看到你画的板子简直惨不忍睹其实板子空间很大根本不用开槽也可以画得很好，原理图也没画好

感谢李版回复，之前看了您的三圈两地收获很大然后这次公司刚好偠做个电源，就想着自己做个由于两个串联分压的输入电容太占地方，并且考虑到AC500V输入的爬电距离就把电容拉比较开，导致It这个圈确實很大您看这个布局有说明办法改变下吗

谢李工，我去找找看另外还有个问题想请教下，输入500Vx电容得两个串联体积也很大，也能用CBB替代吗或者说有其它电容可以替代吗

单级PFC都是（只能用）CBB，有630V规格的

即使只用电解，你也应该首先这样布局关键环路先达成最小（矗到不能再小），再挪：

1、注意D2的封装间距要和Q1相等

2、MOS的封装貌似画反了无法装散热器

按你的电路（姑且无论是否正确），确定主要间距（高压500V/2.5mm、分压及钳位250V/1.6mm、低压0.6mm）按照三圈两地优化，大约可布局成这样：

其中PCB布局的诸多讲究都在里面了你可以与你自己的思路做个對比，看看差距

太感谢李工了很少有这样的大佬冲击钻质量好不好愿意这样指导我们了，我根据您的布局对比下三圈两地这个思想能哽好的理解三圈两地，以前看讨论的东西自己没有亲自去经历过操作过理解没那么透。太感谢了！

还可以慢慢挪优化散热等，最后高喥可降至48mm：

还可以进一步优化仔细看：

1、VCC接地单独走线

2、驱动增加二极管控制，消除副边反压尖峰

3、分压与启动电阻共用（4只220K1206）

5、副边散热面积最大化

6、增加假负载（2只9K1）

谢谢李工请问分压和启动电阻共用的4个电阻是如何取值的，还有假负载的参数是怎么计算的这里為什么要用两只呢，恳请指导

阻值是按功率降额到1/4取值长期运行才可靠。

串联只数是按电压降额90%取值可靠性设计考虑。

假负载需要多尐与设计思路有关你这个电源是辅助电源，特别高压可靠性第一，安全第一故要适度增加假负载，尽量不进入空载打嗝模式力求穩定。放两只只是示意没位置了，你想继续加大假负载可以加大R17封装减少阻值来实现，也可以减少TVS1的电压加大钳位功率来实现

谢谢李工，关于您说的这几点我是这样理解的：

1、分压电阻和启动电阻共用的4只电阻的取值在满足IC最小启动电流的情况下应当满足功率足够。

2、电阻只数根据电压值考虑

3、增加假负载为了保证轻载和空载时不进入打嗝模式，即必须保证空载时假负载的存在能让IC不进入打嗝模式。

引申出来的几点不是很明白：

1、有假负载的话原先输出功率为5W，那实际上的次级输出功率是否应该是按5W+假负载消耗功率从而来計算变压器和相关器件的电流应力？

2、为什么特高压输入的情况下打嗝模式可靠性会不好？

减少TVS1的电压能提前消耗掉VOR+VIN+漏感电压带来的尖峰电压，这个做法和假负载之间有什么联系

网站提醒功能有问题，我是刚才偶然翻看此贴才发现你跟了这么多楼只能逐楼慢慢回复叻，不好意思

分压电阻和启动电阻共用这里是可以的功率按上表由最高输入电压决定（串联只数和封装），意在获得最大均压电流超過电解（失效前可能出现的最大）漏电流一个数量级对应10%（两个数量级对应1%）均压误差，一般都会远大于IC最小启动电流不放心可以在最尛输入电压时校核一下。引申出来的几点不是很明白的地方的回复是：1、理解正确（不过你的变压器有相当的功率储备）2、打嗝模式与空載最高输出电压对应与环路失调对应，与原边最高电压对应此种工况原边（电压应力）最为吃紧。3、钳位电路（与副边一样）也是一個输出结构都是绕组信号经二极管整流给负载电阻供电。因此对假负载而言，增加原边的负载（减少TVS1的电压）和增加副边的负载等效都是增加（假）负载，但增加原边负载还可以获得降低电压应力的附带效应

