C语言基础知识,Keil软件的使用,流水灯、数码管、74HC573、74HC595介绍.doc_百度文库
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74HC57374HC573包含八路3态输出的非反转透明锁存器，是一种高性能硅栅CMOS器件。SL74HC573跟LS/AL573的管脚一样。器件的输入是和标准CMOS输出兼容的，加上拉电阻他们能和LS/ALSTTL输出兼容。.
锁存器/74HC573
输入是和标准 CMOS 输出兼容的；加上拉电阻，他们能和 LS/ALSTTL 输出兼容。当锁存使能端LE为高时，这些器件的锁存对于数据是透明的（也就是说输出同步）。当锁存使能变低时，符合建立时间和保持时间的数据会被锁存。×\u36755X出能直接接到 CMOS，NMOS 和 TTL 接口上×\u25805X作电压范围：2.0V~6.0V74HC573×\u20302X输入电流：1.0uA×CMOS 器件的高噪声抵抗特性·三态总线驱动输出·置数全并行存取·缓冲控制输入·使能输入有改善抗扰度的滞后作用
原理说明/74HC573
74HC573M54HC563/74HC563/M54HC573/74HC573的八个锁存器都是透明的D 型锁存器，当使能（G）为高时，Q 输出将随数据（D）输入而变。当使能为低时，输出将锁存在已建立的数据电平上。输出控制不影响锁存器的内部工作，即老数据可以保持，甚至当输出被关闭时，新的数据也可以置入。这种电路可以驱动大电容或低阻抗负载，可以直接与系统总线接口并驱动总线，而不需要外接口。特别适用于缓冲寄存器，I/O 通道，双向总线驱动器和工作寄存器。
数据锁存/74HC573
当输入的数据消失时，在芯片的输出端，数据仍然保持； 这个概念在并行数据扩展中经常使用到。
1脚三态允许控制端低电平有效
1D~8D为数据输入端
1Q~8Q为数据输出端
74HC573引脚图
LE为锁存控制端;OE为使能端。
逻辑图/74HC573
逻辑图芯片内部逻辑结构电路
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毕业设计论文--数控电压源设计（c语言）
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毕业设计论文--数控电压源设计（c语言）
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数控直流稳压电源
设计任务简要说明·····································3
摘要··········································4
方案论证与比较································5
主要电路单元设计······························7
系统软件设计···································13
4-1 程序设计思路
4-2 程序设计流程图
测试、及结果分析·······································16
部分芯片资料简介·······························17
LM-78XX系列
第七章 ＰＣＢ制板的一些问题····························31
　第八章　制作的心得体会·········································39
　附录··················································40
　参考文献··············································69
设计任务简要说明
数控直流稳压电源
设计并制作一个直流可调稳压电源。
1、基本要求：
当输入交流电压为220v±10%时，输出电压在3-13v可调；
额定电流为0.5A，且纹波不大于10mV；
使用按键设定电压，同时具有常用电平快速切换功能（3v、5v、6v、9v、12v），设定后按键可锁定，防止误触；
显示设定电压和测量电压，显示精度为0.01v。
2、扩展要求：
输出电压在0-13v可调；
额定电流为1A，且纹波不大于1mV；
掉电后可记忆上次的设定值；
两级过流保护功能，当电流超过额定值的20%达5秒时，电路作断开操作；当电流超过额定值的50%时，电路立即断开。具有光提示（如LED）；
