一种输入12V输出9一20V外表带散热片 英文的电子元件叫什么名称
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时间：2017-08-16 15:34
电子元器件基础知识大全
电子元器件知识大全电子元器件基础知识Ⅰ.电阻 导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号 R 表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别 用Ω 、KΩ 、MΩ 表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） 第一部分：主称 ，用字母表示，表示产品的名字。如 R 表示电阻，W 表示电位器。 第二部分：材料 ，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、 S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、 T-可调。 第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性 能指标等 例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻 二、电阻器的分类 1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电 阻器。 2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、 化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。 3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。 4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、 湿敏电阻器。 三、电阻器主要特性参数 1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。 2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表 示电阻器的精度。允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或 00)、± 2%-0.2(或 0)、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级 3、额定功率：在正常的大气压力 90-106.6KPa 及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下， 电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。 线绕电阻器额定功率系列为（W） ：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、 40、50、75、100、150、250、500 非线绕电阻器额定功率系列为（W） ：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100 4、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。 5、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。 6、温度系数：温度每变化 1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳 定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。第 1 页 共 88 页 电子元器件知识大全7、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻 器寿命长短的参数。 8、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化 1 伏，电阻器的相对变化量。 9、噪声：产生于电阻器中的一种不规则的电压起伏，包括热噪声和电流噪声两部分， 热噪声是由于导体内部不规则的电子自由运动，使导体任意两点的电压不规则变化。 四、电阻器阻值标示方法 1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示， 若电阻上未注偏差，则均为±20%。 2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许 偏差也用文字符号表示。 符号前面的数字表示整数阻值， 后面的数字依次表示第一位小数阻 值和第二位小数阻值。 表示允许误差的文字符号 文字符号 D F G J K M 允许偏差 ±0.5% ±1% ±2% ±5% ±10% ±20% 3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到右，第一、二 位为有效值，第三位为指数，即零的个数，单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。 4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大 部分采用色标法。 黑-0、棕-1、红-2、橙-3、黄-4、绿-5、蓝-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、银-±10%、 无色-±20% 当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色，前两位为有效数字， 第三位为乘方数， 第四位为偏差。 当电阻为五环时，最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字， 第四位为乘方 数， 第五位为偏差。五、常用电阻器第 2 页 共 88 页 电子元器件知识大全1、电位器 电位器是一种机电元件， 他靠电刷在电阻体上的滑动， 取得与电刷位移成一定关系的输 出电压。 1.1 合成碳膜电位器 电阻体是用经过研磨的碳黑，石墨，石英等材料涂敷于基体表面而成，该工艺简单，是 目前应用最广泛的电位器。特点是分辩力高耐磨性好，寿命较长。缺点是电流噪声，非线性 大， 耐潮性以及阻值稳定性差。 1.2 有机实心电位器 有机实心电位器是一种新型电位器， 它是用加热塑压的方法， 将有机电阻粉压在绝缘体 的凹槽内。有机实心电位器与碳膜电位器相比具有耐热性好、功率大、可靠性高、耐磨性好 的优点。但温度系数大、动噪声大、耐潮性能差、制造工艺复杂、阻值精度较差。在小型化、 高可靠、高耐磨性的电子设备以及交、直流电路中用作调节电压、电流。 1.3 金属玻璃铀电位器 用丝网印刷法按照一定图形， 将金属玻璃铀电阻浆料涂覆在陶瓷基体上， 经高温烧结而 成。特点是：阻值范围宽，耐热性好，过载能力强，耐潮，耐磨等都很好，是很有前途的电 位器品种，缺点是接触电阻和电流噪声大。 1.4 绕线电位器 绕线电位器是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体， 并把它绕在绝缘骨架上制成。 绕线电 位器特点是接触电阻小，精度高，温度系数小，其缺点是分辨力差，阻值偏低，高频特性差。 主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。 1.5 金属膜电位器 金属膜电位器的电阻体可由合金膜、 金属氧化膜、 金属箔等分别组成。 特点是分辩力高、 耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好。 1.6 导电塑料电位器 用特殊工艺将 DAP（邻苯二甲酸二稀丙脂）电阻浆料覆在绝缘机体上，加热聚合成电 阻膜，或将 DAP 电阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体。特点是：平 滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可靠性极高、耐化学腐蚀。用于宇宙装 置、导弹、飞机雷达天线的伺服系统等。 1.7 带开关的电位器 有旋转式开关电位器、推拉式开关电位器、推推开关式电位器 1.8 预调式电位器 预调式电位器在电路中，一旦调试好，用蜡封住调节位置，在一般情况下不再调节。 1.9 直滑式电位器 采用直滑方式改变电阻值。 1.10 双连电位器 有异轴双连电位器和同轴双连电位器 1.11 无触点电位器 无触点电位器消除了机械接触， 寿命长、 可靠性高， 分光电式电位器、 磁敏式电位器等。 2、实芯碳质电阻器 用碳质颗粒壮导电物质、填料和粘合剂混合制成一个实体的电阻器。特点：价格低廉， 但其阻值误差、噪声电压都大，稳定性差，目前较少用。 3、绕线电阻器 用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成， 外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆。 绕线电阻具有第 3 页 共 88 页 电子元器件知识大全较低的温度系数，阻值精度高， 稳定性好，耐热耐腐蚀，主要做精密大功率电阻使用，缺 点是高频性能差，时间常数大。 4、薄膜电阻器 用蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。主要如下： 4.1 碳膜电阻器 将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度 系数和电压系数低，是目前应用最广泛的电阻器。 4.2 金属膜电阻器。 用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。金属膜电阻比碳膜电阻的精度 高，稳定性好，噪声， 温度系数小。在仪器仪表及通讯设备中大量采用。 4.3 金属氧化膜电阻器 在绝缘棒上沉积一层金属氧化物。 由于其本身即是氧化物， 所以高温下稳定， 耐热冲击， 负载能力强。 4.4 合成膜电阻 将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得， 因此也叫漆膜电阻。 由于其导电层呈现颗粒状 结构，所以其噪声大，精度低，主要用他制造高压， 高阻， 小型电阻器。 5、金属玻璃铀电阻器 将金属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基板上。 耐潮湿， 高温， 温度系数 小，主要应用于厚膜电路。 6、贴片电阻 SMT 片状电阻是金属玻璃铀电阻的一种形式， 他的电阻体是高可靠的钌系列玻璃铀材料经过 高温烧结而成，电极采用银钯合金浆料。体积小，精度高，稳定性好，由于其为片状元件， 所以高频性能好。 7、敏感电阻 敏感电阻是指器件特性对温度，电压，湿度，光照，气体， 磁场，压力等作用敏感的 电阻器。 敏感电阻的符号是在普通电阻的符号中加一斜线，并在旁标注敏感电阻的类型， 如：t. v 等。 7.1、压敏电阻 主要有碳化硅和氧化锌压敏电阻，氧化锌具有更多的优良特性。 7.2、湿敏电阻 由感湿层，电极，绝缘体组成，湿敏电阻主要包括氯化锂湿敏电阻，碳湿敏电阻，氧化 物湿敏电阻。 氯化锂湿敏电阻随湿度上升而电阻减小， 缺点为测试范围小， 特性重复性不好， 受温度影响大。碳湿敏电阻缺点为低温灵敏度低，阻值受温度影响大，由老化特性，较少使 用。氧化物湿敏电阻性能较优越，可长期使用，温度影响小，阻值与湿度变化呈线性关系。 有氧化锡，镍铁酸盐，等材料。 7.3、光敏电阻 光敏电阻是电导率随着光量力的变化而变化的电子元件， 当某种物质受到光照时， 载流 子的浓度增加从而增加了电导率，这就是光电导效应。 7.4、气敏电阻 利用某些半导体吸收某种气体后发生氧化还原反应制成， 主要成分是金属氧化物， 主要 品种有：金属氧化物气敏电阻、复合氧化物气敏电阻、陶瓷气敏电阻等。 7.5、力敏电阻 力敏电阻是一种阻值随压力变化而变化的电阻， 国外称为压电电阻器。 所谓压力电阻效 应即半导体材料的电阻率随机械应力的变化而变化的效应。 可制成各种力矩计， 半导体话筒，第 4 页 共 88 页 电子元器件知识大全压力传感器等。主要品种有硅力敏电阻器，硒碲合金力敏电阻器，相对而言，合金电阻器具 有更高灵敏度。 7.6、热敏电阻 热敏电阻是敏感元件的一类,其电阻值会随着热敏电阻本体温度的变化呈现出阶跃性的 变化,具有半导体特性. 热敏电阻按照温度系数的不同分为: 正温度系数热敏电阻(简称 PTC 热敏电阻) 负温度系数热敏电阻(简称 NTC 热敏电阻)正温度热敏电阻(PTC Thermistor)PTC 是 Positive Temperature Coefficient 的缩写,意思是正的温度系数,泛指正温度系数 很大的半导体材料或元器件.通常我们提到的 PTC 是指正温度系数热敏电阻,简称 PTC 热敏 电阻. PTC 热敏电阻是一种典型具有温度敏感性的半导体电阻,超过一定的温度(居里温度)时, 它的电阻值随着温度的升高呈阶跃性的增高. PTC 热敏电阻根据其材质的不同分为: 陶瓷 PTC 热敏电阻 有机高分子 PTC 热敏电阻 恒温加热用 PTC 热敏电阻 过流保护用 PTC 热敏电阻目前大量被使用的 PTC 热敏电阻种类:第 5 页 共 88 页 电子元器件知识大全空气加热用 PTC 热敏电阻 延时启动用 PTC 热敏电阻 传 感 器用 PTC 热敏电阻 自动消磁用 PTC 热敏电阻一般情况下,有机高分子 PTC 热敏电阻适合过流保护用途,陶瓷 PTC 热敏电阻可适用于 以上所列各种用途.负温度热敏电阻(NTC Thermistor)NTC 是 Negative Temperature Coefficient 的缩写,意思是负的温度系数,泛指负温度系数 很大的半导体材料或元器件.通常我们提到的 NTC 是指负温度系数热敏电阻,简称 NTC 热敏 电阻.第 6 页 共 88 页 电子元器件知识大全NTC 热敏电阻是一种典型具有温度敏感性的半导体电阻,它的电阻值随着温度的升高呈 阶跃性的减小. NTC 热敏电阻是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成 的.这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材 料.温度低时，这些氧化物材料的载流子（电子和孔穴）数目少，所以其电阻值较高；随着 温度的升高，载流子数目增加，所以电阻值降低.NTC 热敏电阻根据其用途的不同分为:功率型 NTC 热敏电阻 补偿型 NTC 热敏电阻 测温型 NTC 热敏电阻Ⅱ.电容 电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合， 旁路，滤波， 调谐回路， 能量转换， 控制电路等方面。 C 表示电容， 用 电容单位有法拉 （F） 微法拉 、 （uF） 、 皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF 一、电容器的型号命名方法 国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器） 。依次分别 代表名称、材料、分类和序号。 第一部分：名称，用字母表示，电容器用 C。 第二部分：材料，用字母表示。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。 第四部分：序号，用数字表示。 用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电 解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有 机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介 二、电容器的分类 按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。 按电解质分类有： 有机介质电容器、 无机介质电容器、 电解电容器和空气介质电容器等。 按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。 高频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器。 低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。 滤 波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。 调 谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。 高频耦合：陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。 低频耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器。 小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电容器、固体钽 电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。 三、常用电容器第 7 页 共 88 页 电子元器件知识大全1、铝电解电容器 用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成， 薄的化氧化膜作介质的电容器. 因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大，能耐受大的脉动电流容量误 差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在 25kHz 以上频率低频旁 路、信号耦合、电源滤波 2、钽电解电容器 用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、 频率特性和可*性均优于普通 电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体 积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差， 若损坏易呈短路状态超小型高可 *机件中 3、薄膜电容器 结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好，介电损 耗小不能做成大的容量，耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路 4、瓷介电容器 穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，频率特 性好，介电损耗小，有温度补偿作用不能做成大的容量，受振动会引起容量变化特别适于高 频旁路 5、独石电容器 (多层陶瓷电容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不 可分割的整体，外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可*和耐高温的新型电容器，高 介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能，体积极小，Q 值高容量误差较大噪声旁路、 滤波器、积分、振荡电路 6、纸质电容器 一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为 0.008～0.012mm 的电容器纸隔开重叠卷绕 而成。制造工艺简单，价格便宜，能得到较大的电容量 一般在低频电路内，通常不能在高于 3～4MHz 的频率上运用。油浸电容器的耐压比普 通纸质电容器高，稳定性也好，适用于高压电路 7、微调电容器 电容量可在某一小范围内调整，并可在调整后固定于某个电容值。 瓷介微调电容器的 Q 值高，体积也小，通常可分为圆管式及圆片式两种。 8、云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东，结构简单，但稳定性较差。 线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的，故容量只能变小，不适合在 需反复调试的场合使用 9、陶瓷电容器 用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并 用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。 具有小的正电容温度系数的电容器， 用于高稳定振荡回路中， 作为回路电容器及垫整电 容器。 低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用， 或对稳定性和损耗 要求不高的场合〈包括高频在内〉 。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉 冲电压击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路 云母电容器就结构而言， 可分为箔片式及被银式。 被银式电极为直接在云母片上用真空 蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比 箔片式高。频率特性好，Q 值高，温度系数小不能做成大的容量广泛应用在高频电器中，并 可用作标准电容器第 8 页 共 88 页 电子元器件知识大全10、 玻璃釉电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成， 介质再以银层电 极经烧结而成&独石&结构性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在 200℃ 或更高温度下工作，额定工作电压可达 500V，损耗 tgδ 0. 四、电容器主要特性参数： 1、标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。 电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。 精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、 Ⅲ-±20%、 Ⅳ-（+20%-10%） 、Ⅴ-（+50%-20%） 、Ⅵ-（+50%-30%） 一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。 2、额定电压 在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值， 一般直接 标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久 损坏。 3、绝缘电阻 直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻. 当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉0.1uf 时，主要取决于介质的性能， 绝缘电阻越小越好。 电容的时间常数： 为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数， 他等于电容 的绝缘电阻与容量的乘积。 4、损耗 电容在电场作用下， 在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。 各类电容都规定了其 在某频率范围内的损耗允许值， 电容的损耗主要由介质损耗， 电导损耗和电容所有金属部分 的电阻所引起的。 在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的 作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。 5、频率特性 随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。 五、电容器容量标示 1、直标法 用数字和单位符号直接标出。如 01uF 表示 0.01 微法，有些电容用“R”表示小数点， 如 R56 表示 0.56 微法。 2、文字符号法 用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如 p10 表示 0.1pF,1p0 表示 1pF,6P8 表示 6.8pF, 2u2 表示 2.2uF. 3、色标法 用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。 电容器偏差标志符号：+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、 +50%-20%--S、+80%-20%--Z。 六．选用电容电容器常识 1．电容器装接前应进行测量，看其是否短路、断路或漏电严重，并在装入电路时使电容器第 9 页 共 88 页 电子元器件知识大全的标志顺序一致。 2．电路中电容两端的电压不能超过电容器本身的工作电压。装接时注意正、负极性不能装 反（电解电容有正负极之分） 。 3． 当现有电容器与电路要求的容量或耐压不合适时， 可以采用串联或并联的方法予以适应。 当两个工作电压不同的电容器并联时， 耐压值取决于低的电容器； 当两个容量不同的电容器 串联时，容量小的电容器所承受的电压高于容量大的电容器。 4．技术要求不同的电路，应选用不同类型的电容器。例如，谐振回路中需要介质损耗小的 电容器，应选用高频陶瓷电容器（CC 型，即药片形）或云母电容器；隔直、耦合电容可选 独石、涤纶、电解等电容器；低频滤波电路（即整流电路）一般应选用电解电容器；旁路电 容可选涤纶、独石、陶瓷和电解电容器。 5．选用电容器时应根据电路中信号频率的高低来选择，一个电容器可等效成 R、L、C 二端 线性网络，不同类型的电容器其等效参数 R、L、C 的差异很大。等效电感大的电容器（如 电解电容器）不适合用于耦合、旁路高频信号；等效电阻大的电容器不适合用于 Q 值要求 高的振荡回路中。为满足从低频到高频滤波旁路的要求，在实际电路中，常将一个容量大的 电解电容器与一个小容量的、适合于高频的电容器并联使用。 七. 什么是旁路电容和去耦电容、滤波电容及其作用滤波电容－用在电源整流电路中，用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。 去耦电容－用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。 旁路电容_用在有电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利通过。 去耦电容作用：去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的 RF 能量。