塑料圆柱封装低频大电流发光二极管封装

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最常用的各类封装含义
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3秒自动关闭窗口《贴片二极管封装》
贴片二极管封装
范文一:贴片二极管封装贴片二极管封装贴片二极管封装图:贴片二极管封装图一贴片二极管封装图二贴片二极管封装:电子元件技术网相信有些网友在画AVR开发板的PCB时会遇到一个这样的问题,板子上有两个贴片二极管的封装无法确定,分别是1N的。元件上周我已经出去买回来了,我是第一次用贴片二极管,第一次见的时候居然分不清到底哪个是4001,哪个是4148,不得不问卖片子的那家,老板说,大的标着M1的是 4001,小的标着W2的是4148。其实吧,要是想简单的话,直接拿个尺子量一量,直接在protel上画封装就行了,不过我没有尺子,手头上的直尺还是借对门的,件太小,不好动手量,我认真的劲又犯了,就是想找到这种贴片二极管的标准封装名称及相关数据手册,然后根据标准来画自己的封装库,可以先查了一下花了一个小时时间,确定与贴片二极管有关的封装信息如下,前面几个我可以确定,后边的详细资料我没查:SMA / SMB / SMC / MELF / MINI-MELF / DFS / MINI-DFS /SKY / SF / HER / FR / STD / TVS / SWITCH / ZEMER / DIACES
标准封装:SMA 2010 SMB 2114 SMC 3220SOD123
1206 SOD323 0805 SOD523 0603
还有四种封装名称: DO-214AA DO-214AB DO-214ACDO-213ABMELF现在IN4007插件(DO-41 DIP)、贴片(DO-214AC也就是SMA)都有。一般插件的芯片是O/J的,贴片的芯片的GPP的。至于符号从M1-M7都有,其击穿电压分别为 50、100、200、400、600、800、1000V。而现在又有了新的一种封装,就是6#图片,表面上看它是DO-214AC,但是它称为“打扁”的,看引线的根部是圆柱,而真真的DO-214AC的引线根部是和外面一样的平。 一些常用贴片二极管的封装:原文地址:
范文二:MMBD4148贴片式-SOT封装-二极管SOT-23 Plastic-Encapsulate DiodesElectrical Ratings @TA=25℃ParameterReverse Breakdown VoltageTyp.Max.ConditionsV (BR) RIR=100μA VF10.715IF=1mA IF=10mAVF20.855Forward voltageVF3IF=50mA VF4IF=150mA IR1μR=75V IR2VR=20V VR=0V,f=1MHz CTIF=IR=10mAtrrIrr=0.1XIR,RL=100OhmReverse currentCapacitance between terminals Reverse Recovery Time阅读详情:
范文三:常见贴片二、三极管封装常见贴片二极管/三极管的封装二极管:名称
尺寸及焊盘间距
其他尺寸相近的封装名称 SMC
6.8X6-8.0SMB
4.5X3.5-5.3SMA
4.5X2.5-5.0
SOD-106SOD-123
2.7X1.6-3.5
SC-77ASOD-323SOD-523SOD-723SOD-923三极管:D2PAKDPAKSOT-223SOT-89SOT-23SOT-323SOT-523SOT-623SOT-723SOT-923
1.7X1.2-2.5
1.2X0.8-1.6
1.0X0.6-1.4 0.8X0.6-1.0
10X8.8-2.54
6.5X5.5-2.3 6.5X3.5-2.3
4.5X2.5-1.5
2.9X1.5-2.0
2.0X1.2-1.3
1.6X0.8-1.0
1.4X0.8-0.9
1.2X0.8-0.8 1.2X0.8-0.8
SC-76/SC-90A
TO-243/SC-62/UPAK/MPT3
SC-59A/SOT-346/MPAK/SMT3
SC-70/CMPAK/UMT3
SC-75A/EMT3
SC-89/MFPAK
VMT3阅读详情:
范文四:三极管贴片封装贴片三极管封装 16:021A
n-ch mosfet 30V 0.9A1B
p-ch mosfet 20V 0.6A1C
dual cc GP RF pin diode 1Cs
p-ch mosfet 30V 0.6A1D
MPSA42 300V npn1D
npn 11V 3.2GHz TV tuners1Dp
MSD1328-RT1
npn gp 25V 500mA1Ds
MPSA43 200V npn1E
npn 20V 2.0GHz TV tuners1Ep
MPS23691JA
MPS2369A1JR
npn current mirror hFe 180 1Js
MPSA18 50V1K
MPSA18 50V1Kp
npn current mirror hFe 290 1Ks
MPSA18 45V1L
npn current mirror hFe 520 1L
npn current mirror hFe 520 1Lp
MPSA13 darlington1M
npn current mirror1Mp
MPSA14 darlington1N
MMFT1N10ET1
pnp/npn separate pair gpAF1P
MPSA18 Vce 30V1Q
NPN半导体三极管参数符号及其意义三极管基础知识及检测方法:一、晶体管基础双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区,其中大部分空穴能够到达集电结的边界,并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区,形成集电极电流 IC 。在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很小,所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V,如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib,在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic,有c/ib=β,实现了双极晶体管的电流放大作用。