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触摸显示器现已成为技术密集、资金密集型高新技术产业，透明导电材料则是触摸显示器的主要材料之一。触摸显示器之所以能显示特定的
触摸显示器现已成为技术密集、资金密集型高新技术产业，透明导电材料则是触摸显示器的主要材料之一。触摸显示器之所以能显示特定的图形，并对人们的触控动作有所互动，就是利用导电材料上的透明导电电膜，经蚀刻制成特定形状的电极，在这些电极上加适当电压信号，显示出与电极波长相对应的图形，并把侦测手指在触摸显示器上动作时所产生的电容变量返回处理器中。
在氧化物导电膜中，以掺Sn的In2O3（ITO）膜透过率最高，导电性能也最好，而且容易在酸液中蚀刻出微细的图形。
ITO是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两个主要的性能指标：电阻率和光透过率。
目前ITO导电膜的电阻率一般在5*10-4左右，最好可达5*10-5，已接近金属的电阻率，在实际应用时，常以方块电阻来表征ITO的导电性能，其透过率则可达90%以上，ITO膜的透过率和阻值分别由In2O3与Sn2O3的比例控制，增加氧化锢比例则可提高ITO透过率，通常Sn2O3： In2O3=1：9，因为氧化锡厚度超过200埃时，通常透明度已不够好---虽然导电性能很好。
如果是电流平行流经ITO镀层的情形，其中d为膜厚，I为电流，L1为在电流方向上膜厚层长度，L2为在垂直于电流方向上的膜层长度，当电流流过方形导电膜时，该层电阻
R=PL1/dL2。
式中P为导电膜的电阻率，对于给定膜层，P和d可视为定值，当L1=L2时，其正方形膜层，无论方块大小如何，其电阻均为定值P/d，此即方块电阻定义： R□=P/d，式中R□单位为：奥姆/□（&O/□），由此可所出方块电阻与IOT膜层电阻率P和ITO膜厚d有关且ITO膜阻值越低，膜厚越大。
目前在高档触摸显示器中所用ITO导电膜，其R□可达10&O/□左右，ITO膜厚为100~200um，而一般产品的ITO导电膜的R□为100~300&O/□，ITO膜厚为20~30um。
在进行触摸显示器走线设计时，由ITO阻计算方式，可知影响ITO阻值有如下因素：
1、ITO膜层之方块电阻。要确保走线电阻小，应让ITO膜层方块电阻小，因为R□=P/d，则必须选P小，d适当大些的材料。
L1/L2即走线在平行电流方向与垂直电流方向上的长度比，在R□一定时，要保证走线电阻值小，就要让L1/L2小，当L1一定时，只有增大L2，也说法是在设计时，走线应尽可能加宽;而当L2一定时，L1就要小，即走线宽度一定时，细线应尽可能短。
3、在触摸显示器设计当中，不仅要考虑走线布对ITO阻值的影响，还要考虑生产工艺对ITO阻值的影响，以便选择适当方块电阻的ITO导电材料，如ITO膜厚的均匀性。因为ITO的耙材及工艺的为稳定，会使同样长度与宽度的ITO阻值发生变化，如目标值为10&O时，其R□范围在8~12&O之间，所以在生产中要使用ITO膜厚均匀的导电膜层，以减少电阻的变化；其次为ITO膜层的耐高温时性，酸碱性，因为通常触摸显示器生产工艺中要使用高温烘烤及各种酸碱液的浸泡，而一般在300&C *30min的环境中，会使R□增大2-3倍，而在10wt%NaOH*5min及6wt%HCL*2min（60&C）下也会增到1.1倍左右。由此可知，在生产工艺中不宜采用高温生产及酸碱的长时清洗，若无法避免，则应尽量在低温下进行并尽量缩短动作时间。
4、由于在触摸显示器中，ITO方块电阻等效于电路图中的分压电阻，其阻值大小直接影响电路两端电压的大小，即方块电阻越大，电压越大。
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精彩评论：
网友09月09日 13:50
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小编的水平和能力笑死人！跌0.9就是急挫！！！好笑！！手机报，真是混X吃！...
09月05日 13:34
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09月02日 11:12
我的今早上烧了，找谁赔好...
08月31日 17:04
ltps的cell跌的这么惨。...
08月31日 09:50
水平很低，几个月前的新闻也拿来放在头条！br /
网友08月22日 10:42
为什么三星用光学式屏幕指纹就是神盾的呢？没听说神盾有在做光学指纹啊？...