去耦电容还可以为器件供局 部化的 DC 电压源，它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。 旁路电容作用： 从元件或电缆中转移出不想要的共模 RF 能量。 这主要是通过产生 AC 旁路消除无意的能量 进入敏感的部分， 还可以提供基带滤波功能（带宽受限） 。我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为二是滤除该器件产 生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。 在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。对 于，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为称退耦电容，是把输出信号的干扰作为比较小， 根据谐振频率一般是 0.1u，0.01u 等； 而去耦合电容一般比较大，是 10u 或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。 数字电路中典型的去耦电容值是 0.1F。 电容的分布电感的典型值是 5H。0.1F 的去耦电容有 5H 的分布电感， 它的并行共振频率大约在 7MHz 左右， 也就是的去耦效果， 40MHz 以上的噪声几乎不起作用。 对 1F、 10F 的电容，并行共振频率在 20MHz 以上，去除高频噪声的效果要好一些。每 10 片左右集成电路要加一 片充放电电容，或 1 个蓄能电容，可选 10F 左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这 种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按 C=&1&/F，即 10MHz 取 0.1F，100MHz 取 0.01F。第 10 页 共 88 页 电子元器件知识大全Ⅲ.二极管 几乎在所有的电子电路中， 都要用到半导体二极管， 它在许多的电路中起着重要的作用， 它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。 一．二极管的应用 1、整流二极管 利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。 2、开关元件 二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电 压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以 组成各种逻辑电路。 3、限幅元件 二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为 0.7V，锗管为 0.2V） 。利用这 一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。 4、继流二极管 在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。 5、检波二极管 在收音机中起检波作用。 6、变容二极管（二极管反接） 使用于电视机的高频头中，反向电压越大，电容越小。 7、LED 发光二极管/显示元件 用于指示灯、数码管或用于新型电视机显示器上。二．常用二极管及其参数 型号 05Z6.2Y 05Z7.5Y 05Z13X 05Z15Y 05Z18Y 1N2 1N4 1N6 1N8 1N2 1N5393 用途 最大反压，最大反向电流 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V,Pzm=500mW, 硅稳压二极管 Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW, 硅稳压二极管 Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW, 硅稳压二极管 Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW, 硅稳压二极管 Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW, 硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A) 硅整流二极管 100V, 1A, 硅整流二极管 200V, 1A, 硅整流二极管 400V, 1A, 硅整流二极管 600V, 1A, 硅整流二极管 800V, 1A, 硅整流二极管 1000V, 1A, 开关二极管 75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V, 硅整流二极管 50V, 1.5? ,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50? ) 硅整流二极管 100V,1.5? , 硅整流二极管 200V,1.5? ,第 11 页 共 88 页 电子元器件知识大全1N5 1N7 1N9 1N1 1N3 1N5 1N7 1N5408硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管300V,1.5? , 400V,1.5? , 500V,1.5? , 600V,1.5? , 800V,1.5? , ? , 50V, 3? ,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150? ) 100V,3? , 200V,3A, 300V,3A, 400V,3A, 500V,3A, 600V,3A, 800V,3A, 1000V,3A,Ⅳ。晶体三极管晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、 开关、稳压、信号调制、混频和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于 输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关 （如 Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可 以非常之快，在实验室中的切换速度可达 100GHz 以上。 半导体三极管，是内部含有两个 PN 结，外部通常为三个引出电极的半导 体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采 用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为 TTL 电路， 它属于半导体集成电路的一种， 其中用得最普遍的是 TTL 与非门。 TTL 与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅 片上，封装成一个独立的元件。半导体三极管是电路中应用最广泛的器件之一， 在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 半导体三极管主要分为两大类： 双极性晶体管 （BJT） 和场效应晶体管 （FET） 。 晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由 N 型跟 P 型组成发射极 （Emitter）、基极 (Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极， 分别是源极 （Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极 性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE 组态）、 基极接地、集电极接地。最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面，其次是阻 抗匹配、讯号转换??等，晶体管在电路中是个很重要的组件，许多精密的组件 主要都是由晶体管制成的。 三极管的导通 三极管处于放大状态还是开关状态要看给三极管基极加的直 流偏置，随这个电流变化，三极管工作状态由截止-线性区-饱和状态变化而变，第 12 页 共 88 页 电子元器件知识大全如果三极管 Ib（直流偏置点）一定时，三极管工作在线性区，此时 Ic 电流的变 化只随着 Ib 的交流信号变化，Ib 继续升高，三极管进入饱和状态，此时三极管 的 Ic 不再变化，三极管将工作在开关状态。 三极管为开关管使用时工作在饱和状态 1，用放大状态 1 表示不是很科学。 请对照三极管手册的 Ib；Ic 曲线加以参考我的回答来理解三极管的工作状 态，三极管 be 结和 ce 结导通三极管才能正常工作。 如果三极管没有加直流偏置时，放大电路时输入的交流正弦信号正半周时， 基极对发射极而言是正的，由于发射结加的是反向电压，此时没有基极电流和集 电极电流，此时集电极电流变化与基极反相，在输入电压的负半周，发射极电位 对于基极电位为正的，此时由于发射极加的是正向电压，才有基极和集电极电流 通过，此时集电极电流变化与基极同相， 在三极管没有加直流偏置时三极管 be 结和 ce 结导通，三极管放大电路将只有半个波输出将产生严重的失真。 晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷 术，汽车和电话等发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动 （active）元件。晶体管在当今社会的重要性，主要是因为晶体管可以使用高度 自动化的过程，进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成 本。 虽然数以百万计的单体晶体管还在使用，但是绝大多数的晶体管是和电阻、 电容一起被装配在微芯片（芯片）上以制造完整的电路。模拟的或数字的或者这 两者被集成在同一块芯片上。设计和开发一个复杂芯片的成本是相当高的，但是 当分摊到通常百万个生产单位上，每个芯片的价格就是最小的。一个逻辑门包含 20 个晶体管，而 2005 年一个高级的微处理器使用的晶体管数量达 2.89 亿个。 晶体管的低成本、灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如 数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通 常是更便宜、更有效地，仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的 机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。 因为晶体管的低成本和后来的电子计算机、数字化信息的浪潮来到了。由于 计算机提供快速的查找、分类和处理数字信息的能力，在信息数字化方面投入了 越来越多的精力。今天的许多媒体是通过电子形式发布的，最终通过计算机转化 和呈现为模拟形式。受到数字化革命影响的领域包括电视、广播和报纸。（）双极型三极管 一．双极型三极管介绍 双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor―BJT）又称为半导体三极管，它是通过一 定的工艺将两个 PN 结结合在一起的器件， PNP 和 NPN 两种组合结构； 有 外部引出三个极： 集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基 区在中间） ；BJT 有放大作用，重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实 现的，为了保证这一传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基 区杂质浓度，同时基区厚度要很小，另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置（加正 向电压） 、集电结要反偏置；BJT 种类很多，按照频率分，有高频管，低频管，按照功率分， 有小、中、大功率管，按照半导体材料分，有硅管和锗管等；其构成的放大电路形式有：共 发射极、共基极和共集电极放大电路。第 13 页 共 88 页 电子元器件知识大全二、国内外三极管命名方法 1．中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN 型管、激光器件的 型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N 型锗材料、 B-P 型锗材料、C-N 型硅材料、D-P 型硅材料。表示三极管时：A-PNP 型锗材料、B-NPN 型 锗材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN 型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小 功率管(F&3MHz,Pc&1W)、G-高频小功率管（f&3MHz,Pc&1W） ―低频大功率管 、D （f&3MHz,Pc&1W） 、A-高频大功率管（f&3MHz,Pc&1W） 、T-半导体晶闸管（可控整流器） 、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、 PIN-PIN 型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如：3DG18 表示 NPN 型硅材料高频三极管 3CX 系列低频小功率三极管 3DX 系列低频小功率三极管 3AG 系列高频小功率三极管 3DG 系列高频小功率三极管 3CG 系列高频小功率三极管 3CG 系列高频中功率三极管 3DG 系列高频中功率三极管 2、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号 意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器 件的组合管、1-二极管、2 三极或具有两个 pn 结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三 个 pn 结的其他器件、┄┄依此类推。 第二部分： 日本电子工业协会 JEIA 注册标志。 S-表示已在日本电子工业协会 JEIA 注册登记 的半导体分立器件。 第三部分： 用字母表示器件使用材料极性和类型。 A-PNP 型高频管、 B-PNP 型低频管、 C-NPN 型高频管、 D-NPN 型低频管、 控制极可控硅、 F-P G-N 控制极可控硅、 H-N 基极单结晶体管、 J-P 沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会 JEIA 登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开 始，表示在日本电子工业协会 JEIA 登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同 一顺序号；数字越大，越是近期产品。 第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F 表示这一器件是 原型号产品的改进产品。 3、美国半导体分立器件型号命名方法第 14 页 共 88 页 电子元器件知识大全美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法 如下： 第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、 JANS-宇航级、 （无）-非军用品。 第二部分：用数字表示 pn 结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个 pn 结器件、n-n 个 pn 结器 件。 第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA） 注册登记。 第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺 序号。 第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如： JAN2N3251A 表示 PNP 硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、 3251-EIA 登记顺序号、A-2N3251A 档。 4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等 东欧国家， 大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。 这种命名方法由四个基 本部分组成，各部分的符号及意义如下： 第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度 Eg=0.6~1.0eV 如锗、 B-器件使用材料的 Eg=1.0~1.3eV 如硅、C ―器件使用材料的 Eg&1.3eV 如砷化镓、D-器件使 用材料的 Eg&0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料 第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、 C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、 F-高频小功率三极管、G-复 合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。 第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、 一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。 第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件 按某一参数进行分档的标志。 除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下： 1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范 围，字母 A、B、C、D、E 分别表示容许误差为± 1%、± 2%、±5%、± 10%、± 15%；其后缀 第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母 V，代表小数点， 字母 V 之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。 2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。 3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值 较小的那个电压值。 如：BDX51-表示 NPN 硅低频大功率三极管，AF239S-表示 PNP 锗高频小功率三极管。 5、欧洲早期半导体分立器件型号命名法 欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。 第一部分：O-表示半导体器件第 15 页 共 88 页 电子元器件知识大全第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电 器件。 第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。 第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。 韩国三星产品型号以数字命名，现在用得也比较多，如 、 等 俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。 三．常用三极管型号及参数 3CX 系列低频小功率三极管 3DX 系列低频小功率三极管 3AG 系列高频小功率三极管 3DG 系列高频小功率三极管 3CG 系列高频小功率三极管 3CG 系列高频中功率三极管 3DG 系列高频中功率三极管 型号 2SC17 2SC97 2SC42 2SC19 2SC06 2SC38 2SC98 2SC87 2SC07 2SC86 2SC66 2SC07 2SC3783 反压 Vbe0 600V 550V V V 800V V 500V 600V 50V 100V V 50V 120V 180V V 500V 900V 200V 30V 900V 电流 Icm 15A 3A 8A 12A 12A 7A 2A 15A 10A 7A 15A 0.1A 10A 25A 15A 3A 0.2A 12A 8A 8A 12A 3A 17A 2A 5A 功率 Pcm 75W 30W 60W 75W 200W 40W 30W 250W 250W 50W 130W 0.3W 35W 250W 250W 20W 1.3W 130W 50W 50W 75W 40W 200W 1.2W 100W 放大系数 * * * * * * * * * * * * * * * 1000 * * * * * * * * * 特征频率 * * * * * * * * * 20MHZ * 180MHZ * * * * 400MHZ 30MHZ 8MHZ 8MHZ 30MHZ * 20MHZ 260MHZ * 管型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN(达 林顿) NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN 日本 日本 日本产 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 用途 备注第 16 页 共 88 页 电子元器件知识大全2SC80 2SC95 2SC05 2SC57 2SC55 2SC10 2SC55 2SC94 2SC62 2SC0 2SC828 2SC815 2SC380 2SC106 2SB29 2SB75 2SB17 13 16 9018V 900V 30V 500V 900V V 20V 20V 500V 500V 100V 20V 300V 36V 60V 35V 80V 30V 45V 60V 35V 60V 120V 180V 120V 60V 80V 180V10A 7A 5A 0.5A 15A 6A 6A 3A 0.15A 0.15A 15A 5A 15A 0.02A 0.2A 6A 0.1A 1.5A 0.7A 0.03A 0.05A 0.2A 0.03A 1.5A 25A 15A 6A 3A 4A 15A200W 120W 100W 1.2W 100W 80W 100W 50W * * 80W 40W 100W 0.25W 15W 40W 0.25W 10W 0.8W 0.25W 0.25W 0.25W 0.25W 15W 120W 150W 25W 2W 30W 150W 400mW 625 mW 625 mW 450 mW 450 mW 400mW 400mW* * * 90 13 12 12 12 * * * 20 * * * * * * * * * * * * * *
* * ** * * * * * * * 7000MHZ 6500MHZ * * * 550MHZ * 175MHZ 100MHZ * 50MHZ 100MHZ * * * * * * * * * * 150MHz 150MHz 140MHz 80MHz 80MHz 500MHz 500MHzNPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN PNP(达 林顿) PNP PNP(达 林顿) PNP PNP PNP NPN PNP NPN NPN PNP NPN PNP 高放 功放 功放 低放 低放 超高频 超高频日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 韩国 韩国 韩国 韩国 韩国 韩国 韩国第 17 页 共 88 页 电子元器件知识大全1000 mW 1000 mW100 MHz 100 MHzNPN PNP功放 功放韩国 韩国三星公司三极管参数 型号 极 性 功率 (W) 电流 (mA) BU( fT(MHZ CEO hFE ) )V 50 370 主要用途 备注2SC9011 NPN 0.430通用管可 28 ～ 做功率放 198 大 64 ～ 低噪声放 202 大管 64 ～ 低噪声放 202 大管 60 ～ 低噪声放 1000 大管 60 ～ 低噪声放 600 大管 28 ～ 低噪声放 198 大管 28 ～ 低噪声高 198 频放大管 85 ～ 通用功率 300 放大管 60 ～ 通用功率 300 放大管 60 ～ 低噪声放 300 大管 60 ～ 低噪声放 300 大管同 3DG4、6、82SC9012 PNP 0.625 500 2SC9013 NPN 0.625 500 2SC9014 NPN 0.625 100 2SC9015 PNP 0.45 2SC9016 NPN 0.4 2SC9018 NPN 0.4 2SC8050 NPN 1 2SC8550 PNP 1 2SA1015 PNP 0.4 2SC1815 NPN 0.4 100 25 50 1.5A 1.5A 150 15040 40 50 50 30 30 25 25 50 60--270 190 620