金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应,在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压 VG 增大时, p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽,而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时,电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时,源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGS>VT 并取不同数值时,反型层的导电能力将改变,在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 实现栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。二、晶体管的命名方法晶体管:最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG(旧)或(T)表示,二极管以D表示。按制作材料分,晶体管可分为锗管和硅管两种。按极性分,三极管有PNP和NPN两种,而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示,其中每一位都有特定含义:如 3 A X 31,第一位3代表三极管,2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料;B代表NPN型锗材料;C为PNP型硅材料;D为NPN型硅材料。第三位表示用途,其中X代表低频小功率管;D代表低频大功率管;G代表高频小功率管;A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号,序号不同,各种指标略有差异。注意,二极管同三极管第二位意义基本相同,而第三位则含义不同。对于二极管来说,第三位的P代表检波管;W代表稳压管;Z代表整流管。上面举的例子,具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说,就各有不同,要在实际使用过程中注意积累资料。常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列,欧洲的2Sx系列,在该系列中,第三位含义同国产管的第三位基本相同。三、 常用中小功率三极管参数表型号材料与极性Pcm(W)Icm(mA)BVcbo(V)ft(MHz)3DG6CSI-NPN0.12045>1003DG7CSI-NPN0.5100>60>1003DG12CSI-NPN0.730040>3003DG111SI-NPN0.4100>20>1003DG112SI-NPN0.410060>1003DG130CSI-NPN0.8300601503DG201CSI-NPN0.152545150C9011SI-NPN0.43050150C9012SI-PNP0.625-500-40C9013SI-NPN0.62550040C9014SI-NPN0.4510050150C9015SI-PNP0.45-100-50100C9016SI-NPN0.42530620C9018SI-NPN0.450301.1GC8050SI-NPN11.5A40190C8580SI-PNP1-1.5A-402002N5551SI-NPN0.6256001802N5401SI-PNP0.625-6001601002N4124SI-NPN0.62520030300四、用万用表测试三极管(1) 判别基极和管子的类型选用欧姆档的R*100(或R*1K)档,先用红表笔接一个管脚,黑表笔接另一个管脚,可测出两个电阻值,然后再用红表笔接另一个管脚,重复上述步骤,又测得一组电阻值,这样测3次,其中有一组两个阻值都很小的,对应测得这组值的红表笔接的为基极,且管子是PNP型的;反之,若用黑表笔接一个管脚,重复上述做法,若测得两个阻值都小,对应黑表笔为基极,且管子是NPN型的。(2)判别集电极因为三极管发射极和集电极正确连接时β大(表针摆动幅度大),反接时β就小得多。因此,先假设一个集电极,用欧姆档连接,(对NPN型管,发射极接黑表笔,集电极接红表笔)。测量时,用手捏住基极和假设的集电极,两极不能接触,若指针摆动幅度大,而把两极对调后指针摆动小,则说明假设是正确的,从而确定集电极和发射极。(2) 电流放大系数β的估算选用欧姆档的R*100(或R*1K)档,对NPN型管,红表笔接发射极,黑表笔接集电极,测量时,只要比较用手捏住基极和集电极(两极不能接触),和把手放开两种情况小指针摆动的大小,摆动越大,β值越高。晶体三极管由两个PN结组成,PN结的正向电阻很小,反向电阻很大,根据三个电极之间的电阻关系,可以确定三极管的基极。由于三极管的发射结与集电结的结构上的差别,当把集电极当发射极使用时,其电流放大系数β较小,反之β值较大。在确定基极后,比较三极管的β值大小,可以确定集电极和发射极。使三极管基极开路,在发射极和集电极之间加一小电压,使发射结承受正向电压,集电结承受反向电压,这时集电极之间加一偏流电流(如用欧姆表,反映出来是电阻很大)。在基极和集电极之间加一偏流电阻,集电极电流显著增大(因有了一定的基极电流),这时集电极和发射极之间电阻仅为偏流电阻的十几分之一。从集电极电流墙的幅度可判断β值的大小(用欧姆表时,如果表针偏角较基极开路时增加的幅度大,则β值就大)。常见的三极管的封状 12:17三极管9015管脚图 参数资料、引脚实物图片三极管9015管脚图9015是一种常用的普通三极管。它是一种小电压,小电流,小信号的PNP型硅三极管 特性:?
集电极电流Ic:Max -100mA?
集电极-基极电压Vcbo:-50V?
工作温度:-55℃ to +150℃?
和9014(NPN)相对?
主要用途:开关应用? 射频放大
?引脚图其它三极管资料:点击查看9013PDF资料:sot-23封装 TO-92封装 点击查看9015PDF资料:sot-23封装 TO-92封装 点击查看BC817资料
:贴片封装点击查看8550PDF资料:sot-23封装 TO-92封装 点击查看9012PDF资料:sot-23封装 TO-92封装 摘自 /article/88/196/56242.html ] 贴片9013三极管9013是一种最常用的普通三极管。它是一种低电压,大电流,小信号的NPN型硅三极管 特性?
集电极电流Ic:Max 500mA?
集电极-基极电压Vcbo:40V?
工作温度:-55℃ to +150℃?
和9012(PNP)相对?
主要用途:开关应用? 射频放大??
