三极管放大原理:为什么ss8550 基极导通 电流微小的电流变化,会引起集

三极管放大倍数
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三极管放大倍数
不清楚机理收藏
放大倍数在一个范围里很稳定吗?什么造成这种稳定
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有个秘密:三极管中两个PN结的厚度是不一样的,书上一般不讲,并将两个PN结都画成一样厚了,这样学的人就很难理解了,而这恰恰是三极管放大的关键,在薄的PN结上的小电流变化会引起厚的PN结上大的电流变化!!!
这样啊…我一直也没看出来呢…
小电流变化产生大电流变化,是不对称的,只能用不对称的结构产生。对称产生守恒律,不对称产生不对称现象,对称中要产生不对称必须有“对称破缺机制”,这是一个明显的规律!!!
《电工学》里有讲…
我知道这个
但是为什么倍数在交流下能很稳定的存在呢
我只搞明白电流为什么会放大但是没搞清楚
为什么有一个很好的比例关系存在呢
关于三极管的放大稳定性问题,真实的情况是不稳定的,但在环境因素变化不大时,放大倍数可近似地视为稳定。影响三极管稳定性的最主要因素是:温度!PN结对温度敏感。我有点不知你要问的问题?不知这样回答是否好。
似乎···不稳定吧···
想问为什么Ib增大
Ic为什么跟着增大集电极到基级那个PN结是为了稳压吗?造成Ic增大的主要原因是集电极
还是 发射极
内电场是跟外电场有关
不是外电流啊Ic为什么会受电流Ib控制而不是基级与发射极被施加的电压
为什么被放大=============================================在BE结的多子电流浓度很小,所以会被CE的少子电流放大。为什么会放大饱和=============================================因为CE结的反偏电流会饱和,所以CE的反偏电流放大效果就会饱和
电流放大的本质在于载流子浓度增加,BE电流被放大,本质上是因为从CE结引入了额外的载流子。而这些额外载流子是通过CE结反偏时,少子注入得到的。你说的饱和电流是指VCE增大,ICE不会增加.那是因为CE已经反向饱和(看PN结反向饱和曲线),电压增大,少子电流也不会增加。所以注入BE结的载流子不会增加,所以ICE不会增加.
14楼的比喻是对的,要想了解晶体三极管为什么会放大,可以看看以前的电子三极管的工作原理,道理是一样的,栅极一定要靠近阴极,这样阴极和栅极之间的小电压变化,就可以控制阴极和阳极之间的大电流变化了!并且两者的变化是一样的,所以是相似放大。
是集电极到发射极的电流受基极电流的控制,并且变化一样,所以就放大了基极的输入信号。
模电里有 只是近似的
要彻底知道,就看半导体物理学,要看这货,要先看量子力学,要看量子力学,就要看普物,数学,理力,热统,电动...有人来吐槽吗
你让工科生情何以堪即使你学过目前物理再深也很难彻底搞懂 要解释这些东西总是要对表象做假设才能解释明白
晶体三极管的放大倍数一般是指β参数,这个参数一般并不稳定。早期用锗管(pnp)比较多,硅管(npn)比锗管稳定些。在小信号时这个β值一般较小,大信号是β值较大。另外环境温度对β值也有影响。为了获得较比稳定的放大倍数,电路中一般要加入负反馈电路,以便获得更稳定的放大倍数,或者说是减小失真。
发射极电流=β的基极电流。这是公式!至于,为什么书上推到了很清楚!集电极到基级那个PN结是不是为了稳压!