200 200同 3CX 同 3DX 同 3DG 同 3CG14、15、211300*是一个系列的三极管,耐压都比较高（是高频开关管）,也非常通用, 常用于直流高压变换电路中作开关管.我们民用的很多东西中都有它们的存在, 如电了节能灯,电蚊拍,电子镇流器,手机充电器等。四、三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有 一定的规律，底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右第 18 页 共 88 页 电子元器件知识大全依次为 e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下 放置，则从左到右依次为 e b c。 晶体三极管的电流放大作用 晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量 来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将 Δ ic/Δ ib 的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β ”表示。电流放 大倍数对于某一只三极管来说是一个定值， 但随着三极管工作时基极电流的变化 也会有一定的改变。 晶体三极管的三种工作状态 截止状态：当加在三极管发射结的电压小于 PN 结的导通电压，基极电流为 零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极 和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。 放大状态：当加在三极管发射结的电压大于 PN 结的导通电压，并处于某一 恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电 极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数 β ＝ Δ ic/Δ ib，这时三极管处放大状态。 饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于 PN 结的导通电压，并当基 极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处 于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之 间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态 我们称之为饱和导通状态。 根据三极管工作时各个电极的电位高低， 就能判别三极管的工作状态， 因此， 电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判 别三极管的工作情况和工作状态。 1 中、小功率三极管的检测 A 已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏 (a) 测量极间电阻。将万用表置于 R×100 或 R×1K 挡，按照红、黑表笔的六种 不同接法进行测试。其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法 测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料 三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。 (b) 三极管的穿透电流 ICEO 的数值近似等于管子的倍数 β 和集电结的反向电流 ICBO 的乘积。ICBO 随着环境温度的升高而增长很快，ICBO 的增加必然造成 ICEO 的增大。而 ICEO 的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选 用 ICEO 小的管子。第 19 页 共 88 页 电子元器件知识大全通过用万用表电阻直接测量三极管 e－c 极之间的电阻方法，可间接估计 ICEO 的大小，具体方法如下： 万用表电阻的量程一般选用 R×100 或 R×1K 挡，对于 PNP 管，黑表管接 e 极， 红表笔接 c 极，对于 NPN 型三极管，黑表笔接 c 极，红表笔接 e 极。要求测得的 电阻越大越好。E－c 间的阻值越大，说明管子的 ICEO 越小；反之，所测阻值越 小，说明被测管的 ICEO 越大。一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其 阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用 表指针来回晃动，则表明 ICEO 很大，管子的性能不稳定。 I 测量放大能力(β )。 目前有些型号的万用表具有测量三极管 hFE 的刻度线及其 测试插座，可以很方便地测量三极管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至 挡， 量程开关拨到 ADJ 位置，把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用表指针指示 为零，然后将量程开关拨到 hFE 位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插 入测试插座，即可从 hFE 刻度线上读出管子的放大倍数。 另外：有此型号的中、小功率三极管，生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色 点来表明管子的放大倍数 β 值， 其颜色和 β 值的对应关系如表所示， 但要注意， 各厂家所用色标并不一定完全相同。 B 检测判别电极 (a) 判定基极。用万用表 R×100 或 R×1k 挡测量三极管三个电极中每两个极之 间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两 个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极 b。这时，要注 意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极 b。黑表笔分别接在其他两极时， 测得的阻值都较小， 则可判定被测三极管为 PNP 型管； 如果黑表笔接的是基极 b， 红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为 NPN 型管。 (b) 判定集电极 c 和发射极 e。(以 PNP 为例)将万用表置于 R×100 或 R×1K 挡， 红表笔基极 b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一 个大一些，一个小一些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在 阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。 C 判别高频管与低频管 高频管的截止频率大于 3MHz，而低频管的截止频率则小于 3MHz，一般情况下， 二者是不能互换的。 D 在路电压检测判断法 在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度 大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测三 极管各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断其好坏。 2 大功率晶体三极管的检测 利用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的各种方法，对检测大功 率三极管来说基本上适用。但是，由于大功率三极管的工作电流比较大，因而其 PN 结的面积也较大。PN 结较大，其反向饱和电流也必然增大。所以，若像测量 中、小功率三极管极间电阻那样，使用万用表的 R×1k 挡测量，必然测得的电阻第 20 页 共 88 页 电子元器件知识大全值很小，好像极间短路一样，所以通常使用 R×10 或 R×1 挡检测大功率三极管。 3 普通达林顿管的检测 用万用表对普通达林顿管的检测包括识别电极、区分 PNP 和 NPN 类型、估测放大 能力等项内容。因为达林顿管的 E－B 极之间包含多个发射结，所以应该使用万 用表能提供较高电压的 R×10K 挡进行测量。 4 大功率达林顿管的检测 检测大功率达林顿管的方法与检测普通达林顿管基本相同。 但由于大功率达林顿 管内部设置了 V3、R1、R2 等保护和泄放漏电流元件，所以在检测量应将这些元 件对测量数据的影响加以区分，以免造成误判。具体可按下述几个步骤进行： A 用万用表 R×10K 挡测量 B、C 之间 PN 结电阻值，应明显测出具有单向导电性 能。正、反向电阻值应有较大差异。 B 在大功率达林顿管 B－E 之间有两个 PN 结，并且接有电阻 R1 和 R2。用万用表 电阻挡检测时，当正向测量时，测到的阻值是 B－E 结正向电阻与 R1、R2 阻值并 联的结果；当反向测量时，发射结截止，测出的则是(R1＋R2)电阻之和，大约为 几百欧，且阻值固定，不随电阻挡位的变换而改变。但需要注意的是，有些大功 率达林顿管在 R1、R2、上还并有二极管，此时所测得的则不是(R1＋R2)之和， 而是(R1＋R2)与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。 5 带阻尼行输出三极管的检测 将万用表置于 R×1 挡， 通过单独测量带阻尼行输出三极管各电极之间的电阻值， 即可判断其是否正常。具体测试原理，方法及步骤如下： A 将红表笔接 E，黑表笔接 B，此时相当于测量大功率管 B－E 结的等效二极管与 保护电阻 R 并联后的阻值，由于等效二极管的正向电阻较小，而保护电阻 R 的阻 值一般也仅有 20～50 ，所以，二者并联后的阻值也较小；反之，将表笔对调， 即红表笔接 B，黑表笔接 E，则测得的是大功率管 B－E 结等效二极管的反向电阻 值与保护电阻 R 的并联阻值，由于等效二极管反向电阻值较大，所以，此时测得 的阻值即是保护电阻 R 的值，此值仍然较小。 B 将红表笔接 C，黑表笔接 B，此时相当于测量管内大功率管 B－C 结等效二极管 的正向电阻，一般测得的阻值也较小；将红、黑表笔对调，即将红表笔接 B，黑 表笔接 C，则相当于测量管内大功率管 B－C 结等效二极管的反向电阻，测得的 阻值通常为无穷大。 C 将红表笔接 E，黑表笔接 C，相当于测量管内阻尼二极管的反向电阻，测得的 阻值一般都较大，约 300～∞；将红、黑表笔对调，即红表笔接 D 黑表笔接 E，则相当于测量管内阻尼二极管的正向电阻，测得的阻值一般都较 小，约几欧至几十欧（）单极型三极管（场效应管） 一．场效应晶体管的主要参数有： 夹断电压（适用于结型和耗尽型绝缘栅场效应管） 、开启电压（适用于增强型绝缘栅场效 应晶体管） 、饱和漏电流（适合于耗尽型绝缘栅场效应管） 、直流输出电阻、漏一源极击穿 电压、栅一源极击穿电压、低频跨导、输出电阻等。第 21 页 共 88 页 电子元器件知识大全二．场效应晶体管的检测 由于绝缘栅型场效应晶体管极易因产生感应电压而击穿损坏，所以都有比较严格的包 装。型号标志失掉的很少，如果不明型号、包装不好或没有包装的绝缘栅型场效应管，一般 都已损坏，没有必要再进行电极判别。 1）对于结型场效应晶体管的电极判定 一般我们选万用表的 R× 挡，用黑表笔接触一 1k 只电极，红表笔分别接触其余两只电极，测其电阻，若电阻基本相等，交换红黑表笔再测一 次；若阻值又基本相等且两次测得的阻值一次很小，一次很大；则可说明：该结型场效应管 质量较好，如果第一次测得的阻值较小，则此时黑表笔接的是 N 沟道型场效应管的栅极 G； 如果第一次则得的阻值较大， 则黑表笔接的是 P 沟道型场效应管的栅极 G。 结型场效应管漏 极 D 和源极 S 可互换，没有必要判定。 2) 结型场效应晶体管的放大倍数 一般选万用表的 R× 100 或 R× 挡，用红黑表笔分别 1k 接触源极 S 和漏极 D，用手捏栅极 S，观察表针偏转幅度，幅度越大说明放大能力越强。 3）场效应晶体管应用于各种场效应管放大电路，选用时应了解管子的特性针对电路来 选择，更换时应同参数同类型。焊接时，电路及所使用的工具都必须良好接地，焊接顺序为 源极 S、漏极 D 和栅极 G。绝缘栅型管子不用时管脚要短路在一起。 三、部分场效应管型号及参数 型号 3DJ6NJ
2E3C 2SJ117 2SJ118 2SJ122 2SJ136 2SJ143 2SJ172 2SJ175 2SJ177 NMOS PMOS PMOS PMOS PMOS PMOS PMOS PMOS PMOS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS 开关 音频功放开关 高速功放开关 高速功放开关 高速功放开关 功放开关 激励 激励 激励 600V11A150W0. 36 400V2A40W 140V8A100W50/ 70nS0.5 60V10A50W60/1 00nS0.15 60V12A40W 60V16A35W90/1 80nS0.035 60V10A40W73/2 75nS0.18 60V10A25W73/2 75nS0.18 60V20A35W140/ 580nS0.085 70/165nS0.3 材料 管脚 用途 低频放大 参数 20V0.35MA0.1W第 22 页 共 88 页 电子元器件知识大全2SJ201 2SJ306 2SJ312 2SK30 2SK30A 2SK108 2SK118 2SK168 2SK192 2SK193 2SK214 2SK241 2SK304 2SK385 2SK386 2SK413 2SK423 2SK428 2SK447 2SK511 2SK534 2SK539 2SK560 2SK623 2SK727PMOS PMOS PMOS NJ NJ NJ NJ NJ NJ NJ NMOS NMOS NJ NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOSn GDS GDS SDG SDG SGD SGD GSD DSG GSD GSD DSG GSD GDS GDS GDS SDG GDS SDG SDG GDS GDS GDS GDS GDS 激励 激励 低放音频 低放低噪音频 音频激励开关 音频话筒放大 高频放大 高频低噪放大 高频低噪放大 高频高速开关 高频放大 音频功放 高速开关 高速开关 高速功放开关 高速开关 高速开关 高速低噪开关 高速功放开关 高速开关 开关 高速开关 高速开关 电源开关 60V14A40W30/1 20nS0.12 60V14A40W30/1 20nS0.12 50V0.5mA0.1W0 .5dB 50V0.3-6.5mA0.1 W0.5dB 50V1-12mA0.3W 70 50V0.01A0.1W0. 5dB 30V0.01A0.2W1 00MHz1.7dB 18V12-24mA0.2 W100MHz1.8dB 20V0.5-8mA0.25 W100MHz3dB 160V0.5A30W 20V0.03A0.2W1 00MHz1.7dB 30V0.6-12mA0.1 5W 400V10A120W1 00/140nS0.6 450V10A120W1 00/140nS0.7 140V8A100W0.5 100V0.5A0.9W4. 5 60V10A50W45/6 5NS0.15 250V15A150W0. 24 可驱电机 250V0.3A8W5.0 800V5A100W4.0 900V5A150W2.5 500V15A100W0. 4 250V20A120W0. 15 900V5A125W11 (2SJ118) 1DB第 23 页 共 88 页 电子元器件知识大全0/420nS2.5 2SK734 2SK785 2SK787 2SK790 2SK791 2SK794 2SK817 2SK832 2SK899 2SK962 2SK940 2SK10 2SK12 2SK16 2SK19 2SK60 2SK82 NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS SDG GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS 电源开关 电源开关 高速开关 高速功放开关 电源功放开关 电源开关 电源开关 高速开关 功放开关 电源开关 激励.驱动 功放开关 高速开关 高速开关 高速开关 功放开关 电源开关 电源开关 电源开关 电源开关 功放开关 激励,驱动 激励,驱动 450V15A150W1 60/250nS0.52 500V20A150W1 05/240nS0.4 900V8A150W95/ 240nS1.6 500V15A150W0. 4 850V3A100W4.5 900V5A150W2.5 60V26A35W40/2 30nS0.055 900V4A85W55/1 00nS4.0 500V18A125W1 30/440nS0.33 900V8A150W28 0/460nS2.0 60V0.8A0.9W0.5 5 螺线管驱动 450V5A60W60/1 30nS1.6 500V6A80W70/1 30nS1.6 450V10A100W1 10/240nS0.65 500V10A100W1 10/240nS0.9 450V18A125W1 70/230nS0.45 500V15A125W1 70/230nS0.55 500V20A150W2 50/490nS0.35 450V35A300W3 60/900nS0.2 500V30A300W3 60/900nS0.25 100V5A20W50/1 40nS0.27 800V7A125W 900V8A125W 145/250nS2.2 145/250nS2.8 可驱电机 可驱电机 可驱电机第 24 页 共 88 页 电子元器件知识大全2SK01 2SK18 2SK20 2SK70 2SK95 2SK17 2SK47 2SK54 2SK72 2SK58 2SK1374NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOSGDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS 贴片激励,驱动 功放开关 电源开关 电源开关 电源开关 电源开关 电源开关 电源开关 投影机用 电梯用 高速开关 电源开关 电源开关 电源开关 开关-感性 低噪放大 功放开关 高速开关 电源开关 电源开关 50V50mA0.15 W0.2US/0.2US5 0 激励,第 25 页 共 88 页60V15A25W80/3 00nS0.065 450V10A50W16 5/360nS0.65 600V6A100W1.2 5 600V6A45W65/1 05nSD1.25 W3. 8 W1. 8 450V10A100W7 5/135nS0.8 500V20A120W1 47/290nS0.27 500V10A85W60/ 40nS0.6 230V1.5A10W37 /100nS 700V2A35W20/8 0nS3.2 90V8A100W280/ 460nS2.0 250V10A80W60/ 150nS0.4 500V5A30W50/9 0nS1.4 500V20A150W1 30/260nS0.35 120V3A20W25/1 95nS0.4 W5 5/260nS4.0 60V1A0.75W50/ 500nS0.65 500V12A60W90/ 180nS0.6 900V9A150W65/ 120nS1.42SK1379NMOSGDS开关60V50A150W7 电子元器件知识大全8/640nS0.017 2SK88 2SK45 2SK60 2SK82 2SK35 2SK40 2SK47 2SK11 2SK45 2SK96 2SK1850 NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS 激励, 激励, 高速开关 高速开关 高速开关 高速开关 高速开关 开关功放低噪 高速开关 通 通 变频开关功放 变频开关功放 开关 电源开关 电源开关 电源开关 激励, 电源激励开关 功放开关 开关电机驱动 开关 开关 60V15A25W55/1 50nS0.08 450V5A30W45/1 75nS1.4 900V2.5A30W40 /160nS6.0 900V3.5A40W50 /265nS3.6 900V4.5A60W50 /265nS3.6 30V1.5A0.75W6 5/660nS4.5 600V9A50W110/ 240nS1.0 用 用 450V7A60W70/1 35nS0.8 500V25A200W2 40/590S0.2 800V4A40W95/1 70nS4.5 500V7A35W70/1 35nS0.9 800V3A50W40/1 35nS4.0 500V30A300W1 80/320nS0.35 开关 900V6A100W50/ 105nS2.8 900V10A150W9 0/230nS1.2 60V10A1.8W110 /360nS0.07 500V18A150W 120/210nS0.36 900V3A30W45 /110nS5.0 900V5A100W6 5/145nS3.0 60V35A40W66 /500nS0.035 30V35A60W12 5/480nS0.022第 26 页 共 88 页 电子元器件知识大全2SK37 2SK39 2SK82 2SK41 2SK61 2SK85 2.80 2SK11 2SK47 3SK103 3SK122 BS170 BUZ11A BUZ20 FS3KM FS5KM FS7KM FS10KM FS12KM FS7SM-16 H120N60 IRF130( 铁NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS GDSGDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS SDG GDS GDS GDS GDS GDS GDS gGDS gGDS 60V0.3A0.63 W12/12nS5.0 GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS 功放开关开关电源用 开关 UPS 用 开关 UPS 用 电源开关 电源开关 开关 UPS 用 电源开关 传动驱动 开关 UPS 用 高速开关 高速开关 监视器用电源 监视器用电源 监视器用电源 监视器用电源 电源开关 高频放大 高频放大450V18A80W17 0/33nS0.45 500V15A125W1 00/230nS0.48 900V5A50W35/1 05nS2.8 900V5A150W 600V2A20W 900V9A150W 800V6A50W 600V6A35W 900V6A80W 200V9A25W 500V10A70W 900V6A100W 900V8A140W 900V9A150W 500V15A125W 100V 8 15V0.02A0.2W9 00MHz 20V7-25mA0.2W 200MHz1.2dB 70/210nS2.5 11/45nS5 85/210nS1.40 50/130nS2.1 30/880nS1.1 145/250nS2.8 27/255nS0.45 70/400nS1.0 30/85 50/153nS1.1开关 功放开关 高速开关 高速开关 高速开关 高速开关 高速开关 高速开关 开关 100V14A79W7第 27 页 共 88 页50V25A75W60/1 10nS0.055 100V12A75W75/ 80nS 500V3A30W23/6 0nS4.4 900V3A53W50/1 90nS4. 900V5A50W35/1 05nS2.8 250V12A35W53/ 120nS0.40 800V7A150W1.6 600V120A 电子元器件知识大全)NMOS IRF230( 铁 )NMOS IRF250( 铁 )NMOS IRF440( 铁 )NMOS IRF450( 铁 )NMOS IRF460( 铁 )NMOS IRF530 IRF540 IRF541 IRF610 IRF630 IRF640 IRF720 IRF730 IRF740 IRF830 IRF840 IRF9530 IRF9531 IRF9541 IRF9610 IRF9630 GDS GDS GDS GDS GDS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS PMOS PMOS PMOS PMOS PMOS 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS5/45nS0.16 200V9A75W50/ 40nS0.4 200V9A75W50/ 40nS0.4 500V8A125W3 5/30nS0.85 500V13A125W 66/60nS0.4 500V13A125W 66/60nS0.4 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 100V14A79W51/ 36nS0.18 100V28A150W1 10/75nS0.077 80V28A150W11 0/75nS0.077 200V3.3A43W26 /13nS1.5 200V9A75W50/4 0nS0.4 200V18A125W7 7/54nS0.18 400V3.3A50W21 /20nS1.8 400V5.5A75W29 /24nS1.0 400V10A125W4 1/36nS0.55 500V4.5A75W23 /23nS1.5 500V8A125W35/ 33nS0.85 100V12A75W14 0/140nS0.4 60V12A75W140/ 140S0.3 60V19A125W14 0/141nS0.2 200V1A20W25/1 5nS2.3 200V6.5A75W10 0/80nS0.8第 28 页 共 88 页 电子元器件知识大全IRFS9630 IRFBC20 IRFBC30 IRFBC40 IRFBE30 IRFD120 IRFD123 IRFI730 IRFI744 IRFP054 IRFP140 IRFP150 IRFP240 IRFP250 IRFP340 IRFP350 IRFP353 IRFP360 IRFP440 IRFP450 IRFP460 IRFP9140 IRFP9150PMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS PMOS PMOSGDS GDS GDS GDS GDS 功放开关 功放开关 GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 100V1.3A1W70 /70nS0.3 80V1.1A1W70/ 70nS0.3 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关200V6.5A75W10 0/80nS0.8 600V2.2A50W15 /30nS4.4 600V3.6A74W20 /21nS2.2 600V6.2A125W2 7/30nS1.2 800V2.8A75W15 /30nS3.5400V4A32W1.0 400V4A32W1.0 60V65A180W0.0 22 100V 5 100V40A180W2 10/140nS0.55 200V19A150W0. 18 200V33A180W1 80/120nS0.08 400V10A150W0. 