其它三极管资料:点击查看9013PDF资料:sot-23封装 TO-92封装 点击查看9015PDF资料:sot-23封装 TO-92封装 点击查看BC817资料
:贴片封装点击查看8550PDF资料:sot-23封装 TO-92封装 点击查看9012PDF资料:sot-23封装 TO-92封装 贴片三极管型号查询直插封装的型号
贴片的型号9011
Y2 2SA1015
BA 2SC1815
CR MMBT3904
1AM MMBT3906
2A MMBT2222
1P MMBT5401
2L MMBT5551
G1 MMBTA42
1D MMBTA92
2DBC807-16
5A BC807-25
5B BC807-40
5C BC817-16
6A BC817-25
6B BC817-40
V6 2SC3356
R23 2SC3838
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范文五:三极管贴片封装贴片三极管封装 16:021A
n-ch mosfet 30V 0.9A1B
p-ch mosfet 20V 0.6A1C
dual cc GP RF pin diode 1Cs
p-ch mosfet 30V 0.6A1D
MPSA42 300V npn1D
npn 11V 3.2GHz TV tuners1Dp
MSD1328-RT1
npn gp 25V 500mA1Ds
MPSA43 200V npn1E
npn 20V 2.0GHz TV tuners1Ep
MPS23691JA
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npn current mirror hFe 180 1Js
MPSA18 50V1K
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npn current mirror hFe 520 1Lp
MPSA13 darlington1M
npn current mirror1Mp
MPSA14 darlington1N
MMFT1N10ET1
pnp/npn separate pair gpAF1P
MPSA18 Vce 30V1Q
NPN半导体三极管参数符号及其意义三极管基础知识及检测方法:一、晶体管基础双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区,其中大部分空穴能够到达集电结的边界,并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区,形成集电极电流 IC 。在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很小,所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V,如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib,在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic,有c/ib=β,实现了双极晶体管的电流放大作用。金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应,在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压 VG 增大时, p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽,而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时,电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时,源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGS>VT 并取不同数值时,反型层的导电能力将改变,在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 实现栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。二、晶体管的命名方法晶体管:最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG(旧)或(T)表示,二极管以D表示。按制作材料分,晶体管可分为锗管和硅管两种。按极性分,三极管有PNP和NPN两种,而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示,其中每一位都有特定含义:如 3 A X 31,第一位3代表三极管,2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料;B代表NPN型锗材料;C为PNP型硅材料;D为NPN型硅材料。第三位表示用途,其中X代表低频小功率管;D代表低频大功率管;G代表高频小功率管;A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号,序号不同,各种指标略有差异。注意,二极管同三极管第二位意义基本相同,而第三位则含义不同。对于二极管来说,第三位的P代表检波管;W代表稳压管;Z代表整流管。上面举的例子,具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说,就各有不同,要在实际使用过程中注意积累资料。常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列,欧洲的2Sx系列,在该系列中,第三位含义同国产管的第三位基本相同。三、 常用中小功率三极管参数表型号材料与极性Pcm(W)Icm(mA)BVcbo(V)ft(MHz)3DG6CSI-NPN0.12045>1003DG7CSI-NPN0.5100>60>1003DG12CSI-NPN0.730040>3003DG111SI-NPN0.4100>20>1003DG112SI-NPN0.410060>1003DG130CSI-NPN0.8300601503DG201CSI-NPN0.152545150C9011SI-NPN0.43050150C9012SI-PNP0.625-500-40C9013SI-NPN0.62550040C9014SI-NPN0.4510050150C9015SI-PNP0.45-100-50100C9016SI-NPN0.42530620C9018SI-NPN0.450301.1GC8050SI-NPN11.5A40190C8580SI-PNP1-1.5A-402002N5551SI-NPN0.6256001802N5401SI-PNP0.625-6001601002N4124SI-NPN0.62520030300四、用万用表测试三极管(1) 判别基极和管子的类型选用欧姆档的R*100(或R*1K)档,先用红表笔接一个管脚,黑表笔接另一个管脚,可测出两个电阻值,然后再用红表笔接另一个管脚,重复上述步骤,又测得一组电阻值,这样测3次,其中有一组两个阻值都很小的,对应测得这组值的红表笔接的为基极,且管子是PNP型的;反之,若用黑表笔接一个管脚,重复上述做法,若测得两个阻值都小,对应黑表笔为基极,且管子是NPN型的。(2)判别集电极因为三极管发射极和集电极正确连接时β大(表针摆动幅度大),反接时β就小得多。因此,先假设一个集电极,用欧姆档连接,(对NPN型管,发射极接黑表笔,集电极接红表笔)。测量时,用手捏住基极和假设的集电极,两极不能接触,若指针摆动幅度大,而把两极对调后指针摆动小,则说明假设是正确的,从而确定集电极和发射极。(2) 电流放大系数β的估算选用欧姆档的R*100(或R*1K)档,对NPN型管,红表笔接发射极,黑表笔接集电极,测量时,只要比较用手捏住基极和集电极(两极不能接触),和把手放开两种情况小指针摆动的大小,摆动越大,β值越高。晶体三极管由两个PN结组成,PN结的正向电阻很小,反向电阻很大,根据三个电极之间的电阻关系,可以确定三极管的基极。由于三极管的发射结与集电结的结构上的差别,当把集电极当发射极使用时,其电流放大系数β较小,反之β值较大。在确定基极后,比较三极管的β值大小,可以确定集电极和发射极。使三极管基极开路,在发射极和集电极之间加一小电压,使发射结承受正向电压,集电结承受反向电压,这时集电极之间加一偏流电流(如用欧姆表,反映出来是电阻很大)。在基极和集电极之间加一偏流电阻,集电极电流显著增大(因有了一定的基极电流),这时集电极和发射极之间电阻仅为偏流电阻的十几分之一。从集电极电流墙的幅度可判断β值的大小(用欧姆表时,如果表针偏角较基极开路时增加的幅度大,则β值就大)。常见的三极管的封状 12:17三极管9015管脚图 参数资料、引脚实物图片三极管9015管脚图9015是一种常用的普通三极管。它是一种小电压,小电流,小信号的PNP型硅三极管 特性:?
集电极电流Ic:Max -100mA?
集电极-基极电压Vcbo:-50V?
工作温度:-55℃ to +150℃?
和9014(NPN)相对?
主要用途:开关应用? 射频放大
?引脚图其它三极管资料:点击查看9013PDF资料:sot-23封装 TO-92封装 点击查看9015PDF资料:sot-23封装 TO-92封装 点击查看BC817资料
:贴片封装点击查看8550PDF资料:sot-23封装 TO-92封装 点击查看9012PDF资料:sot-23封装 TO-92封装 摘自 /article/88/196/56242.html ] 贴片9013三极管9013是一种最常用的普通三极管。它是一种低电压,大电流,小信号的NPN型硅三极管 特性?
集电极电流Ic:Max 500mA?
集电极-基极电压Vcbo:40V?
工作温度:-55℃ to +150℃?
和9012(PNP)相对?
主要用途:开关应用? 射频放大??
