请教n型半导体在光照在波长214nm的光照下小于等于大于吸收边在波长214nm的光照下三种情况下能带图 考虑吸收系数α

天风证券-有色金属行业深度研究:新材料系列报告之一~半导体行业新材料-200302


  1.半导体晶圆制造产能向中国转移国内半导体制造材料迎来发展机遇
  半导体制造材料包含硅片、光刻胶、光掩膜、溅射靶材、CMP抛光材料、湿化学品、电子特气、石英材料等。近年来半导体晶圆制造产能持续向中国转移,国內各地加码晶圆产能规划我们判断国内半导体制造材料行业已经进入快速上行趋势,主要逻辑有三:1、下游市场不断增长ICInsight预测市场年均复合增速高达14%;2、本土企业技术突破加速,个别细分领域产品性能达国际先进水平国产化率不断提高;3、政策端持续大力支持半导体楿关材料领域发展,包括大基金、02专项在资金和技术上的支持
  2.硅片:材料市场占比最高,大硅片发展空间大
  硅片在半导体制造材料细分子行业中市场占比最高2018年全球硅片市场规模达121.2亿美元。半导体制造所用硅片以8英寸和12英寸为主目前12英寸硅片国产化率仅约13%,隨国内总需求提升及硅片国产化率提高12英寸硅片行业将实现快速增长;8英寸硅片下游终端对应的汽车电子及工业应用半导体领域目前快速发展,将推动8英寸硅片需求进一步上行
  3.光掩膜及光刻胶:光刻技术关键材料,国产替代待进一步突破
  光掩膜及光刻胶(i型、g型、KrF型和ArF型光刻胶)是光刻环节中的关键材料2018年对应全球市场分别为17.3、40.4亿美元。二者市场主要为日本及欧美企业垄断国产化率水平低。以光刻胶行业为例对应主流制程的KrF型光刻胶国产化率仅5%,ArF型光刻胶基本依赖进口行业内已有多家公司开展相关研发和产业化项目,預计两种材料将在未来加快国产替代进程
  4.溅射靶材:发展较快,国内产品达领先制程要求国产化率高于30%
  溅射靶材如铜靶、钽靶、铝靶等主要应用于半导体制造过程中的金属溅射环节,2018年全球市场为8亿美元经我们测算,半导体溅射靶材国产化率高于30%目前国内企业产品性能已满足国际领先半导体制程要求,未来可实现大批量供货受益于晶圆厂产能提升,国产替代进程推进预计行业将持续发展。
  5.电子特气、CMP抛光材料、湿化学品:20%左右国产化率国产替代将持续推进
  电子特气(如高纯度SiH4、PH3、AsH3、N2O、NH3、SF6、NF3、CF4、BCl3、BF3、HCl、Cl2等)、CMP拋光材料(CMP抛光液及抛光垫)、湿化学品(超净高纯试剂和功能性材料等)三个细分子行业2018年全球市场分别为42.7、21.7、16.1亿美元。除CMP抛光垫国产囮率水平仍较低其余几种材料均已实现一定程度的国产替代,电子特气、CMP抛光液、湿化学品国产化率分别约为25%、20%、20%部分产品可达国际領先制程水平对应技术要求。在下游市场不断扩大技术壁垒实现突破,国产化率取得进展的背景下我们预计电子特气、CMP抛光材料、湿囮学品的国产替代将持续推进,实现行业快速发展
  6.石英材料:贯穿半导体制造全程,下游半导体、光通讯、光伏产业发展将推动行業快速上行
  石英材料(石英钟罩、石英管、光掩模基板、石英环、石英清洗箱、石英花篮、石英舟等)是半导体制造的重要材料其應用贯穿晶圆制造全程。半导体用石英材料目前国产化率低市场几乎为国外公司垄断。受益于下游半导体产能转移、5G光纤需求增长、光伏产业持续发展石英材料行业有望加速进口替代,进入快速上行趋势
  风险提示:硅晶圆产能建设不及预期,国内半导体材料产业研发进度、产能建设情况不及预期相关政策落地进度不及预期,原材料价格波动等风险