55 400V16A180W7 7/71nS0.3 350V14A180W7 7/71XnS0.4 400V23A250W1 40/99nS0.2 500V8.1A150W0 .85 500V14A180W6 6/60nS0.4 500V20A250W1 20/98nS0.27 100V19A150W1 00/70nS0.2 100V25A150W1第 29 页 共 88 页 电子元器件知识大全60/70nS0.2 IRFP9240 IRFPF40 IRFPG42 IRFPZ44 IRFU020 IXGH20N 60ANMO S IXGFH26 N50NMO S IXGH30N 60ANMO S IXGH60N 60ANMO S IXTP2P50 J177 M75N06 MTH8N10 0 MTH10N8 0 MTM30N 50 MTM55N 10 MTP27N1 0 MTP2955 MTP3055 MTP40N0 6 MTW20N 50 PMOS NMOS NMOS NMOS NMOS GDS GDS GDS GDS GDS GDS 600V20A150 W 500V26A300 W0.3 600V30A200 W 600V60A250 W GDS SDG GDS GDS GDS 功放开关 GDS GDS GDS GDS GDS GDS 功放开关 开关 音频功放开关 功放开关 功放开关 ( 铁 )500V30A25 0W 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 (铁 )100V55A250 W350/400nS0.04 100V27A125W0. 05 60V12A75W75/5 0nS0.3 60V12A75W75/5 0nS0.3 ( 双 )60V40A150 W/70nS0.3 500V20A250W0. 27 500V2A75W5.5 30V1.5mA0.35W 60V75A120W W1 75/180nS1.8 800V10A150W 代 J117 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 200V12A150W6 8/57nS0.5 900V4.7A150W2 .5 A150W 4.2 A150W 4.2 50V15A42W83/3 9nS0.1 *******GDSGDSGDSPMOS PMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS PMOS NMOS NMOS NMOS第 30 页 共 88 页 电子元器件知识大全RFP40N10 RFP50N05 RFP50N06 RFP6N60 RFP60N06 RFP70N06 SMP50N0 6 SMP60N0 6 SMW11N2 0 SMW11P2 0 SMW20N 10 SMW20N 10 SSH7N90 SSP6N60 SSP5N90 SSP7N80 SUP75N06 W12NA50 W GT15Q101 GT25J101 GT25Q101 GT40T101 GT60M10 3 GT60M30 1 IMBH60 IMBH60D SDT3055NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS PMOS NMOS PMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOSGDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS-100 GDS-100 GDS功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 高速电源开关 高速电源开关 高速电源开关 高速电源开关 功放开关 功放开关 IGBT IGBT IGBT IGBT IGBT IGBT IGBT IGBT100V40A160W3 0/20nS0.04 50V50A132W55/ 15nS0.022 60V50A145W55/ 15nS0.022 600V6A75W80/1 00nS1.50 60V60A120W50/ 15nS0.03 60V70A150W 50V60A125W50 nS0.026 60V60A125W50 nS0.023 200V11A150W 200V11A150W 100V20A150W 100V20A150W 900V7A150W 600V6A150W 900V5A125W 800V7A75W 60V75A125W0.0 5 50V12A150W30 0/600nS W 800V25A150W W W 900V60A300W 900V60A300W W W( 带阻)第 31 页 共 88 页 电子元器件知识大全TSD45N5 0V TNNMOS场效应模块500V45A400WA250 W IGBT 驱 动EXB841Ⅴ。晶闸管（可控硅） 晶闸管俗称可控硅，它的种类很多，但主要可分为单向晶闸管和双向晶闸管。单向晶闸 管类似于二极管，只能在一个方向导通，而双向晶闸管双向都能导通。常见的晶闸管实物外 形如下图所示。一、晶闸管(SCR) 晶体闸流管简称晶闸管,也称为可控硅整流元件(SCR),是由三个 PN 结构成的一种大功率 半导体器件。在性能上,晶闸管不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件更为可贵的可 控性,它只有导通和关断两种状态。 晶闸管的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微 秒级内开通、 关断;无触点运行,无火花、 无噪声;效率高,成本低等。 因此,特别是在大功率 UPS 供电系统中,晶闸管在整流电路、静态旁路开关、无触点输出开关等电路中得到广泛的应用。 晶闸管的弱点:静态及动态的过载能力较差,容易受干扰而误导通。 晶闸管从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形。一、 普通晶闸管的结构和工作原理晶闸管是 PNPN 四层三端器件,共有三个 PN 结。分析原理时,可以把它看作是由一个 PNP 管和一个 NPN 管所组成,其等效图解如图 1(a)所示,图 1(b)为晶闸管的电路符号。第 32 页 共 88 页 电子元器件知识大全图 1 晶闸管等效图解图 晶闸管的工作过程 晶闸管是四层三端器件,它有 J1、J2、J3 三个 PN 结,可以把它中间的 NP 分成两部分,构成 一个 PNP 型三极管和一个 NPN 型三极管的复合管。 当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的 PN 结 J2 失去阻挡 作用。 每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。 因此是两个互相复合的 晶体管电路,当有足够的门极电流 Ig 流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通。 设 PNP 管和 NPN 管的集电极电流分别为 IC1 和 IC2,发射极电流相应为 Ia 和 Ik,电流放大 系数相应为α 1=IC1/Ia 和α 2=IC2/Ik,设流过 J2 结的反相漏电流为 ICO,晶闸管的阳极电流等 于两管的集电极电流和漏电流的总和: Ia=IC1+IC2+ICO =α1Ia+α2Ik+ICO (1) 若门极电流为 Ig,则晶闸管阴极电流为:Ik=Ia+Ig。 因此,可以得出晶闸管阳极电流为: (2) 硅 PNP 管和硅 NPN 管相应的电流放大系数α 1 和α 2 随其发射极电流的改变而急剧变化。 当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未接受电压的情况下,式(1)中 Ig=0,(α 1+α 2)很小,故晶闸 管的阳极电流 Ia≈ICO,晶闸管处于正向阻断状态;当晶闸管在正向门极电压下,从门极 G 流入 电流 Ig,由于足够大的 Ig 流经 NPN 管的发射结,从而提高放大系数α 2,产生足够大的集电极 电流 IC2 流过 PNP 管的发射结,并提高了 PNP 管的电流放大系数α 1,产生更大的集电极电流 IC1 流经 NPN 管的发射结,这样强烈的正反馈过程迅速进行。 当α 1 和α 2 随发射极电流增加而使得(α 1+α 2)≈1 时,式(1)中的分母 1-(α 1+α 2)≈0,因此 提高了晶闸管的阳极电流 Ia。这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定, 晶闸管已处于正向导通状态。 晶闸管导通后,式(1)中 1-(α 1+α 2)≈0,即使此时门极电流 Ig=0, 晶闸管仍能保持原来的阳极电流 Ia 而继续导通,门极已失去作用。 在晶闸管导通后,如果不断 地减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流 Ia 减小到维持电流 IH 以下时,由于α 1 和α 2 迅 速下降,晶闸管恢复到阻断状态。 晶闸管的工作条件 由于晶闸管只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件 才能转化,此条件见表 1。第 33 页 共 88 页 电子元器件知识大全(1)晶闸管承受反向阳极电压时,无论门极承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。 (2)晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。 (3)晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,无论门极电压如何,晶闸管保持导通, 即晶闸管导通后,门极失去作用。 (4)晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。 3 晶闸管的伏安特性和主要参数 3.1 晶闸管的伏安特性 晶闸管阳极 A 与阴极 K 之间的电压与晶闸管阳极电流之间关系称为晶闸管伏安特性,如图 2 所所示。正向特性位于第一象限,反向特性位于第三象限。图 2 晶闸管伏安特性参数示意图一、 反向特性当门极 G 开路,阳极加上反向电压时(见图 3),J2 结正偏,但 J1、J2 结反偏。此时只能流过很 小的反向饱和电流,当电压进一步提高到 J1 结的雪崩击穿电压后,同时 J3 结也击穿,电流迅速 增加,如图 2 的特性曲线 OR 段开始弯曲,弯曲处的电压 URO 称为“反向转折电压” 。此后, 晶闸管会发生永久性反向击穿。图 3 阳极加反向电压第 34 页 共 88 页 电子元器件知识大全图 4 阳极加正向电压 (2) 正向特性 当门极 G 开路,阳极 A 加上正向电压时(见图 4),J1、 结正偏,但 J2 结反偏,这与普通 PN 结 J3 的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,如图 2 的特性曲线 OA 段开始弯曲,弯曲处的电压 UBO 称为“正向转折电压” 。 由于电压升高到 J2 结的雪崩击穿电压后,J2 结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子 和空穴,电子进入 N1 区,空穴进入 P2 区。进入 N1 区的电子与由 P1 区通过 J1 结注入 N1 区 的空穴复合。同样,进入 P2 区的空穴与由 N2 区通过 J3 结注入 P2 区的电子复合，雪崩击穿 后，进入 N1 区的电子与进入 P2 区的空穴各自不能全部复合掉。这样，在 N1 区就有电子积 累，在 P2 区就有空穴积累，结果使 P2 区的电位升高，N1 区的电位下降，J2 结变成正偏， 只要电流稍有增加,电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图 2 中的虚线 AB 段。这时 J1、 J2、J3 三个结均处于正偏，晶闸管便进入正向导电状态――通态,此时，它的特性与普通的 PN 结正向特性相似，如图 2 的 BC 段。 (3) 触发导通 在门极 G 上加入正向电压时(如图 5 所示),因 J3 正偏,P2 区的空穴进入 N2 区,N2 区的电子 进入 P2 区,形成触发电流 IGT。在晶闸管的内部正反馈作用(如图 2)的基础上,加上 IGT 的作 用,使晶闸管提前导通,导致图 2 中的伏安特性 OA 段左移,IGT 越大,特性左移越快。图 5 阳极和门极均加正向电压 3.2 晶闸管的主要参数 (1)断态重复峰值电压 UDRM 门 极 开 路 , 重 复 率 为 每 秒 50 次 , 每 次 持 续 时 间 不 大 于 10ms 的 断 态 最 大 脉 冲 电 压,UDRM=90%UDSM,UDSM 为断态不重复峰值电压。 UDSM 应比 UBO 小,所留的裕量由生 产厂家决定。 (2)反向重复峰值电压 URRM 其定义同 UDRM 相似,URRM=90%URSM,URSM 为反向不重复峰值电压。 (3)额定电压 选 UDRM 和 URRM 中较小的值作为额定电压,选用时额定电压应为正常工作峰值电压的 2～3 倍,应能承受经常出现的过电压。 4．常用双向可控硅型号第 35 页 共 88 页 电子元器件知识大全号型号VDRM[W] IT(RMS)[A] VGM[V] PGM[W] 600 600 600 600 800 600 600 400 600 800 600 600 800 400 600 4 8 12 16 20 16 16 15 15 15 15 16 16 8 8 5 5 5 5 5 5 10 10 10 10 5 5 5 5 5 5 20 20 20 20 20 20 16 16封装 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB说 数据 生产厂商 明 手册 MOTOROLA MOTOROLA MOTOROLA -001 BT136 002 BT137 003 BT138 004 BT139 005 BTA20 006 MCA12m 007 MCA12N 008 MCA15 009 MCA15A6 010 MCA15A8 011 MCA15A10 012 MCA16CM 013 MCA16CN 014 MCA8D 015 MCA8M第 36 页 共 88 页 电子元器件知识大全016 MCA8N 017 MCA9D 018 MCA9M 019 MCA9N800 400 600 8008 8 8 8-16 16 16 16TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB--序 号型号VDRM[W] IT(RMS)[A] IGT[mA] PGM[W] 200 400 200 400 600 200 400 600 200 400 600 200 1 1 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 10 10 10 10 10 25 25 25 10 10 10 25 0.2 0.2 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3封装 TO-92 TO-92 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-202AB TO-202AB TO-202AB TO-202AB说 明 -生产厂 数据 商 手册 -001 Q201E3 002 Q401E3 003 Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q2004F41第 37 页 共 88 页 电子元器件知识大全013 Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q4015R5400 400 400 600 200 400 600 200 400 600 200 400 600 200 400 600 200 4004 6 8 8 8 8 8 10 10 10 10 10 10 15 15 15 15 1525 25 25 25 25 25 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 500.3 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5TO-202AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB--第 38 页 共 88 页 电子元器件知识大全032 Q6015R560015500.5TO-220AB--Ⅵ。电感线圈 电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空 心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用 L 表示，单位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、 微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。 一、电感的分类 按 电感形式 分类：固定电感、可变电感。 按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。 按 工作性质 分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。 按 绕线结构 分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 二、电感线圈的主要特性参数 1、电感量 L 电感量 L 表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感） 外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。 2、感抗 XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗 XL，单位是欧姆。它与电感量 L 和交流电 频率 f 的关系为 XL=2π fL 3、品质因素 Q 品质因素 Q 是表示线圈质量的一个物理量，Q 为感抗 XL 与其等效的电阻的比值，即： Q=XL/R 线圈的 Q 值愈高，回路的损耗愈小。线圈的 Q 值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗， 屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的 Q 值通常为几十到几 百。 4、分布电容 线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电 容的存在使线圈的 Q 值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。 三、常用线圈 1、单层线圈 单层线圈是用绝缘导线一圈挨一圈地绕在纸筒或胶木骨架上。 如晶体管收音机中波天线 线圈。 2、蜂房式线圈 如果所绕制的线圈，其平面不与旋转面平行，而是相交成一定的角度，这种线圈称为蜂 房式线圈。而其旋转一周，导线来回弯折的次数，常称为折点数。蜂房式绕法的优点是体积 小，分布电容小，而且电感量大。蜂房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制，折点越多，分布 电容越小 3、铁氧体磁芯和铁粉芯线圈 线圈的电感量大小与有无磁芯有关。 在空芯线圈中插入铁氧体磁芯， 可增加电感量和提第 39 页 共 88 页 电子元器件知识大全高线圈的品质因素。 4、铜芯线圈 铜芯线圈在超短波范围应用较多， 利用旋动铜芯在线圈中的位置来改变电感量， 这种调 整比较方便、耐用。 5、色码电感器 色码电感器是具有固定电感量的电感器，其电感量标志方法同电阻一样以色环来标记。 6、阻流圈（扼流圈） 限制交流电通过的线圈称阻流圈，分高频阻流圈和低频阻流圈。 7、偏转线圈 偏转线圈是电视机扫描电路输出级的负载，偏转线圈要求：偏转灵敏度高、磁场均匀、 Q 值高、体积小、价格低。 Ⅶ。变压器 变压器是变换交流电压、电流和阻抗的器件，当初级线圈中通有交流电流时，铁芯（或 磁芯）中便产生交流磁通，使次级线圈中感应出电压（或电流） 。变压器由铁芯（或磁芯） 和线圈组成，线圈有两个或两个以上的绕组，其中接电源的绕组叫初级线圈，其余的绕组叫 次级线圈。 分类 按冷却方式分类：干式（自冷）变压器、油浸（自冷）变压器、氟化物（蒸发冷却）变 压器。 按防潮方式分类：开放式变压器、灌封式变压器、密封式变压器。 按铁芯或线圈结构分类：芯式变压器（插片铁芯、C 型铁芯、铁氧体铁芯） 、壳式变压 器（插片铁芯、C 型铁芯、铁氧体铁芯） 、环型变压器、金属箔变压器。 按电源相数分类：单相变压器、三相变压器、多相变压器。 按用途分类：电源变压器、调压变压器、音频变压器、中频变压器、高频变压器、脉冲 变压器。 二、电源变压器的特性参数 1 工作频率 变压器铁芯损耗与频率关系很大， 故应根据使用频率来设计和使用， 这种频率称工作频 率。 2 额定功率 在规定的频率和电压下，变压器能长期工作，而不超过规定温升的输出功率。 3 额定电压 指在变压器的线圈上所允许施加的电压，工作时不得大于规定值。 4 电压比 指变压器初级电压和次级电压的比值，有空载电压比和负载电压比的区别。 5 空载电流 变压器次级开路时，初级仍有一定的电流，这部分电流称为空载电流。空载电流由磁化 电流（产生磁通）和铁损电流（由铁芯损耗引起）组成。对于 50Hz 电源变压器而言，空载 电流基本上等于磁化电流。 6 空载损耗：指变压器次级开路时，在初级测得功率损耗。主要损耗是铁芯损耗，其次 是空载电流在初级线圈铜阻上产生的损耗（铜损） ，这部分损耗很小。 7 效率第 40 页 共 88 页一、 电子元器件知识大全指次级功率 P2 与初级功率 P1 比值的百分比。通常变压器的额定功率愈大，效率就愈 高。 8 绝缘电阻 表示变压器各线圈之间、 各线圈与铁芯之间的绝缘性能。 绝缘电阻的高低与所使用的绝 缘材料的性能、温度高低和潮湿程度有关。 三、音频变压器和高频变压器特性参数 1 频率响应 指变压器次级输出电压随工作频率变化的特性。 2 通频带 如果变压器在中间频率的输出电压为 U0，当输出电压（输入电压保持不变）下降到 0.707U0 时的频率范围，称为变压器的通频带 B。 3 初、次级阻抗比 变压器初、次级接入适当的阻抗 Ro 和 Ri,使变压器初、次级阻抗匹配，则 Ro 和 Ri 的 比值称为初、次级阻抗比。在阻抗匹配的情况下，变压器工作在最佳状态，传输效率最高。Ⅷ。石英晶振 一．作用： 与时钟芯片、单片机或电脑声卡、显卡组成振荡电路，是数字电路中最重要的信号产生 源，是用来产生时钟信号的。晶振在数字电路地位如同机械系统中的齿轮或链条，是用来驱 动其他数字电路步调协调地工作的。电脑主频指的就是晶振产生时钟信号的频率. 二．晶振符号： 晶振在电路板中用“X”或“Y”来表示。 三．晶振的单位： 晶振的单位主要用“Hz”来表示，其换算关系为：1MHz=103KHz=106Hz 四．晶振的分类： 以电脑为例，主板上的晶振主要分为： ⑴时钟晶振：与时钟芯片相连 频率为 14.318MHz 工作电压为 1.1-1.6V ⑵实时晶振：与南桥相连 频率为 32.768MHz 工作电压为 0.4V 左右 ⑶声卡晶振：与声卡芯片相连 频率为 24.576MHz 工作电压为 1.1-2.2V ⑷网卡晶振：与网卡芯片相连 频率为 25.000MHz 工作电压为 1.1-2.2V 其他常见的晶振有 6.0M、12M、20M 的，其次使用时注意不同频率的晶振有不同的工 作电压！ 五．晶振好坏的判断： 将数字表打到二极管档， 好的晶振两引脚间的数值应为无穷大， 如果有数值则表示已经 损坏。 在电路中可以通过电压测试法来判断， 如果工作电压出现偏低， 则表示晶振没有起振， 或用示波器测，若有电压无波形则为晶振坏。另外也可以用替换法来判断。 六．晶振的代换原则 晶振的代换必须原型号代换。Ⅸ。电子管第 41 页 共 88 页 电子元器件知识大全什么是电子管 电子管是一种在气密性封闭容器（一般为玻璃管）中产生电流传导，以获得信号放大或 振荡的电子器件。早期应用于电视机、收音机扩音机等电子产品中，近年来逐渐被晶体管和 集成电路所取代， 但目前在一些高保真音响器材中， 仍然使用电子管作为音频功率放大器件。 电子管在电器中用字母“V”或“VE”表示，旧标准用字母“G”表示。 二、电子管的种类 （一）按用途分类 电子管按其用途的不同可分为电压放大管、功率大管、充气管、闸流管、引燃管、混频 或变频管、整流管、振荡管、检波管、调谐指过管、稳压管等。 （二）按电极数分类 电子管按其电极数的不同可分为电压放大管、三极管、四极管、五极管、六极管、攻极 管、八极管、九极管和复合管等。三极以上的电管又称为多极管或多栅管。 （三）按外形分类 电子管按其外形及外壳材料可分为瓶形玻璃管（ST 管）“橡实”管、筒形玻璃管（GT 、 管） 、大型玻璃管（G 式管） 、金属瓷管、小型管（也称花生管或指形管、MT 管） 、塔形管、 超小型管（铅笔形管）等多种。 （四）按内部结构分类 电子管按其内部结构可分为单二极管、二极管、双二极三极管、双二极管极管、单三极 管、功率五极管、束射四极管、束射五极管、双一极管、二极――五极复合管、又束射四极 管、三极-五极复合管、三极-六极复合管、三极-七极复合管、束射功率各处室等多种类型。 （五）按阴极的加热方式分类 电子管按阴极的加热方式可分为直热式阴极电子管和旁热式阴极电子管。 （六）按屏蔽方式分类 电子管按屏蔽方式可分为锐截止屏蔽电子管和遥截止屏蔽电子管。 （七）按冷却方式分类 电子管按冷却方式可分为水冷式电子管、风冷式电子管和自然冷却式电子管。 三、电子管的选用经验介绍 1．按用途合理选择电子管的类型 电子管的种类繁多，功能各异。选用时，应根据应用的电路的具体要求（例如，是电压 放大管还是功率放大管）来选择合适的类型及型号。在功率放大器中，电压放大管可选用 6N4、 6N8P、 6N11、 12AX7、 6922、 6DJ8 等型号； 电压驱动管可选用 12AU7、 12AT7、 6SN7、 6DJ6、6CG7、6NP8、ECC82、6N6 等型号；功率输出管可选用 KT88、EL34、300B、6650C 等型号。 2．根据电路要求选用电子管的主要参数 电子管在使用时应严格遵照产品手册中规定的各极电压值 （包括灯丝电压、 屏极电压和 帘栅极电压等） 。选用哪种型号的电子管，还应根据应用电路的工作电压值、电流值等参数 而定。 所选电子管的各极电压值应与应用电路的工作电压值相同或相近， 否则会缩短电子管 的使用寿命。 3．主要参数应相同或相近 电子管损坏后， 若无同型号电子管更换， 也可以使用主要参数相同或相近的其它型号电 子管来代换。代换管的灯丝电压不能超过额定值的+5%，屏极电压和帘栅极电压不能超过额 定值，耗散功率应相同，否则会缩短电子管的使用寿命。 4．管脚数量及管脚排列应相同 电子管有四脚管、五脚管、小七脚管、八脚管（俗称“南京管”、小九脚管（俗称“北 ）第 42 页 共 88 页 电子元器件知识大全京管”。常用的四脚管有 EG1~1.25/10、EG1~0.3/8.5 等型号，五肢管有 FU-7 等型号，小七 ） 脚管有 6A2、6K4、6J4、6J5 等型号，八脚管有 6P6P、6J8P 等型号，小九脚管有 6N1、6N2、 6N3、6N11、6P1、6P14、6P15、6U1 等型号。 四、电子管的引脚排列 引脚数量相同的电子管，其内部结构、引脚排列及功能等往往不相同，这一点在代称时 应注意。对于型号不清、外形相同的电子管，业余条件下可以通过观察其内部结构并用万用 表电阻档配合测量等方法来识别 二极电子管 二极电子管分为整流二极管、阻尼二极管和充气二极管等，其内部由阴极 K、屏极 A 和灯丝 F 等组成。 二极电子管}
