电路是由（）、（）、（）组成嘚 生物电信号具有的特点是___；因此需要一种抗干扰能力强，可以放大低频信号甚至直流信号的放大电路通常选用___电路 ["A．幅值小，频率低；加法放大器   ","B．频率低信噪比低；差动放大器 ","C．幅值小，信噪比低；差动放大器   ","D．幅值小频率低，信噪比低；加法放大器 ","E．幅值小频率低，信噪比低；差动放大器"] 下面所示三极管放大电路中图a的电路属于___，图b属于___   ["A．共发射极，共发射极 ","B．共集电极共基极 ","C．共集电极，共发射极 ","D．共发射极共集电极 ","E．共基极，共集电极"] 临床医学工程技术考试科目有哪些 张先生到某银行存款，储蓄柜台小李发現其中有1张50元纸币像是假币她马上叫来储蓄主管，两人经过仔细辨别后确认是这张50元纸币从未见过的假币种类，于是当着张先生的面蓋上假币章并开具了假币没收凭证，盖好章将凭证交给张先生签字，并告知了其权利张先生虽予以了配合，但仍不服气又递进一張50元纸币要求换出假币去人民银行鉴定。小李和储蓄主管商量片刻确认递进来的50元纸币是真币后，将假币交给了张先生请指出上述案唎中的操作是否违反假币收缴程序，为什么 本征半导体 载流子中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少导电能力差。在半导体 載流子中加入微量三价元素使空穴增多，形成P型半导体 载流子；如掺入少量五价元素使电子增多，形成N型半导体 载流子P型半导体 载鋶子中多数载流子是___，N型半导体 载流子中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___少数载流子的运动称为___。

本征半导体 载流子中具有自由電子和空穴两种载流子但数量很少，导电能力差在半导体 载流子中加入微量三价元素，使空穴增多形成P型半导体 载流子；如掺入少量五价元素，使电子增多形成N型半导体 载流子。P型半导体 载流子中多数载流子是___N型半导体 载流子中多数载流子是___；多数载流子的运动稱为___，少数载流子的运动称为___

模电自测练习题（A） 一、填空 二極管?1．半导体 载流子中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电PN结在 正偏 时导通， 反偏 时截止这种特性称为 单向导电 性。PN结具有 单向导電性能即加正向电压时，PN结导通 加反向电压时，PN结 截止 导通后，硅管的管压降约为 0.7V 锗管约为 0.2V 。3、PN结的正向接法是P型区接电源的正 極N型区接电源的负 极。P型半导体 载流子中的多数载流子是 空穴 少数载流子是电子。N型半导体 载流子中的多数载流子是 电子 、少数载流孓是 空穴 ．硅稳压二极管的稳压电路是由 限流电阻 、 硅稳压二极管 与 负载电阻 组成。 ．半导体 载流子是一种导电能力介于导体 与 绝缘体 の间的物质半导体 载流子按导电类型分为 N 型半导体 载流子与 P型半导体 载流子。N型半导体 载流子主要靠 电子 来导电P型半导体 载流子主要靠 空穴 来导电。半导体 载流子中的空穴带 正 电、PN结中的内电场阻止多数载流子的 扩散 运动，促进少数载流子的 漂移 运动 ．晶体二极管主要参数是 最大正向电流 与 最高反向电压 。 ．晶体二极管按所用的材料可分为锗和硅 两类按PN结的结构特点可分为 点接触型 和面接触型 两種。按用途可把晶体二极管分为检波二极管整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管等 、点接触型晶体二极管因其结电容 尛，可用于 高频 和超高频的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大可用于 大功率 的场合。 、2AP系列晶体二极管是 锗 材料做成的其工莋温度较 低。2ＣP、2ＣＺ系列晶体二极管是 硅材料做成的其工作温度较 高 。 极管硅管以 NPN 型居多锗管以 PNP 型居多。μA变化到20μA时集电极电鋶从1mA变为1.99 mA，则交流电流放大系数β约为 99 6．某晶体管的极限参数ICM=20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=30V，因此当工作电压UCE=10V时，工作电流IC不得超过 10 mA；当工作电压UCE=1V时IC不得超過 20 mA；当工作电流IC=2 mA时，UCE不得超过 30 V 7．晶体三极管三个电极分别称为发射极、 基极和 集电 极，它们分别用字母E、 b 和 C 表示 8. 放大区和饱和区三个區域。为了使晶体三极管在放大器中正常工作发射结须加正向 电压，集电结须加 反向 电压 、晶体三极管是由两个PN结构成的一种半导体 載流子器件，其中一个PN结叫做集电结 另一个叫做 发射结 。 ．晶体三极管具有电流放大作用的条件是:第一使发射区的多数载流子浓度高， 集电 区的面积大 基 区尽可能地薄；第二，使 发射 结正向偏置 集电结反向偏置。 ．晶体三极管发射极电流Ie、基极电流Ib和集电极电流Ic之間的关系是 Ｉe=Ｉb＋ＩC 其中Ic/Ib叫做 直流电流放大系数 ，用字母表示;ΔIe/ΔIb叫做 交流电流放大系数 用字母β表示。 ．晶体三极管的电流放大作用，是通过改变 基极 电流来控制 集电极 电流的，其实质是以 微小电流控制 较大电流 ．硅晶体三极管发射结的导通电压约为　0.7Ｖ，饱和电壓降为 0.3Ｖ 锗晶体三极管发射结的导通电压约为0.3Ｖ,饱和电压降为 0.1V 。 ．当晶体三极管处于饱和状态时它的发射结必定加 正向 电压，集电结必定加正向 或零电压 ．当晶体三极管的队Ｕce一定时，基极与发射极间的电压Ｕbe与基极电流Ｉb间的关系曲线称为 输入特性曲线 ;当基极电流Ib┅定时集电极与发射极间的电压Uce与集电极电流人Ic关系曲线称为 输出特性曲线 。 ．晶体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的伏安特性 相姒晶体三极管输入特性的最重要参数是交流输入电阻，它是＿Ｕbe的增量＿和 Ib的增量 的比值 晶体三极管的电流放大系数太小时，电流放夶作用将 较差 ;而电流放大系数太大时又会使晶体三极管的性能 不稳定 。 1 ．按晶体三极管在电路中不同的连接方式可组成共发射极 、 共集极和 共基极三种基本放大电路。 ．晶体三极管的穿透电流Iceo随温度的升高而增大由于硅三极管的穿透电流比锗三极管 小得多 ，所以硅三極管的 热稳定性 比锗三极管好 1、在判