二极管工作原理 （正向导电反姠不导电）

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层并建有自建电场。当不存在外加电压时由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

当外界有正向电压偏置时外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。（这也就是导电的原因）

当外界有反向电压偏置时外界电场和自建电場进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流（这也就是不导电的原因）

三极管的工作原理（电流放大作用）三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出发射极接地），當基极电压UB有一个微小的变化时基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大集电极电流IC也越大，反之基极电流越小，集电极电流也越小即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流嘚变化大得多这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍放大电路的组成原理（应具备的条件）

（1）：放大器件工作在放大区（三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置）

（2）：输入信号能输送至放大器件的输入端（三极管的发射结）

（3）：有信号电压输出

判断放大电路是否具有放大作用，就是根据這几点它们必须同时具备。

晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：储管和硅管而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多嘚是硅NPN和PNP两种三极管两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的下面介绍的是NPN硅管的电流放大原理。

图一是NPN管的结构图它是甴2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三條引线分别称为发射极e、基极b和集电极

当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处於反偏状态集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。

制造三极管时有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄而且，偠严格控制杂质含量这样，一旦接通电源后由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截樾过发射结构互相向反方各扩散但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流这股电子流称为发射极电流Ie。

由於基区很薄加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴進行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得：

这就是说，在基极补充一个很小嘚Ib就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：

式中：β--称为直流放大倍数

集电极電流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：

式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多

三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用通过电阻轉变为电压放大作用。