1890型号15-156 0189 7777

IC型号SHF-0189Z,【产品说明Sirenza的Microdevices的SHF - 0189是一款高性能的AlGaAs /】,SHF-0189Z PDF资料,SHF-0189Z经销商-51电子网
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产品说明Sirenza的Microdevices的SHF - 0189是一款高性能的AlGaAs /砷化镓异质结场效应晶体管( HFET )安置在一个低成本的表面贴装塑料封装。该HFET技术提高击穿电压,同时minimiz-ING肖特基二极管的泄漏电流从而获得更高的PAE和改进的线性度。输出功率在1dB压缩为SHF - 0189是+27 dBm的时候偏向于AB类工作在8V , 100mA电流。 +40 dBm的三阶拦截使得它非常适合高动态范围,高截点要求一求。它非常适合于在模拟和数字无线通信用阳离子基础设施和用户设备,包括3G ,蜂窝, PCS ,固定无线和寻呼系统。SHF-0189SHF-0189ZPb符合RoHS&放大器;绿色包0.05 - 6 GHz时, 0.5瓦砷化镓HFET在Sirenza的无铅封装的雾锡涂层采用了退火后荷兰国际集团的过程来缓解锡晶须形成,并符合RoHS标准按欧盟产品特点指令2002/95 。这个包还生产绿色成型o现在,在无铅,符合RoHS可用含有三氧化锑无卤化,也没有火retar-化合物兼容, &绿色包装荆。典型的增益性能( 8V ,百毫安)35302520151050-50123456频率(GHz )78增益Gmax的( dB)的GMAXo 1.96 GHz高线性度性能+27 dBm的P1dB为40 dBm的输出IP316.5分贝增益o高漏极效率o请参阅应用笔记AN- 031的电路细节收益应用o模拟和数字无线系统o 3G ,蜂窝, PCSo固定无线,传呼机系统S YM B○升D E V IC è ] C H A R是C T E R为叔IC S(联合国文件S S小?吨? é R W为e N 2 O T E D)率T e S T C 0 N D是IO N s个, 2 5℃V? S= 8 V,I? Q= 1 0 0为m的TESTf重新Q ü简? ?0 0.9 0摹? ?1 0.9 6G的? ?0 0.9 0摹? ?1 0.9 6G的? ?0 0.9 0摹? ?1 0.9 6G的? ?0 0.9 0摹? ?1 0.9 6G的? ?0 0.9 0摹? ?1 0.9 6G的? ?1 0.9 6G的? ?加利其米典型值2 3 .32 0 .11 8 .41 4 .71 8 .61 6 .740402 7 .22 7 .53 .2294198-1 .9-1 7-2 280---米斧克间斧SM A X I M ü M A V A拉我勒B G A I N在发E -
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) 。0.350.30.25DC -IV曲线IDS(A)0.20.150.10.050012345678VGS= -2.0? 0V, 0.2V步骤T=25°CVDS(V)303 S.科技法庭,布鲁姆菲尔德,CO 80021电话: ( 800 ) SMI- MMICEDS - 101240冯é3SHF- 瓦HFET引脚说明针#1234产品型号订购信息产品型号带尺寸设备/卷功能门来源漏来源RF输入描述连接到地。通孔,以减少铅的使用电感。放置过孔接近地面会导致越好。RF输出相同引脚2SHF-0189SHF-0189Z7&7&10001000安装和散热考虑这是非常重要的是,足够的散热被提供到尽量减少器件结温。对以下项目应实施最大限度的MTTF和射频性能。1.多个焊料填充通孔直接需要下面的接地片( 4针) 。 [关键]2.纳入多plated-大接地焊盘面积通过在该装置周围的引脚4的通孔。 [关键]3.使用两点板座,以降低热印刷电路板和安装板之间的电阻。地方机器螺钉尽量靠近接地片(引脚4 ),为可能。 [推荐]4.使用2盎司铜,以改善PCB的热扩散能力。 [推荐]部分符号化该部分将与“H1”来象征标志和一个点标志着针1的顶部包装的表面上。包装尺寸.1613.016.177 .0684.09612.019 .118.041.059.015推荐安装配置最佳的RF性能和热性能地平面尺寸单位:英寸4电镀通孔( 0.020& DIA )SHF-0x894H123H1Z2123121机螺丝注意: ESD敏感在搬运,包装适当的预防措施,并测试设备必须遵守。303 S.科技法庭,布鲁姆菲尔德,CO 80021电话: ( 800 ) SMI- MMIC133EDS - 101240冯é4产品说明Sirenza的Microdevices的SHF - 0189是一款高性能的AlGaAs /砷化镓异质结场效应晶体管( HFET )安置在一个低成本的表面贴装塑料封装。该HFET技术提高击穿电压,同时minimiz-ING肖特基二极管的泄漏电流从而获得更高的PAE和改进的线性度。输出功率在1dB压缩为SHF - 0189是+27 dBm的时候偏向于AB类工作在8V , 100mA电流。 +40 dBm的三阶拦截使得它非常适合高动态范围,高截点要求一求。它非常适合于在模拟和数字无线通信用阳离子基础设施和用户设备,包括3G ,蜂窝, PCS ,固定无线和寻呼系统。SHF-0189SHF-0189ZPb符合RoHS&放大器;绿色包0.05 - 6 GHz时, 0.5瓦砷化镓HFET在Sirenza的无铅封装的雾锡涂层采用了退火后荷兰国际集团的过程来缓解锡晶须形成,并符合RoHS标准按欧盟产品特点指令2002/95 。这个包还生产绿色成型o现在,在无铅,符合RoHS可用含有三氧化锑无卤化,也没有火retar-化合物兼容, &绿色包装荆。典型的增益性能( 8V ,百毫安)35302520151050-50123456频率(GHz )78增益Gmax的( dB)的GMAXo 1.96 GHz高线性度性能+27 dBm的P1dB为40 dBm的输出IP316.5分贝增益o高漏极效率o请参阅应用笔记AN- 031的电路细节收益应用o模拟和数字无线系统o 3G ,蜂窝, PCSo固定无线,传呼机系统S YM B○升D E V IC è ] C H A R是C T E R为叔IC S(联合国文件S S小?吨? é R W为e N 2 O T E D)率T e S T C 0 N D是IO N s个, 2 5℃V? S= 8 V,I? Q= 1 0 0为m的TESTf重新Q ü简? ?0 0.9 0摹? ?1 0.9 6G的? ?0 0.9 0摹? ?1 0.9 6G的? ?0 0.9 0摹? ?1 0.9 6G的? ?0 0.9 0摹? ?1 0.9 6G的? ?0 0.9 0摹? ?1 0.9 6G的? ?1 0.9 6G的? ?加利其米典型值2 3 .32 0 .11 8 .41 4 .71 8 .61 6 .740402 7 .22 7 .53 .2294198-1 .9-1 7-2 280---米斧克间斧SM A X I M ü M A V A拉我勒B G A I N在发E -
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