其它三极管资料:点击查看9013PDF资料:sot-23封装 TO-92封装 点击查看9015PDF资料:sot-23封装 TO-92封装 点击查看BC817资料
:贴片封装点击查看8550PDF资料:sot-23封装 TO-92封装 点击查看9012PDF资料:sot-23封装 TO-92封装 贴片三极管型号查询直插封装的型号
贴片的型号9011
Y2 2SA1015
BA 2SC1815
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1AM MMBT3906
2A MMBT2222
1P MMBT5401
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1D MMBTA92
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5A BC807-25
5B BC807-40
5C BC817-16
6A BC817-25
6B BC817-40
V6 2SC3356
R23 2SC3838
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范文六:三极管贴片封装贴片三极管封装6:021A1A1A1A-1A1A-1AM1Ap1At1At1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B-1BSOT323SOT416SOT89SOT89SOT323SOT323SOT23SOT23SOT23SOT323SOT23SOT23SOT23SOT23SOT23SOT23SOT23SOT23SOT23SOT23SOT323SOT416SOT89SOT323BC846AWNPNBC846ATNBC546APXT3904NPNSXT3904NPNPMST4BC846AWNBC546AMMBT4BC846ANBC546ABC846ANBC546ABC846AWNBC546ABC846BNPNBC846BNBC546BFMMT2222NPNFMMT2IRLML2803Fn-chmosfet30V0.9AMMBT2222NPNMMBT2PMBT2222NPNSMBT2222NPNYTS2222NPNBC846BWNPNBC846BTNBC546BPXT2222NPNPMST21B-1Bp1Bs1Bt1Bt1C1C1C1C1C1C1Cp1Cs1D1D1D1D1D1D1D1D-1DN1Dp1DR1DR1Ds1Ds1Dt1Dt1E1E1E1E1E1E1E1E1E1E1E-1EN1Ep1ER1EsSOT323>BC846BWNBC546BSOT23BC846BNBC546BSC74BC817UPNNSOT23BC846BNBC546BSOT323BC846BWNBC546BSOT23FMMT-A20NPNSOT23FMMT-A20NMPSA20SOT23IRLML6302Fp-chmosfet20V0.6ASOT23MMBTA20NPNSOT23MMBTA20LNMPS3904SOT23SMBTA20NPNSOT23BAP50-05BdualccGPRFpindiodeSOT363BC847SBC457SOT23BC846NPNSOT23IRLML5103Fp-chmosfet30V0.6ASOT23MMBTA42NPNSOT23MMBTA42NMPSA42300VnpnSOT23SMBTA42NPNSOT323BC846WNPNSOT89SXTA42NPNSOT323BC846WNBCNnpn11V3.2GHzTVtunersSOT23BC846NBC456SC59MSD1328-RT1NPNSOT346MSD1328RNnpngp25V500mASC74BC846UNBC456SOT363BC846UBC456SOT23BC846NBC456SOT323BC846WNBC456FMMT-A43NMPSA43SOT23BC847ANPNSOT23BC847ANBC547ASOT23FMMT-A43NPNSOT23MMBTA43NPNSOT23MMBTA43NMPSA43200VnpnSOT23SMBTA43NPNSOT323BC847AWNPNSOT416BC847ATNBC547ASOT89SXTA43NPNSOT323BC847ANBC547A2SC4084Nnpn20V2.0GHzTVtunersSOT23BC847ANBC547ASOT23RBC847ARRBC547ASOT23BC847ANBC4571EsSOT323BC847AW1EtSOT23BC847A1EtSOT323BC847A1FSOT23BC847B1FSOT23BC847B1FSOT23FMMT55501FSOT23MMBT55501FSOT23MMBT55501FSOT23PMBT55501FSOT323BC847BW1FSOT416BC847BT1F-SOT323BC847BW1FpSOT23BC847B1FRSOT23RBC847BR1FsSC75BC847BT1FsSOT23BC847B1FsSOT323BC847BW1FtSOT23BC847B1FtSOT323BC847BW1GFMMT-A06N1GSOT23BC847C1GSOT23BC847C1GSOT23FMMT-A061GSOT23MMBTA061GSOT23MMBTA061GSOT23SMBTA061GSOT323BC847CW1GSOT416BC847CT1G-SOT323BC847CW1GMSOT23MMBTA061GpSOT23BC847C1GRSOT23RBC847CR1GsSOT23BC847C1GsSOT323BC847CW1GTSOA06N1GTSOT23SOA061GtSOT323BC847CW1HFMMT-A05N1HSOT23BC8471HSOT23FMMT-A051HSOT23MMBTA051HSOT23MMBTA051HSOT23SMBTA051HSOT323BC847WNBC457NBC547ANBC547ANPNNBC547BNPNNPNN2N5550140VnpnNPNNPNNBC547BNBC547BNBC547BRBC547BNBC547BNBC547BNBC547BNBC547BNBC547BMPSA06NPNNBC547CNPNNPNNMPSA06NPNNPNNBC547CNBC547CNMPSA06NBC547CRBC547CNBC547CNBC547CMPSA06NPNNBC547CMPSA05NPNNPNNPNNMPSA05NPNNPN1H-1Hp1Ht1HT1HT1Ht1J1J1J1JA1JR1Js1Js1Js1K1K1K1K1K1K1K1K1K1K1KM1Kp1KR1Ks1Ks1Ks1L1L1L1L1L1L1L1L1L1L1L1L1Lp1LpSOT323BC847WSOT23BC