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光刻胶—光刻图形转移工艺的重要媒介
汇德信NEWSLETTER（2006.10）
尊敬的老师，您好！
汇德信的Newsletter是一封由北京汇德信科技有限公司为您提供的关于德国高新技术、汇德信及其代理厂商最新动态的资讯报导。
北京汇德信科技有限公司（GermanTech Co., Ltd）是由数位留德归国人士根据专业特长创办的高新技术企业，旨在提供广泛的国际化高科技服务。在致力于同国际前沿技术合作并推出自身技术和产品的基础上，目前系统地代理德国产品，广泛应用于高校、研究院所和微纳米工业企业，产品包括：表面科学分析仪器、扫描探针显微仪器、微纳米技术重要工艺设备、测量技术设备（介电、温度）等。
本期专题：——光刻图形转移工艺的重要媒介
一、&公司简介
二、&产品介绍
三、&招聘启示
_________________________________________________________
微细加工技术中的一个关键工艺是实现图形转移，也就是光刻工艺。在此过程中，光刻胶涂覆在半导体、导体或绝缘体衬底上，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后进行蚀刻并最终获得永久性的图形。
光刻胶(Resist)，又称抗蚀剂。是指通过紫外光、电子束、离子束、Ｘ射线等的照射或辐射，其性质发生变化的耐蚀刻薄膜材料。按曝光光源和辐射源的不同，又分为(包括紫外正性光刻胶、紫外负性光刻胶)、深紫外光刻胶、电子束胶、Ｘ射线胶、离子束胶等。经曝光和显影后，曝光部分被去除的是正性光刻胶，曝光部分保留的是负性光刻胶。
一、公司简介
北京汇德信科技有限公司(GermanTech Co.,Ltd.)专业从事微纳米加工与检测技术的开发与推广工作。在光刻工艺所需设备与电子化学品方面，我们与国外多家研究所及从事光刻的高技术企业保持着紧密的合作关系，为国内用户提供一流的产品与服务，尤其是国际一流的电子束和光学光刻胶。
我们的主要伙伴包括：
德国Raith公司，世界一流的专业电子束光刻机生产厂家，其电子束光刻技术广泛用于微纳米技术研究和开发，有丰富的电子束曝光抗蚀剂的使用经验。
AMO微电子研究所，亚琛大学的一个分支机构，主要致力于研究纳米电子、光子器件，及先进工艺技术。提供纳米压印技术所用的标准模板及纳米压印光刻胶AMONIL。
德国Allresist公司是从事光刻用电子化学品研发、生产和销售的专业公司，有丰富的经验和悠久的传统，提供各种标准工艺所用的光学和电子束曝光胶，以及相关工艺中用到的其他化学制品。它是association GFWW e.V., Silicon Saxony e.V.，Bad Saarow Bridge Club（德国微电子高技术企业协会）的成员，2002年获得德国 Brandenburg技术基金会的技术转移奖，2004年获得Zukunftspreis Ostbrandenburg奖。
为了适应不同规模生产、研究的需要，我们的产品采用灵活多样的包装规格，而且交货时间短。此外，通过与德国伙伴的紧密合作，我们还提供样品测试及高水准的技术咨询服务，可以为客户开发、订制特殊复杂工艺所需要的产品。
我们的技术和经验已为广大的用户和合作伙伴所认可。用户包括北京大学、南京大学、中山大学、中科院物理所、半导体所、理化所等。
二、产品介绍
我们的提供的产品种类多样，可以满足各类微纳米工艺的需求。包括G线、I线、DUV紫外光刻机，电子束曝光机，X-ray和同步辐射光刻设备，纳米压印设备等。
分子量为50K, 200K, 600K, 950K的PMMA，固含量有1%、2% 、4%、5%、6%、7%、8%和9%多种可选；
PMMA和MA 共聚物。适合电子束直写和掩膜加工。
2．&酚醛树脂类正胶，中等敏感度，抗等离子体刻蚀能力强。
3． 高分辨电子束负胶，非化学放大。其中HSQ分辨率可以达到10nm。抗等离子体刻蚀能力强。
4．高敏感、高对比度的化学放大负胶。分辨率好且耐等离子刻蚀。
5．适用于混合曝光用的正胶和负胶。
(二) 紫外光刻胶