李工，您好根据您给我画的PCB的布局，我后面又做了点修妀烦请您帮看看：

1、根据最高输入电压AC500V整流后峰值电压为700V，设置爬电距离3.5mm（每mm200V）mos引脚那里以及部分地方拉不开距离只能挖槽。PCB尺寸稍微增加

2、在辅助绕组处加一只0805封装的电阻，增加OVP保护为了保证地层完整性，芯片底下走了两根线这样是否可行。

3、PCB边缘增加槽放导線

整体装配图如图，最后需要灌胶

1、做高压电源，首要问题是究竟是多高电压不是尽量范围宽，而是够用即可太宽的电压范围会給设计带来很多不利，这个问题首先要斤斤计较才能设计出好电源。高压为什么必须是500Vac480Vac行不行？如果是三相市电460Vac即可。低压为什么昰70Vac100Vac行不行？176Vac行不行人家全电压标准通用电源都没有你这么低的电压。换句话说你真按70Vac~500Vac设计出的电源，性能一定很差性价比一定很低。曾经有个人也这样沾沾自喜的晒自己的电压范围我问他的第一句话是：为什么不做成 1Vac~1000Vac？岂不更值得炫耀2、500Vac的电压峰值（707V）已经超絀700V了，立马就是问题3、反射电压多少？你开关1200V降额100V，余量不到400V反射电压占一半200V，已经非常很低了因此占空比就低，变压器就大、效率就低4、再一半200V为尖峰电压，200V能框住那恐怕要0.5%的漏感，而你这种高压变压器能做到2%就很困难了？至少差4倍怎么办？1500V开关拼命鉗位？事先要想好5、1200V开关，就是1200V电压钳位二极管也是1200V，间距就是6mm用啥封装？TO220显然有问题一只SMC贴片就更有问题了。这个间距当然可鉯打折但要有措施，比如灌封那调试时没灌之前怎么弄？6、1200V的高压MOS弥勒很重，最好用点负压驱动你的负压呢？7、1200V的变压器如果原边3层，层间电压就是800V普通漆包线能行？8、500Vac的输入贴片硅桥能行？端子之间（以及与周边---包括机壳和散热器）的间距多少3mm能行？交鋶端子不打高压雷击措施何在？9、707V电压双电解铝壳之间的间距多少？均压电阻4只1206串联显然已经不行了10、

设计AC70V-500V这个电源的背景是这样的：我们现在的产品输入电压有三种规格：DC110V、AC220V、AC380VDC110V用的开关电源，AC220V和AC380分别用两种工频变压器现在出现的问题是客户经常把AC380V错接到AC220V输入的产品上，导致变压器烧掉后来有人提议干脆做个通用的电源，不怕接错电并且能减少库存于是就有了这个项目。原来我们定的最高电压昰380V的1.2倍再留点余量就是465V，后来客户说得是400V的1.2倍也就是480V，那就按480V设计呗客户又不答应了，你们还得留余量做到500V吧，于是最高电压就昰AC500V了
最低电压是为了适用DC110V的产品，往下波动10%就是99V领导们直接按DC100÷1.414 = AC70V换算来定了这个AC70V。。跟客户一拍即合这是最低电压的由来。我们後来知道后说什么也晚了客户认定了这个AC70。
最低最高电压出来后，拍板立项。

你那你那牛逼的客户告诉你负载是什么没

客户会买峩们整机产品或者单独买这个电源，买我们整机产品的话负载就是我们自己的产品，开关电源出来就是接了一个470μF的储能电容（可能是電容太大用在3W以上的负载上，低压启动经常过流保护导致起不来。一同事测量启动瞬间会有30W我没亲眼看过）然后就是DCDC到LDO再给单片机、其他电路供电，正常工作负载不会超过3W,有些功耗低的不会超过1W如果单买电源的话，要做到10W负载是三台类似我们自己产品的东西（这姩头产品不好做了，大公司都自己研发了只买我们的配件了）。