847SOT23BC847SOT23SOA05SOT23SOA05SOT323BC847WFMMT2369NSOT23BC848ASOT23MMBT2369SOT23MMBT2369ASOT23RBC848ARSOT143BCV61ASOT23BC848ASOT323BC848AWFMMT4400NSOT143BCV61BSOT23BC848BSOT23BC848BSOT23FMMT4400SOT23MMBT6428SOT23MMBT6428SOT23PMBT6428SOT23SMBT6428SOT323BC848BWSOT23MMBT6428LSOT23BC848BSOT23RBC848BRSOT143BBCV61BSOT23BC848BSOT323BC848BWFMMT4401NMMBT6429NSOT143BCV61CSOT143BBCV61CSOT23BC848CSOT23BC848CSOT23FMMT4401SOT23FMMT5400SOT23MMBT6429SOT23PMBT6429SOT23SMBT6429SOT323BC848CWSOT143BBCV61CSOT23BC848CBC547NBC547NBC547NPNNMPSA05NBCNBC548ANMPS2369NMPS2369ARBC548AVQnpncurrentmirrorhFe180NBC548ANBC548A2N4400NPNNPNNBC548BNPNNPNNMPSA1850VNPNNPNNPNNMPSA1850VNBC548BRBC548BVQnpncurrentmirrorhFe290NBC548BNBC548B2N4401MPSA1845VNPNVQnpncurrentmirrorhFe520NPNNBC548CNPNPNPNPNNPNNPNNPNVQnpncurrentmirrorhFe520NBC548CN1LRSOT23RBC848CRRBC548C1LsSOT23BC848CNBC548C1LsSOT323BC848CWNBC548C1MSOT143BCV61NPN1MSOT23BC848NPN1MSOT23FMMT-A13NPN1MSOT23FMMT-A13NMPSA131MSOT23MMBTA13NPN1MSOT23MMBTA13NMPSA13darlington1MSOT23PMBTA13NPN1MSOT23SMBTA13NPN1MSOT323BC848WNPN1MpSOT143BBCV61VQnpncurrentmirror1MpSOT23BC848NBC5481NSOT23FMMT-A14NPN1NSOT23FMMT-A14NMPSA141NSOT23MMBTA14NPN1NSOT23MMBTA14NMPSA14darlington1NSOT23PMBTA14NPN1NSOT23SMBTA14NPN1NSOT89PXTA14NPN1N10SOT223MMFT1N10ET1MOSFET1PBC847PNDIpnp/npnseparatepairgpAF1PFMMT2A1PSOT23FMMT2222ANPN1PSOT23MMBT2222ANPN1PSOT23MMBT2A1PSOT23PMBT2222ANPN1PSOT23SMBT2222ANPN1PSOT23YTS2222ANPN1PSOT89PKT2222ANPN1QSOT23FMMT5088NPN1QSOT23MMBT5088NPN1QSOT23MMBT5088NMPSA18Vce30V1QSOT23PMBT5088NPN半导体三极管参数符号及其意义三极管基础知识及检测方法:一、晶体管基础双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN结。正向偏置的EB结有空穴从发射极注入基区,其中大部分空穴能够到达集电结的边界,并在反向偏置的CB结势垒电场的作用下到达集电区,形成集电极电流IC。在共发射极晶体管电路中,发射结在基极电路中正向偏置,其电压降很小。绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于VBE很小,所以基极电流约为IB=5V/50kΩ=0.1mA。如果晶体管的共发射极电流放大系数β=IC/IB=100,集电极电流IC=β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V,如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib,在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic,有c/ib=β,实现了双极晶体管的电流放大作用。金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应,在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅G电压VG增大时,p型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽,而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时,电子积累层将在n+源区S和n+漏区D之间形成导电沟道。当VDS≠0时,源漏电极之间有较大的电流IDS流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压VT。当VGS>VT并取不同数值时,反型层的导电能力将改变,在相同的VDS下也将产生不同的IDS,实现栅源电压VGS对源漏电流IDS的控制。二、晶体管的命名方法晶体管:最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG(旧)或(T)表示,二极管以D表示。按制作材料分,晶体管可分为锗管和硅管两种。按极性分,三极管有PNP和NPN两种,而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示,其中每一位都有特定含义:如3AX31,第一位3代表三极管,2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料;B代表NPN型锗材料;C为PNP型硅材料;D为NPN型硅材料。第三位表示用途,其中X代表低频小功率管;D代表低频大功率管;G代表高频小功率管;A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号,序号不同,各种指标略有差异。注意,二极管同三极管第二位意义基本相同,而第三位则含义不同。对于二极管来说,第三位的P代表检波管;W代表稳压管;Z代表整流管。上面举的例子,具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说,就各有不同,要在实际使用过程中注意积累资料。