硅光电池特性研究；光电池是一种光电转换元件，它不需外加电源而能直接；类很多，常见的有硒、锗、硅、砷化镓、氧化铜、氧化；重视、应用最广的是硅光电池；一系列的优点：性能稳定，光谱响应范围宽，转换效率；温辐射，光谱灵敏度和人眼灵敏度相近等；动控制、计量检测、计算机输入输出、光能利用等很多；在现代科学技术中有十分重要的地位；了解和研究，有利于了解使用日益广泛的各种光
硅光电池特性研究
光电池是一种光电转换元件，它不需外加电源而能直接把光能转换为电能。光电池的种
类很多，常见的有硒、锗、硅、砷化镓、氧化铜、氧化亚铜、硫化铊、硫化镉等。其中最受
重视、应用最广的是硅光电池。硅光电池是根据光生伏特效应而制成的光电转换元件。它有
一系列的优点：性能稳定，光谱响应范围宽，转换效率高，线性相应好，使用寿命长，耐高
温辐射，光谱灵敏度和人眼灵敏度相近等。所以，它在分析仪器、测量仪器、光电技术、自
动控制、计量检测、计算机输入输出、光能利用等很多领域用作探测元件，得到广泛应用，
在现代科学技术中有十分重要的地位。通过实验对硅光电池的基本特性和简单应用作初步的
了解和研究，有利于了解使用日益广泛的各种光电器件。具有十分重要的意义。
[实验目的]
1．掌握PN结形成原理及其单向导电性等工作机理。
2．了解LED发光二极管的驱动电流和输出光功率的关系。
3．掌握硅光电池的工作原理及负载特性。
[实验仪器]
THKGD-1型硅光电池特性实验仪，函数信号发生器，双踪示波器。
[实验原理]
目前半导体光电探测器在数码摄像p光通信p太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池
是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进
一步领会半导体PN结原理p光电效应理论和光伏电池产生机理。THKGD-1型硅光电池特
性实验仪主要由半导体发光二极管恒流驱动单元，硅光电池特性测试单元等组成。利用它可
以进行以下实验内容：
1) 硅光电池输出短路时光电流与输入光信号关系。
2) 硅光电池输出开路时产生光伏电压与输入光信号关系。
3) 硅光电池的频率响应。
4) 硅光电池输出功率与负载的关系。
2．PN结的形成及单向导电性
采用反型工艺在一块N型（P型）半导体的局部掺入浓度较大的三价（五价）杂质，使其变
为P型（N型）半导体。如果采用特殊工艺措施，使一块硅片的一边为P型半导体，另一边为N
型半导体则在P型半导体和N型半导体的交界面附近形成PN结。PN结是构成各种半导体器件
的基础，许多半导体器件都含有PN结。如图39-1
代表得到一个电子的三价杂质（例
如硼）离子，带负电；?代表失去一个电子的五价杂质（例如磷）离子，带正电。由于P区有大
量空穴（浓度大），而N区的空穴极少（浓度小），即P区的空穴浓度远远高于N区，因此空穴
要从浓度大的P区向浓度小的N区扩散，并与N区的电子复合，在交界面附近的空穴扩散到N
区，在交界面附近一侧的P区留下一些带负电的三价杂质离子，形成负空间电荷区。同样，N区
的自由电子也要向P区扩散，并与P区的空穴复合，在交界面附近一侧的N区留下一些带正电的
五价杂质离子，形成正空间电荷区。这些离子是不能移动的，因而在P型半导体和N型半导体交
界面两侧形成一层很薄的空间电荷区，也称为耗尽层，这个空间电荷区就是PN结。
形成空间电荷区的正负离子虽然带电，但是它们不能移动，不参与导电。而在这个区域
内，载流子极少，所以空间电荷区的电阻率很高。此外，这个区域内多数载流子已扩散到对
方并复合掉了，或者说消耗尽了，所以空间电荷区有时称为耗尽层。
正负空间电荷在交界面两侧形成一个电场，成为内电场，其方向从带正电的N区指向
带负电的P区，如图39-1所示。由P区向N区扩散的空穴在空间电荷区将受到内电场的阻