电子元器件知识大全电子元器件基础知识Ⅰ.电阻 导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号 R 表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别 用Ω 、KΩ 、MΩ 表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） 第一部分：主称 ，用字母表示，表示产品的名字。如 R 表示电阻，W 表示电位器。 第二部分：材料 ，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、 S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、 T-可调。 第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性 能指标等 例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻 二、电阻器的分类 1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电 阻器。 2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、 化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。 3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。 4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、 湿敏电阻器。 三、电阻器主要特性参数 1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。 2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表 示电阻器的精度。允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或 00)、± 2%-0.2(或 0)、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级 3、额定功率：在正常的大气压力 90-106.6KPa 及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下， 电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。 线绕电阻器额定功率系列为（W） ：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、 40、50、75、100、150、250、500 非线绕电阻器额定功率系列为（W） ：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100 4、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。 5、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。 6、温度系数：温度每变化 1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳 定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。第 1 页 共 88 页 电子元器件知识大全7、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻 器寿命长短的参数。 8、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化 1 伏，电阻器的相对变化量。 9、噪声：产生于电阻器中的一种不规则的电压起伏，包括热噪声和电流噪声两部分， 热噪声是由于导体内部不规则的电子自由运动，使导体任意两点的电压不规则变化。 四、电阻器阻值标示方法 1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示， 若电阻上未注偏差，则均为±20%。 2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许 偏差也用文字符号表示。 符号前面的数字表示整数阻值， 后面的数字依次表示第一位小数阻 值和第二位小数阻值。 表示允许误差的文字符号 文字符号 D F G J K M 允许偏差 ±0.5% ±1% ±2% ±5% ±10% ±20% 3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到右，第一、二 位为有效值，第三位为指数，即零的个数，单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。 4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大 部分采用色标法。 黑-0、棕-1、红-2、橙-3、黄-4、绿-5、蓝-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、银-±10%、 无色-±20% 当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色，前两位为有效数字， 第三位为乘方数， 第四位为偏差。 当电阻为五环时，最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字， 第四位为乘方 数， 第五位为偏差。五、常用电阻器第 2 页 共 88 页 电子元器件知识大全1、电位器 电位器是一种机电元件， 他靠电刷在电阻体上的滑动， 取得与电刷位移成一定关系的输 出电压。 1.1 合成碳膜电位器 电阻体是用经过研磨的碳黑，石墨，石英等材料涂敷于基体表面而成，该工艺简单，是 目前应用最广泛的电位器。特点是分辩力高耐磨性好，寿命较长。缺点是电流噪声，非线性 大， 耐潮性以及阻值稳定性差。 1.2 有机实心电位器 有机实心电位器是一种新型电位器， 它是用加热塑压的方法， 将有机电阻粉压在绝缘体 的凹槽内。有机实心电位器与碳膜电位器相比具有耐热性好、功率大、可靠性高、耐磨性好 的优点。但温度系数大、动噪声大、耐潮性能差、制造工艺复杂、阻值精度较差。在小型化、 高可靠、高耐磨性的电子设备以及交、直流电路中用作调节电压、电流。 1.3 金属玻璃铀电位器 用丝网印刷法按照一定图形， 将金属玻璃铀电阻浆料涂覆在陶瓷基体上， 经高温烧结而 成。特点是：阻值范围宽，耐热性好，过载能力强，耐潮，耐磨等都很好，是很有前途的电 位器品种，缺点是接触电阻和电流噪声大。 1.4 绕线电位器 绕线电位器是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体， 并把它绕在绝缘骨架上制成。 绕线电 位器特点是接触电阻小，精度高，温度系数小，其缺点是分辨力差，阻值偏低，高频特性差。 主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。 1.5 金属膜电位器 金属膜电位器的电阻体可由合金膜、 金属氧化膜、 金属箔等分别组成。 特点是分辩力高、 耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好。 1.6 导电塑料电位器 用特殊工艺将 DAP（邻苯二甲酸二稀丙脂）电阻浆料覆在绝缘机体上，加热聚合成电 阻膜，或将 DAP 电阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体。特点是：平 滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可靠性极高、耐化学腐蚀。用于宇宙装 置、导弹、飞机雷达天线的伺服系统等。 1.7 带开关的电位器 有旋转式开关电位器、推拉式开关电位器、推推开关式电位器 1.8 预调式电位器 预调式电位器在电路中，一旦调试好，用蜡封住调节位置，在一般情况下不再调节。 1.9 直滑式电位器 采用直滑方式改变电阻值。 1.10 双连电位器 有异轴双连电位器和同轴双连电位器 1.11 无触点电位器 无触点电位器消除了机械接触， 寿命长、 可靠性高， 分光电式电位器、 磁敏式电位器等。 2、实芯碳质电阻器 用碳质颗粒壮导电物质、填料和粘合剂混合制成一个实体的电阻器。特点：价格低廉， 但其阻值误差、噪声电压都大，稳定性差，目前较少用。 3、绕线电阻器 用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成， 外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆。 绕线电阻具有第 3 页 共 88 页 电子元器件知识大全较低的温度系数，阻值精度高， 稳定性好，耐热耐腐蚀，主要做精密大功率电阻使用，缺 点是高频性能差，时间常数大。 4、薄膜电阻器 用蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。主要如下： 4.1 碳膜电阻器 将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度 系数和电压系数低，是目前应用最广泛的电阻器。 4.2 金属膜电阻器。 用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。金属膜电阻比碳膜电阻的精度 高，稳定性好，噪声， 温度系数小。在仪器仪表及通讯设备中大量采用。 4.3 金属氧化膜电阻器 在绝缘棒上沉积一层金属氧化物。 由于其本身即是氧化物， 所以高温下稳定， 耐热冲击， 负载能力强。 4.4 合成膜电阻 将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得， 因此也叫漆膜电阻。 由于其导电层呈现颗粒状 结构，所以其噪声大，精度低，主要用他制造高压， 高阻， 小型电阻器。 5、金属玻璃铀电阻器 将金属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基板上。 耐潮湿， 高温， 温度系数 小，主要应用于厚膜电路。 6、贴片电阻 SMT 片状电阻是金属玻璃铀电阻的一种形式， 他的电阻体是高可靠的钌系列玻璃铀材料经过 高温烧结而成，电极采用银钯合金浆料。体积小，精度高，稳定性好，由于其为片状元件， 所以高频性能好。 7、敏感电阻 敏感电阻是指器件特性对温度，电压，湿度，光照，气体， 磁场，压力等作用敏感的 电阻器。 敏感电阻的符号是在普通电阻的符号中加一斜线，并在旁标注敏感电阻的类型， 如：t. v 等。 7.1、压敏电阻 主要有碳化硅和氧化锌压敏电阻，氧化锌具有更多的优良特性。 7.2、湿敏电阻 由感湿层，电极，绝缘体组成，湿敏电阻主要包括氯化锂湿敏电阻，碳湿敏电阻，氧化 物湿敏电阻。 氯化锂湿敏电阻随湿度上升而电阻减小， 缺点为测试范围小， 特性重复性不好， 受温度影响大。碳湿敏电阻缺点为低温灵敏度低，阻值受温度影响大，由老化特性，较少使 用。氧化物湿敏电阻性能较优越，可长期使用，温度影响小，阻值与湿度变化呈线性关系。 有氧化锡，镍铁酸盐，等材料。 7.3、光敏电阻 光敏电阻是电导率随着光量力的变化而变化的电子元件， 当某种物质受到光照时， 载流 子的浓度增加从而增加了电导率，这就是光电导效应。 7.4、气敏电阻 利用某些半导体吸收某种气体后发生氧化还原反应制成， 主要成分是金属氧化物， 主要 品种有：金属氧化物气敏电阻、复合氧化物气敏电阻、陶瓷气敏电阻等。 7.5、力敏电阻 力敏电阻是一种阻值随压力变化而变化的电阻， 国外称为压电电阻器。 所谓压力电阻效 应即半导体材料的电阻率随机械应力的变化而变化的效应。 可制成各种力矩计， 半导体话筒，第 4 页 共 88 页 电子元器件知识大全压力传感器等。主要品种有硅力敏电阻器，硒碲合金力敏电阻器，相对而言，合金电阻器具 有更高灵敏度。 7.6、热敏电阻 热敏电阻是敏感元件的一类,其电阻值会随着热敏电阻本体温度的变化呈现出阶跃性的 变化,具有半导体特性. 热敏电阻按照温度系数的不同分为: 正温度系数热敏电阻(简称 PTC 热敏电阻) 负温度系数热敏电阻(简称 NTC 热敏电阻)正温度热敏电阻(PTC Thermistor)PTC 是 Positive Temperature Coefficient 的缩写,意思是正的温度系数,泛指正温度系数 很大的半导体材料或元器件.通常我们提到的 PTC 是指正温度系数热敏电阻,简称 PTC 热敏 电阻. PTC 热敏电阻是一种典型具有温度敏感性的半导体电阻,超过一定的温度(居里温度)时, 它的电阻值随着温度的升高呈阶跃性的增高. PTC 热敏电阻根据其材质的不同分为: 陶瓷 PTC 热敏电阻 有机高分子 PTC 热敏电阻 恒温加热用 PTC 热敏电阻 过流保护用 PTC 热敏电阻目前大量被使用的 PTC 热敏电阻种类:第 5 页 共 88 页 电子元器件知识大全空气加热用 PTC 热敏电阻 延时启动用 PTC 热敏电阻 传 感 器用 PTC 热敏电阻 自动消磁用 PTC 热敏电阻一般情况下,有机高分子 PTC 热敏电阻适合过流保护用途,陶瓷 PTC 热敏电阻可适用于 以上所列各种用途.负温度热敏电阻(NTC Thermistor)NTC 是 Negative Temperature Coefficient 的缩写,意思是负的温度系数,泛指负温度系数 很大的半导体材料或元器件.通常我们提到的 NTC 是指负温度系数热敏电阻,简称 NTC 热敏 电阻.第 6 页 共 88 页 电子元器件知识大全NTC 热敏电阻是一种典型具有温度敏感性的半导体电阻,它的电阻值随着温度的升高呈 阶跃性的减小. NTC 热敏电阻是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成 的.这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材 料.温度低时，这些氧化物材料的载流子（电子和孔穴）数目少，所以其电阻值较高；随着 温度的升高，载流子数目增加，所以电阻值降低.NTC 热敏电阻根据其用途的不同分为:功率型 NTC 热敏电阻 补偿型 NTC 热敏电阻 测温型 NTC 热敏电阻Ⅱ.电容 电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合， 旁路，滤波， 调谐回路， 能量转换， 控制电路等方面。 C 表示电容， 用 电容单位有法拉 （F） 微法拉 、 （uF） 、 皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF 一、电容器的型号命名方法 国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器） 。依次分别 代表名称、材料、分类和序号。 第一部分：名称，用字母表示，电容器用 C。 第二部分：材料，用字母表示。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。 第四部分：序号，用数字表示。 用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电 解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有 机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介 二、电容器的分类 按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。 按电解质分类有： 有机介质电容器、 无机介质电容器、 电解电容器和空气介质电容器等。 按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。 高频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器。 低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。 滤 波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。 调 谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。 高频耦合：陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。 低频耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器。 小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电容器、固体钽 电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。 三、常用电容器第 7 页 共 88 页 电子元器件知识大全1、铝电解电容器 用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成， 薄的化氧化膜作介质的电容器. 因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大，能耐受大的脉动电流容量误 差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在 25kHz 以上频率低频旁 路、信号耦合、电源滤波 2、钽电解电容器 用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、 频率特性和可*性均优于普通 电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体 积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差， 若损坏易呈短路状态超小型高可 *机件中 3、薄膜电容器 结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好，介电损 耗小不能做成大的容量，耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路 4、瓷介电容器 穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，频率特 性好，介电损耗小，有温度补偿作用不能做成大的容量，受振动会引起容量变化特别适于高 频旁路 5、独石电容器 (多层陶瓷电容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不 可分割的整体，外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可*和耐高温的新型电容器，高 介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能，体积极小，Q 值高容量误差较大噪声旁路、 滤波器、积分、振荡电路 6、纸质电容器 一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为 0.008～0.012mm 的电容器纸隔开重叠卷绕 而成。制造工艺简单，价格便宜，能得到较大的电容量 一般在低频电路内，通常不能在高于 3～4MHz 的频率上运用。油浸电容器的耐压比普 通纸质电容器高，稳定性也好，适用于高压电路 7、微调电容器 电容量可在某一小范围内调整，并可在调整后固定于某个电容值。 瓷介微调电容器的 Q 值高，体积也小，通常可分为圆管式及圆片式两种。 8、云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东，结构简单，但稳定性较差。 线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的，故容量只能变小，不适合在 需反复调试的场合使用 9、陶瓷电容器 用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并 用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。 具有小的正电容温度系数的电容器， 用于高稳定振荡回路中， 作为回路电容器及垫整电 容器。 低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用， 或对稳定性和损耗 要求不高的场合〈包括高频在内〉 。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉 冲电压击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路 云母电容器就结构而言， 可分为箔片式及被银式。 被银式电极为直接在云母片上用真空 蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比 箔片式高。频率特性好，Q 值高，温度系数小不能做成大的容量广泛应用在高频电器中，并 可用作标准电容器第 8 页 共 88 页 电子元器件知识大全10、 玻璃釉电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成， 介质再以银层电 极经烧结而成&独石&结构性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在 200℃ 或更高温度下工作，额定工作电压可达 500V，损耗 tgδ 0. 四、电容器主要特性参数： 1、标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。 电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。 精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、 Ⅲ-±20%、 Ⅳ-（+20%-10%） 、Ⅴ-（+50%-20%） 、Ⅵ-（+50%-30%） 一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。 2、额定电压 在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值， 一般直接 标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久 损坏。 3、绝缘电阻 直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻. 当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉0.1uf 时，主要取决于介质的性能， 绝缘电阻越小越好。 电容的时间常数： 为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数， 他等于电容 的绝缘电阻与容量的乘积。 4、损耗 电容在电场作用下， 在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。 各类电容都规定了其 在某频率范围内的损耗允许值， 电容的损耗主要由介质损耗， 电导损耗和电容所有金属部分 的电阻所引起的。 在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的 作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。 5、频率特性 随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。 五、电容器容量标示 1、直标法 用数字和单位符号直接标出。如 01uF 表示 0.01 微法，有些电容用“R”表示小数点， 如 R56 表示 0.56 微法。 2、文字符号法 用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如 p10 表示 0.1pF,1p0 表示 1pF,6P8 表示 6.8pF, 2u2 表示 2.2uF. 3、色标法 用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。 电容器偏差标志符号：+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、 +50%-20%--S、+80%-20%--Z。 六．选用电容电容器常识 1．电容器装接前应进行测量，看其是否短路、断路或漏电严重，并在装入电路时使电容器第 9 页 共 88 页 电子元器件知识大全的标志顺序一致。 2．电路中电容两端的电压不能超过电容器本身的工作电压。装接时注意正、负极性不能装 反（电解电容有正负极之分） 。 3． 当现有电容器与电路要求的容量或耐压不合适时， 可以采用串联或并联的方法予以适应。 当两个工作电压不同的电容器并联时， 耐压值取决于低的电容器； 当两个容量不同的电容器 串联时，容量小的电容器所承受的电压高于容量大的电容器。 4．技术要求不同的电路，应选用不同类型的电容器。例如，谐振回路中需要介质损耗小的 电容器，应选用高频陶瓷电容器（CC 型，即药片形）或云母电容器；隔直、耦合电容可选 独石、涤纶、电解等电容器；低频滤波电路（即整流电路）一般应选用电解电容器；旁路电 容可选涤纶、独石、陶瓷和电解电容器。 5．选用电容器时应根据电路中信号频率的高低来选择，一个电容器可等效成 R、L、C 二端 线性网络，不同类型的电容器其等效参数 R、L、C 的差异很大。等效电感大的电容器（如 电解电容器）不适合用于耦合、旁路高频信号；等效电阻大的电容器不适合用于 Q 值要求 高的振荡回路中。为满足从低频到高频滤波旁路的要求，在实际电路中，常将一个容量大的 电解电容器与一个小容量的、适合于高频的电容器并联使用。 七. 什么是旁路电容和去耦电容、滤波电容及其作用滤波电容－用在电源整流电路中，用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。 去耦电容－用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。 旁路电容_用在有电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利通过。 去耦电容作用：去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的 RF 能量。去耦电容还可以为器件供局 部化的 DC 电压源，它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。 