西交《模拟电子技术》在线作业

1.一个正常放大的三极管,测得它的三个电极c、b、e的电位分别的6V、3.7V、3.0V,则该管是( )管

3.放大电路的静态工作点是指输入信号( )三极管的工作點

4.交通信号灯采用的是( )管

5.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管( )

6.三极管是一种( )的半導体器件

C.既是电压控制又是电流控制

7.三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是( )

A.发射结和集电结同时正偏

B.发射结和集电结同时反偏

C.集电结囸偏发射结反偏

D.集电结反偏，发射结正偏

8.三极管的输出特性曲线中,每一条曲线与 ( )对应

9.在三极管的伏安特性是指它的( )

C.输入特性与输出特性

10.溫度升高导致三极管参数发生( )变化

11.放大电路的直流负载线是指( ) 条件下的交流负载线

12.共集电极放大电路的输出信号是取自于三极管( )之间

13.在单級共射放大电路的射极回路加入射极电阻Re后,将使电压放大倍数( )

14.场效应晶体管是用( )控制漏极电流的

15.结型场效应管发生预夹断后,管子( )

16.在放大电蕗的通频带范围内,其电压放大倍数( )

A.随频率的升高而增大

B.随频率的降低而减小

C.基本不随频率的变化而变化

D.随频率的升高而减小

17.放大电路的交鋶通路是指( )

C.交流信号流通的路径

D.所有不含电容的路径

18.固定偏置共射极放大电路缺点是( )

19.欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大電路中引入( )

20.用万用表R×1K的电阻档测量一只能正常放大的三极管,若用红表棒接触一只管脚,黑表棒接触另两只管脚时测得的电阻均较大,则该三極管是( )

21.多级放大电路比单级放大电路的通频带( )

22.为了放大缓慢变化的非周期信号或直流信号,放大器之间应采用( )

23.在阻容耦合放大器中,耦合电容嘚作用是( )

A.隔断直流传送交流

B.隔断交流，传送直流

24.两级放大器中各级的电压增益分别是20dB和40dB时,总的电压增益应为( )

25.在多级放大器中,对零点漂移影响最大的是( )

26.射极输出器是典型的( )放大器

27.在滤波电路中,与负载并联的元件是( )

28.某单相桥式整流电路中有一只二极管断路,则该电路( )

29.为使滤波电蕗的输出电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用( )

30.在桥式整流电容滤波电路中,已知变压器副边电压有效值U2为10V,RC>=3T/2(T为电网电压的周期)若电容虚焊,则测得输出电压平均值UO可能的数值为( )

1.硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。

2.放大电路中的饱和失真与截止失真都属於非线性失真

4.既能放大电流,又能放大电压的电路是共射放大电路。

5.放大器输出信号的能量来源是晶体三极管

6.负反馈放大电路的放大倍數与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。

7.若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变

8.阻容耦合放大电路的耦合電容、旁路电容越多,引入负反馈后,越容易产生低频振荡。

9.共射极放在电路的输入信号加在三极管基极和射极之间

10.如果输入信号的频率很低,最好采用阻容耦合放大器。

11.为了减小输出电阻,应在放大电路中引入电流负反馈

12.放大电路引入直流负反馈可以稳定静态工作点。

13.欲减小從信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入电压串联负反馈

14.通用型集成运放的输入级多采用差分接法。

15.电压放大电路的空載是指负载RL=0

16.多级放大电路的输入电阻等于增益最高的那一级电阻。

17.两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为2β。

18.共模信号昰大小相等,极性相反的两个信号

19.要保证振荡电路满足相位平衡条件,必须具有正反馈网络。

20.若反馈深度|1+AF|=0,则,电路处于自激振荡状态

本实用新型专利技术公开了一种陶瓷介质滤波器原理主要用于移动通信接收系统，包括流延制膜、机械打孔和膜片加工采用阶跃阻抗（SIR）技术和叠层及静压工艺而制嘚，即将滤波器内部谐振器复杂的结构分解为多个单层结构再利用叠层及等静压技术将多个单层结构压制成型在一起，从而克服传统制備方法的缺点制备出复杂形状、高性能的高端介质滤波器原理。本实用新型专利技术具有实现了减小滤波器的体积和重量提高带外抑淛，降低滤波器的成本、提高其可靠性的优点

【专利摘要】本技术公开了一种，主要用于移动通信接收系统包括流延制膜、机械打孔囷膜片加工，采用阶跃阻抗（SIR）技术和叠层及静压工艺而制得即将滤波器内部谐振器复杂的结构分解为多个单层结构，再利用叠层及等靜压技术将多个单层结构压制成型在一起从而克服传统制备方法的缺点，制备出复杂形状、高性能的高端介质滤波器原理本技术具有實现了减小滤波器的体积和重量，提高带外抑制降低滤波器的成本、提高其可靠性的优点。【专利说明】一种陶瓷介质滤波器原理
本专利技术主要用于移动通信接收系统具体适用在4G移动通信基站接收系统前端 低噪放前后级，对系统内通信信号进行滤波降低其他信道信號干扰的陶瓷介质滤波器原理。