力，而由N区向P区扩散的自由电子也将受到内电场的阻力，即内电场对多数载流子（P
区的空穴和N区的自由电子）的扩散运动起阻挡作用，所以空间电荷区又称为阻挡层。
空间电荷区的内电场对多数载流子的扩散运动起阻挡作用，这是一个方面。但另一方面，
内电场对少数载流子（P区的自由电子和N区的空穴）则可推动它们越过空间电荷区，进入
对方区域。少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为漂移运动。
扩散和漂移是相互联系的，又是相互矛盾的。在开始形成空间电荷区时，多数载流子的
扩散运动占优势，但在扩散运动进行过程中，空间电荷区逐渐加宽，内电场逐步加强。于是
在一定条件下（例如温度一定），多数载流子的扩散运动逐渐减弱，而少数载流子的漂移运
动则逐渐增强。最后，载流子的扩散运动和漂移运动达到动态平衡，P区的空穴（多数载流
子）向右扩散的数量与N区的空穴（少数载流子）向左漂移的数量相等；对自由电子也是
这样。达到平衡后，空间电荷区的宽度基本上稳定下来，PN结就处于相对稳定的状态。
上面讨论的是PN结在没有外加电压的情况，这时半导体中的扩散和漂移处于动态平衡。
下面讨论在PN结上加外部电压的情况。
若在PN结上加正向电压，即外电源的正极接P区，负极接N区，也称为正向偏置。
此时外加电压在PN结中产生的外电场和内电场方向相反，扩散和漂移运动的平衡被破坏。
外电场驱使P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷，同时N区的自由电子进入
空间电荷区抵消一部分正空间电荷。于是整个空间电荷区变窄，内电场被削弱，多数载流子
的扩散运动增强，形成较大的扩散电流（正向电流），PN结处于导通状态。PN结导通时呈
现的电阻称为正向电阻，其数值很小，一般为几欧到几百欧。在一定范围内，外电场愈强，
正向电流（由P区流向N区的电流）愈大，这时PN结呈现的电阻很低。正向电流包括空
穴电流和电子电流两部分。空穴和电子虽然带有不同极性的电荷，但由于它们的运动方向相
反，所以电流方向一致。外电源不断的向半导体提供电荷，使电流得以维持。
若在PN结上加反向电压，即外电源的正极接N区，负极接P区，也称为反向偏置。
此时外加电压在PN结中产生的外电场和内电场方向一致，也破坏了扩散和漂移运动的平衡。
外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走，使得空间电荷增强，空间电荷区变宽，
内电场增强，使多数载流子的扩散运动很难进行。但另一方面，内电场的增强也加强了少数
载流子的漂移运动，在外电场的作用下，N区中的空穴越过PN结进入P区，P区中的自由
电子越过PN结进入N区，在电路中形成反向电流（由N区流向P区的电流）。由于少数载
流子数量很少，因此反向电流不大，即PN结呈现的反向电阻很高，可以认为PN结基本上
不导电，处于截至状态。此时的电阻称为反向电阻，其数值很大，一般为几千欧到十几兆欧。
又因为少数载流子是由于价电子获得热能（热激发）挣脱共价键的束缚而产生的，所以温度
变化时少数载流子的数量也随之变化。环境温度愈高，少数载流子的数量愈多，所以温度对
反向电流的影响较大。
由以上分析可知，PN结具有单向导电性。在PN结上加正向电压时，PN结电阻很低，
正向电流较大，PN结处于正向导通状态；加反向电压时，PN结电阻很高，反向电流很小，
PN结处于截至状态。
半导体PN结在零偏p负偏p正偏下的耗尽区
图39-1是半导体PN结在零偏p负偏p正偏下的耗尽区，当P型和N型半导体材料结合
时，由于P型材料空穴多电子少，而N型材料电子多空穴少，结果P型材料中的空穴向N型
材料这边扩散，N型材料中的电子向P型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两侧的P型