其他创新。
禁止直接使用220v直接电阻分压的作法，注意用电安全。
设计与总结报告：方案比较、设计与论证，理论分析与计算，电路图及有关设计文件，测试方法与仪器，测试数据及测试结果分析。
完成第（1）项
完成第（2）项
完成第（3）项
完成第（4）项 15
完成第（1）项 15
完成第（2）项 15
完成第（3）项
完成第（4）项
完成第（5）项 10
第一章 摘要
电源技术尤其是数控电源技术是一门实践性很强的工程技术，服务于各行各
业。电力电子技术是电能的最佳应用技术之一。当今电源技术融合了电气、电子、
系统集成、控制理论、材料等诸多学科领域。随着计算机和通讯技术发展而来的
现代信息技术革命，给电力电子技术提供了广阔的发展前景，同时也给电源提出
了更高的要求。随着数控电源在电子装置中的普遍使用，普通电源在工作时产生
的误差，会影响整个系统的精确度。
数字化智能电源模块是针对传统智能电源模块的不足提出的，数字化能够减少生产过程中的不确定因素和人为参与的环节数，有效地解决电源模块中诸如可靠性、智能化和产品一致性等工程问题，极大地提高生产效率和产品的可靠性。
随着时代的发展，随着人们生活水平的不断提高，数字电子技术已经普及到我们生活，工作，科研，各个领域，,数字化控制无疑是人们追求的目标之一,它所给人带来的方便也是不可否定的。其中数控制直流稳压电源就是一个很好的典型例子,但人们对它的要求也越来越高,要为现代人工作、科研，生活、提供更好的，更方便的设施就需要从数字电子技术入手，一切向数字化，智能化方向发展。
数控电源技术从80年代至今已经有了长足的发展。但其产品存在数控程度达不到要求、分辨率不高、功率密度比较低、可靠性较差的缺点。因此数控电源主要的发展方向，是针对上述缺点不断加以改善。单片机技术及电压转换模块的出现为精确数控电源的发展提供了有利的条件。通过这次比赛学习的机会，我们提出以AT89S51单片机为控制器，运用数字技术和模拟技术相互装换的概念设
正在加载中，请稍后...台积电推出新工艺 LED驱动IC工作电压可达60V
台积电推出新工艺 LED驱动IC工作电压可达60V
　　台积电15日推出模块化BCD(Bipolar,CMOS DMOS)工艺，将可为客户生产高电压的整合LED驱动集成电路产品。 　　这一新的BCD工艺特色在于提供12伏至60伏的工作电压范围，可支持多种LED的应用，包括：LCD平面显示器的背光源、LED显示器、一般照明与车用照明等，且工艺横跨0.6微米至0.18微米，并有数个数字核心模快可供选择，适合不同的数字控制电路闸密度。此外，也提供Cybe
　　台积电15日推出模块化BCD(Bipolar,CMOS DMOS)工艺，将可为客户生产高电压的整合集成电路产品。 　　这一新的BCD工艺特色在于提供12伏至60伏的工作电压范围，可支持多种的应用，包括：LCD平面显示器的背光源、LED显示器、一般与车用照明等，且工艺横跨0.6微米至0.18微米，并有数个数字核心模快可供选择，适合不同的数字控制电路闸密度。此外，也提供CyberShuttleTM共乘试制服务，支持0.25微米与0.18微米工艺的初步功能验证。 　　借着新工艺所提供的多项整合特色，可减少系统产品的物料清单。高压DMOS不仅提供MOSFET开关整合，降低零组件数目外，其他可被整合的零组件还包括：高电压双载子电晶体、高电压/高精密电容器、高电阻多晶硅齐纳二极体(Zenerdiode)等，也可降低外部零组件数，并显著地缩小电路板的面积。 　　DMOS工艺支持专业集成电路制造中领先的漏极至源极导通电阻(Rdson)效能(例如：对一特定的60V NLDMOS元件，当BV&80V时，其Rdson为72mohm-mm2)以及其高电流驱动能力，可由元件尺寸的最佳化来提升功率效率；可靠的安全操作区域(SOA)也能让功率开关与驱动电路更为理想；还有更多详细的特性分析亦可作为有用的参考，使IC设计能达到最佳的芯片尺寸及设计预算。 　　在COMS方面，5伏工作电压能支持占空比脉冲宽度调变器(PulseWidthModulationcontroller)的设计，而2.5伏及1.8伏的逻辑核心，则通用于较高层次的数字整合。除此之外，与逻辑线路相容、单次写入及多次写入均可的记忆体选项，也可提供强化的数字程式设计使用。　　台积电工业电子开发处刘信生处长指出，就驱动元件整合来说，新的的BCD工艺是非常尖端的技术，其相关的工艺设计套件(PDKs)强调高度精准的SPICE模型，提供单芯片设计更多的方便性。除此之外，MismatchingModEL可协助提升目前在多通道LED驱动器设计上的精准度。
