逆变器输出功率的计算_百度知道新出炉的超强性能正弦波逆变器，图文说明电路图功能-电源网
EMI预一致性测试和调试最大的挑战是如何一次性通过测试。
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TIDA-00264 参考设计是汽车尾灯 EMC 设计，它直接连接至电池应用，LED 总体驱动电流达 900mA。
汽车仪表盘信号装置解决方案，其中包含一个单片、中压、低电流功耗 12 位移位寄存器
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新出炉的超强性能正弦波逆变器，图文说明电路图功能
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新出炉的超强性能正弦波逆变器，图文说明电路图每一块功能
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怎么没有SPWM输出滤波电感，这电路能输出正旋波么？差摸电感会不会高烧不退啊
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滤波就是共模电感，发热不高的，效率绝对90%以上，就因为这样的设计机器才不坏，随便怎么短路和过载都不会坏
上一次首页头条
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楼主请继续 &观摩中
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占个位置先
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组装好后的成品机
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带一个200灯和一个20W变压器
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短路保护效果
多次短路后的效果
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不错，不错，
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还好吧，嘿嘿
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用太阳能电池板测试机器
3块100W太阳能电池板带100W灯：
3块100W太阳能电池板带100W灯：
1块100W太阳能电池板带25W灯：
3块100W太阳能电池板带100W灯：
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好用吗？能带哪些负载？
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肯定好用，所有负载都能带，只要功率够。
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问一下 H桥 这么多二极管 有什么好处
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保护MOS管子用的
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可以讲解一下MOS管上方的4个二极管这样接发有什么好处&
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高压MOS的体二极管特性不好, 尤其是反向恢复慢, 硬开关时效率不好而且容易坏. 串并二极管后电流不从体二极管经过, 反向恢复损耗减少,效率提高, 缺点是没有MOS管的双向导通特性, 过零点附近会出现DCM导致谐波增加.
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差不多这样吧，所以机器性能很稳定，很难坏机器，波形处理得很好的
电源币：24&nbsp|&nbsp主题帖：7&nbsp|&nbsp回复帖：6
楼主好家伙，佩服！！！你们一个个不是工程师，就是大学生，研究生。。。。做出来的都是精品啊！！！！咱们这些个土老帽只能眼巴巴的看喽！！！！！
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网博互动旗下网站：12V 24AH蓄电池用逆变器逆变成220v能带多大功率的用电器最大功率能用多久?如果带200W的话电流是不是200W/12V?会不会超过线路承受能力?
12V 24AH蓄电池用逆变器逆变成220v等于1.2AH左右,带100W负荷（0.45A）时,带100W负荷(0.45A)可以运行2.小时左右,带200W负荷(0.9A)可以运行1小时左右,带400W负荷(1.8A)可以运行30分钟左右.
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扫描下载二维码大功率逆变器电路设计_电路图之家
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大功率逆变器电路设计
时间： 09:02 来源：电路图之家 作者：编辑部