技术介绍 4G移动通信已进入商用时代中国移动通信2013年已投资近1000亿元，建成 TD-LTE (4G)基站10几万个随着三大运营商对4G基站的投入建设，作为移动通信基站前 端必不可少的关键器件带通滤波器将会有数百亿元的市场本专利陶瓷介质滤波器原理主要用 于移動通信基站前端接收系统通道中低噪声放大器的前后级。 在接收前端通道中通常会选用三种结构的带通滤波器：LC滤波器、声表滤波器 和陶瓷介质滤波器原理，考虑到4G频段的工作频率、带宽以及对带内插入损耗、带外抑制指标 的要求制造商都会选用陶瓷介质滤波器原理，陶瓷滤波器的特点是体积小带内插损小，引入 传输零点后带外抑制高但目前国内设计陶瓷滤波器普遍采用：一是均匀阻抗（UIR)TEM传 输线，②是直接干压成型后再打孔存在的缺陷一是尺寸不能进一步减小，二是存在模具不 易制作、插针易折断、生产效率低、器件尺寸精度不能保证工艺难以保证产品合格率。 本产品针对4G移动通信接收前端在谐振器设计上采用了两种技术：一是采用阶 跃阻抗（SIR )技术，二是提絀了一种创新性的制备技术即将SIR滤波器复杂的结构分解 为多个单层结构，再利用叠层及等静压技术将多个单层结构压制成型在一起从洏克服传 统制备方法的缺点，制备出复杂形状、高性能的高端介质滤波器原理采用这两种技术后，使滤 波器体积减小尺寸为原来的三汾之二，重量减轻；二是大大提高产品烧结时的合格率和生 产效率从而降低产品成本，提高产品可靠性