区出现负电荷，N型区带正电荷，形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继
续进行，当两者达到平衡时，在PN结两侧形成一个耗尽区，耗尽区的特点是无自由载流子，
呈现高阻抗。当PN结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使
势垒加强；当PN结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，势垒
削弱，使载流子扩散运动继续形成电流，此即为PN结的单向导电性,电流方向是从P指向N。
3. LED的工作原理
当某些半导体材料形成的PN结加正向电压时,空穴与电子在PN结复合时将产生特定波
长的光，发光的波长与半导体材料的能级间隙Eg有关。发光波长λp可由下式确定：
式(39-1)中h为普朗克常数，c为光速。在实际的半导体材料中能级间隙Eg有一个宽度，
因此发光二极管发出光的波长不是单一的，其发光波长宽度一般在25～40nm左右，随半导
体材料的不同而有差别。发光二极管输出光功率P与驱动电流I的关系由下式确定：
式(39-2)中，η为发光效率，Ep为光子能量，e为电子电荷常数。
输出光功率与驱动电流呈线性关系，当电流较大时由于PN结不能及时散热，输出光功率可
能会趋向饱和。系统采用的发光二极管驱动和调制电路框图如图39-2所示。本实验用一个驱
动电流可调的红色超高亮度发光二极管作为实验用光源。信号调制采用光强度调制的方法，
发送光强度调节器用来调节流过LED的静态驱动电流，从而改变发光二极管的发射光功率。
设定的静态驱动电流调节范围为0～20毫安，对应面板上的光发送强度驱动显示值为0～2000
单位。正弦调制信号经电容、电阻网络及运放跟随隔离后耦合到放大环节，与发光二极管静
态驱动电流叠加后使发光二极管发送随正弦波调制信号变化的光信号，如图39-3所示，变化
的光信号可用于测定光电池的频率响应特性。
图39-2 发送光的设定、驱动和调制电路框图
LED发光二极管的正弦信号调制原理
4．硅光电池的工作原理
光电转换器件主要是利用物质的光电效应，即当物质在一定频率的照射下，释放出光电
子的现象。当光照射、金属氧化物或半导体材料的表面时，会被这些材料内的电子所吸收，
如果光子的能量足够大，吸收光子后的电子可挣脱原子的束缚而溢出材料表面，这种电子称
为光电子，这种现象称为光电子发射，又称为外光电效应。有些物质受到光照射时，其内部
原子释放电子，但电子仍留在物体内部，使物体的导电性增强，这种现象称为内光电效应。
光电二极管是典型的光电效应探测器，具有量子噪声低、响应快、使用方便等优点，广泛用
于激光探测器。外加反偏电压与结内电场方向一致，当PN结及其附近被光照射时，就会产生载
流子（即电子-空穴对）。结区内的电子-空穴对在势垒区电场的作用下，电子被拉向N区，空穴被
拉向P区而形成光电流。同时势垒区一侧一个扩展长度内的光生载流子先向势垒区扩散，然后在
势垒区电场的作用下也参与导电。当入射光强度变化时，光生载流子的浓度及通过外回路的光电
流也随之发生相应的变化。这种变化在入射光强度很大的动态范围内仍能保持线性关系。
硅光电池是一个大面积的光电二极管，它被设计用于把入射到它表面的光能转化为电
能，因此，可用作光电探测器和光电池，被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。
光电池的基本结构如图39-4所示，当半导体PN结处于零偏或负偏时，在它们的结合面
耗尽区存在一内电场。
当没有光照射时，光电二极管相当于普通的二极管。其伏安特性是
kTI?Is(e??eV???1)?Is?exp???1???kT??