....温度那个是非平衡少子注入,对工作状态有害无利。一般的晶体管工作态都要抑制温度漂移。为什么Ib增大,Ic也增大。===================================因为CE结反偏,C极注入的少子不能扩散到E极就已经耗尽,不能形成电流。因此没有Ib注入(也就是Vbe & 0.7V), CE不导通。Ib,相当于从B极增加C极的少子注入,使得C极的少子电流可以扩散到E极,CE间实现了电流导通。所以此时,CE导通。以上说的就是通过控制Ib 的开关,实现了Ice的开关态。至于放大倍数beta,是通过BE结的掺杂浓度(这个浓度决定了少子浓度),比上CB结的浓度对比计算出来的。具体的计算方法,看&半导体物理&从工艺的角度,beta不但和参杂浓度有关;还和退火温度有关;还有BE结的结深有关。不过,不做wafer,一般都不会接触到这种程度。还是建议多看书吧。从开关特性上讲, Ib 可以控制 CE结是否导通,是因为Ib的多子注入,使得CE结的少子扩散长度增加,扩散到了E极(如果没有Ib则没法扩散到E结,所以不导通)从放大特性上讲,是因为载流子浓度不一样。
优酷上好象有
复旦的视频
半导体物理
用的是什么教材?
20楼说得对,实际上不是很稳定,但是倍数比较大,一般加上电阻后相当于加入很大的负反馈,这样基本就有反馈网路的倒数决定了放大倍数。
半导体物理器件
找这本书看,妥妥的,任何原理,由来 完全掌握
从书上找答案是一种方法,但有时书也会没讲透,或讲错,我以前做学生时也全信书,后来要教别人时发现了书上好多错误,于是就找N本书来对比,就发现不同的书讲法也不一样,于是学到了一种方法:从不同书的讲解比较中加深对概念的理解。楼主的问题可能与半导体物理没有关系,因为电子三极管就可以放大信号,所以理解了电子三极管的放大原理就可理解晶体三极管的放大原理,即:非对称结构为什么可用于信号放大。事实上除了电子管、晶体管可以放大信号外,光放大信号方法、量子放大信号方法的原理是一样的。这样讲不知是否是楼主需要的?
在使用晶体三极管以前,一般用真空三极管放大信号的。真空管是晶体管的几千倍大,所以看二战的纪录片,会看到好几个房间大的计算机(不过现在的超级计算机也那个样)。现在一些高压设备还能看到真空管.要研究晶体管的放大系数,只需要唯象的使用统计物理就可以了。能带理论 + 统计物理 = 半导体物理。至于量子力学,是在能带理论里面使用的,比如用密度泛函计算能带,或者用紧束缚近似计算能带,或者直接用近自由电子近似微扰计算。使用能带图,就是一种唯象主义。
真空管是晶体管的几千倍大,有这样的真空管,第一次知道,是真的吗?
几千倍大已经是非常保守的估计了。目前英特尔采用25nm工艺,一个晶体管的结构最多不过60nm大小.一个真空管有半个拳头大小。你可以算一下差了多少。另外,三极管分成双结型晶体管,和场效应管两种。其中双结型晶体管有集,基,发射三极;场效应管有栅,源,漏三极;
即:非对称结构为什么可用于信号放大。========================================这个不是根本原因。非对称就可以放大信号么?场效应管就是对称的,也可以放大信号。现在的碳纳米管器件就是对称的,也可以放大信号阿。简简单单说不对称就可以放大信号,肖克利,巴丁情何以堪?根据肖克利的解析就是基区载流子注入,使C区少子可以扩散到E区,形成电流通路。
非对称是必要条件,而非充分条件,但如果要放大信号一定存在非对称因素,无论是用场效应,还是用纳米。争论是没有意义的,而为楼主解答问题是关键。
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形象解析三级管工作原理、为什么三极管会工作在放大区?
