如图2所示.一电子束垂直于电场线与磁感应线方向入射后偏向A极板.为了使电子束沿射入方向做直线运动.可采用的方法是( ) 图2 A．将变阻器滑动头P向右滑动 B．将变阻器滑动头P向左滑动 C．将极板间距离适当减小 D．将极板间距离适当增大 题目和参考答案——精英家教网——
成绩波动大？难提高？听顶级名师视频辅导，
& 题目详情
如图2所示，一电子束垂直于电场线与磁感应线方向入射后偏向A极板，为了使电子束沿射入方向做直线运动，可采用的方法是(　　)
图2 A．将变阻器滑动头P向右滑动 B．将变阻器滑动头P向左滑动 C．将极板间距离适当减小 D．将极板间距离适当增大
D　电子入射极板后，偏向A板，说明Eq&Bvq，由E＝可知，减小场强E的方法有增大板间距离和减小板间电压，故C错误，D正确；而移动滑动头P并不能改变板间电压，故A、B均错误。
请在这里输入关键词：
科目：高中物理
&某同学用如图装置做“验证机械能守恒定律”的实验． ① 该同学为了能完成实验，除图甲器材外，还必须准备哪些实验器材________
A. 交流电源
② 图乙是某次实验获得的纸带，图中 O 点是打出的第 1 个点，各计数点与 O 点之间的距离已测出．已知打点计时器的打点周期为 T＝0.02 s，则打 点计时器打下 C 点时物体的速度 vC＝______m/s(结果保留两位有效数字).
③ 若选取 O 点和 C 点为研究点，则要验证重物下落过程机械能守恒的计算式为 （设 OC 的距离为 hOC，C 点时物体的速度 vC，重力加速度为 g）； ④为减少实验误差，下落物体应选用________（填“50g 钩码”或“200g 重物”）．
科目：高中物理
质量和电量都相等的带电粒子M和N，以不同的速率经小孔S垂直进入匀强磁场，运行的半圆轨迹如图3中虚线所示，下列表述正确的是(　　)
图3 A．M带负电，N带正电 B．M的速率小于N的速率 C．洛伦兹力对M、N做正功 D．M的运行时间大于N的运行时间
科目：高中物理
图10甲是回旋加速器的工作原理图。D1和D2是两个中空的半圆金属盒，它们之间有一定的电势差，A处的粒子源产生的带电粒子，在两盒之间被电场加速。两半圆盒处于与盒面垂直的匀强磁场中，所以粒子在半圆盒中做匀速圆周运动。若带电粒子在磁场中运动的动能Ek随时间t的变化规律如图乙所示，不计带电粒子在电场中的加速时间，不考虑由相对论效应带来的影响，下列判断正确的是(　　)
图10 A．在Ek&t图中应该有tn＋1－tn＝tn－tn－1 B．在Ek&t图中应该有tn＋1－tn&tn－tn－1 C．在Ek&t图中应该有En＋1－En＝En－En－1 D．在Ek&t图中应该有En＋1－En&En－En－1
科目：高中物理
如图8，在水平桌面上放置两条相距为l的平行光滑导轨ab与cd，阻值为R的电阻与导轨的a、c端相连。质量为m、电阻也为R的导体棒垂直于导轨放置并可沿导轨自由滑动。整个装置放于匀强磁场中，磁场的方向竖直向上，磁感应强度的大小为B。导体棒的中点系一不可伸长的轻绳，绳绕过固定在桌边的光滑轻滑轮后，与一个质量也为m的物块相连，绳处于拉直状态。现若从静止开始释放物块，用h表示物块下落的高度(物块不会触地)，g表示重力加速度，其他电阻不计，则(　　)
图8 A．电阻R中的感应电流方向由c到a B．物块下落的最大加速度为g C．若h足够大，物块下落的最大速度为 D．通过电阻R的电荷量为
科目：高中物理
如图6所示，直线A、B分别为电源a、b的路端电压与电流的关系图线，设两个电源的内阻分别为ra和rb，若将一定值电阻R0分别接到a、b两电源上，通过R0的电流分别为Ia和Ib，则(　　)
图6 A．ra&rb B．Ia&Ib C．R0接到a电源上，电源的输出功率较大，但电源的效率较低 D．R0接到b电源上，电源的输出功率较小，电源的效率较低
科目：高中物理
如图所示是一过山车轨道的一部分（此部分可视为圆弧），一个可视为质点的小球正通过轨道的最高点。已知小球质量为m=0.2kg，圆弧轨道的圆心为O，半径为R=0.4m，g=10m/s2。忽略其他阻力。试求： 1）试证明小球在最高点时的最小速度为vmin= 2）若小球在最高点时速度为v=4 m/s，求小球对轨道的压力大小及方向；