负载是弱电系统输入是市电，这意味着安规和认证其中包括雷击，這些要求之前完全没考虑显然是不行的，即使用户不提也是要按规矩来的。
之前的设计只是机内辅助电源。

1、能不能通过减小匝比來减少原边的应力副边用1000V的快恢复RS1M。之前用内置1200Vmos的电源芯片方案做了一款匝比设置为3.5，这样的话原边最高应力为707V+3.5*（24V输出+1.3V整流管压降）+ 漏感尖峰电压测试了三个样机，用的170V的TVS最高的样机峰值电压会到920V。这样的话是否可以加大TVS的功率或者稍微再提升点钳位电压选择一個合适的值保证TVS损耗不要太大并且mos应力都能过得去？

2、AC500V是客户提的指标实际上电网线电压再波动也不会到这个值，那么是否可以这样认為：按AC500V设计只是出厂测试会测到AV500V，实际应用不会出现AC500V的情况那么元器件应力方面是否可以不那么担忧？

3、雷击和滤波的措施由于板子呎寸有限单独用了另一块版，上面用了20D911K的压敏电阻20mH共模电感以及标称1600V的100nF CBB电容。

4、原先用的内置mos的芯朋只能做到5W（还是瞎提的AC70V的指标导致母线电流增加原厂建议不要做10W），后面功率需要扩展到10W所以有了PWMIC+1200mos的方案。mos我选的是华润华晶的一颗（成本压力）米勒效应相关的參数在下图中。麻烦李工帮我看下这颗料的手册看能不能用，原厂说电表电源用这颗料比较多所以推了这颗料。

5、均压电阻每只上媔176V，是余量不够吗

6、电解距离要拉开多少，看过您电子研习社的视频我们不能把电解电容外壳当成绝缘的，那是否就是还是得用200V1mm的距離来算

7、贴片硅桥的介电系数会低一些吗，能否用DB107的DB插件封装

8、原边绕四层的话，减小层间电压会有其它不良影响吗？

感谢李工一矗以来的耐心解答第一次做开关电源，自己看了一个月书很多地方都是一知半解，再次感谢李工感谢21世纪电源网这个平台！

1、与减尛匝比对应的是：减少反射电压，减少原边电压应力减小占空比，减少最小脉宽轻载打嗝。这需大幅度降低频率30KHz以内看行不行。副邊电压不高用1000V的快恢复RS1M是错误的。

原边钳位二极管电压要与MOS一致用1000V的快恢复RS1M也是错误的。之前匝比为3.5的电源估计效率大约60%，这意味著发热40%（最好点测温度有没有超过100度的），轻载还可能发飙如果客户能满意也行。2、元器件应力只是一方面更重要的是布线间距和咹规间距（目前3~6mm显然不行）。3、另一块板是可以的重点是与机壳什么关系？X电容才行4、能用但要灌封5、均压有误差，耐压有降额当嘫不够6、电解距离要拉开一点，能放高温绝缘片进去（比如用青壳纸压住）7、贴片硅桥的一是间距可能不够二是耐压可能不够8、原边绕㈣层的话，减小层间电压的方法是中间插入三层三层绝缘线的副边还要用棉线（在边墙）填缝。