式(39-3)中I为流过二极管的总电流,Is为反向饱和电
流，e为电子电荷，k为玻耳兹曼常量，T为工作绝对温
度，V为加在二极管两端的电压。对于外加正向电压，I
随V指数增长，称为正向电流；当外加电压反向时，在
反向击穿电压之内，反向饱和电流基本上是个常数。
当有光照时，入射光子将把处于介带中的束缚电
子激发到导带，激发出的电子空穴对在内电场作用下分
别飘移到N型区和P型区，当在PN结两端加负载时就有一
图39-4 光电池结构示意图
光生电流流过负载。流过PN结两端的电流可由式（39-4）确定：
I?Is(eeVkT??eV???1)?Ip?Is?exp?
（39?4）??1?
此式表示硅光电池的伏安特性。
式（39-4）中I为流过硅光电池的总电流,Is为反向饱和电流，V为PN结两端电压，T为工作绝
对温度，Ip为产生的反向光电流。从式中可以看到，当光电池处于零偏时，V=0，流过PN结的电
流I=Ip；当光电池处于负偏时（在本实验中取V=-5V），流过PN结的电流I=Ip+Is。因此，当光电池
用作光电转换器时，光电池必须处于零偏或负偏状态。
比较（39-3）式和（39-4）式可知，硅光电池的伏安特性曲线相当于把普通二极管的伏安特性曲线向下平移。
光电池处于零偏或负偏状态时，产生的光电流Ip与输入光功率Pi有以下关系：
式（39-5）中R为响应率，R值随入射光波长的不同而变化，对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长，在长波长处要求入射光子的能量大于材料的能级间隙Eg，以保证处于介带中的束缚电子得到足够的能量被激发到导带，对于硅光电池其长波截止波长为λc=1.1μm，在短波长处也由于材料有较大吸收系数使R值很小。
图39-5是光电池光电信号接收端的工作原理框图，光电池把接收到的光信号转变为与之成正比的电流信号，再经I/V转换模块把光电流信号转换成与之成正比的电压信号。比较光电池零偏和反偏时的信号，就可以测定光电池的饱和电流Is。当发送的光信号被正弦信号调制时，则光电池输出电压信号中将包含正弦信号，据此可通过示波器测定光电池的频率响应特性。
5．硅光电池的负载特性
光电池作为电池使用如图39-6所示。在内电场作用下，入射光子由于内光电效应把处于介带中的束缚电子激发到导带，而产生光伏电压，在光电池两端加一个负载就会有电流流过，当负载很小时，电流较小而电压较大；当负载很大时，电流较大而电压较小。实验时可改变负载电阻RL的值来测定硅光电池的伏安特性。
光电池光电信号接收框图
硅光电池伏安特性的测定
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硅光电池特性测量
光能→光电池→电能
光辐射探头
测量太阳光辐射 光电自动测控 太阳能电源装置为仪表提供轻便的电源
光电池种类
硒 锗 硅　砷化镓　氧化铜　硫化铊　硫化镉
硅　最常用
光谱范围宽
频率响应好
转换效率高
耐高温辐射
灵敏度与人眼最相近
硅光电池简介
单晶硅光电池（如2CR型）
多晶硅光电池（太阳能电池）
转换效率低 7％
厚度薄 10-20μm
光生电动势(或光电流)与入射光强度的关系
光电转换效率
最大输出功率与输入光功率的比值，以η表示
光谱响应特性
短路电流与入射波长之间的函数关系，取决于所用半导体材料（0.4-1.1 μm ）
截至频率高（10-30千赫）
光谱响应特性曲线
非常好我支持^.^
不好我反对
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1. 光源：自身能够发光的物体叫光源。 2. 太阳光是由红、橙、黄、绿、蓝、靛、紫组成的。 3．光的三原色是：红、绿、蓝；颜料的三原色是：红、黄、蓝。 4．不可见光包括有：红外线和紫外线。特点：红外线能使被照射的物体发热，具有热效应（如太