1．各类高分辨紫外光刻胶，包括正性和负性胶。
最小线宽小于0.5μm，适合半导体加工工艺需求。
2．&多种紫外光刻厚胶，适合不同的微系统和MEMS器件加工的要求。既有厚度可达100μm的正胶。还有化学放大负胶，厚度也可以达到100微米或更高，而且对G线敏感，烘烤应力小，使用碱性显影液显影，比常用的SU-8便于去除。
紫外正胶28微米结构
紫外负胶40 μm深结构
紫外负胶30μm深结构
3．我们还有多种产品适合剥离(LOR)工艺，包括紫外正胶、翻转胶、非化学放大负胶、化学放大负胶以及多层抗蚀剂产品组合，可以满足用户的不同工艺要求。
显影时间25秒
刻蚀后，下层凹进的宽度0.8 μm
显影时间40秒
刻蚀后，下层凹进的宽度1.6 μm
显影时间90秒
刻蚀后，下层凹进的宽度4.6 μm
利用双层胶形成的undercut结构，上层为3510，下层为5400胶
4．耐碱性刻蚀保护胶，涂在衬底的背面防止机械损害或化学药物的腐蚀。
(三) 用于X射线曝光和LIGA工艺用胶，在PMMA基础上开发。甩胶厚度可以到250微米。
(四) 各类配套的化学试剂，如稀释剂、显影液、定影液、除胶剂、增附剂等。
(五) 纳米压印光刻胶AMONIL
详细情况参见下面的产品目录：
电子束光刻胶产品目录
Copolymer PMMA/MA 33%
AR-P 631-671
AR-P 639-679
PMMA 50K, 200K, 600K, 950K
电子束负胶
高分辨，可用于混合曝光
化学放大胶(CAR)
for E-Beam resists
for E-Beam resists
for E-Beam resists
for E-Beam resists
AR 300-80, HMDS
for E-Beam resists
X AR-N 7700/30
化学放大电子束胶，高敏感度
紫外光刻胶产品目录
用于掩膜和光学器件加工
30 μm厚胶
100 μm厚胶, 高敏感
工艺范围宽， 适合& 2μm图形
亚微米结构加工用，高分辨
lift-off厚胶
lift-off-applications
和 AR-P 3510配合使用做双层lift-off结构
图像翻转胶
根据需要选择
用于亚微米结构, 紫外和深紫外
对 i线非常敏感 (可用于g-line, deep-UV)
化学放大负胶，100 μm厚胶，易去除
lift-off厚胶
耐刻蚀保护胶
KOH-etching
for photoresists
AR 300-26, 300-35
for photoresists
AR 600-70, 300-70
for photoresists
AR 300-80, HMDS
for photoresists
X AR-P 1250
X AR-P 1270
spray coating用
X AR-P 3100/10
X AR-P 3220/7
X AR-P 5800/7
X AR-P 5900/4
更多相关产品信息，欢迎来电或给我们发送电子邮件联系。
您也可以将要求填在下面的表格中，我们很高兴为您推荐相应的产品，谢谢！
三、招聘信息
招聘职位：销售助理
工作地点：北京
1，大学本科以上学历，主修物理、材料、电子、微电子学等专业的工科或理科学历。
2，善于交流，具有销售人员的基本素质；具有团队精神，思维活跃，有责任心。能适应出差。
3，英文良好，能阅读英文资料，口语流利。
4，有销售工作经验者优先。
5，参照西门子正式合同(含各种国家规定的保险，劳动保护等条款)。工资奖金面议。
有意者请将本人简历和相应证明文件发至：
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你可能喜欢光刻过程中，如何使光刻胶侧壁变得更加垂直？ - 知乎21被浏览963分享邀请回答1添加评论分享收藏感谢收起0添加评论分享收藏感谢收起更多与世界分享知识、经验和见解以下试题来自：
问答题简答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。
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