15:46:20  
三极管的工作原理
对三极管放大作用的理解,切记一点:能量不会无缘无故的产生,所以,三极管一定不会产生能量。
但三极管厉害的地方在于:它可以通过小电流去控制大电流。
放大的原理就在于:通过小的交流输入,控制大的静态直流。
假设三极管是个大坝,这个大坝奇怪的地方是,有两个阀门,一个大阀门,一个小阀门。小阀门可以用人力打开,大阀门很重,人力是打不开的,只能通过小阀门的水力打开。
所以,平常的工作流程便是,每当放水的时候,人们就打开小阀门,很小的水流涓涓流出,这涓涓细流冲击大阀门的开关,大阀门随之打开,汹涌的江水滔滔流下。
如果不停地改变小阀门开启的大小,那么大阀门也相应地不停改变,假若能严格地按比例改变,那么,完美的控制就完成了。
在这里,Ube就是小水流,Uce就是大水流,人就是输入信号。当然,如果把水流比为电流的话,会更确切,因为三极管毕竟是一个电流控制元件。
如果某一天,天气很旱,江水没有了,也就是大的水流那边是空的。管理员这时候打开了小阀门,尽管小阀门还是一如既往地冲击大阀门,并使之开启,但因为没有水流的存在,所以,并没有水流出来。这就是三极管中的截止区。
饱和区是一样的,因为此时江水达到了很大很大的程度,管理员开的阀门大小已经没用了。如果不开阀门江水就自己冲开了,这就是二极管的击穿。
在模拟电路中,一般阀门是半开的,通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。没有信号的时候,水流也会流,所以,不工作的时候,也会有功耗。
而在数字电路中,阀门则处于开或是关两个状态。当不工作的时候,阀门是完全关闭的,没有功耗。
晶体三极管用途
晶体三极管的用途主要是交流信号放大,直流信号放大和电路开关。
晶体三极管的三种放大电路
当晶体管被用作放大器使用时,其中两个电极用作信号 (待放大信号) 的输入端子;两个电极作为信号 (放大后的信号) 的输出端子。 那么,晶体管三个电极中,必须有一个电极既是信号的输入端子,又同时是信号的输出端子,这个电极称为输入信号和输出信号的公共电极。
按晶体管公共电极的不同选择,晶体管放大电路有三种:共基极电路 (& && &&&Common base circuit)、共射极电路(Common emitter circuit) 和 共集极电路(Common collector circuit),如下图示。
& && && && && && && && && && &&&
12.jpg (10.03 KB, 下载次数: 2)
15:37 上传
由于共射极电路放大电路的电流增益和电压增益均较其它两种放大电路为大,故多用作讯号放大使用。
晶体三极管的放大作用晶体管是一个电流控制组件,其集极电流 IC可以由基极电流IB控制,只需轻微的改变基流IB就可以引起很大的集流变化IC。由于晶体管基流IB的轻微变化可以控制较大的集流IC,我们利用这一特点,用它来放大微弱的电信号,称为晶体管的放大作用 (Amplification),简称晶体管放大。简单来说,晶体管的放大原理是把微弱的电信号 (微弱的电压信号 Vi) 加在基极上,使基极电流按电信号变化,通过晶体管的电流控制作用,就可以在负载上得到与原信号变化一样,但增强了的电信号 (较大的电压信号 Vo)。
高级工程师
21:33:27  
好东西,顶额
11:08:00  
PCB在线计价下单
板子大小:
板子数量:
PCB 在线计价
呵呵 三极管就是一个水龙头&&B就是水龙头的开关
21:22:51  
相对于老师枯燥的讲解,这个更形象
22:03:27  
难得见一好帖   必须顶你一个咯                    
10:37:52  
强烈推荐,顶一下
08:15:54  
这么讲对自学者来说容易懂
22:46:46  
好好,不错。
04:26:40  
写的不错,挺形象。
10:53:33  
学习学习,多谢!
10:57:15  
学习学习,多谢!
17:15:28  
真是好文章,顶一个!
等待验证会员
21:37:27  
三极管工作在饱和区不一定是击穿了吧
23:16:01  
值得学习&&谢谢
09:03:41  
谢谢分享!!!!
等待验证会员
16:48:42  
好形象的比喻
17:20:13  
楼主写的比喻很好,通俗易懂,谢谢分享
最后一张图的Ic是不是应该是Ie?
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【pnp三极管】怎么计算pnp三极管放大电路!