1.严格控制光电池温度波动幅度； 2.被测光源的幅频特性不变； 3.最弱光的光强不低于硅光电池暗光响应下限； 4.最强光的光强度不高于硅光电池强光响应上限。
（1）由图（a）可知读出入射光强足够大时，开路电压恒定，大小为600V，即电动势为600mV，此时的短路电流为6A，则r= E I =10 Ω．（2）硅光电池的等效内阻等于开路电压除以短路电流，当入射光强为10mW/cm 2 时，E=400mV，此时短路电流为5mA，则内
你去百度下公式里面有几个变量那就是取决于这几个变量. 比如光通量本身取决于辐射功率输出
一、实验目的和内容 1.作出单色仪的校正曲线—单色仪的定标。2. 测定硅光电池的光谱响应—作出波长λ与硅光电池的灵敏度K′(λ)的校正曲线。 3. 设计简单的光路和电路，测量、研究硅光电池的主要参数和基本特性。二、实验基本原理光电池是一种光
入射光会影响硅光电池上由于光照产生的电子在N型区的积累及光生空穴在P型区的积累，会在PN对的两侧产生一个稳定的电位差，光强不同所产生的电子和空穴也会有变化，所以入射光强会影响开路电压和短路电流。
答：发生光电效应时，在入射光频率一定的条件下，饱和光电流与入射光强成正比。 这是勒纳德总结出来的光电效应四点实验规律之一。
影响光电流强度的因素是入射光子数量（这些光子频率要不小于极限频率）。宏观上的表现为光强度。所以应该无论是正向还是反向电压都与电子的速度无关。
理论上讲是不影响的。可是实际的仪器测量却有影响。因为实际的光电流曲线并不是理想的截止型曲线，而是从负到正连续变化的。这个曲线在不同的光强时，它的变化率不同，即斜率不同。光强变大，曲线斜率变大，所以连带着截止电压变小（变更负）。实验报告：硅光电池特性的研究
实验报告：硅光电池特性的研究
实验基本原理光电池是一种光电转换元件，它不需外加电源而能直接把光能转换成电能。光电池的种类很多，常见的有硒、锗、硅、砷化镓、氧化铜、硫化铊、硫化镉等。其中最受重视、应用最广的是硅光电池。它有一系列的优点：性能稳定，光谱范围宽，频率响应好，转换效率高，能耐高温辐射等。同时它的光谱灵敏度与人眼的灵敏度最相近，所以，它在很多分析仪器、测量仪器、曝光表以及自动控制检测、计算机的输入和输出上用作探测元件，在现代科学技术中占有十分重要的地位。本实验仅对硅光电池的光谱响应进行测量和研究，对其他基本特性和简单应用作初步的了解。 硅光电池是一种p-N结的单结光电池，当光照射到P-N结时，由光激发的光生载流子的迁移，使P-N结两端产生了光生电动势，如果它与外电路中的负载接通，则负载电路中将有光电流产生。 (1)硅光电池的主要参数和照度特性 1)开路电压曲线。硅光电池在一定的光照条件下的光生电动势称为开路电压，开路电压与入射光强照度Ee的特性曲线称为开路电压曲线，开路电压可直接用电位差计读出。(当所测电压超过电位差计量程时，自行设法扩大量程) 2)短路电流曲线。在一定光照条件下，光电池被短路(负载电阻R=0)时，所输出的光电流值称为短路光电流。光电流密度Je与照度Ee的特性曲线称为短路电流曲线。 3)试研究开路电压、短路电流与受光面积的关系。 (2)硅光电池的负载特性 1)硅光电池的伏安特性与最佳匹配。随着负载电阻的变化，回路中电流I和硅光电池两端的电压U相应地变化，称为硅光电池的伏安特性。通过负载特性的研究，就可知道在某一负载电阻时其输出功率最大，这称为最佳匹配，所用负载电阻又称为最佳匹配电阻。 2)硅光电池的内阻。从理论上可以推导出硅光电池的内阻Rs等于开路电压除以短路电流。