常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列,欧洲的2Sx系列,在该系列中,第三位含义同国产管的第三位基本相同。三、常用中小功率三极管参数表型号材料与极性Pcm(W)Icm(mA)BVcbo(V)ft(MHz)3DG6CSI-NPN0.12045>1003DG7CSI-NPN0.5100>60>1003DG12CSI-NPN0.730040>3003DG111SI-NPN0.4100>20>1003DG112SI-NPN0.410060>1003DG130CSI-NPN0.8300601503DG201CSI-NPN0.152545150C9011SI-NPN0.43050150C9012SI-PNP0.625-500-40C9013SI-NPN0.62550040C9014SI-NPN0.4510050150C9015SI-PNP0.45-100-50100C9016SI-NPN0.42530620C9018SI-NPN0.450301.1GC8050SI-NPN11.5A40190C8580SI-PNP1-1.5A-402002N5551SI-NPN0.6256001802N5401SI-PNP0.625-6001601002N4124SI-NPN0.62520030300四、用万用表测试三极管(1)判别基极和管子的类型选用欧姆档的R*100(或R*1K)档,先用红表笔接一个管脚,黑表笔接另一个管脚,可测出两个电阻值,然后再用红表笔接另一个管脚,重复上述步骤,又测得一组电阻值,这样测3次,其中有一组两个阻值都很小的,对应测得这组值的红表笔接的为基极,且管子是PNP型的;反之,若用黑表笔接一个管脚,重复上述做法,若测得两个阻值都小,对应黑表笔为基极,且管子是NPN型的。(2)判别集电极因为三极管发射极和集电极正确连接时β大(表针摆动幅度大),反接时β就小得多。因此,先假设一个集电极,用欧姆档连接,(对NPN型管,发射极接黑表笔,集电极接红表笔)。测量时,用手捏住基极和假设的集电极,两极不能接触,若指针摆动幅度大,而把两极对调后指针摆动小,则说明假设是正确的,从而确定集电极和发射极。(2)电流放大系数β的估算选用欧姆档的R*100(或R*1K)档,对NPN型管,红表笔接发射极,黑表笔接集电极,测量时,只要比较用手捏住基极和集电极(两极不能接触),和把手放开两种情况小指针摆动的大小,摆动越大,β值越高。晶体三极管由两个PN结组成,PN结的正向电阻很小,反向电阻很大,根据三个电极之间的电阻关系,可以确定三极管的基极。由于三极管的发射结与集电结的结构上的差别,当把集电极当发射极使用时,其电流放大系数β较小,反之β值较大。在确定基极后,比较三极管的β值大小,可以确定集电极和发射极。使三极管基极开路,在发射极和集电极之间加一小电压,使发射结承受正向电压,集电结承受反向电压,这时集电极之间加一偏流电流(如用欧姆表,反映出来是电阻很大)。在基极和集电极之间加一偏流电阻,集电极电流显著增大(因有了一定的基极电流),这时集电极和发射极之间电阻仅为偏流电阻的十几分之一。从集电极电流墙的幅度可判断β值的大小(用欧姆表时,如果表针偏角较基极开路时增加的幅度大,则β值就大)。常见的三极管的封状2:17三极管9015管脚图参数资料、引脚实物图片三极管9015管脚图9015是一种常用的普通三极管。它是一种小电压,小电流,小信号的PNP型硅三极管特性:ooooo集电极电流Ic:Max-100mA集电极-基极电压Vcbo:-50V工作温度:-55℃to+150℃和9014(NPN)相对主要用途:oo开关应用射频放大引脚图其它三极管资料:点击查看9013PDF资料:点击查看9015PDF资料:sot-23封装TO-92封装点击查看BC817资料:点击查看8550PDF资料:点击查看9012PDF资料:sot-23封装TO-92封装摘自]贴片9013三极管9013是一种最常用的普通三极管。它是一种低电压,大电流,小信号的NPN型硅三极管特性o集电极电流Ic:Max500mAo集电极-基极电压Vcbo:40Vo工作温度:-55℃to+150℃o和9012(PNP)相对o主要用途:oo开关应用射频放大o其它三极管资料:点击查看9013PDF资料:点击查看9015PDF资料:sot-23封装TO-92封装点击查看BC817资料:贴片封装点击查看8550PDF资料:sot-23封装TO-92封装点击查看9012PDF资料:sot-23封装TO-92封装贴片三极管型号查询直插封装的型号90119012贴片的型号1T2TSA1SC945MMBT3904MMBT3906MMBT2222MMBT5401MMBT5551MMBTA42MMBTA92BC807-16BC807-25BC807-40BC817-16BC817-25BC817-40BC846ABC846BBC847ABC847BBC847CBC848ABC848BBC848CBC856ABC856BBC857ABC857BBC858ABC858BBC858C2SA733UN2111UNY6J8J3Y2TYY1Y2BAHFCR1AM2A1P2LG11D2D5A5B5C6A6B6C1A1B1E1F1G1J1K1L3A3B3E3F3J3K3LCSV1V2UNUN2SC轉載文章,來自(中国单片机网)V4V5V6R23AD702阅读详情:
范文七:常见贴片二极管三极管的封装常见贴片二极管/三极管的封装常见贴片二极管/三极管的封装二极管:名称
尺寸及焊盘间距
其他尺寸相近的封装名称SMC
6.8X6-8.0SMB
4.5X3.5-5.3SMA
4.5X2.5-5.0
SOD-106SOD-123
2.7X1.6-3.5
SC-77ASOD-323
1.7X1.2-2.5
SC-76/SC-90ASOD-523
1.2X0.8-1.6
SC-79SOD-723
1.0X0.6-1.4SOD-923
0.8X0.6-1.0三极管:D2PAK
10X8.8-2.54
6.5X5.5-2.3
SC-63SOT-223
6.5X3.5-2.3
SC-73SOT-89
4.5X2.5-1.5
TO-243/SC-62/UPAK/MPT3 SOT-23
2.9X1.5-2.0
SC-59A/SOT-346/MPAK/SMT3 SOT-323
2.0X1.2-1.3
SC-70/CMPAK/UMT3 SOT-523
1.6X0.8-1.0
SC-75A/EMT3SOT-623
1.4X0.8-0.9
SC-89/MFPAKSOT-723
1.2X0.8-0.8SOT-923
1.2X0.8-0.8