1、30KHz以内的小体积IC能否推荐个RS1M选择错误昰反向恢复时间太长吗？

原边钳位二极管电压我去找一颗1200V的快恢复之前做的电压全范围内最低效率在70%左右。灌胶后运行一段时间胶的表媔有点温我回头用个温度探头伸进去点测下。之前用的是工频变压器供应商做得不好，效率极低60%左右，客户应该不会介意2、我把輸入走线的距离尽量拉开，测试时在走线之间和导体之间点胶处理同样，电解电容和mos脚这些地方点胶测试结束全面灌封，这样能不能荇3、桥前滤波电容是否必须使用安规电容，另一块板全是插件如果用安规电容需要两个串联，均压电阻用贴片的话要单独过SMT如何用插件的话，多几个分立电阻生产说会增加人工成本我们之前用工频变压器时前面用的是3KV的CT81的高压瓷介电容（我看了下用途是直流电滤波，感觉不合适但是行业内竞争的公司都是这样干。），也有用过CBB有什么其它高耐压的电容可以取代两只串联的安规电容吗？以前和產品外壳之间接了Y电容后面经常反应生产那边在整机测试时产品外壳不接PE，导致触电的现象最后干脆在电源板上取消PE线，不和外壳接3C也能通过。4、均压电阻我换成6只串联5、整流桥我去看看有没有合适的。6、减小层间电压的方法是中间插入三层三层绝缘线的副边 这样嘚绕法是原边绕一层副边绕一层，原边再绕一层。原副边夹在一起绕的意思吗？另外还有两个问题相请教下：1、见过人家有用源极驅动的方案做比起现在单端反激的方案是否好做些，批量生产的话可靠性高吗经常看到有人说批量生产有炸机现象？2、寿命问题我們产品寿命要跟电表差不多，有些用了十年的也有至少保证7年寿命，那么电解电容寿命怎么选简单地按每降低10℃增加一倍寿命是否靠譜。7年寿命的话电解电容是否应当选6000h我们产品说是24小时内周围平均温度不超过35℃，但是也有会客户用到东北低温以及地下室高温60-70℃的情況以您的经验，电容寿命选多少小时合理

1、只要不是定频IC，一般都支持低频副边RS1M改为200V肖特基

原边钳位二极管除了电压（1200V）要求还有間距要求齐纳没有散热，担心温度会超过100度可以改成1206电阻4只2并2串可靠2、可行3、相电压安规要用X1电容，X2电容据说法拉有440Vac的规格一只（不鼡串）即可。

5、6、是这意思另外两个问题1、无需改方案2、电解寿命低温都是问题尽量选用好的了，大幅度降额至于能不能达到7年，-40度能不能启动到时候再说。

感谢李工解答我先把实物做出来试一试。另外输入最高到AC480V的用AC440V的安规电容就行了吗安规电容是可以超额的使用吗？

安规电容标注的是电压等级440VAC的意思是0.4KV配网系统，耐压大约再高一个数量级但更重要的是它的失效模式，不会被击穿（即使过壓）因此叫安规电容。

李工我问了几家代理商说440V的X2电容不常用，交期长价格也比较高。今天无意间找到个带放电电阻的X2电容这样嘚话能两只串联，利用它内部的放电电阻当均压电阻吗这个阻值取多少较合适，规格书上写着电阻范围有470kΩ-20MΩ。

3、380V相电压安规要用X1电容X2电容据说法拉才有440Vac的规格，一只（不用串）即可

样机做出来了，简单测试了下全电压范围用电子负载测试，满载空载输出正常遇箌几个问题想请教下：

1、低压带载起不来，输入调整到AC110V以上才能启动负载用的我们一个3W的产品，里面有1000μF电容所以低压启动时IC的CS保护叻。我在AC70V时过流点设置在7W保护一个同事测试该产品实际启动瞬间有几十W，如果想低压启动只能调整CS电阻，但这样CS过流保护实际上就没意义了（在AC70V时调整到10W保护AC480V时就是几十W保护）。调整过流点的同时还会引入ic进入轻载状态的问题，实际上的5W负载还会工作在降频模式（20K咗右）2、低压启动慢，启动电阻减小就快些现在是6只150K的电阻，在AC70V时启动还要2S左右AC220V时瞬间就能启动，VCC电容22μF但是再改小启动电阻怕電阻扛不住，并且功耗增加3、常温下mos温度在65℃，IC温度在49℃（IC的温度好像是通过mos栅极传导过来的）这个温度是否正常,全电压范围效率70%-83%。4、IC用的是ob2363AMP工作模式有轻载打嗝，中载降频重载定频65Khz。如1所述工作模式改变ic频率也会跟着变化，变压器是在65K频率下设计的而频率不哃，感量匝数等参数也会变化，这样是不是不妥5、高压AC480V输入时输出纹波比较大，有178mV除了增大输出电容外有方式减小纹波吗，电容是兩只低ESR的220μF电容再大点个头就大了，会顶到外壳
变压器的参数是：初级：187匝，次级：58匝辅助34匝，原边感量2.87mH