科目：高中物理
物体导电是由其中的自由电荷定向移动引起的，这些可以移动的自由电荷又叫载流子。金属导体的载流子是自由电子，现代广泛应用的半导体材料分为两大类：一类是N型半导体，它的载流子为电子；另一类是P型半导体，它的载流子为“空穴”，相当于带正电的粒子，如果把某种材料制成的长方体放在匀强磁场中，磁场方向如图8所示，且与前后侧面垂直，长方体中通有方向水平向右的电流，设长方体的上下表面M、N的电势分别为φM和φN，则下列判断中正确的是(　　)
图8 A．如果是P型半导体，有φM&φN B．如果是N型半导体，有φM&φN C．如果是P型半导体，有φM&φN D．如果是金属导体，有φM&φN
科目：高中物理
如图2，一质量为m的条形磁铁用细线悬挂在天花板上，细线从一水平金属环中穿过。现将环从位置Ⅰ释放，环经过磁铁到达位置Ⅱ。设环经过磁铁上端和下端附近时细线的张力分别为T1和T2，重力加速度大小为g，则(　　)
图2 A．T1&mg，T2&mg B．T1&mg，T2&mg C．T1&mg，T2&mg D．T1&mg，T2&mg
精英家教网新版app上线啦！用app只需扫描书本条形码就能找到作业，家长给孩子检查作业更省心，同学们作业对答案更方便，扫描上方二维码立刻安装！
请输入姓名
请输入手机号透射电镜（TEM）
主题：【求助】电子束的穿透能力和在Au中的穿透距离
浏览 |回复7
<p class="orgred oe jinghua_
<p class="orgred oe tiezi_
<p class="orgred oe huitie_
ID：querida
行业：石油行业―校长油行业―校长油行..
积分：<span class="gray0 userintegral_升级还需100积分
声望：<span class="gray0 userrenown_升级还需100声望
注册时间：
最后登录时间：<span class="gray0 userlastl_00-00-00
结帖率：100%
关注： |粉丝：
新手级：&新兵
发表于： 20:39:00
我用JEOL JEM 2010(HT)和JEOL JEM 2010FEG (UHR)电镜作纳米线顶端的Au催化剂表征的时候(前SAED, 后HRTEM,EELS加上了能量过滤),碰到了这个问题, 就是有的金就得不到结构的信息, Au 的EELS mapping也很难作出来,基本上Au颗粒都是黑的. 我想这可能跟电子束在Au里面的穿透能力(深度)有关, EELS mapping可能跟选的窗口和扣背底时的准确度有关(这个靠自己修正了).所以我想问问, 200 kV的电子束能在Au里面穿透多深. 我看了材料评价的分析电子显微方法上只有非常简单的阐述. 在薄晶体电子显微学里面也没有找到. 不知道哪位老师同学有瞄到过公式或者知道数值, 提示一下小弟. 不甚感谢!
天黑请闭眼
<p class="orgred oe jinghua_
<p class="orgred oe tiezi_
<p class="orgred oe huitie_
行业：石油行业―校长油行业―校长油行..
积分：<span class="gray0 userintegral_升级还需100积分
声望：<span class="gray0 userrenown_升级还需100声望
注册时间：
最后登录时间：<span class="gray0 userlastl_00-00-00
结帖率：100%
关注： |粉丝：
新手级：&新兵
你是说Au对电子的吸收？这个是质厚衬度吧？至于你说的Au看不到结构信息，会不会跟Au颗粒结晶度有关系？有时纳米金在电子束下面也会有些变化的。（另外一种可能：Au粒子会不会在碳膜背面？）
<p class="orgred oe jinghua_
<p class="orgred oe tiezi_
<p class="orgred oe huitie_
ID：querida
行业：石油行业―校长油行业―校长油行..