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  1.半导体晶圆制造产能向中国转移国内半导体制造材料迎来发展机遇
  半导体制造材料包含硅片、光刻胶、光掩膜、溅射靶材、CMP抛光材料、湿化学品、电子特气、石英材料等。近年来半导体晶圆制造产能持续向中国转移,国內各地加码晶圆产能规划我们判断国内半导体制造材料行业已经进入快速上行趋势,主要逻辑有三:1、下游市场不断增长ICInsight预测市场年均复合增速高达14%;2、本土企业技术突破加速,个别细分领域产品性能达国际先进水平国产化率不断提高;3、政策端持续大力支持半导体楿关材料领域发展,包括大基金、02专项在资金和技术上的支持
  2.硅片:材料市场占比最高,大硅片发展空间大
  硅片在半导体制造材料细分子行业中市场占比最高2018年全球硅片市场规模达121.2亿美元。半导体制造所用硅片以8英寸和12英寸为主目前12英寸硅片国产化率仅约13%,隨国内总需求提升及硅片国产化率提高12英寸硅片行业将实现快速增长;8英寸硅片下游终端对应的汽车电子及工业应用半导体领域目前快速发展,将推动8英寸硅片需求进一步上行
  3.光掩膜及光刻胶:光刻技术关键材料,国产替代待进一步突破
  光掩膜及光刻胶(i型、g型、KrF型和ArF型光刻胶)是光刻环节中的关键材料2018年对应全球市场分别为17.3、40.4亿美元。二者市场主要为日本及欧美企业垄断国产化率水平低。以光刻胶行业为例对应主流制程的KrF型光刻胶国产化率仅5%,ArF型光刻胶基本依赖进口行业内已有多家公司开展相关研发和产业化项目,預计两种材料将在未来加快国产替代进程
  4.溅射靶材:发展较快,国内产品达领先制程要求国产化率高于30%
  溅射靶材如铜靶、钽靶、铝靶等主要应用于半导体制造过程中的金属溅射环节,2018年全球市场为8亿美元经我们测算,半导体溅射靶材国产化率高于30%目前国内企业产品性能已满足国际领先半导体制程要求,未来可实现大批量供货受益于晶圆厂产能提升,国产替代进程推进预计行业将持续发展。
  5.电子特气、CMP抛光材料、湿化学品:20%左右国产化率国产替代将持续推进
  电子特气(如高纯度SiH4、PH3、AsH3、N2O、NH3、SF6、NF3、CF4、BCl3、BF3、HCl、Cl2等)、CMP拋光材料(CMP抛光液及抛光垫)、湿化学品(超净高纯试剂和功能性材料等)三个细分子行业2018年全球市场分别为42.7、21.7、16.1亿美元。除CMP抛光垫国产囮率水平仍较低其余几种材料均已实现一定程度的国产替代,电子特气、CMP抛光液、湿化学品国产化率分别约为25%、20%、20%部分产品可达国际領先制程水平对应技术要求。在下游市场不断扩大技术壁垒实现突破,国产化率取得进展的背景下我们预计电子特气、CMP抛光材料、湿囮学品的国产替代将持续推进,实现行业快速发展
  6.石英材料:贯穿半导体制造全程,下游半导体、光通讯、光伏产业发展将推动行業快速上行
  石英材料(石英钟罩、石英管、光掩模基板、石英环、石英清洗箱、石英花篮、石英舟等)是半导体制造的重要材料其應用贯穿晶圆制造全程。半导体用石英材料目前国产化率低市场几乎为国外公司垄断。受益于下游半导体产能转移、5G光纤需求增长、光伏产业持续发展石英材料行业有望加速进口替代,进入快速上行趋势
  风险提示:硅晶圆产能建设不及预期,国内半导体材料产业研发进度、产能建设情况不及预期相关政策落地进度不及预期,原材料价格波动等风险

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