【图文】电工电子技术
第三版 叶淬dg6_百度文库
两大类热门资源免费畅读
续费一年阅读会员，立省24元！
评价文档：
电工电子技术
第三版 叶淬dg6
上传于|0|0|暂无简介
大小：11.54MB
登录百度文库，专享文档复制特权，财富值每天免费拿！
你可能喜欢 上传我的文档
 下载
 收藏
该文档贡献者很忙，什么也没留下。
 下载此文档
正在努力加载中...
电工电子课件dg6-常用半导体器件
下载积分：1000
内容提示：电工电子课件dg6-常用半导体器件
文档格式：PPT|
浏览次数：0|
上传日期： 01:58:16|
文档星级：
该用户还上传了这些文档
电工电子课件dg6-常用半导体器件
官方公共微信PN结是如何形成的？
查看: 1926|
摘要: 当P型半导体和N型半导体结合在一起时，由于交界面处存在载流子浓度的差异，这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。但是，电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使P区和N区中原来的电中性条件破坏了。P区一侧因失去 ...
当P型半导体和N型半导体结合在一起时，由于交界面处存在载流子浓度的差异，这样和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。但是，电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使P区和N区中原来的电中性条件破坏了。P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子，N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为空间电荷，它们集中在P区和N区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是我们所说的PN结。
P型和N型半导体接触后，在接触面，N型区的多子电子向P型区扩散，同时P型区的多子空穴也向N型区扩散，叫做载流子的扩散。这时在接触面的N型区留下了正电荷，在P型区留下了负电荷。两者正好形成自建电场，自建电场又使载流子漂移，漂移的方向正与以上扩散的方向相反。平衡时，载流子的漂移与扩散相等，自建电场区没有载流子，称之为空间电荷区。这样，PN结就形成了。
PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的PN结叫同质结，由禁带宽度不同的两种半导体材料（如GaAl/GaAs、InGaAsP/InP等）制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。
根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管；利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大、振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代的基础。
上一篇：下一篇：
Powered by &
这里是—这里可以学习 —这里是。
栏目导航：【图文】电工电子技术2_百度文库
两大类热门资源免费畅读
续费一年阅读会员，立省24元！
评价文档：
电工电子技术2
上传于|0|0|暂无简介
大小：1.02MB
登录百度文库，专享文档复制特权，财富值每天免费拿！
你可能喜欢导读：这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为自由电子，N型半导体中的多数载流子自由电子向P区进行扩散，2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子，1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，只是共价键上多出了电子或少了电子，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，和自由电子两种载流子，即使是发射区向基区发射电子，个互锁装置，所以此
个互锁装置，所以此电路如下：
第6章 检测题 （共100分，120分钟）
一、填空题：（每空0.5分，共25分）
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。 2、三极管的内部结构是由区、区、结组成的。三极管对外引出电极分别是 基 极、 发射 极和 集电 极。
3、PN结正向偏置时，有利于 外电场的方向与内电场的方向，
的PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相同 ，有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子向区进行扩散，N型半导体中的多数载流子 自由电子 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向 P 区。 空间电荷区 的建立，对多数载流子的 扩散运动 起削弱作用，对少子的 漂移运动 起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时， PN结 形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的档位，当检测时表针偏转度较
大时，则红表棒接触的电极是二极管的 阴 极；黑表棒接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被 击穿损坏 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 绝缘老化不通。
6、单极型晶体管又称为
7、稳压管是一种特殊物质制造的二极管，正常工作应在特性曲线的 反向击穿 区。
8、MOS管在不使用时应避免
二、判断正误：（每小题1分，共10分）
1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。
（错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。
6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。
7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。
8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必被击穿。 （错）
9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。
10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
三、选择题：（每小题2分，共20分）
。 1、单极型半导体器件是（C）
A、二极管；
B、双极型三极管；
C、场效应管；
D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。
A、导通状态；
B、截止状态；
C、反向击穿状态；
D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1K?，说明该二极管（C）。
A、已经击穿；
B、完好状态；
C、内部老化不通；
D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；
B、少子扩散；
C、少子漂移；
D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（A）。
A、放大区；
B、饱和区；
C、截止区；
D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。
D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。
A、矩形方波；
B、等腰三角波；
C、正弦半波；
D、仍为正弦波。
9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流ICM；
B、集―射极间反向击穿电压U（BR）CEO；
C、集电极最大允许耗散功率PCM；
D、管子的电流放大倍数β。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）
A、发射结正偏、集电结正偏；
B、发射结反偏、集电结反偏；
C、发射结正偏、集电结反偏；
D、发射结反偏、集电结正偏。
四、简述题：（每小题4分，共28分）
1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电
因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？ 的空穴载流子，
答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。
2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
答：管脚③和管脚②电压相差0.7V，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个NPN型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。
3、图6-23所示电路中，已知E=5V，ui=10sinωtV，二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R=0，反向阻断时电阻R=∞），试画出u0的波形。
答：分析：根据电路可知，当ui&E时，二极管导通u0=ui，
当ui&E时，二极管截止时，u0=E。所以u0的波形图如下图所
又有何不同？
答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子图6-23
t4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况
和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。
5、图6-24所示电路中，硅稳压管DZ1的稳定电压为8V，DZ2的稳定电压为6V，正向压降均为0.7V，求各电路的输出电压U0。
答：（a）图：两稳压管串联，总稳压值为14V，所以U0=14V；
（b）图：两稳压管并联，输出电压按小值计，因此U0=6V；
（c）图：两稳压管反向串联，U0=8.7V；
（d）图：两稳压管反向并联，可认为DZ1截止不通，则U0=0.7V。
6、半导体二极管由一个PN结构成，三极管则由两个PN结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？
答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为，两个背靠背的二极管，其基区太厚，不符合构成三极管基区很薄的内部条件，即使是发射区向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续向集电区扩散，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。
7、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。
五、计算分析题：（共17分）
1、图6-25所示三极管的输出特性曲线，试指出各区域名称并根据所给出的参数进行分析计算。（8分）
（1）UCE=3V，
IB=60μA，
包含总结汇报、IT计算机、党团工作、计划方案、文档下载、资格考试、办公文档、人文社科、经管营销以及电工电子技术课后习题答案(第二版)等内容。本文共11页
相关内容搜索}