08月17日 18:08
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08月15日 18:52
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08月15日 18:49
中国制造业强...工具类服务
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缓冲层在提高透明导电膜性能方面的实验与理论研究
采用射频磁控溅射技术，在玻璃衬底上成功制备出了具有TiO2缓冲层的AZO薄膜。利用XRD和扫描电镜(SEM)等分析手段对薄膜的结构和表面形貌进行了表征；利用霍耳测试仪和分光光度计分别对薄膜的电学和光学特性进行了测量。分析了缓冲层厚度对AZO薄膜特性的影响；对样品进行了真空快速退火处理，研究了快速退火对不同厚度缓冲层的AZO薄膜的影响以及退火前后样品性质的变化；在空气气氛下对样品进行了热处理，研究了温度变化对薄膜特性的影响，以及缓冲层厚度对薄膜稳定性的影响。具体结果如下：　　
1．衬底温度为室温下，制备了具有不同厚度缓冲层的AZO薄膜样品，膜层总厚度为610nm，X射线衍射实验结果表明：glass/TiO2/AZO薄膜是多晶薄膜。在衍射角2θ=20°～80°范围内的X射线衍射图谱中，可以明显观察到ZnO的(002)衍射峰，并发现随TiO2缓冲层的厚度增大，薄膜晶粒有增大的趋势。测量薄膜样品的电学特性发现，glass/TiO2/AZO薄膜为n型半导体，当TiO2缓冲层厚度为3.6nm时，薄膜电阻率达到最小值5.9×10-4Ω·cm，与相同厚度的glass/AZO薄膜相比，电阻率下降了65.3％，透过率也高于glass/AZO薄膜。glass/AZO薄膜和glass/TiO2(3.6nm)/AZO薄膜的禁带宽度分别为3.52eV和3.58eV。　　
2．将制备的薄膜样品放在快速退火炉中退火，真空度为0.1Pa，退火温度为500℃，退火时间为120s。退火后的薄膜与退火前的薄膜做对比研究发现，退火处理后，所有glass/TiO2/AZO薄膜的品质因子都明显变大，并发现具有TiO2缓冲层的AZO薄膜与单层AZO薄膜相比，其(002)衍射峰强度明显变强，电阻率下降，平均透过率略有增大。比较glass/TiO2(3nm)/AZO薄膜退火前后的性能，发现退火后薄膜衍射峰峰位更接近于标准值，晶粒尺寸增大，应力减小，电阻率由9.45×10-4Ω.cm减小为4.57×10-4Ω.cm，退火后的样品透过率曲线出现蓝移，退火前后的光学能隙分别为3.58eV和3.61eV。　　
3．在空气气氛下对薄膜样品进行了热处理，研究其稳定性。发现加热温度低于300℃时，薄膜性能几乎没有变化。当温度高于300℃时，薄膜性能变差，但随着TiO2缓冲层厚度的增加，方块电阻增大变缓，透过率变化不大，其大小为90％左右。相同处理温度下，glass/TiO2(4.8nm)/AZO薄膜的晶粒尺寸要大于单层AZO薄膜晶粒尺寸。经400℃热处理后，薄膜性能变化较大，薄膜的吸收边均发生红移现象，glass/TiO2(4.8nm)/AZO薄膜的光学带隙较单层AZO薄膜的宽。
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万方数据电子出版社ITO薄膜方块电阻测试方法的探讨--《真空》2014年03期
ITO薄膜方块电阻测试方法的探讨
【摘要】：针对ITO薄膜方块电阻测试方法,文章探讨了常规的四探针法与双电测四探针法在实际生产中的适应性、准确性。根据玻璃基板上的ITO薄膜和聚脂薄膜上的ITO薄膜的结构、物理特性不同特点,测试方块电阻时应注意的细节作出了必要的阐述。并对生产中有关方块电阻测试的注意事项作出详细说明。
【作者单位】：
【关键词】：
【分类号】：TM934.1【正文快照】：
ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜,通常有两个性能指标:方块电阻(面电阻)和透过率,在氧化物导电膜中,以掺Sn的In2O3(ITO)膜的透过率最高和导电性能最好,而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形。其透过率可达90%以上,ITO薄膜的透过率和面电阻值分别由In2O3与Sn2O3之比例来控制,
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