SRAM（静态随机存取存储器）_百度百科
?静态随机存取存储器
（静态随机存取存储器）
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SRAM（Static Random Access Memory），即静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
SRAM基本简介
SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，功耗较小，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。
SRAM主要规格
一种是置于cpu与主存间的，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory）；另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。 Ⅱ又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新操作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。
SRAM基本特点
现将它的特点归纳如下：
◎优点，速度快，不必配合电路，可提高整体的工作效率。
◎缺点，集成度低，掉电不能保存数据，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。
◎SRAM使用的系统：
○CPU与主存之间的。
○CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存。
○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。
○CMOS 146818芯片（RT&CMOS SRAM）。
SRAM主要用途
SRAM主要用于二级（Level2 Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。
SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的（cache）.SRAM也有许多种，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM，异步SRAM）、Sync SRAM (Synchronous SRAM，同步SRAM）、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM，流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。
基本的SRAM的架构如图1所示，SRAM一般可分为五大部分：存储单元阵列（core cells array），行/列地址(decode），灵敏放大器(Sense Amplifier），控制电路（control circuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。SRAM是，以双稳态电路作为，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。
SRAM工作原理
图2 六管单元电路图
SRAM的工作原理：
假设准备往图2的6T写入“1”，先将某一组地址值输入到行、列中，选中特定的单元，然后使写使能信号WE有效，将要写入的数据“1”通过写入电路变成“1”和“0”后分别加到选中单元的两条位线BL,BLB上，此时选中单元的WL=1，晶体管N0,N5打开，把BL,BLB上的信号分别送到Q,QB点，从而使Q=1，QB=0，这样数据“1”就被锁存在晶体管P2,P3,N3,N4构成的中。写入数据“0”的过程类似。
SRAM的读过程以读“1”为例，通过译码器选中某列位线对BL,BLB进行预充电到电源电压VDD，预充电结束后，再通过行译码器选中某行，则某一被选中，由于其中存放的是“1”，则WL=1、Q=1、QB=0。晶体管N4、N5导通，有电流经N4、N5到地，从而使BLB电位下降，BL、BLB间电位产生电压差，当电压差达到一定值后打开灵敏度放大器，对电压进行放大，再送到输出电路，读出数据。
SRAM结构原理
SRAM (Static RAM），即静态RAM.它也由晶体管组成。接通代表1，断开表示0，并且状态会保持到接收了一个改变信号为止。这些晶体管不需要刷新，但停机或断电时，它们同DRAM一样，会丢掉信息。SRAM的速度非常快，通常能以20ns或更快的速度工作。一个DRAM仅需一个晶体管和一个小电容.而每个SRAM单元需要四到六个晶体管和其他零件。所以，除了价格较贵外，SRAM芯片在外形上也较大，与DRAM相比要占用更多的空间。由于外形和电气上的差别，SRAM和DRAM是不能互换的。
SRAM的高速和静态特性使它们通常被用来作为Cache。计算机的主板上都有Cache插座。
下图所示的是一个SRAM的结构框图。由上图看出SRAM一般由五大部分组成，即阵列、地址（包括行译码器和列译码器）、灵敏放大器、控制电路和缓冲/驱动电路。在图中，A0-Am-1为地址输入端，CSB. WEB和OEB为控制端，控制读写操作，为，1100-11ON-1为数据输入输出端。中的每个存储单元都与其它单元在行和列上共享电学连接，其中水平方向的连线称为“”，而垂直方向的数据流入和流出存储单元的连线称为“位线”。通过输入的地址可选择特定的字线和位线，字线和位线的交叉处就是被选中的存储单元，每一个存储单元都是按这种方法被唯一选中，然后再对其进行读写操作。有的设计成多位数据如4位或8位等同时输入和输出，这样的话，就会同时有4个或8个按上述方法被选中进行读写操作。
在SRAM 中，排成形式的存储单元阵列的周围是和与外部信号的接口电路。存储单元阵列通常采用正方形或矩阵的形式，以减少整个芯片面积并有利于数据的存取。以一个存储容量为4K位的SRAM为例，共需12条来保证每一个存储单元都能被选中（
=4096）。如果阵列被排列成只包含一列的长条形，则需要一个12/4K位的，但如果排列成包含64行和64列的正方形，这时则只需一个6/64位的行译码器和一个6/64位的列译码器，行、列译码器可分别排列在存储单元阵列的两边，64行和64列共有4096个交叉点，每一个点就对应一个存储位。因此，将存储单元排列成正方形比排列成一列的长条形要大大地减少整个芯片地面积。存储单元排列成长条形除了形状奇异和面积大以外，还有一个缺点，那就是单排在列的上部的存储单元与数据输入/输出端的连线就会变得很长，特别是对于容量比较大得来说，情况就更为严重，而连线的延迟至少是与它的长度成线性关系，连线越长，线上的延迟就越大，所以就会导致读写速度的降低和不同存储元连线延迟的不一致性，这些都是在设计中需要避免的。
SRAM背景知识
RAM (Random Access Memory随机）是指通过可以随机地、个别地对每个进行访问、访问所需时间基本固定、且与存储无关的可以读写的。几乎所有的计算机系统和智能电子产品中，都是采用RAM作为主存。
在系统内部，RAM是仅次于CPU的最重要的器件之一。它们之间的关系，就如人的大脑中思维与记忆的关系一样，实际上是密不可分的。但在计算机内部，它们却是完全独立的器件，沿着各自的道路向前发展。第一代个人电脑的CPU8088还不到10MHz，而现在高档的Pentium Pro CPU的时钟频率已达到2GHz甚至更高。在CPU和RAM之间有一条高速数据通道，CPU所要处理的数据和必须先放到RAM中等待。而CPU也把大部分正在处理的中间数据暂时放置在RAM中，这就要求RAM和CPU之间的速度保持匹配。
然而遗憾的是，这些年来，虽然半导体设计制造工艺越来越先进，单个芯片内部能集成的越来越多，但是RAM的绝对存取速度并没有明显地提高。您所在的位置：
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估计大多数朋友都遇到过手机内存卡读不出来的情况吧，内存卡里很多个人资料，读不出来了肯定非常着急，卡不值钱但数据无价啊，呵呵！下面给出几个可能解决的办法经供参考：
1、 先重启试试
3、卡槽坏了
4、某些内容打不开的话就是格式问题
5、内存太大，手机不识别（每个手机都有支持识别的上限的，如果只支持1G的，你插个2G的就不行）
6、有些手机支持内存卡加密功能，加密后把卡再插到电脑上就读不出来了，解决的办法就是先在手机上解密了再插电脑上。
8、读卡器问题
9、内存卡本身的问题
其他几点试了都排除的话，就应该是第9点了，内存卡本身出问题的几率是比较大的，大多数人都是这个问题，那么怎么解决呢？
手机内存卡本身问题解决办法：下载&&使用。
用工具是最终的解决方式，但缺点就是只能修复内存卡，修复后再用恢复数据，恢复的几率不大就是了，但这也是没有办法的办法了。
量产网祝大家都找回自己的数据！
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非常感谢！！！你的方法一下子就可以了哟。呵呵。谢谢啊
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