积分：<span class="gray0 userintegral_升级还需100积分
声望：<span class="gray0 userrenown_升级还需100声望
注册时间：
最后登录时间：<span class="gray0 userlastl_00-00-00
结帖率：100%
关注： |粉丝：
新手级：&新兵
原文由 shxie 发表:你是说Au对电子的吸收？这个是质厚衬度吧？至于你说的Au看不到结构信息，会不会跟Au颗粒结晶度有关系？有时纳米金在电子束下面也会有些变化的。（另外一种可能：Au粒子会不会在碳膜背面？）是这样子的，催化剂的颗粒一般都是呈圆球形。 直径应该在50+/-10 nm左右，BF下看上去黑应该是质厚衬度的关系。用2010 FEF的HRTEM（加上了能量过滤，slit10）， 能得到部分的颗粒靠近球形边缘的Au（111）晶格条纹。但是球心的地方得不到， 我想应该是中心部分厚度太厚了（假设是50nm左右，但是是金，电子的穿透能力可能不是很强了）用2010 （HT）对一些颗粒进行SAED， 发现能得到多晶环，对其指标化发现是Au-Si的化合物. 来源于VLS生长纳米线时候, 催化剂中吸收的Si蒸汽.那现在就有个问题, 根据HRTEM, 说明催化剂中有金, 但是根据SAED的结构,能否就说明催化剂中不含有金呢. 我想必须考虑到电子束在金中穿透能力之后才能回答.因此才有这样的问题. 直观的问题就是200 kV的电子束能在Au膜中穿透多深, 有没有公式.
天黑请闭眼
<p class="orgred oe jinghua_
<p class="orgred oe tiezi_
<p class="orgred oe huitie_
行业：石油行业―校长油行业―校长油行..
积分：<span class="gray0 userintegral_升级还需100积分
声望：<span class="gray0 userrenown_升级还需100声望
注册时间：
最后登录时间：<span class="gray0 userlastl_00-00-00
结帖率：100%
关注： |粉丝：
新手级：&新兵
原文由 querida 发表:我想必须考虑到电子束在金中穿透能力之后才能回答.因此才有这样的问题. 直观的问题就是200 kV的电子束能在Au膜中穿透多深, 有没有公式.我记得EDS里面讨论样品和电子束作用产生的特征X射线的区域大小时，是一个梨形球，体积达到几个立方微米，而SEM的电压才20keV，TEM的200 keV穿透50 nm－100 nm应该小意思。那么你说的这个穿透多深，是不是和消光距离有关：
<p class="orgred oe jinghua_
<p class="orgred oe tiezi_
<p class="orgred oe huitie_
ID：querida
行业：石油行业―校长油行业―校长油行..
积分：<span class="gray0 userintegral_升级还需100积分
声望：<span class="gray0 userrenown_升级还需100声望
注册时间：
最后登录时间：<span class="gray0 userlastl_00-00-00
结帖率：100%
关注： |粉丝：
新手级：&新兵
应该是跟吸收系数和穿透能力有关.因为电子在物质中前进微小距离, 强度会下降吧. 这里就牵涉到吸收系数. 而这个玩意应该随物质的不同而不同吧(质量吸收系数?)穿透能力为吸收系数的倒数.所以我想得到一个穿透能力与质量吸收系数的公式(?), 这样是不是就能算出同样200 kV的电子束, 最多能通过多少厚度的Au, 广泛一点还能算多少厚度的Al, 多少厚度的ZnO.我想这些不同物质的临界厚度应该是不同的吧, 就算电子束都是200 kV.
<p class="orgred oe jinghua_
<p class="orgred oe tiezi_
<p class="orgred oe huitie_
ID：templus
行业：石油行业―校长油行业―校长油行..
积分：<span class="gray0 userintegral_升级还需100积分
声望：<span class="gray0 userrenown_升级还需100声望
注册时间：
最后登录时间：<span class="gray0 userlastl_00-00-00
结帖率：100%
关注： |粉丝：
新手级：&新兵
严格来说，常规的TEM及使用的薄样品，样品对电子的“吸收”非常非常的小，质厚衬度主要来源于电子被大角散射到光阑以外去了，而不是吸收。因此质厚衬度主要受加速电压和使用光阑的大小决定。具体需要计算某一电压下的散射截面。如果仅考虑弹性散射，那么散射截面已经由电子的原子散射因子给出了。这里需要关注的是大角度的非相干散射(常规的明场，暗场衍衬像及高分辨相干像主要是小角的相干散射），大角度的散射主要是原子核的散射贡献的，如果忽略了核外屏蔽电子的散射（核外屏蔽电子的电子-电子散射主要集中在小角度)，因此也简化为了卢瑟福散射截面，(当然对较大的原子序数卢瑟福散射被更严格的Mott 散射所替代)。因此从卢瑟福散射截面或者电子的原子散射因子均能得到大角度的散射截面。你可以试着计算一下。当然非弹性散射也是要考虑的，特别是大角情况下。
Last edit by templus
<p class="orgred oe jinghua_
<p class="orgred oe tiezi_
<p class="orgred oe huitie_
ID：templus
行业：石油行业―校长油行业―校长油行..