笔者曾用过300W逆变器，利用12V/60AH蓄电池向上述家用电器供电，一次充满电后，可使用近5小时。标称功率300W的逆变电源，用于家庭电风扇、电视机，以及日常照明等是不成问题的。不过，即使蓄电池电压充足，启动180立升的电冰箱仍有困难，因启动瞬间输出电压下降为不足180V而失败。电冰箱压缩机标称功率多为100W左右，实际启动瞬间电流可达2A以上，若欲使启动瞬间降压不十分明显，必须将输出功率提高至600VA。如在增大输出功率的同时，采用PWM稳压系统，可使启动瞬间降压幅度明显减小。无论电风扇还是电冰箱，应用逆变电源供电时，均应在逆变器输出端增设图1中的LC滤波器，以改善波形，避免脉冲上升沿尖峰击穿电机绕组。
采用双极型开关管的逆变器，基极驱动电流基本上为开关电流的1/&，因此大电流开关电路必须采用多级放大，不仅使电路复杂化，可靠性也变差而且随着输出功率的增大，开关管驱动电流需大于集电极电流的１／&，致使普通驱动IC无法直接驱动。虽说采用多级放大可以达到目的，但是波形失真却明显增大，从而导致开关管的导通/截止损耗也增大。目前解决大功率逆变电源及UPS的驱动方案，大多采用MOS FET管作开关器件。
一、MOSFET管的应用
近年来，金属氧化物绝缘栅场效应管的制造工艺飞速发展，使之漏源极耐压(VDS)达kV以上，漏源极电流(IDS)达50A已不足为奇，因而被广泛用于高频功率放大和开关电路中。
除此而外，还有双极性三极管与MOS FET管的混合产品，即所谓IGBT绝缘栅双极晶体管。顾名思义，它属MOS FET管作为前级、双极性三极管作为输出的组合器件。因此，IGBT既有绝缘栅场效应管的电压驱动特性，又有双极性三极管饱合压降小和耐压高的输出特性，其关断时间达到0.4&s以下，VCEO达到1.8kV，ICM达到100A的水平，目前常用于电机变频调速、大功率逆变器和开关电源等电路中。
一般中功率开关电源逆变器常用MOS FET管的并联推挽电路。MOS FET管漏-源极间导通电阻，具有电阻的均流特性，并联应用时不必外加均流电阻，漏源极直接并联应用即可。而栅源极并联应用，则每只MOS FET管必须采用单独的栅极隔离电阻，避免各开关管栅极电容并联形成总电容增大，导致充电电流增大，使驱动电压的建立过程被延缓，开关管导通损耗增大。
二、MOSFET的驱动
近年来，随着MOS FET生产工艺的改进，各种开关电源、变换器都广泛采用MOS FET管作为高频高压开关电路，但是，专用于驱动MOS FET管的集成电路国内极少见。驱动MOS FET管的要求是，低输出阻抗，内设灌电流驱动电路。所以，普通用于双极型开关管的驱动IC不能直接用于驱动场效应管。
目前就世界范围来说，可直接驱动MOS FET管的IC品种仍不多，单端驱动器常用的是UC3842系列，而用于推挽电路双端驱动器有SG3525A(驱动N沟道场效应管)、SG3527A(驱动P沟道场效应管)和SG3526N(驱动N沟道场效应管)。然而在开关电源快速发展的近40年中，毕竟有了一大批优秀的、功能完善的双端输出驱动IC。同时随着MOS FET管应用普及，又开发了不少新电路，可将其用于驱动MOS FET管，解决MOS FET的驱动无非包括两个内容：一是降低驱动IC的输出阻抗；二是增设MOS FET管的灌电流通路。为此，不妨回顾SG3525A、SG3527A、SG3526N以及单端驱动器UC3842系列的驱动级。
图2a为上述IC的驱动输出电路(以其中一路输出为例)。振荡器的输出脉冲经或非门，将脉冲上升沿和下降沿输出两路时序不同的驱动脉冲。在脉冲正程期间，Q1导通，Q2截止，Q1发射极输出的正向脉冲，向开关管栅极电容充电，使漏&源极很快达到导通阈值。当正程脉冲过后，若开关管栅&源极间充电电荷不能快速放完，将使漏源极驱动脉冲不能立即截止。为此，Q1截止后，或非门立即使Q2导通，为栅源极电容放电提供通路。此驱动方式中，Q1提供驱动电流，Q2提供灌电流(即放电电流)。Q1为发射极输出器，其本身具有极低的输出阻抗。
为了达到上述要求，将普通用于双极型开关管驱动输出接入图2b的外设驱动电路，也可以满足MOS FET管的驱动要求。设计驱动双极型开关管的集成电路，常采用双端图腾柱式输出两路脉冲，即两路输出脉冲极性是相同的，以驱动推挽的两只NPN型三极管。为了让推挽两管轮流导通，两路驱动脉冲的时间次序不同。如果第一路输出正脉冲，经截止后，过一死区时间，第二路方开始输出。两路驱动级采用双极型三极管集射极开路输出，以便于取得不同的脉冲极性，用于驱动NPN型或PNP型开关管。
图2b中接入了PNP型三极管Q和二极管D，其作用是分别使驱动电流和灌电流分路。前级驱动IC内部缓冲器的发射极，在负载电阻R1上建立未倒相的正极性驱动脉冲使三极管Q截止。在驱动脉冲上升沿开始，正极性脉冲通过二极管D加到MOS FET开关管栅&源极，对栅源极电容CGS充电，当充电电压达到开关管栅极电压阈值时，其漏源极导通。正脉冲持续期过后，IC内部缓冲放大器发射极电平为零，输出端将有一定时间的死区。此时，Q的发射极带有CGS充电电压，因而Q导通，CGS通过Q的ec极放电，Q的集电极电流为灌电流通路。R2为开关管的栅极电阻，目的是避免开关管的栅极在Q、D转换过程中悬空，否则其近似无穷大的高输入阻抗极容易被干扰电平所击穿。采用此方式利用普通双端输出集成电路，驱动MOS FET开关管，可以达到比较理想的效果。为了降低导通/截止损耗，D应选用快速开关二极管。Q的集电极电流应根据开关管决定，若为了提高输出功率，每路输出采用多只MOS FET管并联应用，则应选择ICM足够大的灌流三极管和高速开关二极管。
三、TL494简介
目前所有的双端输出驱动IC中，可以说美国德克萨斯仪器公司开发的TL494功能最完善、驱动能力最强，其两路时序不同的输出总电流为SG3525的两倍，达到400mA。仅此一点，使输出功率千瓦级及以上的开关电源、DC/DC变换器、逆变器，几乎无一例外地采用TL494。虽然TL494设计用于驱动双极型开关管，然而目前绝大部分采用MOS FET开关管的设备，利用外设灌流电路，也广泛采用TL494。为此，本节中将详细介绍其功能及应用电路。其内部方框图如图3所示。其内部电路功能、特点及应用方法如下：}