压变压器组成。　　工作原理为：三相交流电(380V)通过三相整流滤波电路后成为纹波很小的直流电， 经过BUCK 电路实现电压在一定范围内可调，通过半桥逆变电路实现直流到交流的转换，最后通过升压变压器输出所需的电压。图2 主电路结构　　1.3、驱动回路设计　　根据IGBT 的工作特性，理想的IGBT 驱动电路应具有以下性能：　　1、驱动电路为IGBT 提供一定幅值的正反向栅极电压VGE。开通时正向栅极电压的幅值应该令IGBT 产生完全饱和，并使通态损耗最小。关断IGBT 时， 为IGBT 提供-5V～-15V 的反向栅极电压， 以便尽快抽取IGBT 器件内部的存储电荷，缩短关断损耗时间，提高IGBT 的耐压和抗干扰能力。采用反偏压可以减小关断损耗，提高IGBT 工作的可靠性。　　2、驱动电路具有隔离输出、输出信号功能，同时信号的传输延迟低。　　3、栅极回路中必须串联合适的栅极电阻Rg，用以控制栅极电压的前后沿陡度，进而控制IGBT 器件的开关损耗。　　4、驱动电路应该稳定，提供足够的驱动功率。　　图3 示出IGBT 驱动具体电路。IGBT 内部有寄生晶体管，在规定漏极电流范围内，其产生的正偏压不足以使晶体管导通，当漏极电流大到一定程度，正偏压足以使晶体管导通，进而使寄生晶体管导通，栅极失去控制，发生擎柱效应。此时关断无效，集电极电流很大致使IGBT 损坏。当最严重的过电流情况，即短路发生时，电流很快达到额定电流的4~5 倍，此时必须尽快关断器件，否则将很快损坏器件。通常采取的保护措施有软关断和降栅压两种。软关断指在过流和短路时，直接关断IGBT。　　但是，软关断抗骚扰能力差，一旦检测到过流信号就关断，很容易发生误动作。为增加保护电路的抗骚扰能力，可在故障信号与启动保护电路之间加一延时，不过故障电流会在这个延时内急剧上升，大大增加了功率损耗，同时还会导致器件的di/dt 增大。所以往往是保护电路启动了，器件仍然坏了。降栅压旨在检测到器件过流时，马上降低栅压，但器件仍维持导通。降栅压后设有固定延时，故障电流在这一延时期内被限制在一较小值，则降低了故障时器件的功耗，延长了器件抗短路的时间，而且能够降低器件关断时的di/dt，对器件保护十分有利。若延时后故障信号依然存在，则关断器件，若故障信号消失，驱动电路可自动恢复正常的工作状态，因而大大增强了抗骚扰能力。图4示出IGBT 过电流保护电路。图3 IGBT 驱动电路图4 IGBT 驱动过流保护电路　　通过霍尔电流传感器直接检测IGBT 的集电极电流IC，并选择合适的信号电阻R7，使其在正常工作状态下时，R7 两端电压小于6v，则晶体管V1 始终保持截止状态。IGBT 通过栅极电阻R3正常导通和关断。　　当电路发生过电流和短路时，信号电阻R7端电压上升，当电压上升到6.07V 时，晶体管V1导通，电容C2 通过电阻R5 充电，电容电压从零开始上升，a 点电压开始下降，当a 点电压下降到约13.6V 时，晶体管V2 导通，栅极电压VCE 随电容电压的上升而下降，通过调节C1 的数值，可控制电容的充电速度，进而控制VCE 的下降速度；当电容电压上升到电阻R4 钳位电压时或者过流保护结束时，慢降栅极电压过程结束，通过调节电阻R5 的数值可以设定慢降栅压过程结束时，驱动电压VCE 的数值。　　2、结语　　测试结果表明，在电源运行放电期间，电源能正常工作，电磁干扰小，达到了预期设计目标，在占空比等于20%时，IGBT 能实现零电压开通，减小IGBT 的开通损耗，提高了开关电源的工作效率。而在电路仿真中，半桥逆变IGBT 脉冲占空比为28%时才能实现零电压开通，主要是由于在Saber 软件中变压器建模的困难，一方面是由于自行绕制的变压器各项参数控制精确度不高，另一方面是由于Saber 软件中变压器模型不能添加温度，磁芯材料等条件，导致仿真结果与实测有偏差。　　利用变压的漏感抑制了放电时电流的上升，能有效的保护电源。由于该脉冲电源工作频率较高，电磁干扰不可忽视，特别是辐射干扰，所以做好各种干扰的屏蔽是有效的，如机箱外壳可靠的接地就可以很大提高电源的可靠性。　　本文 一种应用于碳纳米管制备的交流脉冲电源研制 为 真空技术网 首发，转载请以链接形式标明本文地址。　　　　更多与 真空应用 中频逆变 相关的文章请阅读：　　真空应用：君，已阅读到文档的结尾了呢~~
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[电子电路]双BUCK半桥逆变器研究
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