积分：<span class="gray0 userintegral_升级还需100积分
声望：<span class="gray0 userrenown_升级还需100声望
注册时间：
最后登录时间：<span class="gray0 userlastl_00-00-00
结帖率：100%
关注： |粉丝：
新手级：&新兵
知道散射截面的情况下，具体电子在样品中路径的计算还要通过Monte Carlo 模拟。一般SEM和电子束曝光用的比较多，也应该有很多现成的结果。TEM中用的不多。这里有个在线模拟的http://www.matter.org.uk/tem/electron_scattering.htm但是样品比较厚，最小从5微米开始，呵呵。不过还是可以看出，散射仍然以前向散射为主，当然如果考虑物镜光阑的大小，仍然落在物镜光阑中的电子应该不多了。
Last edit by templus
<p class="orgred oe jinghua_
<p class="orgred oe tiezi_
<p class="orgred oe huitie_
ID：xuaiqun
行业：石油行业―校长油行业―校长油行..
积分：<span class="gray0 userintegral_升级还需100积分
声望：<span class="gray0 userrenown_升级还需100声望
注册时间：
最后登录时间：<span class="gray0 userlastl_00-00-00
结帖率：100%
关注： |粉丝：
新手级：&新兵
根据质量厚度公式，200KV时的临界值约1X10-5（g/cm2），Au的密度（20g/cm3）换算后的厚度为10nm。但不能确定这是对的。上海交大复试试卷_百度文库
两大类热门资源免费畅读
续费一年阅读会员，立省24元！
上海交大复试试卷
上传于|0|0|文档简介
&&上海交大材料学院2008年复试真题
阅读已结束，如果下载本文需要使用0下载券
想免费下载更多文档？
定制HR最喜欢的简历
下载文档到电脑，查找使用更方便
还剩2页未读，继续阅读
定制HR最喜欢的简历
你可能喜欢根据电路图可知:板带正电,板带负电,所以电子束受到电场力的方向向上,洛伦兹力方向向下,电子向上偏,说明电场力大于洛伦兹力,要使电子束沿射入方向做直线运动,则要电场力等于洛伦兹力,所以要减小电场力.
解:根据电路图可知:板带正电,板带负电,所以电子束受到电场力的方向向上,大小洛伦兹力方向向下,电子向上偏,说明电场力大于洛伦兹力,要使电子束沿射入方向做直线运动,则要电场力等于洛伦兹力,所以要减小电场力.,将变阻器滑动头向右或向左移动时,电容器两端电压不变,电场力不变,故错误;,将极板间距离适当减小时,增大,不满足要求,故错误;,将极板间距离适当增大时,减小,满足要求,故正确.故选
本题是带电粒子在混合场中运动的问题,电子受到电场力和洛伦兹力,要使粒子做直线运动,则要求电场力等于洛伦兹力,难度适中.
4378@@3@@@@带电粒子在混合场中的运动@@@@@@289@@Physics@@Senior@@$289@@2@@@@磁场@@@@@@58@@Physics@@Senior@@$58@@1@@@@电磁学@@@@@@8@@Physics@@Senior@@$8@@0@@@@高中物理@@@@@@-1@@Physics@@Senior@@$4337@@3@@@@闭合电路的欧姆定律@@@@@@288@@Physics@@Senior@@$288@@2@@@@电路与恒定电流@@@@@@58@@Physics@@Senior@@$58@@1@@@@电磁学@@@@@@8@@Physics@@Senior@@$8@@0@@@@高中物理@@@@@@-1@@Physics@@Senior@@
@@58@@8##@@58@@8
第一大题，第3小题
第一大题，第4小题
第一大题，第2小题
求解答 学习搜索引擎 | 如图所示,一电子束垂直于电场线与磁感线方向入射后偏向A极板,为了使电子束沿射入方向做直线运动,可采用的方法是(
)A、将变阻器滑动头P向右滑动B、将变阻器滑动头P向左滑动C、将极板间距离适当减小D、将极板间距离适当增大材料结构分析习题解析_百度文库
两大类热门资源免费畅读
续费一年阅读会员，立省24元！
材料结构分析习题解析
上传于|0|0|文档简介
&&材料结构分析部分习题的完整解析
阅读已结束，如果下载本文需要使用2下载券
想免费下载本文？
定制HR最喜欢的简历
下载文档到电脑，查找使用更方便
还剩7页未读，继续阅读
定制HR最喜欢的简历
你可能喜欢}