旁路电容作用： 从元件或电缆中转移出不想要的共模 RF 能量。 这主要是通过产生 AC 旁路消除无意的能量 进入敏感的部分， 还可以提供基带滤波功能（带宽受限） 。我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为二是滤除该器件产 生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。 在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。对 于，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为称退耦电容，是把输出信号的干扰作为比较小， 根据谐振频率一般是 0.1u，0.01u 等； 而去耦合电容一般比较大，是 10u 或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。 数字电路中典型的去耦电容值是 0.1F。 电容的分布电感的典型值是 5H。0.1F 的去耦电容有 5H 的分布电感， 它的并行共振频率大约在 7MHz 左右， 也就是的去耦效果， 40MHz 以上的噪声几乎不起作用。 对 1F、 10F 的电容，并行共振频率在 20MHz 以上，去除高频噪声的效果要好一些。每 10 片左右集成电路要加一 片充放电电容，或 1 个蓄能电容，可选 10F 左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这 种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按 C=&1&/F，即 10MHz 取 0.1F，100MHz 取 0.01F。第 10 页 共 88 页 电子元器件知识大全Ⅲ.二极管 几乎在所有的电子电路中， 都要用到半导体二极管， 它在许多的电路中起着重要的作用， 它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。 一．二极管的应用 1、整流二极管 利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。 2、开关元件 二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电 压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以 组成各种逻辑电路。 3、限幅元件 二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为 0.7V，锗管为 0.2V） 。利用这 一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。 4、继流二极管 在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。 5、检波二极管 在收音机中起检波作用。 6、变容二极管（二极管反接） 使用于电视机的高频头中，反向电压越大，电容越小。 7、LED 发光二极管/显示元件 用于指示灯、数码管或用于新型电视机显示器上。二．常用二极管及其参数 型号 05Z6.2Y 05Z7.5Y 05Z13X 05Z15Y 05Z18Y 1N2 1N4 1N6 1N8 1N2 1N5393 用途 最大反压，最大反向电流 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V,Pzm=500mW, 硅稳压二极管 Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW, 硅稳压二极管 Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW, 硅稳压二极管 Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW, 硅稳压二极管 Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW, 硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A) 硅整流二极管 100V, 1A, 硅整流二极管 200V, 1A, 硅整流二极管 400V, 1A, 硅整流二极管 600V, 1A, 硅整流二极管 800V, 1A, 硅整流二极管 1000V, 1A, 开关二极管 75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V, 硅整流二极管 50V, 1.5? ,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50? ) 硅整流二极管 100V,1.5? , 硅整流二极管 200V,1.5? ,第 11 页 共 88 页 电子元器件知识大全1N5 1N7 1N9 1N1 1N3 1N5 1N7 1N5408硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管 硅整流二极管300V,1.5? , 400V,1.5? , 500V,1.5? , 600V,1.5? , 800V,1.5? , ? , 50V, 3? ,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150? ) 100V,3? , 200V,3A, 300V,3A, 400V,3A, 500V,3A, 600V,3A, 800V,3A, 1000V,3A,Ⅳ。晶体三极管晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、 开关、稳压、信号调制、混频和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于 输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关 （如 Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可 以非常之快，在实验室中的切换速度可达 100GHz 以上。 半导体三极管，是内部含有两个 PN 结，外部通常为三个引出电极的半导 体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采 用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为 TTL 电路， 它属于半导体集成电路的一种， 其中用得最普遍的是 TTL 与非门。 TTL 与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅 片上，封装成一个独立的元件。半导体三极管是电路中应用最广泛的器件之一， 在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 半导体三极管主要分为两大类： 双极性晶体管 （BJT） 和场效应晶体管 （FET） 。 晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由 N 型跟 P 型组成发射极 （Emitter）、基极 (Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极， 分别是源极 （Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极 性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE 组态）、 基极接地、集电极接地。最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面，其次是阻 抗匹配、讯号转换??等，晶体管在电路中是个很重要的组件，许多精密的组件 主要都是由晶体管制成的。 三极管的导通 三极管处于放大状态还是开关状态要看给三极管基极加的直 流偏置，随这个电流变化，三极管工作状态由截止-线性区-饱和状态变化而变，第 12 页 共 88 页 电子元器件知识大全如果三极管 Ib（直流偏置点）一定时，三极管工作在线性区，此时 Ic 电流的变 化只随着 Ib 的交流信号变化，Ib 继续升高，三极管进入饱和状态，此时三极管 的 Ic 不再变化，三极管将工作在开关状态。 三极管为开关管使用时工作在饱和状态 1，用放大状态 1 表示不是很科学。 请对照三极管手册的 Ib；Ic 曲线加以参考我的回答来理解三极管的工作状 态，三极管 be 结和 ce 结导通三极管才能正常工作。 如果三极管没有加直流偏置时，放大电路时输入的交流正弦信号正半周时， 基极对发射极而言是正的，由于发射结加的是反向电压，此时没有基极电流和集 电极电流，此时集电极电流变化与基极反相，在输入电压的负半周，发射极电位 对于基极电位为正的，此时由于发射极加的是正向电压，才有基极和集电极电流 通过，此时集电极电流变化与基极同相， 在三极管没有加直流偏置时三极管 be 结和 ce 结导通，三极管放大电路将只有半个波输出将产生严重的失真。 晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷 术，汽车和电话等发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动 （active）元件。晶体管在当今社会的重要性，主要是因为晶体管可以使用高度 自动化的过程，进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成 本。 虽然数以百万计的单体晶体管还在使用，但是绝大多数的晶体管是和电阻、 电容一起被装配在微芯片（芯片）上以制造完整的电路。模拟的或数字的或者这 两者被集成在同一块芯片上。设计和开发一个复杂芯片的成本是相当高的，但是 当分摊到通常百万个生产单位上，每个芯片的价格就是最小的。一个逻辑门包含 20 个晶体管，而 2005 年一个高级的微处理器使用的晶体管数量达 2.89 亿个。 晶体管的低成本、灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如 数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通 常是更便宜、更有效地，仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的 机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。 因为晶体管的低成本和后来的电子计算机、数字化信息的浪潮来到了。由于 计算机提供快速的查找、分类和处理数字信息的能力，在信息数字化方面投入了 越来越多的精力。今天的许多媒体是通过电子形式发布的，最终通过计算机转化 和呈现为模拟形式。受到数字化革命影响的领域包括电视、广播和报纸。（）双极型三极管 一．双极型三极管介绍 双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor―BJT）又称为半导体三极管，它是通过一 定的工艺将两个 PN 结结合在一起的器件， PNP 和 NPN 两种组合结构； 有 外部引出三个极： 集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基 区在中间） ；BJT 有放大作用，重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实 现的，为了保证这一传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基 区杂质浓度，同时基区厚度要很小，另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置（加正 向电压） 、集电结要反偏置；BJT 种类很多，按照频率分，有高频管，低频管，按照功率分， 有小、中、大功率管，按照半导体材料分，有硅管和锗管等；其构成的放大电路形式有：共 发射极、共基极和共集电极放大电路。第 13 页 共 88 页 电子元器件知识大全二、国内外三极管命名方法 1．中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN 型管、激光器件的 型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N 型锗材料、 B-P 型锗材料、C-N 型硅材料、D-P 型硅材料。表示三极管时：A-PNP 型锗材料、B-NPN 型 锗材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN 型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小 功率管(F&3MHz,Pc&1W)、G-高频小功率管（f&3MHz,Pc&1W） ―低频大功率管 、D （f&3MHz,Pc&1W） 、A-高频大功率管（f&3MHz,Pc&1W） 、T-半导体晶闸管（可控整流器） 、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、 PIN-PIN 型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如：3DG18 表示 NPN 型硅材料高频三极管 3CX 系列低频小功率三极管 3DX 系列低频小功率三极管 3AG 系列高频小功率三极管 3DG 系列高频小功率三极管 3CG 系列高频小功率三极管 3CG 系列高频中功率三极管 3DG 系列高频中功率三极管 2、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号 意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器 件的组合管、1-二极管、2 三极或具有两个 pn 结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三 个 pn 结的其他器件、┄┄依此类推。 第二部分： 日本电子工业协会 JEIA 注册标志。 S-表示已在日本电子工业协会 JEIA 注册登记 的半导体分立器件。 第三部分： 用字母表示器件使用材料极性和类型。 A-PNP 型高频管、 B-PNP 型低频管、 C-NPN 型高频管、 D-NPN 型低频管、 控制极可控硅、 F-P G-N 控制极可控硅、 H-N 基极单结晶体管、 J-P 沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会 JEIA 登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开 始，表示在日本电子工业协会 JEIA 登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同 一顺序号；数字越大，越是近期产品。 第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F 表示这一器件是 原型号产品的改进产品。 3、美国半导体分立器件型号命名方法第 14 页 共 88 页 电子元器件知识大全美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法 如下： 第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、 JANS-宇航级、 （无）-非军用品。 第二部分：用数字表示 pn 结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个 pn 结器件、n-n 个 pn 结器 件。 第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA） 注册登记。 第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺 序号。 第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如： JAN2N3251A 表示 PNP 硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、 3251-EIA 登记顺序号、A-2N3251A 档。 4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等 东欧国家， 大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。 这种命名方法由四个基 本部分组成，各部分的符号及意义如下： 第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度 Eg=0.6~1.0eV 如锗、 B-器件使用材料的 Eg=1.0~1.3eV 如硅、C ―器件使用材料的 Eg&1.3eV 如砷化镓、D-器件使 用材料的 Eg&0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料 第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、 C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、 F-高频小功率三极管、G-复 合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。 第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、 一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。 第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件 按某一参数进行分档的标志。 除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下： 1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范 围，字母 A、B、C、D、E 分别表示容许误差为± 1%、± 2%、±5%、± 10%、± 15%；其后缀 第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母 V，代表小数点， 字母 V 之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。 2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。 3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值 较小的那个电压值。 如：BDX51-表示 NPN 硅低频大功率三极管，AF239S-表示 PNP 锗高频小功率三极管。 5、欧洲早期半导体分立器件型号命名法 欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。 第一部分：O-表示半导体器件第 15 页 共 88 页 电子元器件知识大全第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电 器件。 第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。 第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。 韩国三星产品型号以数字命名，现在用得也比较多，如 、 等 俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。 三．常用三极管型号及参数 3CX 系列低频小功率三极管 3DX 系列低频小功率三极管 3AG 系列高频小功率三极管 3DG 系列高频小功率三极管 3CG 系列高频小功率三极管 3CG 系列高频中功率三极管 3DG 系列高频中功率三极管 型号 2SC17 2SC97 2SC42 2SC19 2SC06 2SC38 2SC98 2SC87 2SC07 2SC86 2SC66 2SC07 2SC3783 反压 Vbe0 600V 550V V V 800V V 500V 600V 50V 100V V 50V 120V 180V V 500V 900V 200V 30V 900V 电流 Icm 15A 3A 8A 12A 12A 7A 2A 15A 10A 7A 15A 0.1A 10A 25A 15A 3A 0.2A 12A 8A 8A 12A 3A 17A 2A 5A 功率 Pcm 75W 30W 60W 75W 200W 40W 30W 250W 250W 50W 130W 0.3W 35W 250W 250W 20W 1.3W 130W 50W 50W 75W 40W 200W 1.2W 100W 放大系数 * * * * * * * * * * * * * * * 1000 * * * * * * * * * 特征频率 * * * * * * * * * 20MHZ * 180MHZ * * * * 400MHZ 30MHZ 8MHZ 8MHZ 30MHZ * 20MHZ 260MHZ * 管型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN(达 林顿) NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN 日本 日本 日本产 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 用途 备注第 16 页 共 88 页 电子元器件知识大全2SC80 2SC95 2SC05 2SC57 2SC55 2SC10 2SC55 2SC94 2SC62 2SC0 2SC828 2SC815 2SC380 2SC106 2SB29 2SB75 2SB17 13 16 9018V 900V 30V 500V 900V V 20V 20V 500V 500V 100V 20V 300V 36V 60V 35V 80V 30V 45V 60V 35V 60V 120V 180V 120V 60V 80V 180V10A 7A 5A 0.5A 15A 6A 6A 3A 0.15A 0.15A 15A 5A 15A 0.02A 0.2A 6A 0.1A 1.5A 0.7A 0.03A 0.05A 0.2A 0.03A 1.5A 25A 15A 6A 3A 4A 15A200W 120W 100W 1.2W 100W 80W 100W 50W * * 80W 40W 100W 0.25W 15W 40W 0.25W 10W 0.8W 0.25W 0.25W 0.25W 0.25W 15W 120W 150W 25W 2W 30W 150W 400mW 625 mW 625 mW 450 mW 450 mW 400mW 400mW* * * 90 13 12 12 12 * * * 20 * * * * * * * * * * * * * *
* * ** * * * * * * * 7000MHZ 6500MHZ * * * 550MHZ * 175MHZ 100MHZ * 50MHZ 100MHZ * * * * * * * * * * 150MHz 150MHz 140MHz 80MHz 80MHz 500MHz 500MHzNPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN PNP(达 林顿) PNP PNP(达 林顿) PNP PNP PNP NPN PNP NPN NPN PNP NPN PNP 高放 功放 功放 低放 低放 超高频 超高频日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 日本 韩国 韩国 韩国 韩国 韩国 韩国 韩国第 17 页 共 88 页 电子元器件知识大全1000 mW 1000 mW100 MHz 100 MHzNPN PNP功放 功放韩国 韩国三星公司三极管参数 型号 极 性 功率 (W) 电流 (mA) BU( fT(MHZ CEO hFE ) )V 50 370 主要用途 备注2SC9011 NPN 0.430通用管可 28 ～ 做功率放 198 大 64 ～ 低噪声放 202 大管 64 ～ 低噪声放 202 大管 60 ～ 低噪声放 1000 大管 60 ～ 低噪声放 600 大管 28 ～ 低噪声放 198 大管 28 ～ 低噪声高 198 频放大管 85 ～ 通用功率 300 放大管 60 ～ 通用功率 300 放大管 60 ～ 低噪声放 300 大管 60 ～ 低噪声放 300 大管同 3DG4、6、82SC9012 PNP 0.625 500 2SC9013 NPN 0.625 500 2SC9014 NPN 0.625 100 2SC9015 PNP 0.45 2SC9016 NPN 0.4 2SC9018 NPN 0.4 2SC8050 NPN 1 2SC8550 PNP 1 2SA1015 PNP 0.4 2SC1815 NPN 0.4 100 25 50 1.5A 1.5A 150 15040 40 50 50 30 30 25 25 50 60--270 190 620