随着科技不断进步,在城市建设中pnp三极管被越来越多的使用,pnp三极管指的就是一种2块P型半导体夹着1块N型半导体所组成的三极管,也可描述为电流从发射极E流入的三极管。那么怎么计算pnp三极管放大电路呢?相信大多数人对于这一问题都感到无从下手,下面就是小编对于计算pnp三极管放大电路方法的具体介绍,希望对大家在pnp三极管放大电路计算中有所帮助。
发现好货FIND GOODS
&pnp三极管放大电路指的就是由2块N型半导体和一块P型半导体所组成的三极管,pnp三极管的发射区与基区之间形成的PN结,集电区与基区形成的PN结,三条引线分别为发射极e、基极b、集电极c。当基极b点电位高于发射极e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而集电极c电位高于基极b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,pnp三极管放大电路计算方法是怎样呢?下面就是小编对于怎么计算pnp三极管放大电路的具体介绍。
pnp三极管放大电路-基本原理
&pnp三极管放大电路作用就是:集电极电流受基极电流的控制,并且基极电流发生很小的变化,就会引起集电极电流产生巨大变化,集电极电流变化量是基极电流变化量的&倍,即电流被放大&倍,将&叫做三极管放大倍数。如果将一个变化小信号加到基极跟发射极之间,这会引起基极电流变化,那么根据pnp三极管放大电路计算公式U=R*I可以算得,电阻上电压发生很大的变化。
pnp三极管放大电路-介绍
&怎么计算pnp三极管放大电路呢?pnp三极管放大电路需要精确计算,主要是用电阻分压将三极管调整到放大状态放大状态时发射结正偏,集电结反偏,偏置电压根据三极管类型、型号等差异会有细微偏差pnp三极管放大电路状态为:Vc>Vb>Ve,在pnp三极管放大电路计算时需要注意,需要将三极管的pn结偏置电压考虑进去,电容主要是根据电路的工作频段来进行确定,频率越高电容值要求越小。
pnp三极管放大电路-开路电压
&pnp三极管放大电路中的开路电压公式为:UA=[R2/(R1+R2)]Ucc-Ube=[8.2/(20+8.2)]x12V-0.7V=3.489V-0.7V=2.789V,R1//R2=8.2//20k=5.8156k,Ib=UA/(R1//R2+&R3)假设pnp三极管放大电路&=100,则基极电流Ib=2.789V/(5.k)=2.789V/105.4mA,集电极电流Ic=&Ib=100X0.0264mA=2.64mA,集电极电压Uc=Ucc-RLIc=12-2kX2.64mA=6.72V,若晶体三级管&不是100,可将&值代到上边再计算Ib、Ic和Uc。
pnp三极管放大电路-静态电流
&pnp三极管放大电路的特性表是决定它其静态电压对电流的关系,而静态电流放大系数则是pnp三极管放大电路计算必需的参数.若看基极的偏压,VA=12V x [1.5/(1.5+24)] = 0.7V。pnp三极管放大电路正向偏压最少要0.6V才能导通,令集电极电流流通,假设电流放大系数为50,Vbe=0.6V,则pnp三极管放大电路发射极电流=(0.7-0.6)V/1K=0.1mA。故此基极电流Ib=Ic/电流放大系数=0.1/50=0.002mA。
pnp三极管放大电路-交直流工作点
&设pnp三极管放大电路Vo=VCC/2使得输出波形得到最大的电压范围,三极管饱和导通时Vo=VCC*Re/(Rc+Re),三极管截止时Vo=VCC。由于在常见情况下Re一定远远小于Rc以得到较高增益,所以三极管饱和导通时Vo可忽略不计。Vi=VCC*Rb2/(Rb1+Rb2)=Vo/A+Ube,Ube一般选0.54-0.6V而不是0.7V,即可得到Rb1和Rb2的比例关系。然后根据输入阻抗要求即可求得Rb1和Rb2的实际阻值。
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