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深圳市金脉科技有限公司CMOS集成电路使用时的技术要求
CMOS集成电路使用时的技术要求
& & 1.CMOS集成电路输入端的要求
& & CMOS集成电路具有很高的输入阻抗，其内部输入端接有二极管保护电路.以防范外界干扰、冲击和静电击穿。CMOS集成电路的输入端悬空时输入阻抗高，易受外界噪声干扰，使电路产生误动作。破坏正常的逻辑关系，而且也极易使栅极感应静电造成击穿损坏。所以，对于&与&门、&ldq
& & 1.CMOS集成电路输入端的要求
& & CMOS集成电路具有很高的输入阻抗，其内部输入端接有二极管保护电路.以防范外界干扰、冲击和静电击穿。CMOS集成电路的输入端悬空时输入阻抗高，易受外界噪声干扰，使电路产生误动作。破坏正常的逻辑关系，而且也极易使栅极感应静电造成击穿损坏。所以，对于&与&门、&与非&门CMOS集成电路的多余端采取接高电平措施;对于&或&门、&或非&门CMOS集成电路的多余端采取接低电平措施。如果电路的工作速度要求不高，功耗也不需要特别考虑，则可采用多余的输入端和使用端并用的措施加以解决。输入端的电流不能超过1mA(极限值为10mA)，必须在输入端加适当的电阻进行限流保护(一般在12V的工作电压时，输入端加1.2k&O的电阻进行限流保护)。输入信号不可大于VDD小于VSS,否则输入保护二极管会因正向偏置而引起大电流。在工作或测试时，必须先接通电源后再加信号，先撤除信号后再关电源。如果输入信号的上升或下降时间过长。容易造成虚假触发而导致器件失去正常功能，还会造成损耗。对4000B系列，上升或下降时间限于15us以内。否则，须使用史密特触发电路对输入信号整形。在CMOS集成电路的输入端与机械接点连接或应用在其他特殊情况下，输入端接线过长。使分布电容和分布电感较大，很容易形成LC振荡，破坏CMOS中的保护二极管。
& & CMOS集成电路的工作电源电压一般在3&18V之间.由于CMOS集成电路的工作电压范围宽，不使用稳压的电源电路也可以工作。但当系统中有模拟应用的门电路时，最低工作电压则不应低于4.5V。工作在不同电源电压下的器件，其输出阻抗、工作速度和功耗也会不同.在使用中应注意。CMOS器件输出端不允许直接和VCC或VSS连接，否则将导致器件损坏。
& & 2.防静电要求
& & 如果输入电路中没有一定的抗静电措施，CMOS集成电路很容易造成电路的毁灭性破坏。CMOS集成电路应放在抗静电的材料中储存和运输。工作人员不宜穿化纤衣服、硬塑料底的鞋，手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直、弯曲或人工焊接时.使用的设备必须接地良好。由于保护电路吸收的瞬变能量有限，太大的瞬变信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。在焊接CMOS管脚时，电烙铁必须可靠接地，利用电烙铁断电后的余热焊接，并先焊接其接地脚，以防电烙铁漏电击穿器件输入端。总而言之，CMOS集成电路在包装、储存、运输、焊接等环节中可能产生的静电问题，仍须谨慎对待，采取各种措施预防，并且接地良好、可靠。
& & 3.接口与驱动要求
& & CMOS集成电路与运放接口时。运放如果使用单电源。并且与CMOS使用的电源一样，则可直接连接。如果运放采用双电源。CMOS采用的是独立的另一组电源，在电路中，则要采用钳位保护电路，使CMOS输入电压处在10V与地之间。接口电阻既作为CMOS的限流电阻，又对二极管进行限流保护。逻辑器件的接口电路主要应注意电平匹配和输出能力两个问题，要和器件的电源电压结合起来考虑。例如，CMOS集成电路和TTL等其他电路的连接.其电路相互之间的电源电压和输入、输出电平及电流不相同，则其前级电路的输出电流必须满足后级电路对输入电流的要求：前级电路输出的逻辑电平必须满足后级电路对输入电平的要求，它们之间的连接是通过电平转换或电流转换电路完成的。CMOS集成电路既可以将同一个芯片几个同类电路并接起来提高驱动能力。也可以选用驱动能力较强的缓冲放大器来提高驱动能力。 &
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