200 200同 3CX 同 3DX 同 3DG 同 3CG14、15、211300*是一个系列的三极管,耐压都比较高（是高频开关管）,也非常通用, 常用于直流高压变换电路中作开关管.我们民用的很多东西中都有它们的存在, 如电了节能灯,电蚊拍,电子镇流器,手机充电器等。四、三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有 一定的规律，底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右第 18 页 共 88 页 电子元器件知识大全依次为 e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下 放置，则从左到右依次为 e b c。 晶体三极管的电流放大作用 晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量 来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将 Δ ic/Δ ib 的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β ”表示。电流放 大倍数对于某一只三极管来说是一个定值， 但随着三极管工作时基极电流的变化 也会有一定的改变。 晶体三极管的三种工作状态 截止状态：当加在三极管发射结的电压小于 PN 结的导通电压，基极电流为 零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极 和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。 放大状态：当加在三极管发射结的电压大于 PN 结的导通电压，并处于某一 恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电 极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数 β ＝ Δ ic/Δ ib，这时三极管处放大状态。 饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于 PN 结的导通电压，并当基 极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处 于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之 间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态 我们称之为饱和导通状态。 根据三极管工作时各个电极的电位高低， 就能判别三极管的工作状态， 因此， 电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判 别三极管的工作情况和工作状态。 1 中、小功率三极管的检测 A 已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏 (a) 测量极间电阻。将万用表置于 R×100 或 R×1K 挡，按照红、黑表笔的六种 不同接法进行测试。其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法 测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料 三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。 (b) 三极管的穿透电流 ICEO 的数值近似等于管子的倍数 β 和集电结的反向电流 ICBO 的乘积。ICBO 随着环境温度的升高而增长很快，ICBO 的增加必然造成 ICEO 的增大。而 ICEO 的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选 用 ICEO 小的管子。第 19 页 共 88 页 电子元器件知识大全通过用万用表电阻直接测量三极管 e－c 极之间的电阻方法，可间接估计 ICEO 的大小，具体方法如下： 万用表电阻的量程一般选用 R×100 或 R×1K 挡，对于 PNP 管，黑表管接 e 极， 红表笔接 c 极，对于 NPN 型三极管，黑表笔接 c 极，红表笔接 e 极。要求测得的 电阻越大越好。E－c 间的阻值越大，说明管子的 ICEO 越小；反之，所测阻值越 小，说明被测管的 ICEO 越大。一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其 阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用 表指针来回晃动，则表明 ICEO 很大，管子的性能不稳定。 I 测量放大能力(β )。 目前有些型号的万用表具有测量三极管 hFE 的刻度线及其 测试插座，可以很方便地测量三极管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至 挡， 量程开关拨到 ADJ 位置，把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用表指针指示 为零，然后将量程开关拨到 hFE 位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插 入测试插座，即可从 hFE 刻度线上读出管子的放大倍数。 另外：有此型号的中、小功率三极管，生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色 点来表明管子的放大倍数 β 值， 其颜色和 β 值的对应关系如表所示， 但要注意， 各厂家所用色标并不一定完全相同。 B 检测判别电极 (a) 判定基极。用万用表 R×100 或 R×1k 挡测量三极管三个电极中每两个极之 间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两 个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极 b。这时，要注 意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极 b。黑表笔分别接在其他两极时， 测得的阻值都较小， 则可判定被测三极管为 PNP 型管； 如果黑表笔接的是基极 b， 红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为 NPN 型管。 (b) 判定集电极 c 和发射极 e。(以 PNP 为例)将万用表置于 R×100 或 R×1K 挡， 红表笔基极 b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一 个大一些，一个小一些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在 阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。 C 判别高频管与低频管 高频管的截止频率大于 3MHz，而低频管的截止频率则小于 3MHz，一般情况下， 二者是不能互换的。 D 在路电压检测判断法 在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度 大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测三 极管各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断其好坏。 2 大功率晶体三极管的检测 利用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的各种方法，对检测大功 率三极管来说基本上适用。但是，由于大功率三极管的工作电流比较大，因而其 PN 结的面积也较大。PN 结较大，其反向饱和电流也必然增大。所以，若像测量 中、小功率三极管极间电阻那样，使用万用表的 R×1k 挡测量，必然测得的电阻第 20 页 共 88 页 电子元器件知识大全值很小，好像极间短路一样，所以通常使用 R×10 或 R×1 挡检测大功率三极管。 3 普通达林顿管的检测 用万用表对普通达林顿管的检测包括识别电极、区分 PNP 和 NPN 类型、估测放大 能力等项内容。因为达林顿管的 E－B 极之间包含多个发射结，所以应该使用万 用表能提供较高电压的 R×10K 挡进行测量。 4 大功率达林顿管的检测 检测大功率达林顿管的方法与检测普通达林顿管基本相同。 但由于大功率达林顿 管内部设置了 V3、R1、R2 等保护和泄放漏电流元件，所以在检测量应将这些元 件对测量数据的影响加以区分，以免造成误判。具体可按下述几个步骤进行： A 用万用表 R×10K 挡测量 B、C 之间 PN 结电阻值，应明显测出具有单向导电性 能。正、反向电阻值应有较大差异。 B 在大功率达林顿管 B－E 之间有两个 PN 结，并且接有电阻 R1 和 R2。用万用表 电阻挡检测时，当正向测量时，测到的阻值是 B－E 结正向电阻与 R1、R2 阻值并 联的结果；当反向测量时，发射结截止，测出的则是(R1＋R2)电阻之和，大约为 几百欧，且阻值固定，不随电阻挡位的变换而改变。但需要注意的是，有些大功 率达林顿管在 R1、R2、上还并有二极管，此时所测得的则不是(R1＋R2)之和， 而是(R1＋R2)与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。 5 带阻尼行输出三极管的检测 将万用表置于 R×1 挡， 通过单独测量带阻尼行输出三极管各电极之间的电阻值， 即可判断其是否正常。具体测试原理，方法及步骤如下： A 将红表笔接 E，黑表笔接 B，此时相当于测量大功率管 B－E 结的等效二极管与 保护电阻 R 并联后的阻值，由于等效二极管的正向电阻较小，而保护电阻 R 的阻 值一般也仅有 20～50 ，所以，二者并联后的阻值也较小；反之，将表笔对调， 即红表笔接 B，黑表笔接 E，则测得的是大功率管 B－E 结等效二极管的反向电阻 值与保护电阻 R 的并联阻值，由于等效二极管反向电阻值较大，所以，此时测得 的阻值即是保护电阻 R 的值，此值仍然较小。 B 将红表笔接 C，黑表笔接 B，此时相当于测量管内大功率管 B－C 结等效二极管 的正向电阻，一般测得的阻值也较小；将红、黑表笔对调，即将红表笔接 B，黑 表笔接 C，则相当于测量管内大功率管 B－C 结等效二极管的反向电阻，测得的 阻值通常为无穷大。 C 将红表笔接 E，黑表笔接 C，相当于测量管内阻尼二极管的反向电阻，测得的 阻值一般都较大，约 300～∞；将红、黑表笔对调，即红表笔接 D 黑表笔接 E，则相当于测量管内阻尼二极管的正向电阻，测得的阻值一般都较 小，约几欧至几十欧（）单极型三极管（场效应管） 一．场效应晶体管的主要参数有： 夹断电压（适用于结型和耗尽型绝缘栅场效应管） 、开启电压（适用于增强型绝缘栅场效 应晶体管） 、饱和漏电流（适合于耗尽型绝缘栅场效应管） 、直流输出电阻、漏一源极击穿 电压、栅一源极击穿电压、低频跨导、输出电阻等。第 21 页 共 88 页 电子元器件知识大全二．场效应晶体管的检测 由于绝缘栅型场效应晶体管极易因产生感应电压而击穿损坏，所以都有比较严格的包 装。型号标志失掉的很少，如果不明型号、包装不好或没有包装的绝缘栅型场效应管，一般 都已损坏，没有必要再进行电极判别。 1）对于结型场效应晶体管的电极判定 一般我们选万用表的 R× 挡，用黑表笔接触一 1k 只电极，红表笔分别接触其余两只电极，测其电阻，若电阻基本相等，交换红黑表笔再测一 次；若阻值又基本相等且两次测得的阻值一次很小，一次很大；则可说明：该结型场效应管 质量较好，如果第一次测得的阻值较小，则此时黑表笔接的是 N 沟道型场效应管的栅极 G； 如果第一次则得的阻值较大， 则黑表笔接的是 P 沟道型场效应管的栅极 G。 结型场效应管漏 极 D 和源极 S 可互换，没有必要判定。 2) 结型场效应晶体管的放大倍数 一般选万用表的 R× 100 或 R× 挡，用红黑表笔分别 1k 接触源极 S 和漏极 D，用手捏栅极 S，观察表针偏转幅度，幅度越大说明放大能力越强。 3）场效应晶体管应用于各种场效应管放大电路，选用时应了解管子的特性针对电路来 选择，更换时应同参数同类型。焊接时，电路及所使用的工具都必须良好接地，焊接顺序为 源极 S、漏极 D 和栅极 G。绝缘栅型管子不用时管脚要短路在一起。 三、部分场效应管型号及参数 型号 3DJ6NJ
2E3C 2SJ117 2SJ118 2SJ122 2SJ136 2SJ143 2SJ172 2SJ175 2SJ177 NMOS PMOS PMOS PMOS PMOS PMOS PMOS PMOS PMOS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS 开关 音频功放开关 高速功放开关 高速功放开关 高速功放开关 功放开关 激励 激励 激励 600V11A150W0. 36 400V2A40W 140V8A100W50/ 70nS0.5 60V10A50W60/1 00nS0.15 60V12A40W 60V16A35W90/1 80nS0.035 60V10A40W73/2 75nS0.18 60V10A25W73/2 75nS0.18 60V20A35W140/ 580nS0.085 70/165nS0.3 材料 管脚 用途 低频放大 参数 20V0.35MA0.1W第 22 页 共 88 页 电子元器件知识大全2SJ201 2SJ306 2SJ312 2SK30 2SK30A 2SK108 2SK118 2SK168 2SK192 2SK193 2SK214 2SK241 2SK304 2SK385 2SK386 2SK413 2SK423 2SK428 2SK447 2SK511 2SK534 2SK539 2SK560 2SK623 2SK727PMOS PMOS PMOS NJ NJ NJ NJ NJ NJ NJ NMOS NMOS NJ NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOSn GDS GDS SDG SDG SGD SGD GSD DSG GSD GSD DSG GSD GDS GDS GDS SDG GDS SDG SDG GDS GDS GDS GDS GDS 激励 激励 低放音频 低放低噪音频 音频激励开关 音频话筒放大 高频放大 高频低噪放大 高频低噪放大 高频高速开关 高频放大 音频功放 高速开关 高速开关 高速功放开关 高速开关 高速开关 高速低噪开关 高速功放开关 高速开关 开关 高速开关 高速开关 电源开关 60V14A40W30/1 20nS0.12 60V14A40W30/1 20nS0.12 50V0.5mA0.1W0 .5dB 50V0.3-6.5mA0.1 W0.5dB 50V1-12mA0.3W 70 50V0.01A0.1W0. 5dB 30V0.01A0.2W1 00MHz1.7dB 18V12-24mA0.2 W100MHz1.8dB 20V0.5-8mA0.25 W100MHz3dB 160V0.5A30W 20V0.03A0.2W1 00MHz1.7dB 30V0.6-12mA0.1 5W 400V10A120W1 00/140nS0.6 450V10A120W1 00/140nS0.7 140V8A100W0.5 100V0.5A0.9W4. 5 60V10A50W45/6 5NS0.15 250V15A150W0. 24 可驱电机 250V0.3A8W5.0 800V5A100W4.0 900V5A150W2.5 500V15A100W0. 4 250V20A120W0. 15 900V5A125W11 (2SJ118) 1DB第 23 页 共 88 页 电子元器件知识大全0/420nS2.5 2SK734 2SK785 2SK787 2SK790 2SK791 2SK794 2SK817 2SK832 2SK899 2SK962 2SK940 2SK10 2SK12 2SK16 2SK19 2SK60 2SK82 NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS SDG GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS 电源开关 电源开关 高速开关 高速功放开关 电源功放开关 电源开关 电源开关 高速开关 功放开关 电源开关 激励.驱动 功放开关 高速开关 高速开关 高速开关 功放开关 电源开关 电源开关 电源开关 电源开关 功放开关 激励,驱动 激励,驱动 450V15A150W1 60/250nS0.52 500V20A150W1 05/240nS0.4 900V8A150W95/ 240nS1.6 500V15A150W0. 4 850V3A100W4.5 900V5A150W2.5 60V26A35W40/2 30nS0.055 900V4A85W55/1 00nS4.0 500V18A125W1 30/440nS0.33 900V8A150W28 0/460nS2.0 60V0.8A0.9W0.5 5 螺线管驱动 450V5A60W60/1 30nS1.6 500V6A80W70/1 30nS1.6 450V10A100W1 10/240nS0.65 500V10A100W1 10/240nS0.9 450V18A125W1 70/230nS0.45 500V15A125W1 70/230nS0.55 500V20A150W2 50/490nS0.35 450V35A300W3 60/900nS0.2 500V30A300W3 60/900nS0.25 100V5A20W50/1 40nS0.27 800V7A125W 900V8A125W 145/250nS2.2 145/250nS2.8 可驱电机 可驱电机 可驱电机第 24 页 共 88 页 电子元器件知识大全2SK01 2SK18 2SK20 2SK70 2SK95 2SK17 2SK47 2SK54 2SK72 2SK58 2SK1374NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOSGDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS 贴片激励,驱动 功放开关 电源开关 电源开关 电源开关 电源开关 电源开关 电源开关 投影机用 电梯用 高速开关 电源开关 电源开关 电源开关 开关-感性 低噪放大 功放开关 高速开关 电源开关 电源开关 50V50mA0.15 W0.2US/0.2US5 0 激励,第 25 页 共 88 页60V15A25W80/3 00nS0.065 450V10A50W16 5/360nS0.65 600V6A100W1.2 5 600V6A45W65/1 05nSD1.25 W3. 8 W1. 8 450V10A100W7 5/135nS0.8 500V20A120W1 47/290nS0.27 500V10A85W60/ 40nS0.6 230V1.5A10W37 /100nS 700V2A35W20/8 0nS3.2 90V8A100W280/ 460nS2.0 250V10A80W60/ 150nS0.4 500V5A30W50/9 0nS1.4 500V20A150W1 30/260nS0.35 120V3A20W25/1 95nS0.4 W5 5/260nS4.0 60V1A0.75W50/ 500nS0.65 500V12A60W90/ 180nS0.6 900V9A150W65/ 120nS1.42SK1379NMOSGDS开关60V50A150W7 电子元器件知识大全8/640nS0.017 2SK88 2SK45 2SK60 2SK82 2SK35 2SK40 2SK47 2SK11 2SK45 2SK96 2SK1850 NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS 激励, 激励, 高速开关 高速开关 高速开关 高速开关 高速开关 开关功放低噪 高速开关 通 通 变频开关功放 变频开关功放 开关 电源开关 电源开关 电源开关 激励, 电源激励开关 功放开关 开关电机驱动 开关 开关 60V15A25W55/1 50nS0.08 450V5A30W45/1 75nS1.4 900V2.5A30W40 /160nS6.0 900V3.5A40W50 /265nS3.6 900V4.5A60W50 /265nS3.6 30V1.5A0.75W6 5/660nS4.5 600V9A50W110/ 240nS1.0 用 用 450V7A60W70/1 35nS0.8 500V25A200W2 40/590S0.2 800V4A40W95/1 70nS4.5 500V7A35W70/1 35nS0.9 800V3A50W40/1 35nS4.0 500V30A300W1 80/320nS0.35 开关 900V6A100W50/ 105nS2.8 900V10A150W9 0/230nS1.2 60V10A1.8W110 /360nS0.07 500V18A150W 120/210nS0.36 900V3A30W45 /110nS5.0 900V5A100W6 5/145nS3.0 60V35A40W66 /500nS0.035 30V35A60W12 5/480nS0.022第 26 页 共 88 页 电子元器件知识大全2SK37 2SK39 2SK82 2SK41 2SK61 2SK85 2.80 2SK11 2SK47 3SK103 3SK122 BS170 BUZ11A BUZ20 FS3KM FS5KM FS7KM FS10KM FS12KM FS7SM-16 H120N60 IRF130( 铁NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS GDSGDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS SDG GDS GDS GDS GDS GDS GDS gGDS gGDS 60V0.3A0.63 W12/12nS5.0 GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS 功放开关开关电源用 开关 UPS 用 开关 UPS 用 电源开关 电源开关 开关 UPS 用 电源开关 传动驱动 开关 UPS 用 高速开关 高速开关 监视器用电源 监视器用电源 监视器用电源 监视器用电源 电源开关 高频放大 高频放大450V18A80W17 0/33nS0.45 500V15A125W1 00/230nS0.48 900V5A50W35/1 05nS2.8 900V5A150W 600V2A20W 900V9A150W 800V6A50W 600V6A35W 900V6A80W 200V9A25W 500V10A70W 900V6A100W 900V8A140W 900V9A150W 500V15A125W 100V 8 15V0.02A0.2W9 00MHz 20V7-25mA0.2W 200MHz1.2dB 70/210nS2.5 11/45nS5 85/210nS1.40 50/130nS2.1 30/880nS1.1 145/250nS2.8 27/255nS0.45 70/400nS1.0 30/85 50/153nS1.1开关 功放开关 高速开关 高速开关 高速开关 高速开关 高速开关 高速开关 开关 100V14A79W7第 27 页 共 88 页50V25A75W60/1 10nS0.055 100V12A75W75/ 80nS 500V3A30W23/6 0nS4.4 900V3A53W50/1 90nS4. 900V5A50W35/1 05nS2.8 250V12A35W53/ 120nS0.40 800V7A150W1.6 600V120A 电子元器件知识大全)NMOS IRF230( 铁 )NMOS IRF250( 铁 )NMOS IRF440( 铁 )NMOS IRF450( 铁 )NMOS IRF460( 铁 )NMOS IRF530 IRF540 IRF541 IRF610 IRF630 IRF640 IRF720 IRF730 IRF740 IRF830 IRF840 IRF9530 IRF9531 IRF9541 IRF9610 IRF9630 GDS GDS GDS GDS GDS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS PMOS PMOS PMOS PMOS PMOS 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS5/45nS0.16 200V9A75W50/ 40nS0.4 200V9A75W50/ 40nS0.4 500V8A125W3 5/30nS0.85 500V13A125W 66/60nS0.4 500V13A125W 66/60nS0.4 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 100V14A79W51/ 36nS0.18 100V28A150W1 10/75nS0.077 80V28A150W11 0/75nS0.077 200V3.3A43W26 /13nS1.5 200V9A75W50/4 0nS0.4 200V18A125W7 7/54nS0.18 400V3.3A50W21 /20nS1.8 400V5.5A75W29 /24nS1.0 400V10A125W4 1/36nS0.55 500V4.5A75W23 /23nS1.5 500V8A125W35/ 33nS0.85 100V12A75W14 0/140nS0.4 60V12A75W140/ 140S0.3 60V19A125W14 0/141nS0.2 200V1A20W25/1 5nS2.3 200V6.5A75W10 0/80nS0.8第 28 页 共 88 页 电子元器件知识大全IRFS9630 IRFBC20 IRFBC30 IRFBC40 IRFBE30 IRFD120 IRFD123 IRFI730 IRFI744 IRFP054 IRFP140 IRFP150 IRFP240 IRFP250 IRFP340 IRFP350 IRFP353 IRFP360 IRFP440 IRFP450 IRFP460 IRFP9140 IRFP9150PMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS PMOS PMOSGDS GDS GDS GDS GDS 功放开关 功放开关 GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 100V1.3A1W70 /70nS0.3 80V1.1A1W70/ 70nS0.3 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关200V6.5A75W10 0/80nS0.8 600V2.2A50W15 /30nS4.4 600V3.6A74W20 /21nS2.2 600V6.2A125W2 7/30nS1.2 800V2.8A75W15 /30nS3.5400V4A32W1.0 400V4A32W1.0 60V65A180W0.0 22 100V 5 100V40A180W2 10/140nS0.55 200V19A150W0. 18 200V33A180W1 80/120nS0.08 400V10A150W0. 55 400V16A180W7 7/71nS0.3 350V14A180W7 7/71XnS0.4 400V23A250W1 40/99nS0.2 500V8.1A150W0 .85 500V14A180W6 6/60nS0.4 500V20A250W1 20/98nS0.27 100V19A150W1 00/70nS0.2 100V25A150W1第 29 页 共 88 页 电子元器件知识大全60/70nS0.2 IRFP9240 IRFPF40 IRFPG42 IRFPZ44 IRFU020 IXGH20N 60ANMO S IXGFH26 N50NMO S IXGH30N 60ANMO S IXGH60N 60ANMO S IXTP2P50 J177 M75N06 MTH8N10 0 MTH10N8 0 MTM30N 50 MTM55N 10 MTP27N1 0 MTP2955 MTP3055 MTP40N0 6 MTW20N 50 PMOS NMOS NMOS NMOS NMOS GDS GDS GDS GDS GDS GDS 600V20A150 W 500V26A300 W0.3 600V30A200 W 600V60A250 W GDS SDG GDS GDS GDS 功放开关 GDS GDS GDS GDS GDS GDS 功放开关 开关 音频功放开关 功放开关 功放开关 ( 铁 )500V30A25 0W 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 (铁 )100V55A250 W350/400nS0.04 100V27A125W0. 