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范文八:电阻、电容、电感、二极管贴片封装在常用的的电阻、电容、电感、二极管都有贴片封装。贴片封装用四位数字标识,表明了器件的长度和宽度。贴片电阻有百分五和百分一两种精度,购买时不特别说明的话就是指百分五。一般说的贴片电容是片式多层陶瓷电容(MLCC),也称独石电容。附表是贴片电阻的参数。英制(mil) 公制(mm) 长(L)(mm) 宽(W)(mm) 高(t)(mm) a(mm) b(mm) 常规功率W 提升功率W 最大工作电压V.60±0.05 0.30±0.05 0.23±0.05 0.10±0.05 0.15±0.05 1/20
25.00±0.10 0.50±0.10 0.30±0.10 0.20±0.10 0.25±0.10 1/16
50.60±0.15 0.80±0.15 0.40±0.10 0.30±0.20 0.30±0.20 1/16 1/10 50.00±0.20 1.25±0.15 0.50±0.10 0.40±0.20 0.40±0.20 1/10 1/8 150.20±0.20 1.60±0.15 0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20 1/8 1/4 200.20±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20 1/4 1/3 200.50±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20 1/2
200.00±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 0.60±0.20 0.60±0.20 1/2 3/4 200.40±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 0.60±0.20 0.60±0.20 1
2002)贴片电阻的封装、功率与电压关系如下表:英制(mil)公制(mm)额定功率@ 70°C 最大工作电压(V)0201
2003)贴片电阻的精度与阻值贴片电阻阻值误差精度有±1%、±2%、±5%、±10%精度,J -表示精度为5%、F-表示精度为1%。T -表示编带包装阻值范围从0R-100M4)贴片电阻的特性·体积小,重量轻;·适应再流焊与波峰焊;·电性能稳定,可靠性高;·装配成本低,并与自动装贴设备匹配;·机械强度高、高频特性优越。AXIAL - 两脚直插AXIAL就是普通直插电阻的封装,也用于电感之类的器件。后面的数字是指两个焊盘的间距。AXIAL-0.3 小功率直插电阻(1/4W);普通二极管(1N4148);色环电感(10uH)AXIAL-0.4 1A的二极管,用于整流(1N4007);1A肖特基二极管,用于开关电源(1N5819);瞬态保护二极管AXIAL-0.8 大功率直插电阻(1W和2W)二.电容:1)贴片电容可分为无极性和有极性两种,容值范围从0.22pF-100uF无极性电容下述两类封装最为常见,即;英制尺寸 公制尺寸 长度
±0.05 0.50±0.05 0.50±0.050603
±0.10 0.80±0.10
0.80±0.100805
±0.20 1.25±0.20
0.70±0.201206
±0.30 1.60±0.20
0.70±0.201210
±0.30 2.50±0.30
1.25±0.301808
±0.40 2.00±0.20
≤2.001812
±0.40 3.20±0.30
≤2.502225
±0.50 6.30±0.50
≤2.503035
±0.50 9.00±0.05
≤3.00一般容值越小,耐压值可做到越大,常见耐压有6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、200V、500V、1000V、2000V、3000V、 4000V有极性电容以钽电容为多,根据其耐压不同,贴片电容又可分为A、B、C、D四个系列,具体如下:类型
封装形式 耐压A
35V2)常用电容的标识精度级别B+_0.1%C+_0.25%D+_0.5%F+_1%G+_2%J+_%K+_10%M+_20%N+_30%3)各种贴片电容的特性帖片电容的材料常规分为三种,NPO,X7R,,X5R,Y5V,钽电容NPO 此种材质电性能最稳定,几乎不随温度,电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求要的高频电路。容量精度在5%左右,但选用这种材质只能做容量较小的,常规100PF 以下,100PF至 1000PF 也能生产但价格较高 。X7R 此种材质比NPO 稳定性差,但容量做的比NPO 的材料要高,耐压高,容量精度在10%左右,电容量一般在100pF~2.2F之间。Y5V 此类介质的电容,其稳定性较差,容量偏差在20%左右,对温度电压较敏感,但这种材质能做到很高的容量,而且价格较低,适用于温度变化不大的电路中。电容量范围较大,一般为1000pF~100F。X5R容量小,体积小,适用于计算机、电源和汽车电路中退耦、输出滤波等应用。钽电容 体积小、容量大、漏电流低、使用寿命长、综合性能优异,是最优秀的电容器,不仅在常规条件下比陶瓷、铝、薄膜等其它电容器体积小、容量高、功能稳定,而且能在许多为其它电容器所不能胜任的严峻条件下正常工作。广泛用于高频滤波像HI-FI系统,。三.电感常见封装:、封装
Q值 频率(HZ) 允许电流(A)0402
350,3150603
280,2101005
150四.磁珠:磁阻大,专用于滤波。1)贴片磁珠封装
允许电流(mA) 精度
±10?201209
±25%321825
2102)磁珠的阻值一般在10 ? -2000 ?频率在100HZ左右。按作用可以分为整流二极管肖特基二极管稳压二极管五.贴片二极管的标准封装:封装名字 对应尺寸(英制单位)SMA 2010SMB 2114SMC 3220SOD123 1206SOD323 0805SOD523 0603阅读详情:
范文九:电阻、电容、电感、二极管贴片封装DIP - 双列直插直插芯片常用的古老封装。 SOIC - 双列表贴现在用的贴片max232就是soic-16,后面的数字显然是管脚数。 贴片485芯片有SOIC- 8S,管脚排布更密了。TO - 直插直插三极管用的是TO-92,普通直插7805电源芯 片用TO-220,类似三极管的78L05用TO-92。 直插开关电源芯片2576有五个管脚,用TO-220T。贴片的2576看起来 像D-PAK,但却是TO-263,奇怪。它有五个管脚,再加上一个比较大的地。SOT - 表贴贴 片三极管和场效应管用的是SOT-23。LM1117电源芯片用SOT-223,加上地共有四个引脚。D-PAK - 表贴贴片的7805电源芯片就用这个封装,有一个面积比较大的地,还有两个引脚分别是输入和输出。TQFP - 表贴芯片一直在用的贴片avr单片机芯片就是TQFP的,比如mega8用TQFP-32。管脚数少的avr比如 tiny13,则采用soic封装。atmel的7s64 ARM芯片用了LQFP-64,似乎管脚排列更紧密了。见过有一款国内的soic 51芯片用了PQFP-64,管脚排布比TQFP紧密。
