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三极管主要参常用三极管参数数
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3秒自动关闭窗口三极管的主要参数
摘要: 三极管的主要参数 1．电流放大倍数（1）共射电流放大倍数ββ定义为uCE为常数时，集电极电流iC的变化量与基极电流iB的变化量之比。即（2）共射直流电流放大倍数 当忽略了穿透电流ICEO时，近似等于IC与IB值比，即在放 ...
三极管的主要参数 &&&&1．电流放大倍数&&&&（1）共射电流放大倍数β&&&&β定义为uCE为常数时，集电极电流iC的变化量与基极电流iB的变化量之比。即&&&&（2）共射直流电流放大倍数 &&&&当忽略了穿透电流ICEO时，近似等于IC与IB值比，即&&&&在放大区，Δ值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线求取ΔiCΔiB，即可计算出，如图1.3.6所示。图1.3.6　图解法确定&&&&β值是衡量三极管放大能力的重要参数，所以应该有一定的值，但过高的β值影响三极管的线性度和稳定性，所以一般三极管的β值在几十到上百之间。 &&&&当工作在放大区时，β与的值近似相等。&&&&（3）共基直流电流放大倍数&&&&共基接法时，晶体管电流放大能力就体现在的大小。定义为集电极电流变化量ΔiC与发射极电流变化量ΔiE之比。即&&&&（4）共基直流电流放大倍数&&&&当忽略了穿透电流ICEO时，近似等于集电极电流IC与发射极电流IE之比，即&&&&一般也有=。&&&&根据β和的定义，有&&&&2．反向饱和电流&&&&（1）集电极-基极间ICBO&&&&指发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO主要由少子运动产生，收温度影响较大。一般情况下硅管ICBO的很小，可达到纳安数量级，锗材料小功率管的ICBO一般在几微安至几十微安之间。&&&&（2）集电极-发射极间穿透电流ICEO&&&&指基极开路时，集电极与发射极之间的电流。通常也称其为穿透电流。它体现了iB对iC的失控现象。且有ICEO=（1+β）ICBO&&&&β值越大ICEO也越大。而且ICEO受温度的影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以，应该综合考虑三极管的β值和ICEO。&&&&3．极限参数&&&&（1）集电极最大允许电流ICM&&&&当集电极电流增加时，β就要下降，当β值下降到线性放大区β值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。至于β值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当IC＞ICM时，并不表示三极管一定会过流而损坏。&&&&（2）集电极最大允许耗散功率 &&&&集电极电流通过集电结时所产生的功耗，PCM=iC　uCB　≈iC　uCE，因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用uCE取代uCB。三极管的功耗可以在输出特性曲线上用功耗曲线表示，见图1.3.7。图1.3.7　三极管的功耗曲线 &&&&（3）集-射极反向击穿电压 &&&&反向击穿电压表示三极管两个电极间承受反向电压的能力，第三个电极可以是开路、短路等不同的状态，其测试时的原理电路如图1.3.8所示。 &&&&U(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，C、B代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路（Open）。 &&&&U(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。 &&&&三极管在使用时均不允许超过击穿电压值，并留有余量，这两个击穿电压有如下关系： &&&&U(BR)CBO＞U(BR)CEO(a)　　U(BR)CBO　测试电路　　　　　　　　　　(b)　　U(BR)CEO　测试电路图1.3.8　三极管击穿电压的测试电路&
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