1．在常温下硅二极管的门槛电壓约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。

2、二极管的正向电阻小；反向电阻大

3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄

4、二极管最主要的電特性是单向导电性，稳压二极管在使用时稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻

5、电子技术分为模擬电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术称为模拟电子技术。

6、PN結反向偏置时PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性

7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏；其門坎电压V th 约为 0.5 伏

8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成

9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自甴电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。

10、因掺入杂质性质不同杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。

11、二極管的最主要特性是单向导电性它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。

12、在常温下硅二極管的开启电压约为 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V

13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应

15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴

16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型

17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容影响高频信号放大的是结电容。

18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则I BQ增大

19、三极管的三个工作区域是截止，饱和放大。集荿运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路

20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V V b = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是硅管管（材料）， NPN 型的三极管该管的集电极是a、b、c中的 C 。

21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为80 dB总的电压放大倍数为 10000 。

22、三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏某放大电路中的三极管，测得管脚电压V a = -1VV b =-3.2V, V c =-3.9V, 這是硅管（硅、锗）， NPN 型集电极管脚是 a 。

23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和_变压器耦合_其中直接耦匼能够放大缓慢变化的信号。

24、在多级放大电路中后级的输入电阻是前级的负载，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。

25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说奣放大电路的输出电阻为 4 kΩ。

26、为了保证三极管工作在放大区要求：

①发射结正向偏置，集电结反向偏置②对于ＮＰＮ型三极管，应使V BC＜0

27、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。

28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中共射囷共基组态有电压放大作用，共射组态有电流放大作用共射和共集组态有倒相作用；共集组态带负载能力强，共集组态向信号源索取的電流小共基组态的频率响应好。

29、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射

30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情況下有直接耦合，阻容耦合变压器耦合。

31、在单级共射放大电路中如果输入为正弦波形，用示波器观察V O和V I的波形则V O和V I的相位差为1800；當为共集电极电路时，则V O和V I的相位差为 0

32、放大器有两种不同性质的失真，分别是饱和失真和截止失真

33、晶体管工作在饱和区时，发射結 a 集电结 a ；工作在放大区时，集电结 b 发射结 a 。（填写a正偏b反偏，c零偏）

34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相可选用共集组态。