DB99针串口座,这个也是必须要有 的。===============其他尚未未整理的内容============ PZ-4 四位排阻 RW 精密电位器TO-92 直插三极管SOT-23 贴片三极管;贴片场效应管RB-.1/.2,.1/.3,.2 /.4,.2/.5,.3/.6直插电解电容 RB-3/6 LM2575专用电感(330uH直插)CAPT-170 贴片电解电容10uF/25VLED-3 直插发光二极管 DAY-4 四位八字LED管电源ICD-PAK 贴片7805 TO-220 直插7805 TO-92 直插78L05SOT-223 LMV贴片 TO-263 LM2575贴片 TO-220T LM2575直插 2575有五个脚; 封装一样(插、贴),区别是2576开关、2575线性。 ---78L05 100ma 78M05 500ma A ---PCB画圆形焊盘默认孔径30mil,总直径 60mil(0.762mm,1.524mm)。 自恢复电阻管脚直径0.6mm,封装定义孔径为0.7mm,总直径1.5mm。压敏电阻 管教直径1mm,封装定义孔径1.27mm,总直径2.54mm(50mil,100mil)。 (用于焊接220V导线的焊盘:3mm x 1.8mm)电源线不低于18mil,信号线不低于12mil,cpu入出线不低于10mil(或8mil),线间距不低于10mil。正 常过孔不低于30mil(内孔一般不能小于10mil)。100mil对应2.54mm。双列直插 焊盘间距100mil,两排间距300mil。焊盘60mil,孔径40mil。
---转载一份网络表定义:网络表代码
开始一个零件的定义 C1
零件的序号AXIAL0.4
零件的封装形式(AXIAL0.4 ) 100μF
零件的名称100μF
保留(为空行) 保留(为空行) 保留(为空行)]
结束一个零件的 定义(
开始一个网络定义 NetD3_1
网络名称D3-1
零件序号-零件引脚号 C2-2
零件序号-零件引脚号 U1-3
零件序号-零件引脚号 C1-2
零件序号-零件引脚号 D4-1
零件序号-零件引脚号 )
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范文十:贴片电容电阻二极管的封装二极管带杠的那边是正极还是负极?负极。电流只能从不带杠的那端流向带杠的那端,也就是想让二极管导通,必须不带杠的那端是+,带杠的那端是负,所以带杠的那端是负极。“钽贴片电解电容有黑色或灰色标志的一头是正极,另外一头是负极。对于铝贴片电解电容就和普通直插电解电容一样,有杠杠的那端为负极。”在网上查到这么一句话,可算是把板子上的钽电解全部平反了!之前在复位电路总是不正常,查来查去,是复位的钽电解极性接反了!
以往用贴片电解大都就是对付钽电解电容,隐约在意识里知道画杠的一边是接高电位,就没有太注意其极性的表示方法。给医疗组的一哥们问起来:“它不跟普通电 解电容一样么?普通电解画白道子的一端是‘负’极啊?再或者它应该和贴片二极管一样吧?二极管也是画白道子的那头是‘负’极诶!”——歪着头一想也是!极 性的标识方法也应该有个‘统一’的原则吧?于是在此后焊的板子里所有的钽电解都掉了个头,,,,终究是以有电容的地方电平被拉得特别低这一现象,标志着我对电解电容极性的表示方法完全混乱。真服了这种‘下贱’的表示方法,同样是电解电容,钽电解虽然昂贵一点,也不能搞特殊啊!无极性电容以两类封装最为常见;0805具体尺寸:2.0×1.25×0.51206具体尺寸:3.0×1.50×0.5贴片电容以钽电容为多,根据其耐压不同,又可分为A、B、C、D四个系列,具体分类如下:类型 封装形式 耐压A 3216 10VB 3528 16VC 6032 25VD 7343 35V贴片钽电容的封装是分为A型(3216),B型(3528), C型(6032), D型(7343),E型(7845)。-------------------------------------贴片电容正负极区分一种是常见的钽电容,为长方体形状,有“-”标记的一端为正;另外还有一种银色的表贴电容,想来应该是铝电解。 上面为圆形,下面为方形,在光驱电路板上很常见。 这种电容则是有“-”标记的一端为负。发光二极管:颜色有红、黄、绿、蓝之分,亮度分普亮、高亮、超亮三个等级,常用的封装形式有三类:、1210二极管:根据所承受电流的的限度,封装形式大致分为两类,小电流型(如1N4148)封装为1206,大电流型(如IN4007)暂没有具体封装形式,只能给出具体尺寸:5.5 X 3 X 0.5电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是:x0.5x0.8x1.2x1.6x2.5x3.2x6.5注:A\B\C\D四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为L X S X H1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同0805具体尺寸:2.0 X 1.25 X 0.51206具体尺寸:3.0 X 1.5 0X 0.5--------------------------------------------------------1.电阻电容的封装形式如何选择,有没有什么原则?比如,同样是104的电容有的封装,同样是10uF电容有,3528等封装形式,选择哪种封装形式比较合适呢?我看到的电路里常用电阻电容封装:电容:0.01uF可能的封装有10uF的封装有、0805100uF的有7343320pF封装:电阻:4.7K、10k、330、33既有0603又有0805封装。请问怎么选择这些封装?答:贴片的封装主要有:W W W W W电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: x0.5 x0.8 x1.2 x1.6 x2.5 x3.2 x6.5电容本身的大小与封装形式无关,封装与标称功率有关。它的长和宽一般是用毫米表示的。但是型号是采用的英寸的表示方法。选 择合适的封装第一要看你的PCB空间,是不是可以放下这个器件。一般来说,封装大的器件会比较便宜,小封装的器件因为加工进度要高一点,有可能会贵一点, 然后封装大的电容耐压值会比封装小的同容量电容耐压值高,这些都是要根据你实际的需要来选择的,另外,小封装的元器件对贴装要求会高一点,比如 SMT机器的精度。如手机里面的电路板,因为空间有限,工作电压低,就可以选用0402的电阻和电容,而大容量的钽电容就多为3216等等大的封装阅读详情:}

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