05 60V12A75W75/5 0nS0.3 60V12A75W75/5 0nS0.3 ( 双 )60V40A150 W/70nS0.3 500V20A250W0. 27 500V2A75W5.5 30V1.5mA0.35W 60V75A120W W1 75/180nS1.8 800V10A150W 代 J117 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 200V12A150W6 8/57nS0.5 900V4.7A150W2 .5 A150W 4.2 A150W 4.2 50V15A42W83/3 9nS0.1 *******GDSGDSGDSPMOS PMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS PMOS NMOS NMOS NMOS第 30 页 共 88 页 电子元器件知识大全RFP40N10 RFP50N05 RFP50N06 RFP6N60 RFP60N06 RFP70N06 SMP50N0 6 SMP60N0 6 SMW11N2 0 SMW11P2 0 SMW20N 10 SMW20N 10 SSH7N90 SSP6N60 SSP5N90 SSP7N80 SUP75N06 W12NA50 W GT15Q101 GT25J101 GT25Q101 GT40T101 GT60M10 3 GT60M30 1 IMBH60 IMBH60D SDT3055NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS PMOS NMOS PMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOSGDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS GDS-100 GDS-100 GDS功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 功放开关 高速电源开关 高速电源开关 高速电源开关 高速电源开关 功放开关 功放开关 IGBT IGBT IGBT IGBT IGBT IGBT IGBT IGBT100V40A160W3 0/20nS0.04 50V50A132W55/ 15nS0.022 60V50A145W55/ 15nS0.022 600V6A75W80/1 00nS1.50 60V60A120W50/ 15nS0.03 60V70A150W 50V60A125W50 nS0.026 60V60A125W50 nS0.023 200V11A150W 200V11A150W 100V20A150W 100V20A150W 900V7A150W 600V6A150W 900V5A125W 800V7A75W 60V75A125W0.0 5 50V12A150W30 0/600nS W 800V25A150W W W 900V60A300W 900V60A300W W W( 带阻)第 31 页 共 88 页 电子元器件知识大全TSD45N5 0V TNNMOS场效应模块500V45A400WA250 W IGBT 驱 动EXB841Ⅴ。晶闸管（可控硅） 晶闸管俗称可控硅，它的种类很多，但主要可分为单向晶闸管和双向晶闸管。单向晶闸 管类似于二极管，只能在一个方向导通，而双向晶闸管双向都能导通。常见的晶闸管实物外 形如下图所示。一、晶闸管(SCR) 晶体闸流管简称晶闸管,也称为可控硅整流元件(SCR),是由三个 PN 结构成的一种大功率 半导体器件。在性能上,晶闸管不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件更为可贵的可 控性,它只有导通和关断两种状态。 晶闸管的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微 秒级内开通、 关断;无触点运行,无火花、 无噪声;效率高,成本低等。 因此,特别是在大功率 UPS 供电系统中,晶闸管在整流电路、静态旁路开关、无触点输出开关等电路中得到广泛的应用。 晶闸管的弱点:静态及动态的过载能力较差,容易受干扰而误导通。 晶闸管从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形。一、 普通晶闸管的结构和工作原理晶闸管是 PNPN 四层三端器件,共有三个 PN 结。分析原理时,可以把它看作是由一个 PNP 管和一个 NPN 管所组成,其等效图解如图 1(a)所示,图 1(b)为晶闸管的电路符号。第 32 页 共 88 页 电子元器件知识大全图 1 晶闸管等效图解图 晶闸管的工作过程 晶闸管是四层三端器件,它有 J1、J2、J3 三个 PN 结,可以把它中间的 NP 分成两部分,构成 一个 PNP 型三极管和一个 NPN 型三极管的复合管。 当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的 PN 结 J2 失去阻挡 作用。 每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。 因此是两个互相复合的 晶体管电路,当有足够的门极电流 Ig 流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通。 设 PNP 管和 NPN 管的集电极电流分别为 IC1 和 IC2,发射极电流相应为 Ia 和 Ik,电流放大 系数相应为α 1=IC1/Ia 和α 2=IC2/Ik,设流过 J2 结的反相漏电流为 ICO,晶闸管的阳极电流等 于两管的集电极电流和漏电流的总和: Ia=IC1+IC2+ICO =α1Ia+α2Ik+ICO (1) 若门极电流为 Ig,则晶闸管阴极电流为:Ik=Ia+Ig。 因此,可以得出晶闸管阳极电流为: (2) 硅 PNP 管和硅 NPN 管相应的电流放大系数α 1 和α 2 随其发射极电流的改变而急剧变化。 当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未接受电压的情况下,式(1)中 Ig=0,(α 1+α 2)很小,故晶闸 管的阳极电流 Ia≈ICO,晶闸管处于正向阻断状态;当晶闸管在正向门极电压下,从门极 G 流入 电流 Ig,由于足够大的 Ig 流经 NPN 管的发射结,从而提高放大系数α 2,产生足够大的集电极 电流 IC2 流过 PNP 管的发射结,并提高了 PNP 管的电流放大系数α 1,产生更大的集电极电流 IC1 流经 NPN 管的发射结,这样强烈的正反馈过程迅速进行。 当α 1 和α 2 随发射极电流增加而使得(α 1+α 2)≈1 时,式(1)中的分母 1-(α 1+α 2)≈0,因此 提高了晶闸管的阳极电流 Ia。这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定, 晶闸管已处于正向导通状态。 晶闸管导通后,式(1)中 1-(α 1+α 2)≈0,即使此时门极电流 Ig=0, 晶闸管仍能保持原来的阳极电流 Ia 而继续导通,门极已失去作用。 在晶闸管导通后,如果不断 地减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流 Ia 减小到维持电流 IH 以下时,由于α 1 和α 2 迅 速下降,晶闸管恢复到阻断状态。 晶闸管的工作条件 由于晶闸管只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件 才能转化,此条件见表 1。第 33 页 共 88 页 电子元器件知识大全(1)晶闸管承受反向阳极电压时,无论门极承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。 (2)晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。 (3)晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,无论门极电压如何,晶闸管保持导通, 即晶闸管导通后,门极失去作用。 (4)晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。 3 晶闸管的伏安特性和主要参数 3.1 晶闸管的伏安特性 晶闸管阳极 A 与阴极 K 之间的电压与晶闸管阳极电流之间关系称为晶闸管伏安特性,如图 2 所所示。正向特性位于第一象限,反向特性位于第三象限。图 2 晶闸管伏安特性参数示意图一、 反向特性当门极 G 开路,阳极加上反向电压时(见图 3),J2 结正偏,但 J1、J2 结反偏。此时只能流过很 小的反向饱和电流,当电压进一步提高到 J1 结的雪崩击穿电压后,同时 J3 结也击穿,电流迅速 增加,如图 2 的特性曲线 OR 段开始弯曲,弯曲处的电压 URO 称为“反向转折电压” 。此后, 晶闸管会发生永久性反向击穿。图 3 阳极加反向电压第 34 页 共 88 页 电子元器件知识大全图 4 阳极加正向电压 (2) 正向特性 当门极 G 开路,阳极 A 加上正向电压时(见图 4),J1、 结正偏,但 J2 结反偏,这与普通 PN 结 J3 的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,如图 2 的特性曲线 OA 段开始弯曲,弯曲处的电压 UBO 称为“正向转折电压” 。 由于电压升高到 J2 结的雪崩击穿电压后,J2 结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子 和空穴,电子进入 N1 区,空穴进入 P2 区。进入 N1 区的电子与由 P1 区通过 J1 结注入 N1 区 的空穴复合。同样,进入 P2 区的空穴与由 N2 区通过 J3 结注入 P2 区的电子复合，雪崩击穿 后，进入 N1 区的电子与进入 P2 区的空穴各自不能全部复合掉。这样，在 N1 区就有电子积 累，在 P2 区就有空穴积累，结果使 P2 区的电位升高，N1 区的电位下降，J2 结变成正偏， 只要电流稍有增加,电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图 2 中的虚线 AB 段。这时 J1、 J2、J3 三个结均处于正偏，晶闸管便进入正向导电状态――通态,此时，它的特性与普通的 PN 结正向特性相似，如图 2 的 BC 段。 (3) 触发导通 在门极 G 上加入正向电压时(如图 5 所示),因 J3 正偏,P2 区的空穴进入 N2 区,N2 区的电子 进入 P2 区,形成触发电流 IGT。在晶闸管的内部正反馈作用(如图 2)的基础上,加上 IGT 的作 用,使晶闸管提前导通,导致图 2 中的伏安特性 OA 段左移,IGT 越大,特性左移越快。图 5 阳极和门极均加正向电压 3.2 晶闸管的主要参数 (1)断态重复峰值电压 UDRM 门 极 开 路 , 重 复 率 为 每 秒 50 次 , 每 次 持 续 时 间 不 大 于 10ms 的 断 态 最 大 脉 冲 电 压,UDRM=90%UDSM,UDSM 为断态不重复峰值电压。 UDSM 应比 UBO 小,所留的裕量由生 产厂家决定。 (2)反向重复峰值电压 URRM 其定义同 UDRM 相似,URRM=90%URSM,URSM 为反向不重复峰值电压。 (3)额定电压 选 UDRM 和 URRM 中较小的值作为额定电压,选用时额定电压应为正常工作峰值电压的 2～3 倍,应能承受经常出现的过电压。 4．常用双向可控硅型号第 35 页 共 88 页 电子元器件知识大全号型号VDRM[W] IT(RMS)[A] VGM[V] PGM[W] 600 600 600 600 800 600 600 400 600 800 600 600 800 400 600 4 8 12 16 20 16 16 15 15 15 15 16 16 8 8 5 5 5 5 5 5 10 10 10 10 5 5 5 5 5 5 20 20 20 20 20 20 16 16封装 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB说 数据 生产厂商 明 手册 MOTOROLA MOTOROLA MOTOROLA -001 BT136 002 BT137 003 BT138 004 BT139 005 BTA20 006 MCA12m 007 MCA12N 008 MCA15 009 MCA15A6 010 MCA15A8 011 MCA15A10 012 MCA16CM 013 MCA16CN 014 MCA8D 015 MCA8M第 36 页 共 88 页 电子元器件知识大全016 MCA8N 017 MCA9D 018 MCA9M 019 MCA9N800 400 600 8008 8 8 8-16 16 16 16TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB--序 号型号VDRM[W] IT(RMS)[A] IGT[mA] PGM[W] 200 400 200 400 600 200 400 600 200 400 600 200 1 1 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 10 10 10 10 10 25 25 25 10 10 10 25 0.2 0.2 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3封装 TO-92 TO-92 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-202AB TO-202AB TO-202AB TO-202AB说 明 -生产厂 数据 商 手册 -001 Q201E3 002 Q401E3 003 Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q2004F41第 37 页 共 88 页 电子元器件知识大全013 Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q4015R5400 400 400 600 200 400 600 200 400 600 200 400 600 200 400 600 200 4004 6 8 8 8 8 8 10 10 10 10 10 10 15 15 15 15 1525 25 25 25 25 25 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 500.3 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5TO-202AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB--第 38 页 共 88 页 电子元器件知识大全032 Q6015R560015500.5TO-220AB--Ⅵ。电感线圈 电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空 心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用 L 表示，单位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、 微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。 一、电感的分类 按 电感形式 分类：固定电感、可变电感。 按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。 按 工作性质 分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。 按 绕线结构 分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 二、电感线圈的主要特性参数 1、电感量 L 电感量 L 表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感） 外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。 2、感抗 XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗 XL，单位是欧姆。它与电感量 L 和交流电 频率 f 的关系为 XL=2π fL 3、品质因素 Q 品质因素 Q 是表示线圈质量的一个物理量，Q 为感抗 XL 与其等效的电阻的比值，即： Q=XL/R 线圈的 Q 值愈高，回路的损耗愈小。线圈的 Q 值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗， 屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的 Q 值通常为几十到几 百。 4、分布电容 线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电 容的存在使线圈的 Q 值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。 三、常用线圈 1、单层线圈 单层线圈是用绝缘导线一圈挨一圈地绕在纸筒或胶木骨架上。 如晶体管收音机中波天线 线圈。 2、蜂房式线圈 如果所绕制的线圈，其平面不与旋转面平行，而是相交成一定的角度，这种线圈称为蜂 房式线圈。而其旋转一周，导线来回弯折的次数，常称为折点数。蜂房式绕法的优点是体积 小，分布电容小，而且电感量大。蜂房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制，折点越多，分布 电容越小 3、铁氧体磁芯和铁粉芯线圈 线圈的电感量大小与有无磁芯有关。 在空芯线圈中插入铁氧体磁芯， 可增加电感量和提第 39 页 共 88 页 电子元器件知识大全高线圈的品质因素。 4、铜芯线圈 铜芯线圈在超短波范围应用较多， 利用旋动铜芯在线圈中的位置来改变电感量， 这种调 整比较方便、耐用。 5、色码电感器 色码电感器是具有固定电感量的电感器，其电感量标志方法同电阻一样以色环来标记。 6、阻流圈（扼流圈） 限制交流电通过的线圈称阻流圈，分高频阻流圈和低频阻流圈。 7、偏转线圈 偏转线圈是电视机扫描电路输出级的负载，偏转线圈要求：偏转灵敏度高、磁场均匀、 Q 值高、体积小、价格低。 Ⅶ。变压器 变压器是变换交流电压、电流和阻抗的器件，当初级线圈中通有交流电流时，铁芯（或 磁芯）中便产生交流磁通，使次级线圈中感应出电压（或电流） 。变压器由铁芯（或磁芯） 和线圈组成，线圈有两个或两个以上的绕组，其中接电源的绕组叫初级线圈，其余的绕组叫 次级线圈。 分类 按冷却方式分类：干式（自冷）变压器、油浸（自冷）变压器、氟化物（蒸发冷却）变 压器。 按防潮方式分类：开放式变压器、灌封式变压器、密封式变压器。 按铁芯或线圈结构分类：芯式变压器（插片铁芯、C 型铁芯、铁氧体铁芯） 、壳式变压 器（插片铁芯、C 型铁芯、铁氧体铁芯） 、环型变压器、金属箔变压器。 按电源相数分类：单相变压器、三相变压器、多相变压器。 按用途分类：电源变压器、调压变压器、音频变压器、中频变压器、高频变压器、脉冲 变压器。 二、电源变压器的特性参数 1 工作频率 变压器铁芯损耗与频率关系很大， 故应根据使用频率来设计和使用， 这种频率称工作频 率。 2 额定功率 在规定的频率和电压下，变压器能长期工作，而不超过规定温升的输出功率。 3 额定电压 指在变压器的线圈上所允许施加的电压，工作时不得大于规定值。 4 电压比 指变压器初级电压和次级电压的比值，有空载电压比和负载电压比的区别。 5 空载电流 变压器次级开路时，初级仍有一定的电流，这部分电流称为空载电流。空载电流由磁化 电流（产生磁通）和铁损电流（由铁芯损耗引起）组成。对于 50Hz 电源变压器而言，空载 电流基本上等于磁化电流。 6 空载损耗：指变压器次级开路时，在初级测得功率损耗。主要损耗是铁芯损耗，其次 是空载电流在初级线圈铜阻上产生的损耗（铜损） ，这部分损耗很小。 7 效率第 40 页 共 88 页一、 电子元器件知识大全指次级功率 P2 与初级功率 P1 比值的百分比。通常变压器的额定功率愈大，效率就愈 高。 8 绝缘电阻 表示变压器各线圈之间、 各线圈与铁芯之间的绝缘性能。 绝缘电阻的高低与所使用的绝 缘材料的性能、温度高低和潮湿程度有关。 三、音频变压器和高频变压器特性参数 1 频率响应 指变压器次级输出电压随工作频率变化的特性。 2 通频带 如果变压器在中间频率的输出电压为 U0，当输出电压（输入电压保持不变）下降到 0.707U0 时的频率范围，称为变压器的通频带 B。 3 初、次级阻抗比 变压器初、次级接入适当的阻抗 Ro 和 Ri,使变压器初、次级阻抗匹配，则 Ro 和 Ri 的 比值称为初、次级阻抗比。在阻抗匹配的情况下，变压器工作在最佳状态，传输效率最高。Ⅷ。石英晶振 一．作用： 与时钟芯片、单片机或电脑声卡、显卡组成振荡电路，是数字电路中最重要的信号产生 源，是用来产生时钟信号的。晶振在数字电路地位如同机械系统中的齿轮或链条，是用来驱 动其他数字电路步调协调地工作的。电脑主频指的就是晶振产生时钟信号的频率. 二．晶振符号： 晶振在电路板中用“X”或“Y”来表示。 三．晶振的单位： 晶振的单位主要用“Hz”来表示，其换算关系为：1MHz=103KHz=106Hz 四．晶振的分类： 以电脑为例，主板上的晶振主要分为： ⑴时钟晶振：与时钟芯片相连 频率为 14.318MHz 工作电压为 1.1-1.6V ⑵实时晶振：与南桥相连 频率为 32.768MHz 工作电压为 0.4V 左右 ⑶声卡晶振：与声卡芯片相连 频率为 24.576MHz 工作电压为 1.1-2.2V ⑷网卡晶振：与网卡芯片相连 频率为 25.000MHz 工作电压为 1.1-2.2V 其他常见的晶振有 6.0M、12M、20M 的，其次使用时注意不同频率的晶振有不同的工 作电压！ 五．晶振好坏的判断： 将数字表打到二极管档， 好的晶振两引脚间的数值应为无穷大， 如果有数值则表示已经 损坏。 在电路中可以通过电压测试法来判断， 如果工作电压出现偏低， 则表示晶振没有起振， 或用示波器测，若有电压无波形则为晶振坏。另外也可以用替换法来判断。 六．晶振的代换原则 晶振的代换必须原型号代换。Ⅸ。电子管第 41 页 共 88 页 电子元器件知识大全什么是电子管 电子管是一种在气密性封闭容器（一般为玻璃管）中产生电流传导，以获得信号放大或 振荡的电子器件。早期应用于电视机、收音机扩音机等电子产品中，近年来逐渐被晶体管和 集成电路所取代， 但目前在一些高保真音响器材中， 仍然使用电子管作为音频功率放大器件。 电子管在电器中用字母“V”或“VE”表示，旧标准用字母“G”表示。 二、电子管的种类 （一）按用途分类 电子管按其用途的不同可分为电压放大管、功率大管、充气管、闸流管、引燃管、混频 或变频管、整流管、振荡管、检波管、调谐指过管、稳压管等。 （二）按电极数分类 电子管按其电极数的不同可分为电压放大管、三极管、四极管、五极管、六极管、攻极 管、八极管、九极管和复合管等。三极以上的电管又称为多极管或多栅管。 （三）按外形分类 电子管按其外形及外壳材料可分为瓶形玻璃管（ST 管）“橡实”管、筒形玻璃管（GT 、 管） 、大型玻璃管（G 式管） 、金属瓷管、小型管（也称花生管或指形管、MT 管） 、塔形管、 超小型管（铅笔形管）等多种。 （四）按内部结构分类 电子管按其内部结构可分为单二极管、二极管、双二极三极管、双二极管极管、单三极 管、功率五极管、束射四极管、束射五极管、双一极管、二极――五极复合管、又束射四极 管、三极-五极复合管、三极-六极复合管、三极-七极复合管、束射功率各处室等多种类型。 （五）按阴极的加热方式分类 电子管按阴极的加热方式可分为直热式阴极电子管和旁热式阴极电子管。 （六）按屏蔽方式分类 电子管按屏蔽方式可分为锐截止屏蔽电子管和遥截止屏蔽电子管。 （七）按冷却方式分类 电子管按冷却方式可分为水冷式电子管、风冷式电子管和自然冷却式电子管。 三、电子管的选用经验介绍 1．按用途合理选择电子管的类型 电子管的种类繁多，功能各异。选用时，应根据应用的电路的具体要求（例如，是电压 放大管还是功率放大管）来选择合适的类型及型号。在功率放大器中，电压放大管可选用 6N4、 6N8P、 6N11、 12AX7、 6922、 6DJ8 等型号； 电压驱动管可选用 12AU7、 12AT7、 6SN7、 6DJ6、6CG7、6NP8、ECC82、6N6 等型号；功率输出管可选用 KT88、EL34、300B、6650C 等型号。 2．根据电路要求选用电子管的主要参数 电子管在使用时应严格遵照产品手册中规定的各极电压值 （包括灯丝电压、 屏极电压和 帘栅极电压等） 。选用哪种型号的电子管，还应根据应用电路的工作电压值、电流值等参数 而定。 所选电子管的各极电压值应与应用电路的工作电压值相同或相近， 否则会缩短电子管 的使用寿命。 3．主要参数应相同或相近 电子管损坏后， 若无同型号电子管更换， 也可以使用主要参数相同或相近的其它型号电 子管来代换。代换管的灯丝电压不能超过额定值的+5%，屏极电压和帘栅极电压不能超过额 定值，耗散功率应相同，否则会缩短电子管的使用寿命。 4．管脚数量及管脚排列应相同 电子管有四脚管、五脚管、小七脚管、八脚管（俗称“南京管”、小九脚管（俗称“北 ）第 42 页 共 88 页 电子元器件知识大全京管”。常用的四脚管有 EG1~1.25/10、EG1~0.3/8.5 等型号，五肢管有 FU-7 等型号，小七 ） 脚管有 6A2、6K4、6J4、6J5 等型号，八脚管有 6P6P、6J8P 等型号，小九脚管有 6N1、6N2、 6N3、6N11、6P1、6P14、6P15、6U1 等型号。 四、电子管的引脚排列 引脚数量相同的电子管，其内部结构、引脚排列及功能等往往不相同，这一点在代称时 应注意。对于型号不清、外形相同的电子管，业余条件下可以通过观察其内部结构并用万用 表电阻档配合测量等方法来识别 二极电子管 二极电子管分为整流二极管、阻尼二极管和充气二极管等，其内部由阴极 K、屏极 A 和灯丝 F 等组成。 二极电子管}
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