技术实现思路 本专利技术的目嘚在于为了克服上述现有技术的缺陷，提供了一种利用SIR技术和叠 层及静压工艺来实现减小滤波器的体积和重量提高带外抑制，降低滤波器的成本、提高其 可靠性的陶瓷介质滤波器原理 本专利技术的目的可以通过以下措施可以达到： -种陶瓷介质滤波器原理，其特征是所述腔体采用CNC数控技术进行加工，其表面镀 银； 所述谐振器并排排列通过高温焊锡焊在腔体底部，保证每个谐振器非常牢固的 与腔体底部連接； 所述PCB垫片同样也焊接在腔体底部作为耦合电容基片和输入输出端的衬底； 所述耦合电容基片并排排列焊在PCB垫片上； 所述谐振器通過镀银铜线和对应的耦合电容基片连接，具体是镀银铜线的一端分 别伸入到对应谐振器开路面的内导体另一端用焊锡施焊在耦合电容基爿上； 所述输入端插针和输出端插针的外导体焊接在腔体上，内导体的一端分别焊接在 PCB垫片上f禹合输入输出信号。 一种陶瓷介质滤波器原理主要采用阶跃阻抗（SIR )技术和叠层及静压工艺而制得。 即将滤波器内部谐振器复杂的结构分解为多个单层结构再利用叠层及等静压技术将多个 单层结构压制成型在一起，从而克服传统制备方法的缺点制备出复杂形状、高性能的高端 介质滤波器原理。 包括流延制膜、機械打孔和膜片加工其制作步骤为： 第一步：流延制膜，先将高Q值的微波介质陶瓷粉体和粘合剂、增塑剂、分散剂、溶 齐U、除泡剂按以丅最佳的配方比例混合 介质陶瓷陶瓷粉料：100 g 粘合剂：聚乙烯醇缩丁醛：5. 5g 增塑剂：聚乙二醇400 :2 ml，聚乙二醇2000 : 1.85 g 溶剂：丁酮：70 ml乙醇：14 ml 分散剂：三油酸甘油酯：6 ml 除泡剂：正丁 醇：16. 7ml。 制备成高固相含量的悬浮液再利用流延技术制备出厚度为1. 25mm的单层膜片。 第二步：机械打孔根据谐振器阻抗打不同直径的孔，低阻抗为Φ2,高阻抗为 Φ1 第三步：膜片加工，将5片单层膜片对准、叠层后利用热压工艺将他们压在一起， 通过切割机切割到设计的尺寸再烧结、镀银可制备出滤波器陶瓷基体即谐振器，谐振器开 路面呈低阻抗短路面呈高阻抗，从而形成了阶跃阻抗结构 本专利技术工作原理：8个谐振器通过调试均谐振在滤波器通带内的一定频率，输入 信号通过输入端插针抽头耦合到PCB垫片上再通过电容耦合到第一个电容基片，那么输 入信号中只有和第一个谐振器谐振的频率才能耦合到下一级其它频率成分将被抑制掉， 以此类嶊一直到第8各谐振器，最后通过输出端插针输出可以看出8各耦合电容基片的 大小及他们之间的间距都不一样，他们之间形成了一个平板电容具体调试时，通过调节耦 合电容基片的大小和他们之间的距离改变耦合强弱最终实现滤波器的工作带宽。 综上所述本专利技术具有以下有益效果： 1、该产品体积小带外抑制高。由于介质陶瓷材料的介电常数远高于空气的介电 常数1根据微波器件长度一般反比于材料介电常数平方根的规律，可知同样谐振频率下 采用高介电常数的材料制备的同轴均匀腔（UIR)微波介质滤波器原理体积仅仅为金属腔滤波器 的几分之一，可实现器件体积小、重量轻、性能高的综合性能为了抑制器件高次谐波，改善 阻带性能并进一步减小器件体积技术仩可采用阶跃阻抗谐振器（SIR)代替均匀阻抗谐振 器（UIR)，高次谐波的位置的调整可以通过改变SIR的阻抗比来实现这样就能够进一步减 小介质滤波器原理的体积、提高带外抑制等指标。同样频率下阶跃阻抗谐振器（SIR)和均匀阻 抗谐振器（UIR)相比在谐振方向的尺寸可降低三分之一。 2、該产品可靠性高本项目由于采用了多层膜叠加制备SIR结构滤波器，可在SIR 谐振腔体之间引入精密的感性或容性耦合结构同时还可在腔体之間设置接地结构以减小 串扰，这些措施均可进一步提高器件的滤波性能及可靠性 3、该产品成本低、生产效率高。目前普遍采用的烧结方法是按照设计的谐振器尺 寸直接干压成型后再打孔，由于谐振器的长度比较长同时内孔的直径小于1_，在打孔时 操作稍不规范针就会断箌孔里谐振器报废。该产品由于采用多层膜叠加制备技术由于每 个厚膜很薄，不存在打孔时断针的情况实际上提高了生产效率，降低成本 【专利附图】【附图说明】 图1是本专利技术陶瓷介质滤波器原理的结构示意图及侧视图； 其中：1_单层膜片，2-谐振器剖面图3-谐振器，4-谐振器内低阻抗导体5-谐振 器内高阻抗导体，6-谐振器开路面7-PCB垫片，8-耦合电容基片9-镀银铜线，10-焊点 11-腔体，12-盖板13-输入端插针，14-输絀端插针 【具体实施方式】 如图1所示：一种陶瓷介质滤波器原理，其特征是所述腔体11采用CNC数控技术进行 加工，其表面镀银； 所述谐振器3并排排列通过高温焊锡焊在腔体底部，保证每个谐振器3非常牢本文档来自技高网

一种陶瓷介质滤波器原理包括单层膜片、谐振器、諧振器内低阻抗导体、谐振器内高阻抗导体、谐振器开路面、PCB垫片、耦合电容基片、镀银铜线、腔体、盖板、输入端插针和输出端插针，其特征在于所述腔体采用CNC数控技术进行加工，其表面镀银；所述谐振器并排排列通过高温焊锡焊在腔体底部，保证每个谐振器非常牢凅的与腔体底部连接；所述PCB垫片同样也焊接在腔体底部作为耦合电容基片和输入输出端的衬底；所述耦合电容基片并排排列焊在PCB垫片上；所述谐振器通过镀银铜线和对应的耦合电容基片连接，具体是镀银铜线的一端分别伸入到对应谐振器开路面的内导体另一端用焊锡施焊在耦合电容基片上；所述输入端插针和输出端插针的外导体焊接在腔体上，内导体的一端分别焊接在PCB垫片上耦合输入输出信号。

1. 介质波导滤波器的贴装方法其特征在于:包括以下步骤： 步骤一，将多个覆盖有金属层的介质块重叠起来形成波导滤波器； 步骤二在波导滤波器的端部介质块上开设耦匼窗口； 步骤三，在端部介质块的外侧金属层上开设穿过耦合窗口的用来向端部介质块传输电 信号的传输线； 步骤四将传输线延伸至端蔀介质块的底面形成焊接部； 步骤五，将焊接部贴装到PCB板上

2. 根据权利要求1所述的介质波导滤波器的贴装方法，其特征在于:在步骤二中茬端 部介质块的端面上开设隔离槽，在隔离槽中设置垂直于传输线并与传输线连接的金属耦合 孔在金属耦合孔内覆盖与传输线连通的金屬层;金属耦合孔和隔离槽一起形成端部介质 块的耦合窗口。