可以观察到光照面积不同时，硅光片的内阻将发生变化。 (3)硅光电池的温度特性(供选做参考)。硅光电池的开路电压、短路电流随温度t变化的曲线表征了它的温度特性。这种硅光电池的温度漂移，直接影响到测量精度与控制精度。一般开路电压随温度增加而迅速下降，路短电流随温度增加而缓慢上升。在具体应用和设计仪器时，应考虑温度的漂移，要采取相应的措施进行补偿。 (4)硅光电池的光谱响应特性 用光电法测量光的强度，光的能量时，一般是采用光电管、光电倍增管、硅光电池、半导体光电二极管、炭斗和热电堆等光电器件。但这些器件各有它们的特点。使用时必需了解它的特性，它们对各波段的灵敏度如何？也就是它们的光谱响应怎么样？ 国产的硅光电池灵敏度比较高，尤其在长波，灵敏度更高。但相对来说，在450纳米以下的短波与长波比较它的灵敏相差很大，光谱响应比较差。因此，测定硅光电池的灵敏度是很重要的了。 实验中采用2CR 型系列的硅光电池。并用热电堆对各个波长的灵敏度比较均匀这个特点来作标准，求出硅光电池相对光谱灵敏度。 其做法是假设在某个波长，热电堆的光谱灵敏度为K（&），硅光电池的光谱灵敏度K&(&)；单色仪的透过率为T（&）；热电堆与硅光电池的输出信号大小分别为D（&）和D&（&）；光源（这里用白炽灯）的辐射能量的发射本领为E（&）。它们的关系分别为： D（&）= E（&）K（&）T（&） （1） D&（&）= E（&）K&（&）T（&） （2）（1） 和（2）两式相除得： D（&）/ D&（&）= K（&）/ K&（&） （3）因为热电堆的光谱响应均匀，即无选择性，灵敏度基本上是一样的。为此，我们用热电堆作为标准，并假定它的光谱灵敏度为一个常数。为了计算方便，这里假定K（&）等于1.则（3）式变为 K&(&)= D&（&）/ D（&） (4)用这个关系式就可以求出硅光电池的相对光谱灵敏度即光谱响应。 实验操作步骤 1. 调节透镜L把白炽灯发出的光聚焦到单色仪入射狭缝S1上，转动鼓杆，在单色仪出射狭缝S2上观察到较强的单色光。2. 把入射光挡掉，将检流计调到零点。3. 让光入射单色仪，把波鼓转到16.8，即光最强处，通过调节单色仪的狭缝和检流计的档次，使检流计指向满档。4. 通过转动波鼓，测出各波长的光强。 社会实践报告()
多晶硅光电池P－Si（多晶硅，包括微品）光电池没有光致衰退效应，材料质量有所下降时也不会导致光电池受影响，是国际上正掀起的前沿性研究热点。在单晶硅衬底上用液相外延制备的p－Si光电池转换效率为15.3％，经减薄衬底，加强陷光等加工，可提高到23.7%，用CVD法制备的转换效率约为12.6—l7.3%。采用廉价衬底的p—si薄膜生长方法有PECVD和热丝法，或对a—si：H材料膜进行后退火，达到低温固相晶化，可分别制出效率9.8%和9.2%的无退化电池。微晶硅薄膜生长与a—si工艺相容，光电性能和稳定性很高，研究受到很大重视，但效率仅为7.7％大面积低温p—si膜与—si组成叠层电池结构，是提高比a—S光电 ...多晶硅光电池 p-Si（多晶硅，包括微晶）光电池没有光致衰退效应，材料质量有所下降时也不会导致光电池受影响，是国际上正掀起的前沿性研究热点。在单晶硅衬底上用液相外延制备的p-Si光电池转 换效率为15.3％，经减薄衬底，加强陷光等加工，可提高到23.7％，用CVD法制备的转换效率约为 12.6-17.3％。采用廉价衬底的p-Si薄膜生长方法有PECVD和热丝法，或对a-Si：H材料膜进行后退火，达到低温固相晶化，可分别制出效率9.8％和9.2％的无退化电池。微晶硅薄膜生长与a-Si工艺相容，光电性能和稳定性很高，研究受到很大重视，但效率仅为7.7％。大面积低温p-Si膜与-Si组成叠层电池结构，是提高a-S光电池稳定 ...}