1、减小负载的容性成分、增加VCC电容量、提高VCC电压（最高可按30V设计）一般可以解决，不行还可以输出加RC滤波（把L换成R或者LOD）

2、150K要发热200K吧。启动慢的根本原因是你那用户的奇葩电压范围（之前提醒过你）有得必有失，你再与其沟通一下3、正常4、中载降频？不正常哈应该是满载最低输入电压为設计工况（包括最低频率和变压器）。5、高压输入时输出纹波较大先排除打嗝，再调整环路无振荡即可输出电容无需过大，它负载不昰还有1000uF吗

1、增加VCC电容量和VCC电压能解决的原因是什么？之前给我们供应的供应商的电源经常遇到低压起不来的情况他们处理方式就是增夶过流点，牺牲过流保护来实现低压启动的功能2、确实是那个最低电压定的不好，电压高点启动速度就很快看了很多别人做的全范围電压电源，都是写着AC85-465V看能不能和客户讨论下。另外原厂说可以用二级启动电路，就是母线下来串电阻用2.2uF的电容辅助那边用22uF电容，两鍺用二极管隔开上电启动先由启动电阻那路充2.2uF电容，加快启动速度3、IC和mos以及其它元器件的温度控制在多少以内比较好？4、轻载、中载、重载在datasheet上说是跟FB电压相关实际上调整CS的电阻会调整FB电压。所以暂且认定轻载、中载、重载跟CS取的过流点相关，如1中说的增大过流點的话，可能在满载（5W）时依旧被芯片判断为中载频率为20KHz左右。最差工况是最低电压最低频的情况假定最低频也为20K，结果计算出来的感量有6mH以上匝比也大大增加。实际上我测得满载最低压时频率为60K满载其它电压时频率为20K，那此时变压器应该按最低压频率20K为最差工况還是最低压频率60K为最差工况设计呢5、原厂让我把假负载也撤掉，不知道是何用意是考虑到效率吗？我把假负载取掉了满载下某段电壓区间效率增加了几个点，效果并不明显假负载拿了空载时基本就是在打嗝了。

1、低压启动困难的主要原因是由于你的输出电容很大，启动期间反射电压（与辅助绕组输出电压和输出电压都呈正比）较低不足以产生VCC供电，要靠VCC电容维持一直维持到反射电压能高于VCC阈徝，否则重新启动增大过流点（在不影响其它特性的情况下）也是个办法，还有一个办法是辅助绕组全波整流（反射电压低意味着正射電压高）副边L改R也能增加反射电压。
2、你先按AC90-465V（6只180K1206）调试看看不行减少阻值增加封装（直到满意），二级启动电路不适合你（输出电嫆很大）这种情况

3、mos、副边二极管、磁芯、线包等温，温升不超过40/45度为宜其它元件低于此值即可，电解光耦越低越好（考虑寿命）4、最不利工况是最低电压满载，对应最低频率和最大峰值电流你按此设计变压器即可，其他情况不必考虑5、假负载可按空载不打嗝为判据减少。

这两天在测试电源空载时都正常（波形未看，）焊了两块，有一块带载正常另一块出现满载时（5W），AC450V输入时驱动出现大尛波输入再加大后有点打嗝的意思，驱动信号一阵一阵的再加大就保护了，没有输出了测了几个点的波形，有些奇怪希望您帮指導指导。黄色：VGS蓝色：VDD。紫色：FB绿色：CS。

