非同步二极管须流,二极管耗散的功率P=Vfow*IVfow压降基本固定,假设电流5A那么浪费的功率P=0.5*5=2.5W,非常恐怖;
大概计算下湔者效果可以近90%,后者只有70%这种情况下,MOS的Rds主导
2如果变为5V-4.5V/1A,很明显由于占空比高达90%,上两公式算下来都差不多这时候,开关损耗嘚比例就自然会占主要因素了
这个只是大概算法,实际上还有MOSFET栅极输入电容驱动损耗Qrr造成的关断时的损耗,特别后者
恕我孤陋寡闻,没听说DC-DC同步电子升压器与异步电子升压器只有做过BOOST同步整流电路,它的特点是把电子升压器二极管换成场管降低损耗
非同步芯片在肖特基二极管上的损耗很大,效率远低于同步整流芯片通常在大压差的应用条件下,同步芯片从性能到发热度来看都优于非同步整流芯爿
对的我也只是抱着提醒初学者的目的,这两个参数不注意有可能做出来的效率改善不大
在boost里,用同步就很少
表示什么啊 我看不懂麻烦你详解一下!!!!谢谢!!!
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