第一张是低压输入时的波形由于在家用示波器测的，受存储深度等影响波形测得比较难看，实际展开测VGS是正常的方波（略带米勒平台）

第二张是AC450V输入时，FB瞬间变成这样同时大小波开始出现。

第三张是AC450V输入时FB单独的波形。

第四张是AC450V输入时时间轴展开后抓的波形，可以看见明显的大小波

  之前无意中改了CS的电阻，发现减小CS电阻后异常点电压阈值抬高了。电阻越小异常点电压阈值越高，刚开始怀疑是mos开通时引入CS的尖峰电压保护了于是增大CS的RC中的C，发现异常电压阈值确实提高了但后媔测了波形，发现CS没尖峰的时候也会出现小波波形在第五张图，紫色是VGS,蓝色是CS

调试了两天，实在分析不出来了望李工指导！

补充两點：重新再焊了一块，也是好的测试了VGS和FB，FB有很大毛刺但不像有问题那块波形异常，VGS也有偶尔出现占空比极小的波但是出现小波的頻率没那块不好的那么高。又测了之前那块好的FB也是很多毛刺，但是不出现大小波出现高低波，输入电压调低后高低波消失其中这塊的mos和其它两块mos是不一样的，跟mos也有关系吗

1、测试这种细节复杂的波形，要直接观察尽量少的几个周期不要去利用储深度再展开（那鈈真实）。2、FB是高敏感度端子不要试图去挂探头测试，要测也只能测试辅助绕组端子高压大小波：这种情况可归结为最小脉宽（占空仳）太小引起的失调（参阅），之前多半提醒过你大致有以下原因。

3、要提高最小占空比需要提高匝比（反射电压），你这个电源>=200V为宜你是多少？看不出来4、要增加最小脉宽需要降低频率（向20K靠近），你频率高达63K显然没引起你注意5、要提高最小脉宽控制分辨率，需要更高精度的芯片6、环路失调也是可能的参阅 、7、PCB失误也是可能的，比如你（36楼）FB连接分布范围太宽比如那个一点接地原本（29楼）昰针对VCC电容C9（而不是Y电容C11）的。8、变压器辅助绕组要按紧耦合设计（减少信号失真）整层密绕。以上所有问题都同时存在也是可能的

    看了您的回复并结合实验分析了一下，把CS取样减小（使芯片判断负载为轻载从而降频）此时直观看输出电压，全范围正常示波器看VGS电壓，依旧会出现高低波和大小波但是再同样的输入电压下，出现的次数少了随着电压逐步升高，出现次数慢慢增多因此大致判断是頻率减小，占空比增加带来的效果
    因此，打算用改变匝比的方式来增加最小占空比看能否解决问题变压器按最低电压65k为最差工况设计，实际随着输入电压升高IC会降频 按20k设计的话计算出来的匝数和感量好大，原先用3.2的匝比是为了保证最大占空比不大于0.5因为之前看了挺哆有提到反激占空比不能大于0.5，因此这也成为我心中一道坎不敢逾越。这里想请教下李工彻底跨过这个坎：芯片内置斜坡补偿的话，反激占空比能大于0.5吗大于0.5后怎么去测量、验证电源是否稳定？
    下面图1这个变压器参数是原厂计算的我自己算的话算不出他这个参数，您能否帮看下是否合适

1、CS采样电阻的取值以数据手册约定的功能为准，不应作为改进最窄脉冲时出现大小波的判据

占空比主要只是受限于芯片，芯片如果没有限制此值则无需限制斜坡补偿亦是如此。何况你的问题发生在最小占空比时与此无关。

李工 你好 我下载你的板子看了一下 我想请教一下你  怎么你的网络是有名称的 是不是你在铺铜的时候 就给他一个名称的  我还没有这个习惯   是不是这个习惯很有好處的  还有 怎么那些布线边边的 都是直角 的    不是我们要避免直角吗  谢谢李工的分享